JPH03210704A - 高周波誘電体用焼結体の製造方法 - Google Patents
高周波誘電体用焼結体の製造方法Info
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- JPH03210704A JPH03210704A JP2005295A JP529590A JPH03210704A JP H03210704 A JPH03210704 A JP H03210704A JP 2005295 A JP2005295 A JP 2005295A JP 529590 A JP529590 A JP 529590A JP H03210704 A JPH03210704 A JP H03210704A
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Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高周波誘電体用焼結体の製造方法に関する
。
。
従来、マイクロ波領域において高誘電率および高Q値を
もつ高周波誘電体用焼結体として、BaMg+zx T
a++7s Os (=Bas MgTag Oe)
であられされるペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体
(以下、適宜rBMT焼結体」と称することがある)が
ある。
もつ高周波誘電体用焼結体として、BaMg+zx T
a++7s Os (=Bas MgTag Oe)
であられされるペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体
(以下、適宜rBMT焼結体」と称することがある)が
ある。
焼結体は、原料配合物を仮焼して得た仮焼物を本焼成し
焼結させることで得られている。しかし、BMT焼結体
は、一般に、誘電特性の良い焼結体を歩留まりよく得る
ことが困難であるとされている。得られた焼結体の緻密
度が低かったり、焼結体にクランクが入っていたりする
ことが多いからである。
焼結させることで得られている。しかし、BMT焼結体
は、一般に、誘電特性の良い焼結体を歩留まりよく得る
ことが困難であるとされている。得られた焼結体の緻密
度が低かったり、焼結体にクランクが入っていたりする
ことが多いからである。
緻密度を高めるために、本焼成での昇温速度を100℃
/分と急速に上げる方法が提案されているが、この急速
昇温焼成では、焼成コストが高くて電子デバイス(例え
ば、共振器)の低価格化が困難であるため、量産に通さ
ず実用性が薄い。
/分と急速に上げる方法が提案されているが、この急速
昇温焼成では、焼成コストが高くて電子デバイス(例え
ば、共振器)の低価格化が困難であるため、量産に通さ
ず実用性が薄い。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記事情に鑑み、この発明は、誘電特性の優れた高周波
誘電体用焼結体を歩留まりよく安価に製造することので
きる量産性に冨む方法を提供することを課題とする。
誘電体用焼結体を歩留まりよく安価に製造することので
きる量産性に冨む方法を提供することを課題とする。
発明者は、上記課題を解決するため、BMT焼結体につ
いて、様々な方向から検討し、つぎのようなことを見出
した。すなわち、10oO〜1100℃程度で仮焼した
粉末を焼成して得た焼結体には、クランク発生があるた
めに誘電特性は十分でないが、緻密度は十分に高いとい
うことを、他方、1300〜1400℃程度で仮焼した
粉末を焼成して得た焼結体には1、クランクの発生はな
いが緻密度で劣るということを見出した。そこで、その
原因を詳しく検討した結果、仮焼温度1000〜110
0℃の仮焼物では、少量のBaTaX0aが生成されて
いるが、仮焼温度1300〜1400℃の仮焼物では、
Ba T a x Ohが事実上生成されていないこと
が分かり、このBaTa2O、がBMT焼結体の緻密度
を向上させているのではないかと推察し、1300程度
を越える温度で十分に仮焼したB a M g lim
T a z/s O*であられされる難焼結性仮焼物
に、少量のBaTa2O、を積極的に添加すれば、クラ
・ツク発生を抑制しつつ、緻密度の高い焼結体とするこ
とができるのではないかと推定し、実験によってこの推
定の正しいことを確かめた結果、ここに、この発明を完
成させることができたのである。
いて、様々な方向から検討し、つぎのようなことを見出
した。すなわち、10oO〜1100℃程度で仮焼した
粉末を焼成して得た焼結体には、クランク発生があるた
めに誘電特性は十分でないが、緻密度は十分に高いとい
うことを、他方、1300〜1400℃程度で仮焼した
粉末を焼成して得た焼結体には1、クランクの発生はな
いが緻密度で劣るということを見出した。そこで、その
原因を詳しく検討した結果、仮焼温度1000〜110
0℃の仮焼物では、少量のBaTaX0aが生成されて
いるが、仮焼温度1300〜1400℃の仮焼物では、
Ba T a x Ohが事実上生成されていないこと
が分かり、このBaTa2O、がBMT焼結体の緻密度
を向上させているのではないかと推察し、1300程度
を越える温度で十分に仮焼したB a M g lim
T a z/s O*であられされる難焼結性仮焼物
に、少量のBaTa2O、を積極的に添加すれば、クラ
・ツク発生を抑制しつつ、緻密度の高い焼結体とするこ
とができるのではないかと推定し、実験によってこの推
定の正しいことを確かめた結果、ここに、この発明を完
成させることができたのである。
したがって、この発明のペロブスカイト型高周波誘電体
用焼結体の製造方法は、AB+/* Clgo、であら
れされる仮焼物にA、C複合酸化物を添加して焼成する
ようにする。
用焼結体の製造方法は、AB+/* Clgo、であら
れされる仮焼物にA、C複合酸化物を添加して焼成する
ようにする。
ABl/I C1/雪Oxであられされる仮焼物のA、
B、Cと、A、C複合酸化物のA、Cとは、下記A、B
、Cの中から適宜選んで組み合わされるA;Ba、Sr
、Bat−X 5rxB ;Mg、Zn、N i、M
n C; T a s N b BMT焼結体を得るための仮焼物は、例えば、請求項2
記載のように、BaMgI/s Ta*l@ 0、であ
られされるものが挙げられ、この場合における好ましい
複合酸化物はB a T a * O6である。さらに
は、請求項3のように、仮焼物が(Bat−X S r
X ) Bl/l Czz* Osであられされる仮焼
物もあり(但し、O<X<1である)、この場合、A、
C複合酸化物に、Ba、C複合酸化物およびSr、C複
合酸化物の少なくとも一方を用いるようにする。
B、Cと、A、C複合酸化物のA、Cとは、下記A、B
、Cの中から適宜選んで組み合わされるA;Ba、Sr
、Bat−X 5rxB ;Mg、Zn、N i、M
n C; T a s N b BMT焼結体を得るための仮焼物は、例えば、請求項2
記載のように、BaMgI/s Ta*l@ 0、であ
られされるものが挙げられ、この場合における好ましい
複合酸化物はB a T a * O6である。さらに
は、請求項3のように、仮焼物が(Bat−X S r
X ) Bl/l Czz* Osであられされる仮焼
物もあり(但し、O<X<1である)、この場合、A、
C複合酸化物に、Ba、C複合酸化物およびSr、C複
合酸化物の少なくとも一方を用いるようにする。
この発明では、請求項4のように、A、C複合酸化物に
加えて、これと合わせてAB+/* C1/10、であ
られされるペロブスカイト型化合物を生成する酸化物を
も添加するようにしてもよい0例えば、前記BMT焼結
体を得る場合には、複合酸化物B a T a 雰Om
に下記■〜■のいずれかの酸化物を併せて添加するよう
にするのである。
加えて、これと合わせてAB+/* C1/10、であ
られされるペロブスカイト型化合物を生成する酸化物を
も添加するようにしてもよい0例えば、前記BMT焼結
体を得る場合には、複合酸化物B a T a 雰Om
に下記■〜■のいずれかの酸化物を併せて添加するよう
にするのである。
■ BaOとMgO
■ 33 a COs とMgO
■ BaよM g Os
この発明では、請求項5のように、ABI/雪C*ノs
O*であられされる仮焼物1+aolに対しA。
O*であられされる仮焼物1+aolに対しA。
C複合酸化物を0.001〜0.40s+olの割合で
添加するのが良い。0.001molを下回ると十分な
添加効果を確保することが難しく、0.40wolを上
回ると却って十分な誘電特性や緻密度の焼結体が得にく
くなるからである。
添加するのが良い。0.001molを下回ると十分な
添加効果を確保することが難しく、0.40wolを上
回ると却って十分な誘電特性や緻密度の焼結体が得にく
くなるからである。
なお、ペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体を得るた
めの仮焼物と、添加される複合酸化物および併用酸化物
の他の組み合わせとしては、下記のようなものが挙げら
れる。
めの仮焼物と、添加される複合酸化物および併用酸化物
の他の組み合わせとしては、下記のようなものが挙げら
れる。
(a) 仮焼物;B a Z n l/! T a
xis Osの場合複合酸化物; B a T a *
OM併用酸化物;■ BaOとZnO1■BaC01
とZnO1■BazZnOsのうちのいずれか。
xis Osの場合複合酸化物; B a T a *
OM併用酸化物;■ BaOとZnO1■BaC01
とZnO1■BazZnOsのうちのいずれか。
(b) 仮焼物: B a N 1 l/z T a
z/z Ozの場合複合酸化物; B a T a
t O@併用酸化物;■BaOとNi01■Ba CO
sとNi01■B ax N i OHのうちのいずれ
か。
z/z Ozの場合複合酸化物; B a T a
t O@併用酸化物;■BaOとNi01■Ba CO
sとNi01■B ax N i OHのうちのいずれ
か。
(C) 仮焼物; B a M n l/I T a
ays Osの場合複合酸化物;BaTa* o4 併用酸化物;■ Ba OxとMn01■BaCO3と
Mn01■B a z M n O*のうちのいずれか
。
ays Osの場合複合酸化物;BaTa* o4 併用酸化物;■ Ba OxとMn01■BaCO3と
Mn01■B a z M n O*のうちのいずれか
。
(d) 仮焼物: B a M g l/$ N b
xis Oxの場合複合酸化物; Ba N b O
! 併用酸化物;■ BaOとMgO1■BaCO3とMg
O1■B a z M g O*のうちのいずれが(e
) 仮焼物: B a Z n +zs N b z
yx O*の場合複合酸化物;BaNb0寓 併用酸化物;■ BaOとZnO2■BaC0とZnO
,■Bat ZnO*のうちのいずれか(f) 仮焼
物: B a M n l/x N b xis Os
の場合複合酸化物; B a N b Os 併用酸化物;■ BaOとM n O1■BaCO3と
MnO,■B a t M n Olのうちのいずれか
(幻 仮焼物: S r M g l/* T a x
is Oxの場合複合酸化物* S r T a t
Oh併用酸化物;■SrOとMgO1■5rCOsとM
gO1■S r M g Osのうちのいずれかが挙げ
られる。
xis Oxの場合複合酸化物; Ba N b O
! 併用酸化物;■ BaOとMgO1■BaCO3とMg
O1■B a z M g O*のうちのいずれが(e
) 仮焼物: B a Z n +zs N b z
yx O*の場合複合酸化物;BaNb0寓 併用酸化物;■ BaOとZnO2■BaC0とZnO
,■Bat ZnO*のうちのいずれか(f) 仮焼
物: B a M n l/x N b xis Os
の場合複合酸化物; B a N b Os 併用酸化物;■ BaOとM n O1■BaCO3と
MnO,■B a t M n Olのうちのいずれか
(幻 仮焼物: S r M g l/* T a x
is Oxの場合複合酸化物* S r T a t
Oh併用酸化物;■SrOとMgO1■5rCOsとM
gO1■S r M g Osのうちのいずれかが挙げ
られる。
(hl 仮焼物: S r Z n l/l T a
ays Osの場合複合酸化物;5rTaz Os 併用酸化物;■SrOとZ n Os■3rCOsとZ
n O%■5rZnOsのうちのいずれかが挙げられ
る。
ays Osの場合複合酸化物;5rTaz Os 併用酸化物;■SrOとZ n Os■3rCOsとZ
n O%■5rZnOsのうちのいずれかが挙げられ
る。
(1) 仮焼物: S r N i l/s T a
z/x Osの場合複合酸化物; S r T a
z O4併用酸化物;■SrOとNi01■5rCOs
とN iO%■S r N i O*のうちのいずれか
が挙げられる。
z/x Osの場合複合酸化物; S r T a
z O4併用酸化物;■SrOとNi01■5rCOs
とN iO%■S r N i O*のうちのいずれか
が挙げられる。
0) 仮焼物: Bat−x Srx Mg+/s
Tag/sO1の場合 但し;O<X<1 1−X≧Xの場合 複合酸化物イ; BaTagO* 併用酸化物イ併用酸化物色MgO,■BaCO3とMg
O,■Bat Mg0sのうちのいずれか1−X5Xの
場合 複合酸化物o; 5rTa*O* 併用酸化物口;■3rOxとMgO,■5rC03とM
gO,■S r z M g Osのうちのいずれか。
Tag/sO1の場合 但し;O<X<1 1−X≧Xの場合 複合酸化物イ; BaTagO* 併用酸化物イ併用酸化物色MgO,■BaCO3とMg
O,■Bat Mg0sのうちのいずれか1−X5Xの
場合 複合酸化物o; 5rTa*O* 併用酸化物口;■3rOxとMgO,■5rC03とM
gO,■S r z M g Osのうちのいずれか。
さらには、比率に応じて複合酸化物41口や併用酸化物
イ、口を併せて用いるようにしてもよい(k) 仮焼
物: Ba、−x Srx Ni+zs Tazz*0
、の場合 但し、0<X<1 1−X≧Xの場合 複合酸化物イ; B a T a @ Q−併用酸化
物イ:■BaOとN iOs 、■BaCO3とNip
、■BazNiQ、のうちのいずれか1−X:5Xの場
合 複合酸化物o; SrTatOm 併用酸化物口;■5rOtとN i O,■5rC08
とN i O,■5rtNiOsのうちのいずれか。
イ、口を併せて用いるようにしてもよい(k) 仮焼
物: Ba、−x Srx Ni+zs Tazz*0
、の場合 但し、0<X<1 1−X≧Xの場合 複合酸化物イ; B a T a @ Q−併用酸化
物イ:■BaOとN iOs 、■BaCO3とNip
、■BazNiQ、のうちのいずれか1−X:5Xの場
合 複合酸化物o; SrTatOm 併用酸化物口;■5rOtとN i O,■5rC08
とN i O,■5rtNiOsのうちのいずれか。
さらには、比率に応じて複合酸化物49口や併用酸化物
イ、口を併せて用いるようにしてもよいこのように、こ
の発明において、Aが複数の元素の場合(例えばA=A
’ l−X A ”x )には、A、C複合酸化物と
して、A’、A″の元素のうち占有率の高い方の元素の
みの複合酸化物(A’、C複合酸化物またはA″、C複
合酸化物)が単独で使われたり、あるいは、Aに複数の
元素の各元素が単独で入った複合酸化物(A’、C複合
酸化物およびA″、C複合酸化物)が元素占有比率に応
じて併せて使われたり、さらには、Aに全ての元素が入
った複合酸化物(A ’ A″、C複合酸化物)が使わ
れたりする態様をとる。
イ、口を併せて用いるようにしてもよいこのように、こ
の発明において、Aが複数の元素の場合(例えばA=A
’ l−X A ”x )には、A、C複合酸化物と
して、A’、A″の元素のうち占有率の高い方の元素の
みの複合酸化物(A’、C複合酸化物またはA″、C複
合酸化物)が単独で使われたり、あるいは、Aに複数の
元素の各元素が単独で入った複合酸化物(A’、C複合
酸化物およびA″、C複合酸化物)が元素占有比率に応
じて併せて使われたり、さらには、Aに全ての元素が入
った複合酸化物(A ’ A″、C複合酸化物)が使わ
れたりする態様をとる。
この発明では、例えば、BMT焼結体の場合、具体的に
は以下のようにして製造する。
は以下のようにして製造する。
■ Ba M g + is T a a/s Osの
化学量論比に従って、出発原料BaCO5、MgOおよ
びTa80、を計量する。
化学量論比に従って、出発原料BaCO5、MgOおよ
びTa80、を計量する。
B a COsの代わりにBaOを用いてもよいが、B
a COsは高純度で粒径の揃ったものが安価に入手
できる。また、MgOの代わりにMg C0、を用いて
もよい。
a COsは高純度で粒径の揃ったものが安価に入手
できる。また、MgOの代わりにMg C0、を用いて
もよい。
■ 1000〜1100℃の温度で予備仮焼を行う。予
備仮焼は、後の仮焼や本焼成の際にMg0が揮発するの
を避けるようにするためのものである。但し、この予備
仮焼は省いてもよい。
備仮焼は、後の仮焼や本焼成の際にMg0が揮発するの
を避けるようにするためのものである。但し、この予備
仮焼は省いてもよい。
なお、1000〜1100℃の予備仮焼での固相反応は
3(BaCOs) +MgO+TatOs−αBaJg
TamO*十β (BaTag’、+ 2BaCOs
+MgO) +(3−2β)CO!↑である。
3(BaCOs) +MgO+TatOs−αBaJg
TamO*十β (BaTag’、+ 2BaCOs
+MgO) +(3−2β)CO!↑である。
■ 予備仮焼を終えた粉末は、冷却後、純粋中で24時
間程度ボール・ミルを用い粉砕し、乾燥してから、13
00〜1400℃の温度で2〜10時間仮焼する。この
仮焼は、2回以上行うことが好ましい。−回の仮焼毎に
仮焼物を粉砕するようにする。この仮焼物は、B a
M g +zs T a z7sO1であられされるも
のとなっている。
間程度ボール・ミルを用い粉砕し、乾燥してから、13
00〜1400℃の温度で2〜10時間仮焼する。この
仮焼は、2回以上行うことが好ましい。−回の仮焼毎に
仮焼物を粉砕するようにする。この仮焼物は、B a
M g +zs T a z7sO1であられされるも
のとなっている。
なお、1300〜1400℃の仮焼での反応は、3(B
aCOs) +MgO+TatOa −BasMgTa
tOe+3CO* rである。
aCOs) +MgO+TatOa −BasMgTa
tOe+3CO* rである。
■ ここで、仮焼物1−Olに対して33 a T a
zO6をP 1mol (0< P r ≦0.0
5の範囲)添加し、加圧成形により所定形状の圧粉体に
する。
zO6をP 1mol (0< P r ≦0.0
5の範囲)添加し、加圧成形により所定形状の圧粉体に
する。
■ ついで、本焼成を行う。
(111550℃以上の温度で2〜5時間焼成する。昇
温速度には特に制限はない。この(11の焼成は、緻密
化を進行させるためのものである。ついで、 +211200〜1450℃で10〜120時間熱処理
する。この(2)の処理は、BMT結晶を理想的な六方
晶とするためになされる。
温速度には特に制限はない。この(11の焼成は、緻密
化を進行させるためのものである。ついで、 +211200〜1450℃で10〜120時間熱処理
する。この(2)の処理は、BMT結晶を理想的な六方
晶とするためになされる。
これにより、優れたBMT焼結体が容易に得られるよう
になる。
になる。
なお、上記■以下を下記のようにしてもよい。
■′ここで、仮焼物1molに対して(B a T a
x Os +2 B a O+ M g O)をPxw
ol (0,01< P z ≦0.07の範囲)添
加し、加圧成形により所定形状の圧粉体にする。
x Os +2 B a O+ M g O)をPxw
ol (0,01< P z ≦0.07の範囲)添
加し、加圧成形により所定形状の圧粉体にする。
■′ついで、本焼成を行う。
(1)’1550〜1650℃の温度で2〜5時間焼成
する。1100℃までの昇温速度には特に制限はないが
、それ以降は、50’C/hr程度以上とすることが好
ましい。この焼成(l)′は緻密化を進行させるための
ものである。ついで、(21’ 1300〜1650℃
で10〜200時間熱処理する。この(2)′の処理は
、B a T a s Os、BaOlMgOにおける
固相反応によりこれらの化合物をB a M g ry
s T a a/s Osとして生成させ、焼結体の母
体組成物と同一にすると同時に、BMT結晶を理想的な
六方晶とするためのものである。
する。1100℃までの昇温速度には特に制限はないが
、それ以降は、50’C/hr程度以上とすることが好
ましい。この焼成(l)′は緻密化を進行させるための
ものである。ついで、(21’ 1300〜1650℃
で10〜200時間熱処理する。この(2)′の処理は
、B a T a s Os、BaOlMgOにおける
固相反応によりこれらの化合物をB a M g ry
s T a a/s Osとして生成させ、焼結体の母
体組成物と同一にすると同時に、BMT結晶を理想的な
六方晶とするためのものである。
また、上記■以下を下記のようにしてもよい。
■“コ、コて、仮焼物1 molに対して(2B a
CQ 、 +2M g O+ B a T a x O
6)をPxwol(o、ot<p*≦0.40の範囲)
添加し、加圧成形により所定形状の圧粉体にする。
CQ 、 +2M g O+ B a T a x O
6)をPxwol(o、ot<p*≦0.40の範囲)
添加し、加圧成形により所定形状の圧粉体にする。
■“ついで、本焼成を行う。
(111550〜1650℃の温度で2〜5時間焼成す
る。1100℃までの昇温速度には特に制限はないが、
それ以降は、50℃/ h r程度以上とすることが好
ましい。この焼成(l)′は緻密化を進行させるための
ものである。ついで、(2) ” 1300〜1650
℃で10〜200時間熱処理する。この(2ビの処理は
、B a T a z Oh、M g O,B a C
Oxにおける固相反応によりこれらの化合物をB a
M g +is T a Z/l ol として生成さ
せ、焼結体の母体組成物と同一にすると同時に、BMT
結晶を理想的な六方晶とするためのものである。
る。1100℃までの昇温速度には特に制限はないが、
それ以降は、50℃/ h r程度以上とすることが好
ましい。この焼成(l)′は緻密化を進行させるための
ものである。ついで、(2) ” 1300〜1650
℃で10〜200時間熱処理する。この(2ビの処理は
、B a T a z Oh、M g O,B a C
Oxにおける固相反応によりこれらの化合物をB a
M g +is T a Z/l ol として生成さ
せ、焼結体の母体組成物と同一にすると同時に、BMT
結晶を理想的な六方晶とするためのものである。
この発明では、本焼成において添加されるAC複合酸化
物は、A B I /ヨCz/s Osであられされる
仮焼物に対し焼結を促す作用を発揮する。
物は、A B I /ヨCz/s Osであられされる
仮焼物に対し焼結を促す作用を発揮する。
ペロプスカイト型高周波誘電体用焼結体がBaM g
+ /3 T a 2/302であられされるものであ
る場合は、他の組成のものの場合に比べ、誘電特性の優
れたものが得やすい。
+ /3 T a 2/302であられされるものであ
る場合は、他の組成のものの場合に比べ、誘電特性の優
れたものが得やすい。
A、C複合酸化物に加えて、これと合わせてABa/s
Ct/x Osであられされるペロブスカイト型化合
物を生成する酸化物をも添加するようにする場合には、
A、C複合酸化物単独の場合に比べ、高Q値のものが得
やすいという利点がある。
Ct/x Osであられされるペロブスカイト型化合
物を生成する酸化物をも添加するようにする場合には、
A、C複合酸化物単独の場合に比べ、高Q値のものが得
やすいという利点がある。
A、C複合酸化物の添加量がA B 1y−C−/−0
、であられされる仮焼物1molに対し0.001〜0
.40a+olである場合には、焼結促進作用が確実に
発揮されるようになる。
、であられされる仮焼物1molに対し0.001〜0
.40a+olである場合には、焼結促進作用が確実に
発揮されるようになる。
以下、この発明の詳細な説明する。
一実施例1〜4−
上記■〜■に従って、BMT焼結体を得た。
但し、仮焼物1molに対するBaTat O,の添加
割合は、第1表の通りとした。
割合は、第1表の通りとした。
なお、■予備仮焼工程では、1100℃、10時間の処
理を行い、■仮焼工程では、1300度10時間の処理
を2回行い、0本焼成の(1)焼成工程では、1600
℃、2時間の焼成を行い、(2)焼成工程では、145
0℃、100時間の処理をを行った。
理を行い、■仮焼工程では、1300度10時間の処理
を2回行い、0本焼成の(1)焼成工程では、1600
℃、2時間の焼成を行い、(2)焼成工程では、145
0℃、100時間の処理をを行った。
一比較例1一
実施例1において、BaTaz Oxを添加しなかった
他は、同様にしてBMT焼結体を得た。
他は、同様にしてBMT焼結体を得た。
実施例5.6−
上記■〜■、■′、■′に従って、BMT焼結体を得た
。
。
但し、仮焼物1molに対する(BaTaxO*+2B
aO+Mg0)の添加割合は、第1表の通りとした。
aO+Mg0)の添加割合は、第1表の通りとした。
なお、■予備仮焼工程では、1100℃、10時間の焼
成を行い、■′仮焼工程では、1300℃、10時間の
焼成を2回行い、■′本焼成の111′焼成工程では1
600℃、2時間の焼成を行い、(21’熱処理工程で
は、1600℃、80時間の処理を行った。
成を行い、■′仮焼工程では、1300℃、10時間の
焼成を2回行い、■′本焼成の111′焼成工程では1
600℃、2時間の焼成を行い、(21’熱処理工程で
は、1600℃、80時間の処理を行った。
一比較例2
(BaTaz Om +2BaO+Mg0)を添加しな
かった他は、実施例5と同様にしてBMT焼結体を得た
。
かった他は、実施例5と同様にしてBMT焼結体を得た
。
実施例7〜12−
上記■〜■、■“、■″に従って、BMT焼結体を得た
。
。
但し、仮焼物lll1olに対する[BaTaz Os
+ M g O+ 2 B a CO* )の添加割合
は、第2表の通りである。
+ M g O+ 2 B a CO* )の添加割合
は、第2表の通りである。
なお、■予備仮焼工程では、1100℃、2時間の処理
を行い、■″仮焼工程では、1300℃、10時間の焼
成を2回行い、■″本焼成の(1)″焼成工程では、1
600℃、2時間の焼成を行い、(2ビ熱処理工程では
、1600℃、80時間の処理を行った。
を行い、■″仮焼工程では、1300℃、10時間の焼
成を2回行い、■″本焼成の(1)″焼成工程では、1
600℃、2時間の焼成を行い、(2ビ熱処理工程では
、1600℃、80時間の処理を行った。
一比較例3−
(BaTat Oi +MgO+2BaCO* )を添
加しなかった他は、実施例7と同様にしてBMT焼結体
を得た。
加しなかった他は、実施例7と同様にしてBMT焼結体
を得た。
一比較例4一
実施例1において、■予備仮焼後の■仮焼を行わなかっ
た他は、同様にしてBMT焼結体を得た実施例および比
較例について、緻密度(焼結体の相対密度)を測定する
とともに、誘電率とQ値を誘電体円柱共振法により測定
した。また、クランク発生の有無についても調ヘタ。
た他は、同様にしてBMT焼結体を得た実施例および比
較例について、緻密度(焼結体の相対密度)を測定する
とともに、誘電率とQ値を誘電体円柱共振法により測定
した。また、クランク発生の有無についても調ヘタ。
なお、クランク発生の有無に関しては、実施例1〜12
、比較例1〜3についてはクランク発生無しであり、比
較例4についてはクラック発生がみられた。
、比較例1〜3についてはクランク発生無しであり、比
較例4についてはクラック発生がみられた。
第1.2表にみるように、実施例の各焼結体は、比較例
1〜4の焼結体と比べ、緻密であり、クラック発生もな
く、優れた誘電特性の誘電体となっていることが分かる
。
1〜4の焼結体と比べ、緻密であり、クラック発生もな
く、優れた誘電特性の誘電体となっていることが分かる
。
以上に述べたように、請求項1〜5記載の発明では、A
B=/* Cs1− Osであられされる仮焼物に優れ
た焼結促進作用をもつA、 C複合酸化物を添加し焼成
するようにするため、クランクが入らず緻密度も高い優
れた高周波誘電特性の焼結体を歩留まりよく容易に製造
することができる。
B=/* Cs1− Osであられされる仮焼物に優れ
た焼結促進作用をもつA、 C複合酸化物を添加し焼成
するようにするため、クランクが入らず緻密度も高い優
れた高周波誘電特性の焼結体を歩留まりよく容易に製造
することができる。
請求項2記載の発明では、ペロブスカイト型高周波誘電
体用焼結体の組成がB a M g +/s T a
!/、0.であるため、誘電特性が他の組成のものに比
べてよく、利用価値が高い。
体用焼結体の組成がB a M g +/s T a
!/、0.であるため、誘電特性が他の組成のものに比
べてよく、利用価値が高い。
請求項4記載の発明では、A、C複合酸化物に加えて、
これと合わせてA B 17− C−y−0−であられ
されるペロブスカイト型化合物となって生成し焼結体の
母体組成と同一となってしまうため、ABl/−C−/
−0−のみ添加する場合に比べてQ値が高くなるなどの
利点がある。
これと合わせてA B 17− C−y−0−であられ
されるペロブスカイト型化合物となって生成し焼結体の
母体組成と同一となってしまうため、ABl/−C−/
−0−のみ添加する場合に比べてQ値が高くなるなどの
利点がある。
請求項5記載の発明では、A B l/s Cr/s
Osであられされる仮焼物1molに対しA、C複合酸
化物を0.001〜0.40molの割合で添加1;?
V)るため、A、C複合酸化物の焼結促進作用がより確
実に発揮される。
Osであられされる仮焼物1molに対しA、C複合酸
化物を0.001〜0.40molの割合で添加1;?
V)るため、A、C複合酸化物の焼結促進作用がより確
実に発揮される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 AB_1_/_2C_2_/_3O_3であらわさ
れるペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体を得るにあ
たり、AB_1_/_2C_2_/_3O_3であらわ
される仮焼物にA,C複合酸化物を添加して焼成するよ
うにすることを特徴とする高周波誘電体用焼結体の製造
方法。 2 仮焼物がBaMg_1_/_3Ta_2_/_3O
_3であらわされるものであり、複合酸化物がBaTa
_2O_4であらわされるものである請求項1記載の高
周波誘電体用焼結体の製造方法。 3 仮焼物が(Ba_1_−_xSr_x)B_1_/
_2C_2_/_3O_3であらわされる仮焼物であっ
て(但し、0<X<1)、 A,C複合酸化物が、Ba,C複合酸化物およびSr,
C複合酸化物の少なくとも一方である請求項1記載の高
周波誘電体用焼結体の製造方法。 4 A,C複合酸化物に加えて、これと合わせてAB_
1_/_3C_2_/_3O_3であらわされるペロブ
スカイト型化合物を生成する酸化物をも添加するように
する請求項1から3までのいずれかに記載の高周波誘電
体用焼結体の製造方法。 5 AB_1_/_3C_2_/_3O_3であらわさ
れる仮焼物1molに対しA,C複合酸化物を0.00
1〜0.40molの割合で添加するようにする請求項
1から4までのいずれかに記載の高周波誘電体用焼結体
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005295A JPH0766691B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005295A JPH0766691B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03210704A true JPH03210704A (ja) | 1991-09-13 |
JPH0766691B2 JPH0766691B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=11607258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005295A Expired - Fee Related JPH0766691B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0766691B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05182521A (ja) * | 1991-12-31 | 1993-07-23 | Nikko Co | Bzt焼結体の製造方法 |
JP2004315330A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-11 JP JP2005295A patent/JPH0766691B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH05182521A (ja) * | 1991-12-31 | 1993-07-23 | Nikko Co | Bzt焼結体の製造方法 |
JP2004315330A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0766691B2 (ja) | 1995-07-19 |
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