JPH03232269A - 半導体装置の入力回路 - Google Patents
半導体装置の入力回路Info
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- JPH03232269A JPH03232269A JP2029141A JP2914190A JPH03232269A JP H03232269 A JPH03232269 A JP H03232269A JP 2029141 A JP2029141 A JP 2029141A JP 2914190 A JP2914190 A JP 2914190A JP H03232269 A JPH03232269 A JP H03232269A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体装置の入力回路に関するもので、特に
内部回路が入力信号のサージ電圧の影響を受けない入力
回路に関するものである。
内部回路が入力信号のサージ電圧の影響を受けない入力
回路に関するものである。
［従来の技術］
第１０図はこの発明が適用される半導体装置の模式的な
ブロック図である。第１０図を参照してこの発明が適用
される半導体集積回路デバイス３１は、外部入力端子３
２から外部信号を受け、それを入力保護回路３３を介し
て内部回路に信号を伝達している。第１０図に示すよう
に、一般に半導体集積回路デバイス３１においては、通
常、外部入力端子３２からのサージ電圧による内部回路
の破壊を防ぐために、外部入力端子３２と内部回路の間
に入力保護回路３３と呼ばれる回路が設けられている。
ブロック図である。第１０図を参照してこの発明が適用
される半導体集積回路デバイス３１は、外部入力端子３
２から外部信号を受け、それを入力保護回路３３を介し
て内部回路に信号を伝達している。第１０図に示すよう
に、一般に半導体集積回路デバイス３１においては、通
常、外部入力端子３２からのサージ電圧による内部回路
の破壊を防ぐために、外部入力端子３２と内部回路の間
に入力保護回路３３と呼ばれる回路が設けられている。
なお、本願発明は外部入力端子３２にアンダシュート等
のサージ電圧が印加されたとき、入力信号が拡散層、ウ
ェル層を介して基板と通じている部分からの電子注入等
によって生じる問題を解決しようとするものであるので
、特に第１０図に示した入力保護回路３３のみに関する
ものではない。
のサージ電圧が印加されたとき、入力信号が拡散層、ウ
ェル層を介して基板と通じている部分からの電子注入等
によって生じる問題を解決しようとするものであるので
、特に第１０図に示した入力保護回路３３のみに関する
ものではない。
なお、入力回路の詳細については、たとえば米国特許４
，６９２，７８１ “Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｄｅｖｉｃｅ Ｗｉｔｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔ
ｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ
”に記載されている。
，６９２，７８１ “Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｄｅｖｉｃｅ Ｗｉｔｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔ
ｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ
”に記載されている。
次に第１１図を参照してたとえばアンダシュートによる
半導体装置に対する問題点について説明する。第１１図
は半導体装置の一例としてのＤＲＡＭの模式図である。
半導体装置に対する問題点について説明する。第１１図
は半導体装置の一例としてのＤＲＡＭの模式図である。
第１１図を参照してダイナミックＲＡＭ （以下ＤＲＡ
Ｍと略す）は入力回路４０と、複数のメモリセル４３と
を含む。入力回路４０は、Ｎ十拡散層４７と、Ｎ＋拡散
層４７に接続された入力端子４６とを含む。メモリセル
４３はＮＭＯＳ）ランジスタ４４と、キャパシタ４５と
を含む。Ｎ＋拡散層４７は入力端子４６に接続されてい
る。さらにＮ＋拡散層４７は高電圧が印加された場合に
その電圧を逃がすためのＮＭＯＳトランジスタ４２の一
部を形成している。
Ｍと略す）は入力回路４０と、複数のメモリセル４３と
を含む。入力回路４０は、Ｎ十拡散層４７と、Ｎ＋拡散
層４７に接続された入力端子４６とを含む。メモリセル
４３はＮＭＯＳ）ランジスタ４４と、キャパシタ４５と
を含む。Ｎ＋拡散層４７は入力端子４６に接続されてい
る。さらにＮ＋拡散層４７は高電圧が印加された場合に
その電圧を逃がすためのＮＭＯＳトランジスタ４２の一
部を形成している。
このような構造を有するＤＲＡＭにおいては、たとえば
入力信号のアンダシュートがメモリセルの特性に大きな
影響を及ぼす。たとえば、第１１図を参照して入力端子
４６から入力信号のアンダシュートが入力されると、Ｐ
型半導体基板４１に図の点線で示すように小数キャリア
である電子が注入される。そしてその電子がメモリセル
４３に到達し、そのメモリセル４３に蓄えられた電荷情
報を破壊するという現象が起こり得る。メモリセル４３
と入力回路４０とが接近していると、注入電子がメモリ
セル４３に到達しやすく、特にこの現象が生じやすい。
入力信号のアンダシュートがメモリセルの特性に大きな
影響を及ぼす。たとえば、第１１図を参照して入力端子
４６から入力信号のアンダシュートが入力されると、Ｐ
型半導体基板４１に図の点線で示すように小数キャリア
である電子が注入される。そしてその電子がメモリセル
４３に到達し、そのメモリセル４３に蓄えられた電荷情
報を破壊するという現象が起こり得る。メモリセル４３
と入力回路４０とが接近していると、注入電子がメモリ
セル４３に到達しやすく、特にこの現象が生じやすい。
このような現象を防ぐため、メモリセル４３と入力回路
４０との距離を十分にとるとともに、通常半導体基板４
１上に基板電圧発生回路を設け、基板に負の電圧Ｖａａ
を印加している。
４０との距離を十分にとるとともに、通常半導体基板４
１上に基板電圧発生回路を設け、基板に負の電圧Ｖａａ
を印加している。
第１２図は従来の入力回路の一例を示す図である。第１
２図を参照して、従来の入力回路４０は、Ｐ型半導体基
板１と、Ｐ型半導体基板１の主表面上に形成されたＰウ
ェル２と、Ｐウェル２に隣接して形成されたＮウェル３
とを含む。Ｐウェル２の主表面上には、Ｎ＋拡散層８と
、Ｎ＋拡散層８に隣接して形成され、接地電位に接続さ
れたＮＭＯＳ）ランジスタ５が形成されている。入力端
子７はＮ＋拡散層８に接続され、その間の配線層には入
力抵抗６が存在している。入力端子７とＮ＋拡散層８と
を接続する配線層から内部回路へ入力信号が伝達される
。さらに従来の入力回路４０においては、Ｎ＋拡散層９
と、Ｐウェル２と、Ｎ十拡散層８とで寄生バイポーラト
ランジスタ４が形成されている。またＰ型半導体基板１
には基板電圧発生回路によって負の電圧ＶＥ１［ｉが印
加されている。基板電位ＶＩｌＩＩ１１は通常−３Ｖ程
度である。
２図を参照して、従来の入力回路４０は、Ｐ型半導体基
板１と、Ｐ型半導体基板１の主表面上に形成されたＰウ
ェル２と、Ｐウェル２に隣接して形成されたＮウェル３
とを含む。Ｐウェル２の主表面上には、Ｎ＋拡散層８と
、Ｎ＋拡散層８に隣接して形成され、接地電位に接続さ
れたＮＭＯＳ）ランジスタ５が形成されている。入力端
子７はＮ＋拡散層８に接続され、その間の配線層には入
力抵抗６が存在している。入力端子７とＮ＋拡散層８と
を接続する配線層から内部回路へ入力信号が伝達される
。さらに従来の入力回路４０においては、Ｎ＋拡散層９
と、Ｐウェル２と、Ｎ十拡散層８とで寄生バイポーラト
ランジスタ４が形成されている。またＰ型半導体基板１
には基板電圧発生回路によって負の電圧ＶＥ１［ｉが印
加されている。基板電位ＶＩｌＩＩ１１は通常−３Ｖ程
度である。
次に従来の入力回路４０の動作について説明する。外部
入力信号は入力端子７から印加され、入力抵抗６を通し
て内部回路へ伝達されるとともに、Ｎ＋拡散層８に印加
される。ＮＭＯＳトランジスタ５は、ゲート酸化膜が非
常に厚く、そのゲート電力はＯＶになっており、通常は
オフ状態にある。
入力信号は入力端子７から印加され、入力抵抗６を通し
て内部回路へ伝達されるとともに、Ｎ＋拡散層８に印加
される。ＮＭＯＳトランジスタ５は、ゲート酸化膜が非
常に厚く、そのゲート電力はＯＶになっており、通常は
オフ状態にある。
しかしながら入力端子に高い静電パルスが加わり、Ｎ＋
拡散層８に高電圧が印加されたとき、ＮＭＯＳトランジ
スタ５はバンチスルーを起こしてＯＮ状態なり、高電圧
を接地電位に逃がし、内部回路においてゲート破壊等を
起こさないようにしている。Ｎ＋拡散層８にオーバシュ
ートが印加された場合は、Ｎ＋拡散層８とＰウェル２の
間のＰ−Ｎ接合は、逆方向にバイアスされることになる
ので、半導体基板１への電子注入は起こらない。
拡散層８に高電圧が印加されたとき、ＮＭＯＳトランジ
スタ５はバンチスルーを起こしてＯＮ状態なり、高電圧
を接地電位に逃がし、内部回路においてゲート破壊等を
起こさないようにしている。Ｎ＋拡散層８にオーバシュ
ートが印加された場合は、Ｎ＋拡散層８とＰウェル２の
間のＰ−Ｎ接合は、逆方向にバイアスされることになる
ので、半導体基板１への電子注入は起こらない。
次にＮ＋拡散層８にアンダシュートが印加された場合は
、基板１には負電圧Ｖａ［１が印加されているので、Ｐ
−Ｎ接合の拡散電位をｖｏとすると、（ＩＶＢＢ Ｉ
＋Ｖｏ）Ｖのアンダシュートマチは、Ｎ＋拡散層８と、
Ｐウェル２の間のＰ−Ｎ接合が逆方向にバイアスされる
ことになるので、基板１への電位注入を防ぐことができ
る。たとえばＶ□−０，８Ｖ％Ｖａ ａ −３Ｖとする
と、約−３，８Ｖ程度のアンダシュートまでは、基板へ
の電子注入を防ぐことができる。しかし、複数のＤＲＡ
Ｍをボード上に実装し、それらをシステムの中で動作さ
せる場合は、それ以上のアンダシュートがこのＤＲＡＭ
に印加される場合も考えられる。
、基板１には負電圧Ｖａ［１が印加されているので、Ｐ
−Ｎ接合の拡散電位をｖｏとすると、（ＩＶＢＢ Ｉ
＋Ｖｏ）Ｖのアンダシュートマチは、Ｎ＋拡散層８と、
Ｐウェル２の間のＰ−Ｎ接合が逆方向にバイアスされる
ことになるので、基板１への電位注入を防ぐことができ
る。たとえばＶ□−０，８Ｖ％Ｖａ ａ −３Ｖとする
と、約−３，８Ｖ程度のアンダシュートまでは、基板へ
の電子注入を防ぐことができる。しかし、複数のＤＲＡ
Ｍをボード上に実装し、それらをシステムの中で動作さ
せる場合は、それ以上のアンダシュートがこのＤＲＡＭ
に印加される場合も考えられる。
この場合には、上に述べたＮ＋拡散層８と、Ｐウェル２
の間のＰ−Ｎ接合に順方向電圧がバイアスされることに
なる。したがって、基板への電子注入が起こり、それに
よってメモリセル蓄積情報が破壊される場合が考えられ
る。またこのような基板への電子注入は基板電位そのも
のにも影響を及ぼし、ＤＲＡＭの重要な特性であるリフ
レッシュ特性や、ソフトエラー率の劣化、あるいはメモ
リトランジスタのしきい値ｖＴイ、メモリトランジスタ
の電流供給能力βといったトランジスタ特性の変動等を
引き起こす可能性もある。そこで、従来の入力回路では
、基板に負電圧ＶＢＢを印加するだけでなく、寄生バイ
ポーラトランジスタ４を利用して基板への電子注入の防
止を行なっている。
の間のＰ−Ｎ接合に順方向電圧がバイアスされることに
なる。したがって、基板への電子注入が起こり、それに
よってメモリセル蓄積情報が破壊される場合が考えられ
る。またこのような基板への電子注入は基板電位そのも
のにも影響を及ぼし、ＤＲＡＭの重要な特性であるリフ
レッシュ特性や、ソフトエラー率の劣化、あるいはメモ
リトランジスタのしきい値ｖＴイ、メモリトランジスタ
の電流供給能力βといったトランジスタ特性の変動等を
引き起こす可能性もある。そこで、従来の入力回路では
、基板に負電圧ＶＢＢを印加するだけでなく、寄生バイ
ポーラトランジスタ４を利用して基板への電子注入の防
止を行なっている。
すなわち、第１２図において、Ｎ＋拡散層９と、Ｎウェ
ル３からなる領域を形成し、この領域の電位を電源電圧
Ｖ。Ｃに固定している。このような領域を設けることに
より、Ｎ＋拡散層９、Ｎウェル３、Ｐウェル２、Ｎ＋拡
散層８の間に寄生バイポーラＮＰＮ トランジスタ４が
形成される。その等価回路を第１３図に示す。
ル３からなる領域を形成し、この領域の電位を電源電圧
Ｖ。Ｃに固定している。このような領域を設けることに
より、Ｎ＋拡散層９、Ｎウェル３、Ｐウェル２、Ｎ＋拡
散層８の間に寄生バイポーラＮＰＮ トランジスタ４が
形成される。その等価回路を第１３図に示す。
第１３図を参照して、寄生バイポーラＮＰＮ）ランジス
タ４の動作について説明する。Ｎ＋拡散層８に絶対値が
（ｌＶａａ ｌ＋Ｖｏ）Ｖより小さなアンダシュートが
印加されたときは、この寄生バイポーラトランジスタ４
はＯＦＦ状態であるが、絶対値力（ｌ Ｖ［Ｉ Ｂ ｌ
＋ Ｖｐ ） Ｖを越えルアンダシュートが印加され
たときは、寄生バイポーラトランジスタ４はＯＮ状態に
なる。原理的にはＮ＋拡散層８から注入された電子は、
基板の方へはほとんど流れず、Ｎ＋拡散層９を通して電
源電圧■。。に流れることになる。しかし、実際にはこ
の寄生バイポーラトランジスタ４はベース幅が広く、Ｎ
＋拡散層８からの注入電子の一部はやはり基板１の方へ
流れる。
タ４の動作について説明する。Ｎ＋拡散層８に絶対値が
（ｌＶａａ ｌ＋Ｖｏ）Ｖより小さなアンダシュートが
印加されたときは、この寄生バイポーラトランジスタ４
はＯＦＦ状態であるが、絶対値力（ｌ Ｖ［Ｉ Ｂ ｌ
＋ Ｖｐ ） Ｖを越えルアンダシュートが印加され
たときは、寄生バイポーラトランジスタ４はＯＮ状態に
なる。原理的にはＮ＋拡散層８から注入された電子は、
基板の方へはほとんど流れず、Ｎ＋拡散層９を通して電
源電圧■。。に流れることになる。しかし、実際にはこ
の寄生バイポーラトランジスタ４はベース幅が広く、Ｎ
＋拡散層８からの注入電子の一部はやはり基板１の方へ
流れる。
［発明か解決しようとする課題］
第１４図は上に述べた入力信号のアンダンニートとその
ときに基板１１に流れる電流との関係を示すタイミング
チャートである。第１４図の（１）は外部入力端子３２
に印加される入力信号の電圧を示し、（２）はＰ−Ｎ接
合部を流れる電流を示し、（３）は基板１に流れる電流
を示す。入力信号が時刻ｔ。からアンダシュートを起こ
し、その値が所定の値を越えたとき、（時刻ｔ１〜ｔ２
）Ｐ−Ｎ接合部に図示のような電流が流れるとともに、
基板１にも図示のような電流が流れる。
ときに基板１１に流れる電流との関係を示すタイミング
チャートである。第１４図の（１）は外部入力端子３２
に印加される入力信号の電圧を示し、（２）はＰ−Ｎ接
合部を流れる電流を示し、（３）は基板１に流れる電流
を示す。入力信号が時刻ｔ。からアンダシュートを起こ
し、その値が所定の値を越えたとき、（時刻ｔ１〜ｔ２
）Ｐ−Ｎ接合部に図示のような電流が流れるとともに、
基板１にも図示のような電流が流れる。
そのため従来の入力回路では、入力信号のアンダシュー
トやオーバシュートによる注入電子などが引き起こすメ
モリセル蓄勢情報の破壊や基板電圧の変動によるリフレ
ッシュ特性、ソフトエラー率の劣化あるいは基板電圧の
変動によるトランジスタ特性の変動が引き起こす誤動作
を完全には防ぐことかできず、半導体装置において内部
回路の動作が不安定であった。
トやオーバシュートによる注入電子などが引き起こすメ
モリセル蓄勢情報の破壊や基板電圧の変動によるリフレ
ッシュ特性、ソフトエラー率の劣化あるいは基板電圧の
変動によるトランジスタ特性の変動が引き起こす誤動作
を完全には防ぐことかできず、半導体装置において内部
回路の動作が不安定であった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、内部回路の動作が安定する半導体装置の入力
回路を提供することを目的とする。
たもので、内部回路の動作が安定する半導体装置の入力
回路を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る半導体装置の入力回路は、主表面を有す
る半導体基板と、半導体基板の主表面上に形成された第
１導電型の第１の領域と、第１導電型の第１の領域内で
かつ主表面上に形成された第２導電型の第１の領域と、
第２導電型の第１の領域と第１導電型の第１の領域とで
Ｐ−Ｎ接合が形成され、第２導電型の第１の領域には入
力電圧か印加され、入力電圧は半導体基板上に形成され
た内部回路に印加され、第１導電型の第１の領域内でか
つ主表面上に形成された第１導電型の第２の領域に接続
され、入力電圧に余分な電圧が印加されることにより、
Ｐ−Ｎ接合が導通したとき、余分な電圧により生じた電
流を吸収する電流吸収手段とを含む。
る半導体基板と、半導体基板の主表面上に形成された第
１導電型の第１の領域と、第１導電型の第１の領域内で
かつ主表面上に形成された第２導電型の第１の領域と、
第２導電型の第１の領域と第１導電型の第１の領域とで
Ｐ−Ｎ接合が形成され、第２導電型の第１の領域には入
力電圧か印加され、入力電圧は半導体基板上に形成され
た内部回路に印加され、第１導電型の第１の領域内でか
つ主表面上に形成された第１導電型の第２の領域に接続
され、入力電圧に余分な電圧が印加されることにより、
Ｐ−Ｎ接合が導通したとき、余分な電圧により生じた電
流を吸収する電流吸収手段とを含む。
［作用］
この発明に係る半導体装置の入力回路の電流吸収手段は
Ｐ−Ｎ接合が導通したことによって生じた余分な電流を
吸収するため、余分な電流は半導体基板側に流れること
なく、吸収される。したがってたとえばＰ型基板上に形
成されたＮ型メモリセルを含むＤＲＡＭにおいては、入
力アンダシュート時の基板への注入電子によるメモリセ
ル蓄積情報の破壊や、基板電圧の変動によるリフレッシ
ュ特性やソフトエラー率の劣化、あるいはトランジスタ
特性の変動等が抑えられる。
Ｐ−Ｎ接合が導通したことによって生じた余分な電流を
吸収するため、余分な電流は半導体基板側に流れること
なく、吸収される。したがってたとえばＰ型基板上に形
成されたＮ型メモリセルを含むＤＲＡＭにおいては、入
力アンダシュート時の基板への注入電子によるメモリセ
ル蓄積情報の破壊や、基板電圧の変動によるリフレッシ
ュ特性やソフトエラー率の劣化、あるいはトランジスタ
特性の変動等が抑えられる。
［発明の実施例コ
以下、この発明の一実施例を図を参照して説明する。こ
こでは、Ｐ型基板、Ｎ型メモリセルのＤＲＡＭに本発明
の入力回路が適用された場合について従来例（第１２図
）と比べながら説明する。
こでは、Ｐ型基板、Ｎ型メモリセルのＤＲＡＭに本発明
の入力回路が適用された場合について従来例（第１２図
）と比べながら説明する。
第１図はこの発明に係る半導体装置の入力回路を示す模
式図である。第１図を参照してこの発明に係る半導体装
置の入力回路は、Ｐ型半導体基板１の主表面上に形成さ
れたＰウェル２と、Ｐウェル２の主表面上に形成された
Ｎ＋拡散層８と、Ｎ＋拡散層８と間隔を隔てて形成され
たＰ＋拡散層１１とを含む。Ｎ＋拡散層８には入力端子
７が接続され、入力端子７とＮ＋拡散層８とをつなぐ導
線部分：から内部回路へ入力電圧が印加され、さらにＮ
＋拡散層８は入力端子７に高電圧が印加されたときにそ
の高電圧を接地電位へ逃がすためのＮＭＯＳトランジス
タ５の一部を形成している点については従来例で説明し
た第１２図と同じである。
式図である。第１図を参照してこの発明に係る半導体装
置の入力回路は、Ｐ型半導体基板１の主表面上に形成さ
れたＰウェル２と、Ｐウェル２の主表面上に形成された
Ｎ＋拡散層８と、Ｎ＋拡散層８と間隔を隔てて形成され
たＰ＋拡散層１１とを含む。Ｎ＋拡散層８には入力端子
７が接続され、入力端子７とＮ＋拡散層８とをつなぐ導
線部分：から内部回路へ入力電圧が印加され、さらにＮ
＋拡散層８は入力端子７に高電圧が印加されたときにそ
の高電圧を接地電位へ逃がすためのＮＭＯＳトランジス
タ５の一部を形成している点については従来例で説明し
た第１２図と同じである。
この発明においては、Ｐ＋拡散層１１には電源Ｖｃｃに
接続され、所定の電位（ｖ８Ｂ ＋ＶＴ）の電位に応じ
て動作するＮＭＯ８電界効果トランジスタ（以下ＮＭＯ
ＳＦＥＴと略す）Ｑ、が接続されている。
接続され、所定の電位（ｖ８Ｂ ＋ＶＴ）の電位に応じ
て動作するＮＭＯ８電界効果トランジスタ（以下ＮＭＯ
ＳＦＥＴと略す）Ｑ、が接続されている。
次にこの発明に係る入力回路の動作について説明する。
Ｐ型半導体基板１は、素子に内蔵された基板電圧発生回
路によって負電圧ＶａＢが印加されている。このため、
入力オーバシュートや絶対値が（ｌＶ［１［１ｌ＋Ｖｏ
）Ｖより小さい入力アンダシュートかＮ＋拡散層８に印
加されたときには、Ｎ＋拡散層８とＰウェル２の間のＰ
−Ｎ接合が逆方向にバイアスされる。その結果、基板へ
の電子注入が防がれるという点については従来例の場合
と同様である。従来例と異なる点は、第１２図における
Ｎ＋拡散層９、Ｎウェル３からなるような領域は形成さ
れず、入力信号が印加されるノードであるＮ＋拡散層８
の下部に形成されたＰウェル２がＰ＋拡散層１１、Ｎ
Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ Ｑ ＋を介して電源電圧Ｖ。Ｃ
に接続されている点である。ＮＭＯＳＦＥＴＱ、のゲー
トには、後に述べるようニ（Ｖａ ａ ＋’ＶＴ ）発
生回路ニヨリ、（Ｖａ ａ ＋Ｖ□）■の電位が印加さ
れている。Ｖ工は（ＶａＢ＋ｖＴ）発生回路を構成する
トランジスタのしきい値電圧で決まる値である。ＮＭＯ
ＳＦＥＴＱ１のしきい値電圧をｖＴ、とすると、Ｖ丁≦
ＶＴ、となるようにＶＴの値は設定される。この理由は
、もしＶ工＞Ｖ、、であれば、基板１の電位は、通常Ｖ
ａａｌ：なッテイルノで、ＮＭＯＳＦＥＴＱは常にＯＮ
状態なり、Ｎ Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ Ｑ ＋を通して
電源電位ＶＣＣから基板１に貫通電流が流れてしまうか
らである。
路によって負電圧ＶａＢが印加されている。このため、
入力オーバシュートや絶対値が（ｌＶ［１［１ｌ＋Ｖｏ
）Ｖより小さい入力アンダシュートかＮ＋拡散層８に印
加されたときには、Ｎ＋拡散層８とＰウェル２の間のＰ
−Ｎ接合が逆方向にバイアスされる。その結果、基板へ
の電子注入が防がれるという点については従来例の場合
と同様である。従来例と異なる点は、第１２図における
Ｎ＋拡散層９、Ｎウェル３からなるような領域は形成さ
れず、入力信号が印加されるノードであるＮ＋拡散層８
の下部に形成されたＰウェル２がＰ＋拡散層１１、Ｎ
Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ Ｑ ＋を介して電源電圧Ｖ。Ｃ
に接続されている点である。ＮＭＯＳＦＥＴＱ、のゲー
トには、後に述べるようニ（Ｖａ ａ ＋’ＶＴ ）発
生回路ニヨリ、（Ｖａ ａ ＋Ｖ□）■の電位が印加さ
れている。Ｖ工は（ＶａＢ＋ｖＴ）発生回路を構成する
トランジスタのしきい値電圧で決まる値である。ＮＭＯ
ＳＦＥＴＱ１のしきい値電圧をｖＴ、とすると、Ｖ丁≦
ＶＴ、となるようにＶＴの値は設定される。この理由は
、もしＶ工＞Ｖ、、であれば、基板１の電位は、通常Ｖ
ａａｌ：なッテイルノで、ＮＭＯＳＦＥＴＱは常にＯＮ
状態なり、Ｎ Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ Ｑ ＋を通して
電源電位ＶＣＣから基板１に貫通電流が流れてしまうか
らである。
第２図は第１図に示したこの発明に係る入力回路の等価
回路図である。第３図はこの発明に係る入力回路の入力
信号とその入力信号が印加された場合に各部においてど
のような電流か流れまたどのような電位になるかを示し
たタイミングチャートである。第３図において、（１）
は入力信号を示し、（２）はＰ−Ｎ接合部を流れる電流
を示し、（３）はＰウェル２の電位を示し、（４）はＮ
ＭＯＳＦＥＴＱ、を流れる電流を示し、（５）は基板１
を流れる電流を示す。第２図および第３図を参照してこ
の発明に係る入力回路の動作について詳細に説明する。
回路図である。第３図はこの発明に係る入力回路の入力
信号とその入力信号が印加された場合に各部においてど
のような電流か流れまたどのような電位になるかを示し
たタイミングチャートである。第３図において、（１）
は入力信号を示し、（２）はＰ−Ｎ接合部を流れる電流
を示し、（３）はＰウェル２の電位を示し、（４）はＮ
ＭＯＳＦＥＴＱ、を流れる電流を示し、（５）は基板１
を流れる電流を示す。第２図および第３図を参照してこ
の発明に係る入力回路の動作について詳細に説明する。
上記したように（ｖＢ８＋Ｖ丁）発生回路を構成するト
ランジスタのしきい値電圧で決まる値であるＶＴとＮＭ
ＯＳＦＥＴＱ、のしきい値電圧ＶＴ、とはＶＴ≦ＶＴＩ
となるように設定されている。したがって、通常は基
板１の電位も、Ｐウェル２の電位も基板電圧発生回路に
よってＶａａに保たれており、Ｎ Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ
Ｔ Ｑ ＋はＯＦＦ状態にある（第３図（３）、（５）
参照）。絶対値が（ＩＶＢＢ ｌ＋Ｖｏ）Ｖより小さ
い入力アンダシュートがＮ＋拡散層８に印加されたとき
の動作は従来例と同様であることは先に述べたとおりで
ある。次に絶対値が（ｌＶａａ ｌ＋Ｖｏ）Ｖを越え
る入力アンダシュートがＮ＋拡散層８に印加された場合
を考える。第３図の時刻ｔ、で人力信号の絶対値が（ｌ
Ｖａａ １＋Ｖｏ）■を越えたとき、まずＮ＋拡散層８
と、Ｐウェル２の間のＰ−Ｎ接合ダイオード１０が順方
向にバイアスされるため、Ｎ十拡散層８からＰウェル２
に電子が注入され、Ｐウェル２の電位が下がる。時刻ｔ
、でＰウェル２の電位力（ＶＢ Ｂ 十ＶＴ ＶＴ
＋ ） Ｖより低くなると、Ｎ Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ
Ｑ ＋はＯＮ状態になる。
ランジスタのしきい値電圧で決まる値であるＶＴとＮＭ
ＯＳＦＥＴＱ、のしきい値電圧ＶＴ、とはＶＴ≦ＶＴＩ
となるように設定されている。したがって、通常は基
板１の電位も、Ｐウェル２の電位も基板電圧発生回路に
よってＶａａに保たれており、Ｎ Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ
Ｔ Ｑ ＋はＯＦＦ状態にある（第３図（３）、（５）
参照）。絶対値が（ＩＶＢＢ ｌ＋Ｖｏ）Ｖより小さ
い入力アンダシュートがＮ＋拡散層８に印加されたとき
の動作は従来例と同様であることは先に述べたとおりで
ある。次に絶対値が（ｌＶａａ ｌ＋Ｖｏ）Ｖを越え
る入力アンダシュートがＮ＋拡散層８に印加された場合
を考える。第３図の時刻ｔ、で人力信号の絶対値が（ｌ
Ｖａａ １＋Ｖｏ）■を越えたとき、まずＮ＋拡散層８
と、Ｐウェル２の間のＰ−Ｎ接合ダイオード１０が順方
向にバイアスされるため、Ｎ十拡散層８からＰウェル２
に電子が注入され、Ｐウェル２の電位が下がる。時刻ｔ
、でＰウェル２の電位力（ＶＢ Ｂ 十ＶＴ ＶＴ
＋ ） Ｖより低くなると、Ｎ Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ
Ｑ ＋はＯＮ状態になる。
たとえば今Ｖｔ −ＶＴ Ｉに設定しであるとすると、
Ｐウェル２の電位がＶ［ＩＢより少くなると、ＮＭＯ８
ＦＥＴＱ、はＯＮ状態なる。したがって、Ｎ“拡散層８
から注入された電子は、基板抵抗ｒを通して基板の方へ
、あるいは、Ｐウェル抵抗ｒ２およびＮ Ｍ ＯＳ Ｆ
Ｅ Ｔ Ｑ ＋を通して電源電圧Ｖ。Ｃの方へ流れる
。しかしながら、通常基板抵抗ｒ、は、Ｐウェル抵抗ｒ
２や、ＦＥＴの導通抵抗より非常に大きい。したがって
、Ｎ＋拡散層８から注入された電子の大半は基板１に注
入されず、Ｐウーエル２およびＮ Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ
Ｔ Ｑ ＋を通して電源電圧Ｖ。Ｃに流れる。
Ｐウェル２の電位がＶ［ＩＢより少くなると、ＮＭＯ８
ＦＥＴＱ、はＯＮ状態なる。したがって、Ｎ“拡散層８
から注入された電子は、基板抵抗ｒを通して基板の方へ
、あるいは、Ｐウェル抵抗ｒ２およびＮ Ｍ ＯＳ Ｆ
Ｅ Ｔ Ｑ ＋を通して電源電圧Ｖ。Ｃの方へ流れる
。しかしながら、通常基板抵抗ｒ、は、Ｐウェル抵抗ｒ
２や、ＦＥＴの導通抵抗より非常に大きい。したがって
、Ｎ＋拡散層８から注入された電子の大半は基板１に注
入されず、Ｐウーエル２およびＮ Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ
Ｔ Ｑ ＋を通して電源電圧Ｖ。Ｃに流れる。
この状態が第３図の（５）に示される。すなわちこの発
明に係る入力回路においては、基板電流が流れるのは入
力信号の電圧が（ｌＶａａ＋Ｖ。
明に係る入力回路においては、基板電流が流れるのは入
力信号の電圧が（ｌＶａａ＋Ｖ。
）■を越えたＴ、からＮ Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ Ｑ
＋がＯＮ状態になるｔ、までの時間だけである。この値
は第１４図の（３）に示した基板電流に比べて無視でき
る値である。
＋がＯＮ状態になるｔ、までの時間だけである。この値
は第１４図の（３）に示した基板電流に比べて無視でき
る値である。
このように本発明に係る入力回路によれば、入力信号の
アンダシュートによる基板への電子注入を防ぐことがで
き、したがって、メモリセル蓄積情報の破壊や基板電圧
の変動によるリフレッシュ特性やソフトエラー率の劣化
、トランジスタ特性の変動等を従来例に比べて大幅に抑
えることができる。
アンダシュートによる基板への電子注入を防ぐことがで
き、したがって、メモリセル蓄積情報の破壊や基板電圧
の変動によるリフレッシュ特性やソフトエラー率の劣化
、トランジスタ特性の変動等を従来例に比べて大幅に抑
えることができる。
第４図は基板電圧Ｖａａおヨヒ（ＶＢ Ｂ ＋ＶＴ ）
発生回路１４．１５の一例を示す回路図である。
発生回路１４．１５の一例を示す回路図である。
Ｖａａ発生回路１４は、基板電圧Ｖａ［１を発生するた
めのチャージポンプ回路で、一般的な回路である。Ｖ［
１８発生回路１４は、ドライバ１３に接続されたキャパ
シタＣｏ と、キャパシタＣｏに接続されドレインおよ
びゲートがキャパシタＣｏ とトランジスタＱ２の共通
接続点に接続されたトランジスタＱ３と、一方電極およ
びゲート電極が出力端子に、他方電極がトランジスタＱ
３に接続されたトランジスタＱ２とを含む。（Ｖａ ａ
＋ｖ□）発生回路１５は、ドライバ１３に接続された
キャパシタＣ７と、キャパシタＣ４と接地電位との間に
直列接続されたトランジスタＱ５、Ｑ６と、キャパシタ
Ｃ１とトランジスタＱ３のドレインおよびゲート電極の
共通接続点に接続され、ゲート電極および一方電極か出
力端子に接続されたトランジスタＱ４とを含む。
めのチャージポンプ回路で、一般的な回路である。Ｖ［
１８発生回路１４は、ドライバ１３に接続されたキャパ
シタＣｏ と、キャパシタＣｏに接続されドレインおよ
びゲートがキャパシタＣｏ とトランジスタＱ２の共通
接続点に接続されたトランジスタＱ３と、一方電極およ
びゲート電極が出力端子に、他方電極がトランジスタＱ
３に接続されたトランジスタＱ２とを含む。（Ｖａ ａ
＋ｖ□）発生回路１５は、ドライバ１３に接続された
キャパシタＣ７と、キャパシタＣ４と接地電位との間に
直列接続されたトランジスタＱ５、Ｑ６と、キャパシタ
Ｃ１とトランジスタＱ３のドレインおよびゲート電極の
共通接続点に接続され、ゲート電極および一方電極か出
力端子に接続されたトランジスタＱ４とを含む。
次にＶａＢ発生回路１４と、（Ｖ［Ｉ Ｂ ＋Ｖｖ ）
発生回路１５の動作について説明する。両回路ともドラ
イバ１３によって出力され、リングオシレータ１２て決
まる周波数を持ち、振幅ＶＣＣのパルス信号であるφ０
で駆動される。駆動信号φ０の電圧が０からＶＣＣにな
ったとき、第４図に示すノードＶｏの電圧はキャパシタ
Ｃｏによる容量結合のために、０からＶＣＣに上昇する
。しかし、このとき出力トランジスタＱ３がＯＮ状態に
なり、このため該トランジスタＱ、のしきい値電圧をＶ
□、とすると、ノードＶｏの電圧はＶＶａに下がる。そ
の後駆動信号φ０がｖｃｃから０に下がると、キャパシ
タＣＯによる容量結合のために、ノードＶｏの電圧は上
記ｖＴａからＶＴ！ ＶｅＣに下がる。このときトラ
ンジスタＱ３はＯＦＦ状態にあるが、トランジスタＱ２
がＯＮ状態になるため、基板電圧Ｖ［ＩＢは下がる。
発生回路１５の動作について説明する。両回路ともドラ
イバ１３によって出力され、リングオシレータ１２て決
まる周波数を持ち、振幅ＶＣＣのパルス信号であるφ０
で駆動される。駆動信号φ０の電圧が０からＶＣＣにな
ったとき、第４図に示すノードＶｏの電圧はキャパシタ
Ｃｏによる容量結合のために、０からＶＣＣに上昇する
。しかし、このとき出力トランジスタＱ３がＯＮ状態に
なり、このため該トランジスタＱ、のしきい値電圧をＶ
□、とすると、ノードＶｏの電圧はＶＶａに下がる。そ
の後駆動信号φ０がｖｃｃから０に下がると、キャパシ
タＣＯによる容量結合のために、ノードＶｏの電圧は上
記ｖＴａからＶＴ！ ＶｅＣに下がる。このときトラ
ンジスタＱ３はＯＦＦ状態にあるが、トランジスタＱ２
がＯＮ状態になるため、基板電圧Ｖ［ＩＢは下がる。
以上のような動作を繰返して、トランジスタＱ２のしき
い値電圧をＶＴ２とすると、基板電圧ＶＢＢは最終的１
：Ｖ７２ ＋ＶＴ ３−ＶＣＣとなッテ安定する。たと
えばＶ工、−ＶＴ３− Ｉ Ｖ ｓ Ｖ ｃ。−５■と
すると、ＶＢＢは一３ｖ程度になる。
い値電圧をＶＴ２とすると、基板電圧ＶＢＢは最終的１
：Ｖ７２ ＋ＶＴ ３−ＶＣＣとなッテ安定する。たと
えばＶ工、−ＶＴ３− Ｉ Ｖ ｓ Ｖ ｃ。−５■と
すると、ＶＢＢは一３ｖ程度になる。
（ＶＢ ａ 十ｖＴ）発生回路１５は、（Ｖａ ａ ＋
Ｖ工）■を発生するためのチャージポンプ回路であり、
基本動作は上述のＶａａを発生させるためのチャージポ
ンプ回路と同様である。トランジス夕Ｑ４、Ｑ５のしき
い値電圧を各々トランジスタＱ２、Ｑ３のしきい値電圧
に合わせ、トランジスタＱ、のしきい値電圧をｖＴにす
ると、回路からの出力は最終的にｖＴ２＋ｖ丁、＋■ニ
ー■。、すなわち、Ｖ［１［１＋ｖ丁となる。上述した
ように、ｖＴ≦Ｖ工、となるようにしきい値電圧を設定
しておく必要があるため、トランジスタＱ６のしきい値
電圧は、第１図におけるＮＭＯ５ＦＥＴＱＩのしきい値
電圧ＶＴ、以下に設定しておく必要がある。
Ｖ工）■を発生するためのチャージポンプ回路であり、
基本動作は上述のＶａａを発生させるためのチャージポ
ンプ回路と同様である。トランジス夕Ｑ４、Ｑ５のしき
い値電圧を各々トランジスタＱ２、Ｑ３のしきい値電圧
に合わせ、トランジスタＱ、のしきい値電圧をｖＴにす
ると、回路からの出力は最終的にｖＴ２＋ｖ丁、＋■ニ
ー■。、すなわち、Ｖ［１［１＋ｖ丁となる。上述した
ように、ｖＴ≦Ｖ工、となるようにしきい値電圧を設定
しておく必要があるため、トランジスタＱ６のしきい値
電圧は、第１図におけるＮＭＯ５ＦＥＴＱＩのしきい値
電圧ＶＴ、以下に設定しておく必要がある。
第５図は（Ｖａ ａ ＋ＶＴ ）発生回路の他の例を示
した図である。第５図においては、トランジスタＱ７と
Ｑ８とがキャパシタＣ２と出力部との間で直列接続され
ている。たとえばトランジスタＱ８、Ｑ９のしきい値電
圧を各々Ｑ２、Ｑ３のしきい値電圧■Ｔ２、ＶＴ、に合
わせ、トランジスタＱ７のしきい値電圧をＶＴとすると
、上記と同様の動作が行なわれる結果、出力としてＶＢ
ａ ＋Ｖ工が得られる。
した図である。第５図においては、トランジスタＱ７と
Ｑ８とがキャパシタＣ２と出力部との間で直列接続され
ている。たとえばトランジスタＱ８、Ｑ９のしきい値電
圧を各々Ｑ２、Ｑ３のしきい値電圧■Ｔ２、ＶＴ、に合
わせ、トランジスタＱ７のしきい値電圧をＶＴとすると
、上記と同様の動作が行なわれる結果、出力としてＶＢ
ａ ＋Ｖ工が得られる。
第６図はチャージポンプ回路の他の例を示す図である。
第６図においてはチャージポンプ回路がＰＭＯ５ＦＥＴ
によって構成されている。この場合において回路の動作
は上に述べたのと同様である。
によって構成されている。この場合において回路の動作
は上に述べたのと同様である。
次に第７図を参照してこの発明の他の実施例に係る入力
回路を説明する。第７図の入力回路が第１図の入力回路
と異なる点は、ＮＭＯＳトランジスタ５のゲート電極が
入力側に接続されていることである。ＮＭＯＳトランジ
スタ５は、ゲート酸化膜が非常に厚く、そのしきい値電
圧は非常に高いため、通常はＯＦＦ状態にある。しかし
、入力端子７に高い静電入力パルスが加わり、Ｎ＋拡散
層８およびＮＭＯＳトランジスタ５のゲート電極に高電
圧か印加されると、ＮＭＯ５）ランジスタ５はＯＮ状態
となり、高電圧が接地電位に逃がされる。その結果、内
部回路において、ゲート破壊等が生しない。入力端子７
に入力信号としてオーバシュートやアンダシュートか加
わった場合には、先の実施例で説明したのと同様の動作
が行なわれ、同様の効果か得られる。なお、第７図に示
した入力回路の等両回路を第８図に示す。
回路を説明する。第７図の入力回路が第１図の入力回路
と異なる点は、ＮＭＯＳトランジスタ５のゲート電極が
入力側に接続されていることである。ＮＭＯＳトランジ
スタ５は、ゲート酸化膜が非常に厚く、そのしきい値電
圧は非常に高いため、通常はＯＦＦ状態にある。しかし
、入力端子７に高い静電入力パルスが加わり、Ｎ＋拡散
層８およびＮＭＯＳトランジスタ５のゲート電極に高電
圧か印加されると、ＮＭＯ５）ランジスタ５はＯＮ状態
となり、高電圧が接地電位に逃がされる。その結果、内
部回路において、ゲート破壊等が生しない。入力端子７
に入力信号としてオーバシュートやアンダシュートか加
わった場合には、先の実施例で説明したのと同様の動作
が行なわれ、同様の効果か得られる。なお、第７図に示
した入力回路の等両回路を第８図に示す。
上記の実施例（第１図、第７図）においては、ＮＭＯ５
ＦＥＴＱ、のドレインは、電源電圧ＶＣ３に接続されて
いる。この電位はＰウェル２の電位がＶａＢより下がっ
たときにそれを補償するための電位であるから、特にＶ
ＣＣである必要はなく、少なくともＶＢＢ以上の電位で
あればよい。
ＦＥＴＱ、のドレインは、電源電圧ＶＣ３に接続されて
いる。この電位はＰウェル２の電位がＶａＢより下がっ
たときにそれを補償するための電位であるから、特にＶ
ＣＣである必要はなく、少なくともＶＢＢ以上の電位で
あればよい。
次に第９図を参照してこの発明のさらに他の実施例につ
いて説明する。第９図に示した実施例と第１図に示した
実施例と異なる点は、基板１７、ウェル１８、トランジ
スタ２０、Ｑ＋０などの極性か第１図の場合と逆になっ
ていることである。
いて説明する。第９図に示した実施例と第１図に示した
実施例と異なる点は、基板１７、ウェル１８、トランジ
スタ２０、Ｑ＋０などの極性か第１図の場合と逆になっ
ていることである。
すなわち、第９図に示す実施例においては、入力回路は
、Ｎ型半導体基板１７の主表面上に形成されたＮウェル
１８の主表面上に形成されたＰ“拡散層２１と、Ｎ＋拡
散層２３とを含む。入力端子７はＰ＋拡散層２１に接続
され、ＰＭＯ８ＦＥＴＱ＋ｏはＮ＋拡散層２３に接続さ
れている。この場合Ｎ型半導体基板１７は電源電位Ｖ。
、Ｎ型半導体基板１７の主表面上に形成されたＮウェル
１８の主表面上に形成されたＰ“拡散層２１と、Ｎ＋拡
散層２３とを含む。入力端子７はＰ＋拡散層２１に接続
され、ＰＭＯ８ＦＥＴＱ＋ｏはＮ＋拡散層２３に接続さ
れている。この場合Ｎ型半導体基板１７は電源電位Ｖ。
Ｃに接続されている。また基板１７の主表面上に形成さ
れたトランジスタ２０はＰＭＯ３）ランジスタである。
れたトランジスタ２０はＰＭＯ３）ランジスタである。
第９図に示す入力回路における動作は、第１図に示す入
力回路における動作とその極性が逆になるだけでその内
容は同じであり、また得られる効果も同様である。
力回路における動作とその極性が逆になるだけでその内
容は同じであり、また得られる効果も同様である。
［発明の効果コ
以上のようにこの発明によれば、半導体装置の入力回路
が入力端子に接続されたＰ−Ｎ接合と、Ｐ−Ｎ接合のい
ずれか一方の領域に接続され、入力電圧に余分な電圧が
付加されることによりＰ−Ｎ接合か導通したとき、余分
な電圧により生じた電流を吸収する電流吸収手段とを含
むため、基板に電流か流れない。したかって、素子特性
に悪影響を及はすおそれがある入力アンダシュートやオ
バシュートが入力端子に印加された場合に基板への小数
キャリアの注入が防かれる。
が入力端子に接続されたＰ−Ｎ接合と、Ｐ−Ｎ接合のい
ずれか一方の領域に接続され、入力電圧に余分な電圧が
付加されることによりＰ−Ｎ接合か導通したとき、余分
な電圧により生じた電流を吸収する電流吸収手段とを含
むため、基板に電流か流れない。したかって、素子特性
に悪影響を及はすおそれがある入力アンダシュートやオ
バシュートが入力端子に印加された場合に基板への小数
キャリアの注入が防かれる。
したかって、たとえば本発明かＰ型基板、Ｎ型メモリセ
ルのＤＲＡＭに採用された場合には、入力アンダシュー
ト時の注入電子によるメモリセルの蓄積情報の破壊や、
注入電子による基板電圧の変動が引き起こすリフレッシ
ュ特性、ソフトエラー率の劣化、トランジスタ特性の変
動というような現象が防がれる。その結果、内部回路の
動作が安定する半導体装置の入力回路が提供できるとい
う効果がある。
ルのＤＲＡＭに採用された場合には、入力アンダシュー
ト時の注入電子によるメモリセルの蓄積情報の破壊や、
注入電子による基板電圧の変動が引き起こすリフレッシ
ュ特性、ソフトエラー率の劣化、トランジスタ特性の変
動というような現象が防がれる。その結果、内部回路の
動作が安定する半導体装置の入力回路が提供できるとい
う効果がある。
第１図はこの発明に係る半導体装置の入力回路の一実施
例を示す模式図であり、第２図は第１図に示したこの発
明に係る入力回路の等価回路図であり、第３図はこの発
明に係る入力回路の動作を示すタイミングチャートであ
り、第４図はこの発明に係る入力回路に用いられるＶＢ
１発生回路および（ＶＢａ ＋ＶＴ ）発生回路を示す
図であり、第５図は（ＶＦＳａ ＋ｖＴ）発生回路の他
の例を示す図であり、第６図はＶＢＢ発生回路、（ＶＢ
Ｂ＋ＶＴ）発生回路のさらに他の実施例を示す図であり
、第７図はこの発明に係る入力回路の他の実施例を示す
模式図であり、第８図は第７図に示した入力回路の等価
回路図であり、第９図はこの発明に係る入力回路のさら
に他の実施例を示す模式図であり、第１０図はこの発明
の背景を示す半導体集積回路デバイスを示すブロック図
であり、第１１図はこの発明の前提となった問題点を説
明するための図であり、第１２図は従来の入力回路の構
成を示す模式図であり、第１３図は第１２図の等価回路
図であり、第１４図は従来の入力回路の動作を説明する
タイミングチャートである。 １はＰ型半導体基板、２はＰウェル、３はＮウェル、５
はＮＭＯＳトランジスタ、６は入力抵抗、７は入力端子
、８はＮ十拡散層、１０はＰ−Ｎ接合ダイオード、１１
はＰ＋拡散層である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
例を示す模式図であり、第２図は第１図に示したこの発
明に係る入力回路の等価回路図であり、第３図はこの発
明に係る入力回路の動作を示すタイミングチャートであ
り、第４図はこの発明に係る入力回路に用いられるＶＢ
１発生回路および（ＶＢａ ＋ＶＴ ）発生回路を示す
図であり、第５図は（ＶＦＳａ ＋ｖＴ）発生回路の他
の例を示す図であり、第６図はＶＢＢ発生回路、（ＶＢ
Ｂ＋ＶＴ）発生回路のさらに他の実施例を示す図であり
、第７図はこの発明に係る入力回路の他の実施例を示す
模式図であり、第８図は第７図に示した入力回路の等価
回路図であり、第９図はこの発明に係る入力回路のさら
に他の実施例を示す模式図であり、第１０図はこの発明
の背景を示す半導体集積回路デバイスを示すブロック図
であり、第１１図はこの発明の前提となった問題点を説
明するための図であり、第１２図は従来の入力回路の構
成を示す模式図であり、第１３図は第１２図の等価回路
図であり、第１４図は従来の入力回路の動作を説明する
タイミングチャートである。 １はＰ型半導体基板、２はＰウェル、３はＮウェル、５
はＮＭＯＳトランジスタ、６は入力抵抗、７は入力端子
、８はＮ十拡散層、１０はＰ−Ｎ接合ダイオード、１１
はＰ＋拡散層である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 主表面を有する半導体基板と、 前記半導体基板の主表面上に形成された第１導電型の第
１の領域と、 前記第１導電型の第１の領域内でかつ前記主表面上に形
成された前記第１導電型と異なる第２導電型の第１の領
域と、 前記第２導電型の第１の領域と前記第１導電型の第１の
領域とでＰ−Ｎ接合が形成され、 前記第２導電型の第１の領域には入力電圧が印加され、 前記入力電圧は前記半導体基板上に形成された内部回路
に印加され、 前記第１導電型の第１の領域内でかつ前記主表面上に形
成された第１導電型の第２の領域に接続され、前記入力
電圧に余分な電圧が付加されることにより、前記Ｐ−Ｎ
接合が導通したとき、前記余分な電圧により生じた電流
を吸収する電流吸収手段とを含む半導体装置の入力回路
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2029141A JP2754072B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 半導体装置の入力回路 |
| US07/646,544 US5208474A (en) | 1990-02-07 | 1991-01-28 | Input circuit of a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2029141A JP2754072B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 半導体装置の入力回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03232269A true JPH03232269A (ja) | 1991-10-16 |
| JP2754072B2 JP2754072B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=12268002
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