JPH03210704A - 高周波誘電体用焼結体の製造方法 - Google Patents
高周波誘電体用焼結体の製造方法Info
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- JPH03210704A JPH03210704A JP2005295A JP529590A JPH03210704A JP H03210704 A JPH03210704 A JP H03210704A JP 2005295 A JP2005295 A JP 2005295A JP 529590 A JP529590 A JP 529590A JP H03210704 A JPH03210704 A JP H03210704A
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Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高周波誘電体用焼結体の製造方法に関する
。
。
従来、マイクロ波領域において高誘電率および高Ｑ値を
もつ高周波誘電体用焼結体として、ＢａＭｇ＋ｚｘ Ｔ
ａ＋＋７ｓ Ｏｓ （＝Ｂａｓ ＭｇＴａｇ Ｏｅ）
であられされるペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体
（以下、適宜ｒＢＭＴ焼結体」と称することがある）が
ある。
もつ高周波誘電体用焼結体として、ＢａＭｇ＋ｚｘ Ｔ
ａ＋＋７ｓ Ｏｓ （＝Ｂａｓ ＭｇＴａｇ Ｏｅ）
であられされるペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体
（以下、適宜ｒＢＭＴ焼結体」と称することがある）が
ある。
焼結体は、原料配合物を仮焼して得た仮焼物を本焼成し
焼結させることで得られている。しかし、ＢＭＴ焼結体
は、一般に、誘電特性の良い焼結体を歩留まりよく得る
ことが困難であるとされている。得られた焼結体の緻密
度が低かったり、焼結体にクランクが入っていたりする
ことが多いからである。
焼結させることで得られている。しかし、ＢＭＴ焼結体
は、一般に、誘電特性の良い焼結体を歩留まりよく得る
ことが困難であるとされている。得られた焼結体の緻密
度が低かったり、焼結体にクランクが入っていたりする
ことが多いからである。
緻密度を高めるために、本焼成での昇温速度を１００℃
／分と急速に上げる方法が提案されているが、この急速
昇温焼成では、焼成コストが高くて電子デバイス（例え
ば、共振器）の低価格化が困難であるため、量産に通さ
ず実用性が薄い。
／分と急速に上げる方法が提案されているが、この急速
昇温焼成では、焼成コストが高くて電子デバイス（例え
ば、共振器）の低価格化が困難であるため、量産に通さ
ず実用性が薄い。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記事情に鑑み、この発明は、誘電特性の優れた高周波
誘電体用焼結体を歩留まりよく安価に製造することので
きる量産性に冨む方法を提供することを課題とする。
誘電体用焼結体を歩留まりよく安価に製造することので
きる量産性に冨む方法を提供することを課題とする。
発明者は、上記課題を解決するため、ＢＭＴ焼結体につ
いて、様々な方向から検討し、つぎのようなことを見出
した。すなわち、１０ｏＯ〜１１００℃程度で仮焼した
粉末を焼成して得た焼結体には、クランク発生があるた
めに誘電特性は十分でないが、緻密度は十分に高いとい
うことを、他方、１３００〜１４００℃程度で仮焼した
粉末を焼成して得た焼結体には１、クランクの発生はな
いが緻密度で劣るということを見出した。そこで、その
原因を詳しく検討した結果、仮焼温度１０００〜１１０
０℃の仮焼物では、少量のＢａＴａＸ０ａが生成されて
いるが、仮焼温度１３００〜１４００℃の仮焼物では、
Ｂａ Ｔ ａ ｘ Ｏｈが事実上生成されていないこと
が分かり、このＢａＴａ２Ｏ、がＢＭＴ焼結体の緻密度
を向上させているのではないかと推察し、１３００程度
を越える温度で十分に仮焼したＢ ａ Ｍ ｇ ｌｉｍ
Ｔ ａ ｚ／ｓ Ｏ＊であられされる難焼結性仮焼物
に、少量のＢａＴａ２Ｏ、を積極的に添加すれば、クラ
・ツク発生を抑制しつつ、緻密度の高い焼結体とするこ
とができるのではないかと推定し、実験によってこの推
定の正しいことを確かめた結果、ここに、この発明を完
成させることができたのである。
いて、様々な方向から検討し、つぎのようなことを見出
した。すなわち、１０ｏＯ〜１１００℃程度で仮焼した
粉末を焼成して得た焼結体には、クランク発生があるた
めに誘電特性は十分でないが、緻密度は十分に高いとい
うことを、他方、１３００〜１４００℃程度で仮焼した
粉末を焼成して得た焼結体には１、クランクの発生はな
いが緻密度で劣るということを見出した。そこで、その
原因を詳しく検討した結果、仮焼温度１０００〜１１０
０℃の仮焼物では、少量のＢａＴａＸ０ａが生成されて
いるが、仮焼温度１３００〜１４００℃の仮焼物では、
Ｂａ Ｔ ａ ｘ Ｏｈが事実上生成されていないこと
が分かり、このＢａＴａ２Ｏ、がＢＭＴ焼結体の緻密度
を向上させているのではないかと推察し、１３００程度
を越える温度で十分に仮焼したＢ ａ Ｍ ｇ ｌｉｍ
Ｔ ａ ｚ／ｓ Ｏ＊であられされる難焼結性仮焼物
に、少量のＢａＴａ２Ｏ、を積極的に添加すれば、クラ
・ツク発生を抑制しつつ、緻密度の高い焼結体とするこ
とができるのではないかと推定し、実験によってこの推
定の正しいことを確かめた結果、ここに、この発明を完
成させることができたのである。
したがって、この発明のペロブスカイト型高周波誘電体
用焼結体の製造方法は、ＡＢ＋／＊ Ｃｌｇｏ、であら
れされる仮焼物にＡ、Ｃ複合酸化物を添加して焼成する
ようにする。
用焼結体の製造方法は、ＡＢ＋／＊ Ｃｌｇｏ、であら
れされる仮焼物にＡ、Ｃ複合酸化物を添加して焼成する
ようにする。
ＡＢｌ／Ｉ Ｃ１／雪Ｏｘであられされる仮焼物のＡ、
Ｂ、Ｃと、Ａ、Ｃ複合酸化物のＡ、Ｃとは、下記Ａ、Ｂ
、Ｃの中から適宜選んで組み合わされるＡ；Ｂａ、Ｓｒ
、Ｂａｔ−Ｘ ５ｒｘＢ ；Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎ ｉ、Ｍ
ｎ Ｃ； Ｔ ａ ｓ Ｎ ｂ ＢＭＴ焼結体を得るための仮焼物は、例えば、請求項２
記載のように、ＢａＭｇＩ／ｓ Ｔａ＊ｌ＠ ０、であ
られされるものが挙げられ、この場合における好ましい
複合酸化物はＢ ａ Ｔ ａ ＊ Ｏ６である。さらに
は、請求項３のように、仮焼物が（Ｂａｔ−Ｘ Ｓ ｒ
Ｘ ） Ｂｌ／ｌ Ｃｚｚ＊ Ｏｓであられされる仮焼
物もあり（但し、Ｏ＜Ｘ＜１である）、この場合、Ａ、
Ｃ複合酸化物に、Ｂａ、Ｃ複合酸化物およびＳｒ、Ｃ複
合酸化物の少なくとも一方を用いるようにする。
Ｂ、Ｃと、Ａ、Ｃ複合酸化物のＡ、Ｃとは、下記Ａ、Ｂ
、Ｃの中から適宜選んで組み合わされるＡ；Ｂａ、Ｓｒ
、Ｂａｔ−Ｘ ５ｒｘＢ ；Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎ ｉ、Ｍ
ｎ Ｃ； Ｔ ａ ｓ Ｎ ｂ ＢＭＴ焼結体を得るための仮焼物は、例えば、請求項２
記載のように、ＢａＭｇＩ／ｓ Ｔａ＊ｌ＠ ０、であ
られされるものが挙げられ、この場合における好ましい
複合酸化物はＢ ａ Ｔ ａ ＊ Ｏ６である。さらに
は、請求項３のように、仮焼物が（Ｂａｔ−Ｘ Ｓ ｒ
Ｘ ） Ｂｌ／ｌ Ｃｚｚ＊ Ｏｓであられされる仮焼
物もあり（但し、Ｏ＜Ｘ＜１である）、この場合、Ａ、
Ｃ複合酸化物に、Ｂａ、Ｃ複合酸化物およびＳｒ、Ｃ複
合酸化物の少なくとも一方を用いるようにする。
この発明では、請求項４のように、Ａ、Ｃ複合酸化物に
加えて、これと合わせてＡＢ＋／＊ Ｃ１／１０、であ
られされるペロブスカイト型化合物を生成する酸化物を
も添加するようにしてもよい０例えば、前記ＢＭＴ焼結
体を得る場合には、複合酸化物Ｂ ａ Ｔ ａ 雰Ｏｍ
に下記■〜■のいずれかの酸化物を併せて添加するよう
にするのである。
加えて、これと合わせてＡＢ＋／＊ Ｃ１／１０、であ
られされるペロブスカイト型化合物を生成する酸化物を
も添加するようにしてもよい０例えば、前記ＢＭＴ焼結
体を得る場合には、複合酸化物Ｂ ａ Ｔ ａ 雰Ｏｍ
に下記■〜■のいずれかの酸化物を併せて添加するよう
にするのである。
■ ＢａＯとＭｇＯ
■ ３３ ａ ＣＯｓ とＭｇＯ
■ ＢａよＭ ｇ Ｏｓ
この発明では、請求項５のように、ＡＢＩ／雪Ｃ＊ノｓ
Ｏ＊であられされる仮焼物１＋ａｏｌに対しＡ。
Ｏ＊であられされる仮焼物１＋ａｏｌに対しＡ。
Ｃ複合酸化物を０．００１〜０．４０ｓ＋ｏｌの割合で
添加するのが良い。０．００１ｍｏｌを下回ると十分な
添加効果を確保することが難しく、０．４０ｗｏｌを上
回ると却って十分な誘電特性や緻密度の焼結体が得にく
くなるからである。
添加するのが良い。０．００１ｍｏｌを下回ると十分な
添加効果を確保することが難しく、０．４０ｗｏｌを上
回ると却って十分な誘電特性や緻密度の焼結体が得にく
くなるからである。
なお、ペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体を得るた
めの仮焼物と、添加される複合酸化物および併用酸化物
の他の組み合わせとしては、下記のようなものが挙げら
れる。
めの仮焼物と、添加される複合酸化物および併用酸化物
の他の組み合わせとしては、下記のようなものが挙げら
れる。
（ａ） 仮焼物；Ｂ ａ Ｚ ｎ ｌ／！ Ｔ ａ
ｘｉｓ Ｏｓの場合複合酸化物； Ｂ ａ Ｔ ａ ＊
ＯＭ併用酸化物；■ ＢａＯとＺｎＯ１■ＢａＣ０１
とＺｎＯ１■ＢａｚＺｎＯｓのうちのいずれか。
ｘｉｓ Ｏｓの場合複合酸化物； Ｂ ａ Ｔ ａ ＊
ＯＭ併用酸化物；■ ＢａＯとＺｎＯ１■ＢａＣ０１
とＺｎＯ１■ＢａｚＺｎＯｓのうちのいずれか。
（ｂ） 仮焼物： Ｂ ａ Ｎ １ ｌ／ｚ Ｔ ａ
ｚ／ｚ Ｏｚの場合複合酸化物； Ｂ ａ Ｔ ａ
ｔ Ｏ＠併用酸化物；■ＢａＯとＮｉ０１■Ｂａ ＣＯ
ｓとＮｉ０１■Ｂ ａｘ Ｎ ｉ ＯＨのうちのいずれ
か。
ｚ／ｚ Ｏｚの場合複合酸化物； Ｂ ａ Ｔ ａ
ｔ Ｏ＠併用酸化物；■ＢａＯとＮｉ０１■Ｂａ ＣＯ
ｓとＮｉ０１■Ｂ ａｘ Ｎ ｉ ＯＨのうちのいずれ
か。
（Ｃ） 仮焼物； Ｂ ａ Ｍ ｎ ｌ／Ｉ Ｔ ａ
ａｙｓ Ｏｓの場合複合酸化物；ＢａＴａ＊ ｏ４ 併用酸化物；■ Ｂａ ＯｘとＭｎ０１■ＢａＣＯ３と
Ｍｎ０１■Ｂ ａ ｚ Ｍ ｎ Ｏ＊のうちのいずれか
。
ａｙｓ Ｏｓの場合複合酸化物；ＢａＴａ＊ ｏ４ 併用酸化物；■ Ｂａ ＯｘとＭｎ０１■ＢａＣＯ３と
Ｍｎ０１■Ｂ ａ ｚ Ｍ ｎ Ｏ＊のうちのいずれか
。
（ｄ） 仮焼物： Ｂ ａ Ｍ ｇ ｌ／＄ Ｎ ｂ
ｘｉｓ Ｏｘの場合複合酸化物； Ｂａ Ｎ ｂ Ｏ
！ 併用酸化物；■ ＢａＯとＭｇＯ１■ＢａＣＯ３とＭｇ
Ｏ１■Ｂ ａ ｚ Ｍ ｇ Ｏ＊のうちのいずれが（ｅ
） 仮焼物： Ｂ ａ Ｚ ｎ ＋ｚｓ Ｎ ｂ ｚ
ｙｘ Ｏ＊の場合複合酸化物；ＢａＮｂ０寓 併用酸化物；■ ＢａＯとＺｎＯ２■ＢａＣ０とＺｎＯ
，■Ｂａｔ ＺｎＯ＊のうちのいずれか（ｆ） 仮焼
物： Ｂ ａ Ｍ ｎ ｌ／ｘ Ｎ ｂ ｘｉｓ Ｏｓ
の場合複合酸化物； Ｂ ａ Ｎ ｂ Ｏｓ 併用酸化物；■ ＢａＯとＭ ｎ Ｏ１■ＢａＣＯ３と
ＭｎＯ，■Ｂ ａ ｔ Ｍ ｎ Ｏｌのうちのいずれか
（幻 仮焼物： Ｓ ｒ Ｍ ｇ ｌ／＊ Ｔ ａ ｘ
ｉｓ Ｏｘの場合複合酸化物＊ Ｓ ｒ Ｔ ａ ｔ
Ｏｈ併用酸化物；■ＳｒＯとＭｇＯ１■５ｒＣＯｓとＭ
ｇＯ１■Ｓ ｒ Ｍ ｇ Ｏｓのうちのいずれかが挙げ
られる。
ｘｉｓ Ｏｘの場合複合酸化物； Ｂａ Ｎ ｂ Ｏ
！ 併用酸化物；■ ＢａＯとＭｇＯ１■ＢａＣＯ３とＭｇ
Ｏ１■Ｂ ａ ｚ Ｍ ｇ Ｏ＊のうちのいずれが（ｅ
） 仮焼物： Ｂ ａ Ｚ ｎ ＋ｚｓ Ｎ ｂ ｚ
ｙｘ Ｏ＊の場合複合酸化物；ＢａＮｂ０寓 併用酸化物；■ ＢａＯとＺｎＯ２■ＢａＣ０とＺｎＯ
，■Ｂａｔ ＺｎＯ＊のうちのいずれか（ｆ） 仮焼
物： Ｂ ａ Ｍ ｎ ｌ／ｘ Ｎ ｂ ｘｉｓ Ｏｓ
の場合複合酸化物； Ｂ ａ Ｎ ｂ Ｏｓ 併用酸化物；■ ＢａＯとＭ ｎ Ｏ１■ＢａＣＯ３と
ＭｎＯ，■Ｂ ａ ｔ Ｍ ｎ Ｏｌのうちのいずれか
（幻 仮焼物： Ｓ ｒ Ｍ ｇ ｌ／＊ Ｔ ａ ｘ
ｉｓ Ｏｘの場合複合酸化物＊ Ｓ ｒ Ｔ ａ ｔ
Ｏｈ併用酸化物；■ＳｒＯとＭｇＯ１■５ｒＣＯｓとＭ
ｇＯ１■Ｓ ｒ Ｍ ｇ Ｏｓのうちのいずれかが挙げ
られる。
（ｈｌ 仮焼物： Ｓ ｒ Ｚ ｎ ｌ／ｌ Ｔ ａ
ａｙｓ Ｏｓの場合複合酸化物；５ｒＴａｚ Ｏｓ 併用酸化物；■ＳｒＯとＺ ｎ Ｏｓ■３ｒＣＯｓとＺ
ｎ Ｏ％■５ｒＺｎＯｓのうちのいずれかが挙げられ
る。
ａｙｓ Ｏｓの場合複合酸化物；５ｒＴａｚ Ｏｓ 併用酸化物；■ＳｒＯとＺ ｎ Ｏｓ■３ｒＣＯｓとＺ
ｎ Ｏ％■５ｒＺｎＯｓのうちのいずれかが挙げられ
る。
（１） 仮焼物： Ｓ ｒ Ｎ ｉ ｌ／ｓ Ｔ ａ
ｚ／ｘ Ｏｓの場合複合酸化物； Ｓ ｒ Ｔ ａ
ｚ Ｏ４併用酸化物；■ＳｒＯとＮｉ０１■５ｒＣＯｓ
とＮ ｉＯ％■Ｓ ｒ Ｎ ｉ Ｏ＊のうちのいずれか
が挙げられる。
ｚ／ｘ Ｏｓの場合複合酸化物； Ｓ ｒ Ｔ ａ
ｚ Ｏ４併用酸化物；■ＳｒＯとＮｉ０１■５ｒＣＯｓ
とＮ ｉＯ％■Ｓ ｒ Ｎ ｉ Ｏ＊のうちのいずれか
が挙げられる。
０） 仮焼物： Ｂａｔ−ｘ Ｓｒｘ Ｍｇ＋／ｓ
Ｔａｇ／ｓＯ１の場合 但し；Ｏ＜Ｘ＜１ １−Ｘ≧Ｘの場合 複合酸化物イ； ＢａＴａｇＯ＊ 併用酸化物イ併用酸化物色ＭｇＯ，■ＢａＣＯ３とＭｇ
Ｏ，■Ｂａｔ Ｍｇ０ｓのうちのいずれか１−Ｘ５Ｘの
場合 複合酸化物ｏ； ５ｒＴａ＊Ｏ＊ 併用酸化物口；■３ｒＯｘとＭｇＯ，■５ｒＣ０３とＭ
ｇＯ，■Ｓ ｒ ｚ Ｍ ｇ Ｏｓのうちのいずれか。
Ｔａｇ／ｓＯ１の場合 但し；Ｏ＜Ｘ＜１ １−Ｘ≧Ｘの場合 複合酸化物イ； ＢａＴａｇＯ＊ 併用酸化物イ併用酸化物色ＭｇＯ，■ＢａＣＯ３とＭｇ
Ｏ，■Ｂａｔ Ｍｇ０ｓのうちのいずれか１−Ｘ５Ｘの
場合 複合酸化物ｏ； ５ｒＴａ＊Ｏ＊ 併用酸化物口；■３ｒＯｘとＭｇＯ，■５ｒＣ０３とＭ
ｇＯ，■Ｓ ｒ ｚ Ｍ ｇ Ｏｓのうちのいずれか。
さらには、比率に応じて複合酸化物４１口や併用酸化物
イ、口を併せて用いるようにしてもよい（ｋ） 仮焼
物： Ｂａ、−ｘ Ｓｒｘ Ｎｉ＋ｚｓ Ｔａｚｚ＊０
、の場合 但し、０＜Ｘ＜１ １−Ｘ≧Ｘの場合 複合酸化物イ； Ｂ ａ Ｔ ａ ＠ Ｑ−併用酸化
物イ：■ＢａＯとＮ ｉＯｓ 、■ＢａＣＯ３とＮｉｐ
、■ＢａｚＮｉＱ、のうちのいずれか１−Ｘ：５Ｘの場
合 複合酸化物ｏ； ＳｒＴａｔＯｍ 併用酸化物口；■５ｒＯｔとＮ ｉ Ｏ，■５ｒＣ０８
とＮ ｉ Ｏ，■５ｒｔＮｉＯｓのうちのいずれか。
イ、口を併せて用いるようにしてもよい（ｋ） 仮焼
物： Ｂａ、−ｘ Ｓｒｘ Ｎｉ＋ｚｓ Ｔａｚｚ＊０
、の場合 但し、０＜Ｘ＜１ １−Ｘ≧Ｘの場合 複合酸化物イ； Ｂ ａ Ｔ ａ ＠ Ｑ−併用酸化
物イ：■ＢａＯとＮ ｉＯｓ 、■ＢａＣＯ３とＮｉｐ
、■ＢａｚＮｉＱ、のうちのいずれか１−Ｘ：５Ｘの場
合 複合酸化物ｏ； ＳｒＴａｔＯｍ 併用酸化物口；■５ｒＯｔとＮ ｉ Ｏ，■５ｒＣ０８
とＮ ｉ Ｏ，■５ｒｔＮｉＯｓのうちのいずれか。
さらには、比率に応じて複合酸化物４９口や併用酸化物
イ、口を併せて用いるようにしてもよいこのように、こ
の発明において、Ａが複数の元素の場合（例えばＡ＝Ａ
’ ｌ−Ｘ Ａ ”ｘ ）には、Ａ、Ｃ複合酸化物と
して、Ａ’、Ａ″の元素のうち占有率の高い方の元素の
みの複合酸化物（Ａ’、Ｃ複合酸化物またはＡ″、Ｃ複
合酸化物）が単独で使われたり、あるいは、Ａに複数の
元素の各元素が単独で入った複合酸化物（Ａ’、Ｃ複合
酸化物およびＡ″、Ｃ複合酸化物）が元素占有比率に応
じて併せて使われたり、さらには、Ａに全ての元素が入
った複合酸化物（Ａ ’ Ａ″、Ｃ複合酸化物）が使わ
れたりする態様をとる。
イ、口を併せて用いるようにしてもよいこのように、こ
の発明において、Ａが複数の元素の場合（例えばＡ＝Ａ
’ ｌ−Ｘ Ａ ”ｘ ）には、Ａ、Ｃ複合酸化物と
して、Ａ’、Ａ″の元素のうち占有率の高い方の元素の
みの複合酸化物（Ａ’、Ｃ複合酸化物またはＡ″、Ｃ複
合酸化物）が単独で使われたり、あるいは、Ａに複数の
元素の各元素が単独で入った複合酸化物（Ａ’、Ｃ複合
酸化物およびＡ″、Ｃ複合酸化物）が元素占有比率に応
じて併せて使われたり、さらには、Ａに全ての元素が入
った複合酸化物（Ａ ’ Ａ″、Ｃ複合酸化物）が使わ
れたりする態様をとる。
この発明では、例えば、ＢＭＴ焼結体の場合、具体的に
は以下のようにして製造する。
は以下のようにして製造する。
■ Ｂａ Ｍ ｇ ＋ ｉｓ Ｔ ａ ａ／ｓ Ｏｓの
化学量論比に従って、出発原料ＢａＣＯ５、ＭｇＯおよ
びＴａ８０、を計量する。
化学量論比に従って、出発原料ＢａＣＯ５、ＭｇＯおよ
びＴａ８０、を計量する。
Ｂ ａ ＣＯｓの代わりにＢａＯを用いてもよいが、Ｂ
ａ ＣＯｓは高純度で粒径の揃ったものが安価に入手
できる。また、ＭｇＯの代わりにＭｇ Ｃ０、を用いて
もよい。
ａ ＣＯｓは高純度で粒径の揃ったものが安価に入手
できる。また、ＭｇＯの代わりにＭｇ Ｃ０、を用いて
もよい。
■ １０００〜１１００℃の温度で予備仮焼を行う。予
備仮焼は、後の仮焼や本焼成の際にＭｇ０が揮発するの
を避けるようにするためのものである。但し、この予備
仮焼は省いてもよい。
備仮焼は、後の仮焼や本焼成の際にＭｇ０が揮発するの
を避けるようにするためのものである。但し、この予備
仮焼は省いてもよい。
なお、１０００〜１１００℃の予備仮焼での固相反応は
３（ＢａＣＯｓ） ＋ＭｇＯ＋ＴａｔＯｓ−αＢａＪｇ
ＴａｍＯ＊十β （ＢａＴａｇ’、＋ ２ＢａＣＯｓ
＋ＭｇＯ） ＋（３−２β）ＣＯ！↑である。
３（ＢａＣＯｓ） ＋ＭｇＯ＋ＴａｔＯｓ−αＢａＪｇ
ＴａｍＯ＊十β （ＢａＴａｇ’、＋ ２ＢａＣＯｓ
＋ＭｇＯ） ＋（３−２β）ＣＯ！↑である。
■ 予備仮焼を終えた粉末は、冷却後、純粋中で２４時
間程度ボール・ミルを用い粉砕し、乾燥してから、１３
００〜１４００℃の温度で２〜１０時間仮焼する。この
仮焼は、２回以上行うことが好ましい。−回の仮焼毎に
仮焼物を粉砕するようにする。この仮焼物は、Ｂ ａ
Ｍ ｇ ＋ｚｓ Ｔ ａ ｚ７ｓＯ１であられされるも
のとなっている。
間程度ボール・ミルを用い粉砕し、乾燥してから、１３
００〜１４００℃の温度で２〜１０時間仮焼する。この
仮焼は、２回以上行うことが好ましい。−回の仮焼毎に
仮焼物を粉砕するようにする。この仮焼物は、Ｂ ａ
Ｍ ｇ ＋ｚｓ Ｔ ａ ｚ７ｓＯ１であられされるも
のとなっている。
なお、１３００〜１４００℃の仮焼での反応は、３（Ｂ
ａＣＯｓ） ＋ＭｇＯ＋ＴａｔＯａ −ＢａｓＭｇＴａ
ｔＯｅ＋３ＣＯ＊ ｒである。
ａＣＯｓ） ＋ＭｇＯ＋ＴａｔＯａ −ＢａｓＭｇＴａ
ｔＯｅ＋３ＣＯ＊ ｒである。
■ ここで、仮焼物１−Ｏｌに対して３３ ａ Ｔ ａ
ｚＯ６をＰ １ｍｏｌ （０＜ Ｐ ｒ ≦０．０
５の範囲）添加し、加圧成形により所定形状の圧粉体に
する。
ｚＯ６をＰ １ｍｏｌ （０＜ Ｐ ｒ ≦０．０
５の範囲）添加し、加圧成形により所定形状の圧粉体に
する。
■ ついで、本焼成を行う。
（１１１５５０℃以上の温度で２〜５時間焼成する。昇
温速度には特に制限はない。この（１１の焼成は、緻密
化を進行させるためのものである。ついで、 ＋２１１２００〜１４５０℃で１０〜１２０時間熱処理
する。この（２）の処理は、ＢＭＴ結晶を理想的な六方
晶とするためになされる。
温速度には特に制限はない。この（１１の焼成は、緻密
化を進行させるためのものである。ついで、 ＋２１１２００〜１４５０℃で１０〜１２０時間熱処理
する。この（２）の処理は、ＢＭＴ結晶を理想的な六方
晶とするためになされる。
これにより、優れたＢＭＴ焼結体が容易に得られるよう
になる。
になる。
なお、上記■以下を下記のようにしてもよい。
■′ここで、仮焼物１ｍｏｌに対して（Ｂ ａ Ｔ ａ
ｘ Ｏｓ ＋２ Ｂ ａ Ｏ＋ Ｍ ｇ Ｏ）をＰｘｗ
ｏｌ （０，０１＜ Ｐ ｚ ≦０．０７の範囲）添
加し、加圧成形により所定形状の圧粉体にする。
ｘ Ｏｓ ＋２ Ｂ ａ Ｏ＋ Ｍ ｇ Ｏ）をＰｘｗ
ｏｌ （０，０１＜ Ｐ ｚ ≦０．０７の範囲）添
加し、加圧成形により所定形状の圧粉体にする。
■′ついで、本焼成を行う。
（１）’１５５０〜１６５０℃の温度で２〜５時間焼成
する。１１００℃までの昇温速度には特に制限はないが
、それ以降は、５０’Ｃ／ｈｒ程度以上とすることが好
ましい。この焼成（ｌ）′は緻密化を進行させるための
ものである。ついで、（２１’ １３００〜１６５０℃
で１０〜２００時間熱処理する。この（２）′の処理は
、Ｂ ａ Ｔ ａ ｓ Ｏｓ、ＢａＯｌＭｇＯにおける
固相反応によりこれらの化合物をＢ ａ Ｍ ｇ ｒｙ
ｓ Ｔ ａ ａ／ｓ Ｏｓとして生成させ、焼結体の母
体組成物と同一にすると同時に、ＢＭＴ結晶を理想的な
六方晶とするためのものである。
する。１１００℃までの昇温速度には特に制限はないが
、それ以降は、５０’Ｃ／ｈｒ程度以上とすることが好
ましい。この焼成（ｌ）′は緻密化を進行させるための
ものである。ついで、（２１’ １３００〜１６５０℃
で１０〜２００時間熱処理する。この（２）′の処理は
、Ｂ ａ Ｔ ａ ｓ Ｏｓ、ＢａＯｌＭｇＯにおける
固相反応によりこれらの化合物をＢ ａ Ｍ ｇ ｒｙ
ｓ Ｔ ａ ａ／ｓ Ｏｓとして生成させ、焼結体の母
体組成物と同一にすると同時に、ＢＭＴ結晶を理想的な
六方晶とするためのものである。
また、上記■以下を下記のようにしてもよい。
■“コ、コて、仮焼物１ ｍｏｌに対して（２Ｂ ａ
ＣＱ 、 ＋２Ｍ ｇ Ｏ＋ Ｂ ａ Ｔ ａ ｘ Ｏ
６）をＰｘｗｏｌ（ｏ、ｏｔ＜ｐ＊≦０．４０の範囲）
添加し、加圧成形により所定形状の圧粉体にする。
ＣＱ 、 ＋２Ｍ ｇ Ｏ＋ Ｂ ａ Ｔ ａ ｘ Ｏ
６）をＰｘｗｏｌ（ｏ、ｏｔ＜ｐ＊≦０．４０の範囲）
添加し、加圧成形により所定形状の圧粉体にする。
■“ついで、本焼成を行う。
（１１１５５０〜１６５０℃の温度で２〜５時間焼成す
る。１１００℃までの昇温速度には特に制限はないが、
それ以降は、５０℃／ ｈ ｒ程度以上とすることが好
ましい。この焼成（ｌ）′は緻密化を進行させるための
ものである。ついで、（２） ” １３００〜１６５０
℃で１０〜２００時間熱処理する。この（２ビの処理は
、Ｂ ａ Ｔ ａ ｚ Ｏｈ、Ｍ ｇ Ｏ，Ｂ ａ Ｃ
Ｏｘにおける固相反応によりこれらの化合物をＢ ａ
Ｍ ｇ ＋ｉｓ Ｔ ａ Ｚ／ｌ ｏｌ として生成さ
せ、焼結体の母体組成物と同一にすると同時に、ＢＭＴ
結晶を理想的な六方晶とするためのものである。
る。１１００℃までの昇温速度には特に制限はないが、
それ以降は、５０℃／ ｈ ｒ程度以上とすることが好
ましい。この焼成（ｌ）′は緻密化を進行させるための
ものである。ついで、（２） ” １３００〜１６５０
℃で１０〜２００時間熱処理する。この（２ビの処理は
、Ｂ ａ Ｔ ａ ｚ Ｏｈ、Ｍ ｇ Ｏ，Ｂ ａ Ｃ
Ｏｘにおける固相反応によりこれらの化合物をＢ ａ
Ｍ ｇ ＋ｉｓ Ｔ ａ Ｚ／ｌ ｏｌ として生成さ
せ、焼結体の母体組成物と同一にすると同時に、ＢＭＴ
結晶を理想的な六方晶とするためのものである。
この発明では、本焼成において添加されるＡＣ複合酸化
物は、Ａ Ｂ Ｉ ／ヨＣｚ／ｓ Ｏｓであられされる
仮焼物に対し焼結を促す作用を発揮する。
物は、Ａ Ｂ Ｉ ／ヨＣｚ／ｓ Ｏｓであられされる
仮焼物に対し焼結を促す作用を発揮する。
ペロプスカイト型高周波誘電体用焼結体がＢａＭ ｇ
＋ ／３ Ｔ ａ ２／３０２であられされるものであ
る場合は、他の組成のものの場合に比べ、誘電特性の優
れたものが得やすい。
＋ ／３ Ｔ ａ ２／３０２であられされるものであ
る場合は、他の組成のものの場合に比べ、誘電特性の優
れたものが得やすい。
Ａ、Ｃ複合酸化物に加えて、これと合わせてＡＢａ／ｓ
Ｃｔ／ｘ Ｏｓであられされるペロブスカイト型化合
物を生成する酸化物をも添加するようにする場合には、
Ａ、Ｃ複合酸化物単独の場合に比べ、高Ｑ値のものが得
やすいという利点がある。
Ｃｔ／ｘ Ｏｓであられされるペロブスカイト型化合
物を生成する酸化物をも添加するようにする場合には、
Ａ、Ｃ複合酸化物単独の場合に比べ、高Ｑ値のものが得
やすいという利点がある。
Ａ、Ｃ複合酸化物の添加量がＡ Ｂ １ｙ−Ｃ−／−０
、であられされる仮焼物１ｍｏｌに対し０．００１〜０
．４０ａ＋ｏｌである場合には、焼結促進作用が確実に
発揮されるようになる。
、であられされる仮焼物１ｍｏｌに対し０．００１〜０
．４０ａ＋ｏｌである場合には、焼結促進作用が確実に
発揮されるようになる。
以下、この発明の詳細な説明する。
一実施例１〜４−
上記■〜■に従って、ＢＭＴ焼結体を得た。
但し、仮焼物１ｍｏｌに対するＢａＴａｔ Ｏ，の添加
割合は、第１表の通りとした。
割合は、第１表の通りとした。
なお、■予備仮焼工程では、１１００℃、１０時間の処
理を行い、■仮焼工程では、１３００度１０時間の処理
を２回行い、０本焼成の（１）焼成工程では、１６００
℃、２時間の焼成を行い、（２）焼成工程では、１４５
０℃、１００時間の処理をを行った。
理を行い、■仮焼工程では、１３００度１０時間の処理
を２回行い、０本焼成の（１）焼成工程では、１６００
℃、２時間の焼成を行い、（２）焼成工程では、１４５
０℃、１００時間の処理をを行った。
一比較例１一
実施例１において、ＢａＴａｚ Ｏｘを添加しなかった
他は、同様にしてＢＭＴ焼結体を得た。
他は、同様にしてＢＭＴ焼結体を得た。
実施例５．６−
上記■〜■、■′、■′に従って、ＢＭＴ焼結体を得た
。
。
但し、仮焼物１ｍｏｌに対する（ＢａＴａｘＯ＊＋２Ｂ
ａＯ＋Ｍｇ０）の添加割合は、第１表の通りとした。
ａＯ＋Ｍｇ０）の添加割合は、第１表の通りとした。
なお、■予備仮焼工程では、１１００℃、１０時間の焼
成を行い、■′仮焼工程では、１３００℃、１０時間の
焼成を２回行い、■′本焼成の１１１′焼成工程では１
６００℃、２時間の焼成を行い、（２１’熱処理工程で
は、１６００℃、８０時間の処理を行った。
成を行い、■′仮焼工程では、１３００℃、１０時間の
焼成を２回行い、■′本焼成の１１１′焼成工程では１
６００℃、２時間の焼成を行い、（２１’熱処理工程で
は、１６００℃、８０時間の処理を行った。
一比較例２
（ＢａＴａｚ Ｏｍ ＋２ＢａＯ＋Ｍｇ０）を添加しな
かった他は、実施例５と同様にしてＢＭＴ焼結体を得た
。
かった他は、実施例５と同様にしてＢＭＴ焼結体を得た
。
実施例７〜１２−
上記■〜■、■“、■″に従って、ＢＭＴ焼結体を得た
。
。
但し、仮焼物ｌｌｌ１ｏｌに対する［ＢａＴａｚ Ｏｓ
＋ Ｍ ｇ Ｏ＋ ２ Ｂ ａ ＣＯ＊ ）の添加割合
は、第２表の通りである。
＋ Ｍ ｇ Ｏ＋ ２ Ｂ ａ ＣＯ＊ ）の添加割合
は、第２表の通りである。
なお、■予備仮焼工程では、１１００℃、２時間の処理
を行い、■″仮焼工程では、１３００℃、１０時間の焼
成を２回行い、■″本焼成の（１）″焼成工程では、１
６００℃、２時間の焼成を行い、（２ビ熱処理工程では
、１６００℃、８０時間の処理を行った。
を行い、■″仮焼工程では、１３００℃、１０時間の焼
成を２回行い、■″本焼成の（１）″焼成工程では、１
６００℃、２時間の焼成を行い、（２ビ熱処理工程では
、１６００℃、８０時間の処理を行った。
一比較例３−
（ＢａＴａｔ Ｏｉ ＋ＭｇＯ＋２ＢａＣＯ＊ ）を添
加しなかった他は、実施例７と同様にしてＢＭＴ焼結体
を得た。
加しなかった他は、実施例７と同様にしてＢＭＴ焼結体
を得た。
一比較例４一
実施例１において、■予備仮焼後の■仮焼を行わなかっ
た他は、同様にしてＢＭＴ焼結体を得た実施例および比
較例について、緻密度（焼結体の相対密度）を測定する
とともに、誘電率とＱ値を誘電体円柱共振法により測定
した。また、クランク発生の有無についても調ヘタ。
た他は、同様にしてＢＭＴ焼結体を得た実施例および比
較例について、緻密度（焼結体の相対密度）を測定する
とともに、誘電率とＱ値を誘電体円柱共振法により測定
した。また、クランク発生の有無についても調ヘタ。
なお、クランク発生の有無に関しては、実施例１〜１２
、比較例１〜３についてはクランク発生無しであり、比
較例４についてはクラック発生がみられた。
、比較例１〜３についてはクランク発生無しであり、比
較例４についてはクラック発生がみられた。
第１．２表にみるように、実施例の各焼結体は、比較例
１〜４の焼結体と比べ、緻密であり、クラック発生もな
く、優れた誘電特性の誘電体となっていることが分かる
。
１〜４の焼結体と比べ、緻密であり、クラック発生もな
く、優れた誘電特性の誘電体となっていることが分かる
。
以上に述べたように、請求項１〜５記載の発明では、Ａ
Ｂ＝／＊ Ｃｓ１− Ｏｓであられされる仮焼物に優れ
た焼結促進作用をもつＡ、 Ｃ複合酸化物を添加し焼成
するようにするため、クランクが入らず緻密度も高い優
れた高周波誘電特性の焼結体を歩留まりよく容易に製造
することができる。
Ｂ＝／＊ Ｃｓ１− Ｏｓであられされる仮焼物に優れ
た焼結促進作用をもつＡ、 Ｃ複合酸化物を添加し焼成
するようにするため、クランクが入らず緻密度も高い優
れた高周波誘電特性の焼結体を歩留まりよく容易に製造
することができる。
請求項２記載の発明では、ペロブスカイト型高周波誘電
体用焼結体の組成がＢ ａ Ｍ ｇ ＋／ｓ Ｔ ａ
！／、０．であるため、誘電特性が他の組成のものに比
べてよく、利用価値が高い。
体用焼結体の組成がＢ ａ Ｍ ｇ ＋／ｓ Ｔ ａ
！／、０．であるため、誘電特性が他の組成のものに比
べてよく、利用価値が高い。
請求項４記載の発明では、Ａ、Ｃ複合酸化物に加えて、
これと合わせてＡ Ｂ １７− Ｃ−ｙ−０−であられ
されるペロブスカイト型化合物となって生成し焼結体の
母体組成と同一となってしまうため、ＡＢｌ／−Ｃ−／
−０−のみ添加する場合に比べてＱ値が高くなるなどの
利点がある。
これと合わせてＡ Ｂ １７− Ｃ−ｙ−０−であられ
されるペロブスカイト型化合物となって生成し焼結体の
母体組成と同一となってしまうため、ＡＢｌ／−Ｃ−／
−０−のみ添加する場合に比べてＱ値が高くなるなどの
利点がある。
請求項５記載の発明では、Ａ Ｂ ｌ／ｓ Ｃｒ／ｓ
Ｏｓであられされる仮焼物１ｍｏｌに対しＡ、Ｃ複合酸
化物を０．００１〜０．４０ｍｏｌの割合で添加１；？
Ｖ）るため、Ａ、Ｃ複合酸化物の焼結促進作用がより確
実に発揮される。
Ｏｓであられされる仮焼物１ｍｏｌに対しＡ、Ｃ複合酸
化物を０．００１〜０．４０ｍｏｌの割合で添加１；？
Ｖ）るため、Ａ、Ｃ複合酸化物の焼結促進作用がより確
実に発揮される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＡＢ＿１＿／＿２Ｃ＿２＿／＿３Ｏ＿３であらわさ
れるペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体を得るにあ
たり、ＡＢ＿１＿／＿２Ｃ＿２＿／＿３Ｏ＿３であらわ
される仮焼物にＡ，Ｃ複合酸化物を添加して焼成するよ
うにすることを特徴とする高周波誘電体用焼結体の製造
方法。 ２ 仮焼物がＢａＭｇ＿１＿／＿３Ｔａ＿２＿／＿３Ｏ
＿３であらわされるものであり、複合酸化物がＢａＴａ
＿２Ｏ＿４であらわされるものである請求項１記載の高
周波誘電体用焼結体の製造方法。 ３ 仮焼物が（Ｂａ＿１＿−＿ｘＳｒ＿ｘ）Ｂ＿１＿／
＿２Ｃ＿２＿／＿３Ｏ＿３であらわされる仮焼物であっ
て（但し、０＜Ｘ＜１）、 Ａ，Ｃ複合酸化物が、Ｂａ，Ｃ複合酸化物およびＳｒ，
Ｃ複合酸化物の少なくとも一方である請求項１記載の高
周波誘電体用焼結体の製造方法。 ４ Ａ，Ｃ複合酸化物に加えて、これと合わせてＡＢ＿
１＿／＿３Ｃ＿２＿／＿３Ｏ＿３であらわされるペロブ
スカイト型化合物を生成する酸化物をも添加するように
する請求項１から３までのいずれかに記載の高周波誘電
体用焼結体の製造方法。 ５ ＡＢ＿１＿／＿３Ｃ＿２＿／＿３Ｏ＿３であらわさ
れる仮焼物１ｍｏｌに対しＡ，Ｃ複合酸化物を０．００
１〜０．４０ｍｏｌの割合で添加するようにする請求項
１から４までのいずれかに記載の高周波誘電体用焼結体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005295A JPH0766691B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005295A JPH0766691B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03210704A true JPH03210704A (ja) | 1991-09-13 |
| JPH0766691B2 JPH0766691B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=11607258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005295A Expired - Fee Related JPH0766691B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766691B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05182521A (ja) * | 1991-12-31 | 1993-07-23 | Nikko Co | Ｂｚｔ焼結体の製造方法 |
| JP2004315330A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-11 JP JP2005295A patent/JPH0766691B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05182521A (ja) * | 1991-12-31 | 1993-07-23 | Nikko Co | Ｂｚｔ焼結体の製造方法 |
| JP2004315330A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766691B2 (ja) | 1995-07-19 |
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