JPH05226563A - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びその製造方法Info
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- JPH05226563A JPH05226563A JP2347592A JP2347592A JPH05226563A JP H05226563 A JPH05226563 A JP H05226563A JP 2347592 A JP2347592 A JP 2347592A JP 2347592 A JP2347592 A JP 2347592A JP H05226563 A JPH05226563 A JP H05226563A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで製
造することを可能とするリ−ドフレ−ム及びその製造方
法を提供する。 【構成】 銅基板上に銀メッキを施したリ−ドフレ−ム
を先ず用意する。そして、このリ−ドフレ−ムの表面に
対して、プレス加工成型を施し、かかる表面に積極的に
凹凸を形成する。図1は、このようにして製造されたリ
−ドフレ−ムの表面を示すトンネル顕微鏡像(倍率 ×
6,500)である。リ−ドフレ−ム10の表面には、
約600nmの深さの凹凸が形成されているのが分か
る。
造することを可能とするリ−ドフレ−ム及びその製造方
法を提供する。 【構成】 銅基板上に銀メッキを施したリ−ドフレ−ム
を先ず用意する。そして、このリ−ドフレ−ムの表面に
対して、プレス加工成型を施し、かかる表面に積極的に
凹凸を形成する。図1は、このようにして製造されたリ
−ドフレ−ムの表面を示すトンネル顕微鏡像(倍率 ×
6,500)である。リ−ドフレ−ム10の表面には、
約600nmの深さの凹凸が形成されているのが分か
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に用
いられるリ−ドフレ−ム及びその製造方法に関するもの
である。
いられるリ−ドフレ−ム及びその製造方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】半導体装置には、例えばディアル・イン
・ライン・パッケ−ジ、フラット・パッケ−ジ、ピン・
グリッド・アレ−・パッケ−ジなどの樹脂封止型等のパ
ッケ−ジを用いて構成されるものがある。
・ライン・パッケ−ジ、フラット・パッケ−ジ、ピン・
グリッド・アレ−・パッケ−ジなどの樹脂封止型等のパ
ッケ−ジを用いて構成されるものがある。
【0003】従来、この種の半導体装置の製造において
は、多数のダイパッド及びリ−ドを含むリ−ドフレ−ム
上に多数のIC(集積回路)素子をセットして、1回で
樹脂モ−ルドした後、夫々のパッケ−ジごとに、リ−ド
フレ−ムの根本を切断して、個々のパッケ−ジ化された
半導体装置を切り離すパッケ−ジング技術が、その量産
効率及び経済性の良さ故に、一般に広く用いられてい
る。
は、多数のダイパッド及びリ−ドを含むリ−ドフレ−ム
上に多数のIC(集積回路)素子をセットして、1回で
樹脂モ−ルドした後、夫々のパッケ−ジごとに、リ−ド
フレ−ムの根本を切断して、個々のパッケ−ジ化された
半導体装置を切り離すパッケ−ジング技術が、その量産
効率及び経済性の良さ故に、一般に広く用いられてい
る。
【0004】このような半導体装置の製造においては、
樹脂モ−ルドする前に、先ず、IC素子をリ−ドフレ−
ムのダイパッドに、溶剤たる接着剤を用いてダイボンド
する。更に、リ−ドのパッケ−ジ内部に位置することに
なる部分、即ちインナリ−ドとIC素子のパッドとをワ
イヤボンディング技術等により結線して、リ−ドとIC
素子との所定の電気的接続を得るようにしている。
樹脂モ−ルドする前に、先ず、IC素子をリ−ドフレ−
ムのダイパッドに、溶剤たる接着剤を用いてダイボンド
する。更に、リ−ドのパッケ−ジ内部に位置することに
なる部分、即ちインナリ−ドとIC素子のパッドとをワ
イヤボンディング技術等により結線して、リ−ドとIC
素子との所定の電気的接続を得るようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】一般にこの種の半導体
装置においては、その信頼性及び安定性、並びにその製
造に係る歩留りが極めて重要である。
装置においては、その信頼性及び安定性、並びにその製
造に係る歩留りが極めて重要である。
【0006】しかしながら、従来のリ−ドフレ−ムを用
いて半導体装置を製造する場合、これらの性能等の向上
のためには、IC素子をリ−ドフレ−ムに取り付けるに
当り、IC素子をダイボンドする際の接着剤のダイパッ
ド表面上での拡散が問題となり、更にはワイヤボンディ
ングにかかる接合強度不足が問題となり、これらの問題
についての改善が望まれる。
いて半導体装置を製造する場合、これらの性能等の向上
のためには、IC素子をリ−ドフレ−ムに取り付けるに
当り、IC素子をダイボンドする際の接着剤のダイパッ
ド表面上での拡散が問題となり、更にはワイヤボンディ
ングにかかる接合強度不足が問題となり、これらの問題
についての改善が望まれる。
【0007】本発明は上述した従来の問題点に鑑み成さ
れたものであり、信頼性の高い半導体装置を高い歩留ま
りで製造することを可能とするリ−ドフレ−ム及びその
製造方法を提供することを課題とする。
れたものであり、信頼性の高い半導体装置を高い歩留ま
りで製造することを可能とするリ−ドフレ−ム及びその
製造方法を提供することを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のリ−ドフレ−ム
は上述の課題を達成すべく、表面に凹凸形成処理が施さ
れていることを特徴とする。
は上述の課題を達成すべく、表面に凹凸形成処理が施さ
れていることを特徴とする。
【0009】また、本発明のリ−ドフレ−ムの製造方法
は、所定形状を有し表面にメッキ処理が施された金属板
から構成されたリ−ドフレ−ムの該表面にプレス加工成
型により凹凸を形成することを特徴とする。
は、所定形状を有し表面にメッキ処理が施された金属板
から構成されたリ−ドフレ−ムの該表面にプレス加工成
型により凹凸を形成することを特徴とする。
【0010】
【作用】本発明の発明者らの研究によれば、接着剤、即
ち溶剤のリ−ドフレ−ム上での拡散を決定する要因は、
概ね(1) 溶剤の種類と量、(2) リ−ドフレ−ム表面の材
質及び形状、(3) 温度、湿度等の使用環境、の3つに分
類できる。ここで、パッケ−ジに関する他の機能を損な
うこと無く、且つ拡散を防止する方法として有効なのは
リ−ドフレ−ム表面形状の改善である。
ち溶剤のリ−ドフレ−ム上での拡散を決定する要因は、
概ね(1) 溶剤の種類と量、(2) リ−ドフレ−ム表面の材
質及び形状、(3) 温度、湿度等の使用環境、の3つに分
類できる。ここで、パッケ−ジに関する他の機能を損な
うこと無く、且つ拡散を防止する方法として有効なのは
リ−ドフレ−ム表面形状の改善である。
【0011】一方、ワイヤボンディング性を決定する要
因は、概ね(1) ボンディングワイヤの材質とサイズ、
(2) リ−ドフレ−ム表面の材質と形状、(3) 超音波接
合、熱圧着等の結線方法、の3つに分類できる。ここ
で、パッケ−ジに関する他の機能の性能を損なうこと無
く、且つ接合強度を向上させる方法として有効なのは、
やはりリ−ドフレ−ム表面形状の改善である。
因は、概ね(1) ボンディングワイヤの材質とサイズ、
(2) リ−ドフレ−ム表面の材質と形状、(3) 超音波接
合、熱圧着等の結線方法、の3つに分類できる。ここ
で、パッケ−ジに関する他の機能の性能を損なうこと無
く、且つ接合強度を向上させる方法として有効なのは、
やはりリ−ドフレ−ム表面形状の改善である。
【0012】ここで、本発明のリ−ドフレ−ムによれ
ば、表面に凹凸形成処理が施されており、即ち、表面に
凹凸が積極的に形成されているので、かかる凹凸により
物理的に溶剤たる接着剤の拡散を抑えることができる。
同時に、かかる凹凸の存在により、ワイヤボンディング
の際のワイヤとの接合面たるリ−ドフレ−ム表面の面積
が増加するので、かかる接合面積の増加に応じて接合強
度を高めることができる。この結果、本発明のリ−ドフ
レ−ムを用いれば、パッケ−ジングに関する他の機能を
損なうこと無く、接着剤の拡散防止及び接合強度の向上
を図ることができる。
ば、表面に凹凸形成処理が施されており、即ち、表面に
凹凸が積極的に形成されているので、かかる凹凸により
物理的に溶剤たる接着剤の拡散を抑えることができる。
同時に、かかる凹凸の存在により、ワイヤボンディング
の際のワイヤとの接合面たるリ−ドフレ−ム表面の面積
が増加するので、かかる接合面積の増加に応じて接合強
度を高めることができる。この結果、本発明のリ−ドフ
レ−ムを用いれば、パッケ−ジングに関する他の機能を
損なうこと無く、接着剤の拡散防止及び接合強度の向上
を図ることができる。
【0013】また、本発明のリ−ドフレ−ムの製造方法
によれば、リ−ドフレ−ムの表面にプレス加工成型によ
り凹凸を形成するようにしたので、上述した本発明のリ
−ドフレ−ムを簡単に製造することができる。
によれば、リ−ドフレ−ムの表面にプレス加工成型によ
り凹凸を形成するようにしたので、上述した本発明のリ
−ドフレ−ムを簡単に製造することができる。
【0014】次に示す本発明の実施例から、本発明のこ
のような作用がより明らかにされ、更に本発明の他の作
用が明らかにされよう。
のような作用がより明らかにされ、更に本発明の他の作
用が明らかにされよう。
【0015】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
【0016】本実施例では、従来から用いられているの
と同様に構成された銅基板上に銀メッキを施したリ−ド
フレ−ムを先ず用意する。そして、このリ−ドフレ−ム
の表面に対して、プレス加工成型を施し、かかる表面に
積極的に凹凸を形成する。
と同様に構成された銅基板上に銀メッキを施したリ−ド
フレ−ムを先ず用意する。そして、このリ−ドフレ−ム
の表面に対して、プレス加工成型を施し、かかる表面に
積極的に凹凸を形成する。
【0017】図1は、このようにして製造された本発明
の第1実施例であるリ−ドフレ−ムの表面を示すトンネ
ル顕微鏡像(倍率 ×6,500)である。
の第1実施例であるリ−ドフレ−ムの表面を示すトンネ
ル顕微鏡像(倍率 ×6,500)である。
【0018】図1において、リ−ドフレ−ム10の表面
には、約600nmの深さの凹凸が形成されているのが
分かる。
には、約600nmの深さの凹凸が形成されているのが
分かる。
【0019】一方、第1実施例の場合と同様に用意した
リ−ドフレ−ムに対して第1実施例とは異なるプレス加
工成型を施して製造した本発明の第2実施例であるリ−
ドフレ−ムの表面を示すトンネル顕微鏡像(倍率 ×
6,500)を図2に示す。
リ−ドフレ−ムに対して第1実施例とは異なるプレス加
工成型を施して製造した本発明の第2実施例であるリ−
ドフレ−ムの表面を示すトンネル顕微鏡像(倍率 ×
6,500)を図2に示す。
【0020】図2において、リ−ドフレ−ム20の表面
には、約200nmの深さの凹凸が形成されているのが
分かる。
には、約200nmの深さの凹凸が形成されているのが
分かる。
【0021】次に、このように構成されたリ−ドフレ−
ム10及び20に対して、銀ペ−ストを塗布した際に発
生する滲みについて調べてみた。この際発生した滲み具
合の光学顕微鏡像(倍率 ×35)を図3及び図4に夫
々示す。
ム10及び20に対して、銀ペ−ストを塗布した際に発
生する滲みについて調べてみた。この際発生した滲み具
合の光学顕微鏡像(倍率 ×35)を図3及び図4に夫
々示す。
【0022】図3から分かるように、リ−ドフレ−ム1
0の場合、即ち表面に形成された凹凸が比較的大きい場
合には、銀ペ−スト11の滲み12が0.11mm程度
に抑えられている。これに対し、図4から分かるよう
に、リ−ドフレ−ム20の場合、即ち表面に形成された
凹凸が比較的小さい場合には、銀ペ−スト21の滲み2
2が0.20mm程度に達している。尚、従来の如く、
リ−ドフレ−ムの表面に対して、凹凸形成処理を何ら施
さない場合には、滲みは0.20mmを超えてしまう。
0の場合、即ち表面に形成された凹凸が比較的大きい場
合には、銀ペ−スト11の滲み12が0.11mm程度
に抑えられている。これに対し、図4から分かるよう
に、リ−ドフレ−ム20の場合、即ち表面に形成された
凹凸が比較的小さい場合には、銀ペ−スト21の滲み2
2が0.20mm程度に達している。尚、従来の如く、
リ−ドフレ−ムの表面に対して、凹凸形成処理を何ら施
さない場合には、滲みは0.20mmを超えてしまう。
【0023】一方、このように構成されたリ−ドフレ−
ム10及び20に対して、図5及び図6に光学顕微鏡像
(倍率 ×375)で夫々示すように、ワイヤボンディ
ングを施した後、プルテストを行った。この結果、リ−
ドフレ−ム10の場合、即ち表面に形成された凹凸が比
較的大きい場合には、図5に示すボンディングワイヤ1
5との接合部分は、5gのプル強度でも剥がれなかっ
た。これに対し、リ−ドフレ−ム20の場合、即ち表面
に形成された凹凸が比較的小さい場合には、図6に示し
たボンディングワイヤ25との接合部分は、3gのプル
強度で剥離した。尚、従来の如く、リ−ドフレ−ムの表
面に対して、凹凸形成処理を何ら施さない場合には、3
gよりも小さなプル強度で剥離してしまう。
ム10及び20に対して、図5及び図6に光学顕微鏡像
(倍率 ×375)で夫々示すように、ワイヤボンディ
ングを施した後、プルテストを行った。この結果、リ−
ドフレ−ム10の場合、即ち表面に形成された凹凸が比
較的大きい場合には、図5に示すボンディングワイヤ1
5との接合部分は、5gのプル強度でも剥がれなかっ
た。これに対し、リ−ドフレ−ム20の場合、即ち表面
に形成された凹凸が比較的小さい場合には、図6に示し
たボンディングワイヤ25との接合部分は、3gのプル
強度で剥離した。尚、従来の如く、リ−ドフレ−ムの表
面に対して、凹凸形成処理を何ら施さない場合には、3
gよりも小さなプル強度で剥離してしまう。
【0024】以上の結果、リ−ドフレ−ム10の如くに
表面に比較的大きな凹凸が形成されたリ−ドフレ−ムの
場合には、確かに表面上での溶剤の拡散が極めて小さ
く、しかもボンディング性が良好であることが分かっ
た。また、リ−ドフレ−ム20の如く表面に比較的小さ
な凹凸が形成されたリ−ドフレ−ムの場合にも、従来の
如く表面に何等凹凸形成処理を施さない場合と比べて、
表面上での溶剤の拡散が小さく、しかもボンディング性
が良いことが分かった。
表面に比較的大きな凹凸が形成されたリ−ドフレ−ムの
場合には、確かに表面上での溶剤の拡散が極めて小さ
く、しかもボンディング性が良好であることが分かっ
た。また、リ−ドフレ−ム20の如く表面に比較的小さ
な凹凸が形成されたリ−ドフレ−ムの場合にも、従来の
如く表面に何等凹凸形成処理を施さない場合と比べて、
表面上での溶剤の拡散が小さく、しかもボンディング性
が良いことが分かった。
【0025】尚、本実施例では、リ−ドフレ−ム表面に
形成した凹凸の形状は、図1及び図2に示した如きとし
たが、かかる凹凸形状としては、正弦波形、三角波形、
矩形波形、鋸歯状波形などがあり、いずれの場合にも、
上述した実施例の場合と同様の効果が得られる。
形成した凹凸の形状は、図1及び図2に示した如きとし
たが、かかる凹凸形状としては、正弦波形、三角波形、
矩形波形、鋸歯状波形などがあり、いずれの場合にも、
上述した実施例の場合と同様の効果が得られる。
【0026】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明のリ−
ドフレ−ムによれば、表面に凹凸形成処理が施されてお
り、即ち、表面に凹凸が積極的に形成されているので、
かかる凹凸の存在により物理的に溶剤たる接着剤の拡散
を抑えることができる。同時に、かかる凹凸の存在によ
り、ワイヤボンディングの際のワイヤとの接合面たるリ
−ドフレ−ム表面の面積が増加するので、かかる接合面
積の増加に応じて接合強度を高めることができる。
ドフレ−ムによれば、表面に凹凸形成処理が施されてお
り、即ち、表面に凹凸が積極的に形成されているので、
かかる凹凸の存在により物理的に溶剤たる接着剤の拡散
を抑えることができる。同時に、かかる凹凸の存在によ
り、ワイヤボンディングの際のワイヤとの接合面たるリ
−ドフレ−ム表面の面積が増加するので、かかる接合面
積の増加に応じて接合強度を高めることができる。
【0027】また、本発明のリ−ドフレ−ムの製造方法
によれば、リ−ドフレ−ムの表面にプレス加工成型によ
り凹凸を形成するようにしたので、上述した本発明のリ
−ドフレ−ムを容易に製造することができる。特に、か
かる製造方法によれば、従来のリ−ドフレ−ム製造工程
に対して主にプレス加工工程さえ付加すれば、当該リ−
ドフレ−ムの製造が可能となるので極めて便利である。
によれば、リ−ドフレ−ムの表面にプレス加工成型によ
り凹凸を形成するようにしたので、上述した本発明のリ
−ドフレ−ムを容易に製造することができる。特に、か
かる製造方法によれば、従来のリ−ドフレ−ム製造工程
に対して主にプレス加工工程さえ付加すれば、当該リ−
ドフレ−ムの製造が可能となるので極めて便利である。
【0028】以上の結果、本発明を用いれば、パッケ−
ジングに関する他の機能を損なうこと無く、リ−ドフレ
−ムに係る接着剤の拡散防止及び接合強度の向上によ
り、低価格で信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで
製造することができるようになる。
ジングに関する他の機能を損なうこと無く、リ−ドフレ
−ムに係る接着剤の拡散防止及び接合強度の向上によ
り、低価格で信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで
製造することができるようになる。
【図1】本発明の第1実施例であるリ−ドフレ−ムの表
面のトンネル顕微鏡像(倍率×6,500)を示す図式
的斜視図である。
面のトンネル顕微鏡像(倍率×6,500)を示す図式
的斜視図である。
【図2】本発明の第2実施例であるリ−ドフレ−ムの表
面のトンネル顕微鏡像(倍率×6,500)を示す図式
的斜視図である。
面のトンネル顕微鏡像(倍率×6,500)を示す図式
的斜視図である。
【図3】図1のリ−ドフレ−ムの表面に銀ペ−ストを塗
布した際に発生する滲み具合の光学顕微鏡像(倍率 ×
35)を示す拡大平面図である。
布した際に発生する滲み具合の光学顕微鏡像(倍率 ×
35)を示す拡大平面図である。
【図4】図2のリ−ドフレ−ムの表面に銀ペ−ストを塗
布した際に発生する滲み具合の光学顕微鏡像(倍率 ×
35)を示す拡大平面図である。
布した際に発生する滲み具合の光学顕微鏡像(倍率 ×
35)を示す拡大平面図である。
【図5】図1のリ−ドフレ−ムにワイヤボンディングを
施した際の光学顕微鏡像(倍率×375)を示す拡大平
面図である。
施した際の光学顕微鏡像(倍率×375)を示す拡大平
面図である。
【図6】図2のリ−ドフレ−ムにワイヤボンディングを
施した際の光学顕微鏡像(倍率×375)を示す拡大平
面図である。
施した際の光学顕微鏡像(倍率×375)を示す拡大平
面図である。
10、20 リ−ドフレ−ム 11、21 銀ペ−スト 12、22 滲み 15、25 ボンディングワイヤ
Claims (3)
- 【請求項1】 表面に凹凸形成処理が施されていること
を特徴とするリ−ドフレ−ム。 - 【請求項2】 前記凹凸形成処理により500nm以上
の深さの凹凸が前記表面に形成されていることを特徴と
する請求項1記載のリ−ドフレ−ム。 - 【請求項3】 所定形状を有し表面にメッキ処理が施さ
れた金属板から構成されたリ−ドフレ−ムの該表面にプ
レス加工成型により凹凸を形成することを特徴とするリ
−ドフレ−ムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2347592A JPH05226563A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | リードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2347592A JPH05226563A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05226563A true JPH05226563A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12111561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2347592A Pending JPH05226563A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05226563A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6037152A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-26 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | 半導体装置 |
JPS6224654A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-02 | Toshiba Corp | 半導体パツケ−ジ |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP2347592A patent/JPH05226563A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6037152A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-26 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | 半導体装置 |
JPS6224654A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-02 | Toshiba Corp | 半導体パツケ−ジ |
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