JPH04280439A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH04280439A JPH04280439A JP3042123A JP4212391A JPH04280439A JP H04280439 A JPH04280439 A JP H04280439A JP 3042123 A JP3042123 A JP 3042123A JP 4212391 A JP4212391 A JP 4212391A JP H04280439 A JPH04280439 A JP H04280439A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームを用いて
外部接続端子が形成される半導体装置に係り, とくに
, リードフレームにおけるダイステージに対する集積
回路チップの接着に関する。
外部接続端子が形成される半導体装置に係り, とくに
, リードフレームにおけるダイステージに対する集積
回路チップの接着に関する。
【0002】
【従来の技術】リードフレームは, ダイステージと,
その周囲に延在する先端を有する複数のリードとから
成る。該ダイステージ上に集積回路チップが載置され,
導電性接着により固定される。また, 集積回路チッ
プに設けられているパッドと該リードの先端との間にワ
イヤボンディングが施される。なお, 前記ダイステー
ジとリードは, 通常, 一枚の金属板を打ち抜いて形
成される。
その周囲に延在する先端を有する複数のリードとから
成る。該ダイステージ上に集積回路チップが載置され,
導電性接着により固定される。また, 集積回路チッ
プに設けられているパッドと該リードの先端との間にワ
イヤボンディングが施される。なお, 前記ダイステー
ジとリードは, 通常, 一枚の金属板を打ち抜いて形
成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】一つのチップ上に形成
される集積回路が大規模化するにともなって, チップ
の寸法が大きくなる傾向にある。その結果, ダイステ
ージとこれに接着された集積回路チップとの熱膨張差が
大きくなり, リフロー半田付け等の熱処理サイクルを
ともなう工程において, チップにクラックが発生しや
すくなる。
される集積回路が大規模化するにともなって, チップ
の寸法が大きくなる傾向にある。その結果, ダイステ
ージとこれに接着された集積回路チップとの熱膨張差が
大きくなり, リフロー半田付け等の熱処理サイクルを
ともなう工程において, チップにクラックが発生しや
すくなる。
【0004】上記のような原因によるクラックを低減す
るために, ダイステージの中央部にスリットを設けた
り,あるいは,多数の窪み(ディンプル)を設けたりす
る方法が考案されている。前者は, クラックの発生防
止に対しては有効であるが, ダイステージに接着剤を
塗布する工程において, スリットから接着剤が流出し
て塗布装置を汚染する問題がある。また, 後者は,
ディンプル部分で接着剤の層厚を大きくすることによる
熱応力の緩和が期待されるが, 充分な効果が得られな
い。
るために, ダイステージの中央部にスリットを設けた
り,あるいは,多数の窪み(ディンプル)を設けたりす
る方法が考案されている。前者は, クラックの発生防
止に対しては有効であるが, ダイステージに接着剤を
塗布する工程において, スリットから接着剤が流出し
て塗布装置を汚染する問題がある。また, 後者は,
ディンプル部分で接着剤の層厚を大きくすることによる
熱応力の緩和が期待されるが, 充分な効果が得られな
い。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記問題は, リードフ
レームのダイステージに接着層によって固定された集積
回路チップと, 該チップと該ダイステージの各々の周
辺部の間に設けられ且つ該チップとダイステージとの該
接着層の厚さを実質的に均一に増大させるための介在手
段とを有することを特徴とする本発明に係る半導体装置
, または, 集積回路チップを載置するためのダイス
テージが設けられた第1のリードフレームを形成し,
該第1のリードフレームと重畳されたときに該ダイステ
ージの周縁部に延在する先端を有するリードが形成され
た第2のリードフレームを形成し, 該第1および第2
のリードフレームを重ね合わせたのち, 該ダイステー
ジ上に接着剤を塗布したのち, 該ダイステージ上に該
集積回路チップを該接着剤により固定する諸工程を含む
ことを特徴とする本発明に係る半導体装置の製造方法,
または, 集積回路チップを載置するためのダイステ
ージの四隅に凹部が設けられており且つ該凹部に嵌合す
るように先端が延在せしめられたリードを有するリード
フレームを形成し, 該ダイステージにおける該チップ
が載置される表面側に該先端が浮上するように該リード
を成形する諸工程を含むことを特徴とする本発明に係る
半導体装置の製造方法によって解決される。
レームのダイステージに接着層によって固定された集積
回路チップと, 該チップと該ダイステージの各々の周
辺部の間に設けられ且つ該チップとダイステージとの該
接着層の厚さを実質的に均一に増大させるための介在手
段とを有することを特徴とする本発明に係る半導体装置
, または, 集積回路チップを載置するためのダイス
テージが設けられた第1のリードフレームを形成し,
該第1のリードフレームと重畳されたときに該ダイステ
ージの周縁部に延在する先端を有するリードが形成され
た第2のリードフレームを形成し, 該第1および第2
のリードフレームを重ね合わせたのち, 該ダイステー
ジ上に接着剤を塗布したのち, 該ダイステージ上に該
集積回路チップを該接着剤により固定する諸工程を含む
ことを特徴とする本発明に係る半導体装置の製造方法,
または, 集積回路チップを載置するためのダイステ
ージの四隅に凹部が設けられており且つ該凹部に嵌合す
るように先端が延在せしめられたリードを有するリード
フレームを形成し, 該ダイステージにおける該チップ
が載置される表面側に該先端が浮上するように該リード
を成形する諸工程を含むことを特徴とする本発明に係る
半導体装置の製造方法によって解決される。
【0006】
【作用】ダイステージと集積回路チップとの間全体にお
ける接着剤の層厚を大きくして熱応力緩和効果を高める
。この接着剤層厚を増大させるために, 該ダイステー
ジの周縁部を該チップを固定する側に折り曲げて成るス
ペーサ, または, 該ダイステージとは異なる部材か
ら成るスペーサを設ける。後者のスペーサとして, ダ
イステージを構成するリードフレームとは別に, スペ
ーサを構成するリードを設けられたリードフレームを作
製し, これらを重ね合わせたのち, ダイステージに
チップを接着するか, あるいは,同一の金属板からダ
イステージとリードを打ち抜く際に, ダイステージの
四隅に凹部を設け, 複数の該リードの一部を該凹部に
嵌合するように延在させ, この延在部分をダイステー
ジより浮上するように成形し, ダイステージに接着さ
れるチップが該延在部分により持ち上げられるようにす
る。
ける接着剤の層厚を大きくして熱応力緩和効果を高める
。この接着剤層厚を増大させるために, 該ダイステー
ジの周縁部を該チップを固定する側に折り曲げて成るス
ペーサ, または, 該ダイステージとは異なる部材か
ら成るスペーサを設ける。後者のスペーサとして, ダ
イステージを構成するリードフレームとは別に, スペ
ーサを構成するリードを設けられたリードフレームを作
製し, これらを重ね合わせたのち, ダイステージに
チップを接着するか, あるいは,同一の金属板からダ
イステージとリードを打ち抜く際に, ダイステージの
四隅に凹部を設け, 複数の該リードの一部を該凹部に
嵌合するように延在させ, この延在部分をダイステー
ジより浮上するように成形し, ダイステージに接着さ
れるチップが該延在部分により持ち上げられるようにす
る。
【0007】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例説明図であって
,リードフレームのダイステージ1の周縁部が集積回路
チップ2を搭載する面側に折り曲げられている。これに
よって,集積回路チップ2をダイステージ1に固定する
ための接着剤層3の厚さが従来よりも増大し,熱応力緩
和効果が向上する。このようにしてダイステージ1に固
定された集積回路チップ2とリード4との間を接続する
ワイヤ5をボンディングする。
,リードフレームのダイステージ1の周縁部が集積回路
チップ2を搭載する面側に折り曲げられている。これに
よって,集積回路チップ2をダイステージ1に固定する
ための接着剤層3の厚さが従来よりも増大し,熱応力緩
和効果が向上する。このようにしてダイステージ1に固
定された集積回路チップ2とリード4との間を接続する
ワイヤ5をボンディングする。
【0008】図2は本発明の第2の実施例説明図であっ
て,ダイステージ1と集積回路チップ2との間に,リー
ドフレームとは別に加工された金属板から成るスペーサ
6を挿入し,これにより,ダイステージ1と集積回路チ
ップ2間の接着剤層3の厚さを増大させる。スペーサ6
は,例えば,外周がダイステージ1と同一の形状を有す
る環状の部材である。図において符号4はリードフレー
ムのリード,5はワイヤである。
て,ダイステージ1と集積回路チップ2との間に,リー
ドフレームとは別に加工された金属板から成るスペーサ
6を挿入し,これにより,ダイステージ1と集積回路チ
ップ2間の接着剤層3の厚さを増大させる。スペーサ6
は,例えば,外周がダイステージ1と同一の形状を有す
る環状の部材である。図において符号4はリードフレー
ムのリード,5はワイヤである。
【0009】図3は本発明の第3の実施例説明図であっ
て, ダイステージ1と集積回路チップ2間のスペーサ
として,リードフレームが有する複数のリードの一部を
利用する方法の一つである。すなわち,集積回路チップ
2を搭載するダイステージ1をリードフレーム10に形
成し, スペーサとなるリード41をリードフレーム2
0に形成する。そして, これらリードフレーム10と
20をあらかじめ接合しておくか, あるいは,同図(
a) の断面図に示すように, ダイステージ1上に集
積回路チップ2を搭載する工程において, リードフレ
ーム10とリードフレーム20とを重ね合わせ,この状
態でダイステージ1と集積回路チップ2とを接着する。 なお, 集積回路チップ2とワイヤボンディングされる
その他のリード4は, 同図(b) の平面図に示すよ
うに, リード41と同一のリードフレーム20に形成
してもよいし, あるいは,ダイステージ1と同一のリ
ードフレーム10に形成してもよい。また, 複数のリ
ードのうちのスペーサとなるリード41の選択は図3に
限定されず, 任意である。
て, ダイステージ1と集積回路チップ2間のスペーサ
として,リードフレームが有する複数のリードの一部を
利用する方法の一つである。すなわち,集積回路チップ
2を搭載するダイステージ1をリードフレーム10に形
成し, スペーサとなるリード41をリードフレーム2
0に形成する。そして, これらリードフレーム10と
20をあらかじめ接合しておくか, あるいは,同図(
a) の断面図に示すように, ダイステージ1上に集
積回路チップ2を搭載する工程において, リードフレ
ーム10とリードフレーム20とを重ね合わせ,この状
態でダイステージ1と集積回路チップ2とを接着する。 なお, 集積回路チップ2とワイヤボンディングされる
その他のリード4は, 同図(b) の平面図に示すよ
うに, リード41と同一のリードフレーム20に形成
してもよいし, あるいは,ダイステージ1と同一のリ
ードフレーム10に形成してもよい。また, 複数のリ
ードのうちのスペーサとなるリード41の選択は図3に
限定されず, 任意である。
【0010】図4は本発明の第4の実施例説明図であっ
て, ダイステージ1と集積回路チップ2間のスペーサ
として,リードフレームが有する複数のリードの一部を
利用する方法の一つであるが, 前記第3の実施例と異
なって, このリードを, ダイステージ1と同一のリ
ードフレームに形成する。すなわち,同図(b) の平
面図に示すように, ダイステージ1の, 例えば四隅
には, 凹部が設けられており, この凹部に嵌合する
ように延在するリード42が形成されている。リード4
2は, 少なくともその先端が, 同図(a) の断面
図に示すように, ダイステージ1の表面から集積回路
チップ2側に浮上するように折り曲げられている。集積
回路チップ2は,リード42によりダイステージ1から
持ち上げられ, これにより, ダイステージ1と集積
回路チップ2間の接着剤層(図示省略)の厚さが増大さ
れる。なお, ダイステージ1に設けられる凹部の位置
と, これに嵌合するように延在するリードの選択は図
4に限定されるものではなく, 任意である。
て, ダイステージ1と集積回路チップ2間のスペーサ
として,リードフレームが有する複数のリードの一部を
利用する方法の一つであるが, 前記第3の実施例と異
なって, このリードを, ダイステージ1と同一のリ
ードフレームに形成する。すなわち,同図(b) の平
面図に示すように, ダイステージ1の, 例えば四隅
には, 凹部が設けられており, この凹部に嵌合する
ように延在するリード42が形成されている。リード4
2は, 少なくともその先端が, 同図(a) の断面
図に示すように, ダイステージ1の表面から集積回路
チップ2側に浮上するように折り曲げられている。集積
回路チップ2は,リード42によりダイステージ1から
持ち上げられ, これにより, ダイステージ1と集積
回路チップ2間の接着剤層(図示省略)の厚さが増大さ
れる。なお, ダイステージ1に設けられる凹部の位置
と, これに嵌合するように延在するリードの選択は図
4に限定されるものではなく, 任意である。
【0011】
【発明の効果】本発明によれば, リードフレームを用
いて製造される半導体装置を構成する集積回路チップが
, その熱サイクル試験等においてクラックを生じる問
題が回避可能となり, この種半導体装置の製造歩留ま
りおよび信頼性の向上に対して効果がある。
いて製造される半導体装置を構成する集積回路チップが
, その熱サイクル試験等においてクラックを生じる問
題が回避可能となり, この種半導体装置の製造歩留ま
りおよび信頼性の向上に対して効果がある。
【図1】 本発明の第1の実施例説明図
【図2】
本発明の第2の実施例説明図
本発明の第2の実施例説明図
【図3】 本発明の第3
の実施例説明図
の実施例説明図
【図4】 本発明の第4の実施例説明
図
図
1 ダイステージ
5 ワイヤ2 集積回路チップ
6 スペーサ3 接着剤層
10, 20 リード
フレーム 4, 41, 42 リード
5 ワイヤ2 集積回路チップ
6 スペーサ3 接着剤層
10, 20 リード
フレーム 4, 41, 42 リード
Claims (5)
- 【請求項1】 リードフレームのダイステージに接着
層によって固定された集積回路チップと,該チップと該
ダイステージの各々の周辺部の間に設けられ且つ該チッ
プとダイステージとの該接着層の厚さを実質的に均一に
増大させるための介在手段とを有することを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項2】 該ダイステージの周縁部を該チップを
固定する側に折り曲げて成る前記介入手段を有すること
を特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】 該チップとダイステージとの間に該ダ
イステージとは異なる部材から成る前記介入手段が設け
られていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置
。 - 【請求項4】 集積回路チップを載置するためのダイ
ステージが設けられた第1のリードフレームを形成する
工程と,該第1のリードフレームと重畳されたときに該
ダイステージの周縁部に延在する先端を有するリードが
形成された第2のリードフレームを形成する工程と,該
第1および第2のリードフレームを重ね合わせたのち,
該ダイステージ上に接着剤を塗布したのち, 該ダイ
ステージ上に該集積回路チップを該接着剤により固定す
る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
。 - 【請求項5】 集積回路チップを載置するためのダイ
ステージの四隅に凹部が設けられており且つ該凹部に嵌
合するように先端が延在せしめられたリードフレームを
形成する工程と,該ダイステージにおける該チップが載
置される表面側に該先端が浮上するように該リードを成
形する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3042123A JPH04280439A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3042123A JPH04280439A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04280439A true JPH04280439A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12627175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3042123A Withdrawn JPH04280439A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04280439A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0628997A3 (en) * | 1993-06-10 | 1995-09-06 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device with a thin support and method of manufacturing it. |
EP1134806A3 (en) * | 2000-03-16 | 2003-11-12 | Microchip Technology Inc. | Stress reducing lead-frame for plastic encapsulation |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP3042123A patent/JPH04280439A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0628997A3 (en) * | 1993-06-10 | 1995-09-06 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device with a thin support and method of manufacturing it. |
EP1134806A3 (en) * | 2000-03-16 | 2003-11-12 | Microchip Technology Inc. | Stress reducing lead-frame for plastic encapsulation |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |