JPH09118525A - Ｂｉ系酸化物超電導材料製造用の仮焼粉およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い臨界電流密度を有するＢｉ系酸化物超電
導体材料を得ることができる仮焼粉を得る。 【解決手段】 本文記載の式(1) で表される成分組成を
有するＢｉ系酸化物超電導物質の焼結体を製造するため
の仮焼粉であって，仮焼粉全体としては該(1) 式と同等
の成分組成を有し，そして，本文記載の式(2) で表され
る成分組成を有した低温相の結晶と，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓ
ｒ，ＣａまたはＣｕの１種以上の酸化物からなる非超電
導物質との混合物からなるＢｉ系酸化物超電導材料製造
用の仮焼粉。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，臨界電流密度が高
いＢｉ系酸化物超電導体を製造できる仮焼粉およびその
製造法に関する。

【０００２】

【従来の技術】Ｂｉ系酸化物超電導体は，これまでのと
ころ他の系統の酸化物超電導体に比較すると，高い臨界
電流密度のものが得られると報告されている。しかし，
電流リードへ適用する場合の大電流化のためには，３０
００Ａ／ｃｍ²以上の高い臨界電流密度が要求される
が，この要求を安定して満足するには至っていない。

【０００３】一般に酸化物超電導体の臨界電流密度はそ
の製造工程によって特性が大きく左右することが知られ
ている。例えば「粉体および粉末冶金」３５（１９８
８），Ｐ１０２０，または「粉体および粉末冶金」３９
（１９９２），Ｐ３７８には，原料粉を焼結して超電導
焼結体を製造するさいに，中間圧縮工程を挿入すると臨
界電流密度が大きく向上すると報告されている。

【０００４】しかし，焼結に適用する原料粉（仮焼粉）
が超電導焼結体の臨界電流密度に及ぼす影響については
未知であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】したがって，本発明は
Ｂｉ系酸化物超電導体を製造するのに用いる仮焼粉の特
性を改善することによって，臨界電流密度の向上を図ろ
うとするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば，式(1)
で表される成分と組成を有するＢｉ系酸化物超電導物質
の焼結体を製造するための仮焼粉であって，仮焼粉全体
としては該(1) 式で表される高温相の結晶と実質的に同
じ成分組成を有し，式(2) で表される成分組成を有した
低温相の結晶と，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａまたはＣｕの
１種以上の酸化物からなる非超電導物質と，不可避的不
純物とから実質的になるＢｉ系酸化物超電導材料製造用
の仮焼粉を提供する。

【０００７】 Ｂｉ_a −Ｐｂ_b −Ｓｒ_c −Ｃａ_d −Ｃｕ₃ −Ｏ_x ・・・(1) ただし，(1) 式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕのモ
ル数を３として標準化したとき， １．２０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．８０ １．２０≦ｃ≦３．００ １．２０≦ｄ≦３．００ ９．００≦ｘ≦１０．００ 次の値を有する，

【０００８】 Ｂｉ_a −Ｐｂ_b −Ｓｒ_c −Ｃａ_d −Ｃｕ₂ −Ｏ_x ・・・(2) ただし，(2) 式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕのモ
ル数を２として標準化したとき， １．５０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．０５ １．５０≦ｃ≦２．５０ ０．５０≦ｄ≦１．５０ ７．０≦ｘ≦８．０ の値を有する。

【０００９】この仮焼粉は，超伝導特性を示す(1) 式の
高温相の結晶を含まないか，含んでも(2) 式の低温相の
結晶との組成率で３０％以下である点に特徴があり，結
晶化合物は殆んどが(2) 式の低温相からなる。この低温
相と酸化物から実質的になる仮焼粉は，式(1) の成分組
成が得られるように配合した原料粉状物（各成分の酸化
物，炭酸塩または硝酸塩などの粉体或いは共沈物）を焼
成温度５００℃以上８４０℃以下で焼成し粉砕する工程
を少なくとも１回行うことによって製造することができ
る。

【００１０】この仮焼粉は，中間圧縮を挟んで８００〜
９００℃の焼結温度で焼結すると，実質上式(1) の成分
組成を有した高温相単相からなる（高温相の組成率９５
％以上，不純物の総量が０.５重量％以下の）焼結体が
得られる。この焼結体は臨界電流密度が３０００Ａ／ｃ
ｍ² 以上のＢｉ系酸化物超電導体である。

【００１１】

【発明の実施の形態】Ｂｉ系酸化物超電導体の結晶とし
ては，前記の(1) 式の成分組成を有する高温相（２２２
３相）の結晶と，前記の(2) 式の成分組成を有する低温
相（２２１２相）の形態があるが，高温相（２２２３
相）の組成率が高くなるほど超電導特性を示すことが知
られている。したがって，高温相（２２２３相）の組成
率が高くなるような組成条件や製造条件を採用すること
が必要となる。

【００１２】ところが，仮焼粉の製造にあっては，これ
とは逆に，高温相（２２２３相）が多く生成してはなら
ないことを本発明者らは知った。高温相だけの超電導焼
結体を得るには，焼結に供する仮焼粉は高温相が存在し
ない方がよいのであり，これによってＢｉ系酸化物超電
導体の臨界電流密度（Ｊｃ）を５０００Ａ／ｃｍ² 程度
にまで高めることができることがわかった。

【００１３】仮焼粉の製造にさいしては，規定のモル比
となるように配合した混合粉を焼成し，これを粉砕する
という焼成・粉砕工程を繰り返すのが有利であるが，こ
の焼成過程での焼成温度によって, 生成する結晶形態が
異なり, 焼成温度が上昇すると, その順に次の I, II,
III のような形態の結晶となることがわかった。

【００１４】I (低温) ・・（２２０１相）＋未反応物
相 II (中温) ・・低温相（２２１２相）＋未反応物相 III(高温) ・・低温相（２２１２相）＋高温相（２２２
３相）＋未反応物相

【００１５】そして，高温相（２２２３相）が存在しな
い良品質の仮焼粉を得るための焼成温度は５００℃以上
８４０℃以下の範囲にあり，好ましくは７５０〜８４０
℃，最適範囲としては７８０〜８３０℃である。後記の
実施例にも示すように，焼結温度が８５０℃では高温相
が現れる。ただし，５００℃より低温では焼成の目的が
達成されず，また低温相（２２１２相）の生成が十分と
はならない。焼成時間は温度にも関係するが０.１〜１
００時間の範囲，好ましくは１〜５０時間の範囲であれ
ばよい。

【００１６】このようにして，高温相（２２２３相）が
実質上存在しないか，存在しても軽微な（低温相との組
成率で３０％以下），低温相（２２１２相）＋未反応物
相からなる良品質の仮焼粉が得ることができる。これを
焼成原料とした場合には，高温相の組成率の高い焼結体
となる。この挙動を図１に図解して示した。

【００１７】図１の左側に示すように，例えば高温相９
０％の仮焼粉では加圧・焼成を経ても，この高温相の結
晶の間に存在する低温相部分や未反応物質は高温相の結
晶にはただちに成長せずに，そのまま残留するようにな
る。

【００１８】他方，図１の右側のように高温相が０％
で，低温相と未反応物相からなる仮焼粉では加圧・焼成
の過程で新たに高温相が生成し，その殆んどが高温相に
なる。すなわち，この場合は焼成の過程で， 低温相（２２１２相）＋未反応物相→高温相（２２２３
相） の反応が全体的に均一に進行し，高温相だけの結晶とす
ることができる。ここで低温相（２２１２相）は前記の
(2) 式で示される成分組成を有するもので，未反応物相
はＢｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａまたはＣｕの酸化物の１種以
上からなる非超電導物質である。高温相（２２２３相）
は前記のとおり(1) 式で示される成分組成を有した超電
導物質である。

【００１９】このようにして得られた実質上高温相（２
２２３相）のＢｉ系酸化物超電導物質は高い臨界電流密
度をもつことができるが，この高温相の結晶粒界に析出
する不純物量が少なければ少ないほど，さらに臨界電流
密度が高くなる。この不純物としては大気中から混入す
る炭素と水分或いは冶具や容器から混入する他の不純物
等が挙げられるが，前記の仮焼粉の製造過程でこのよう
な不純物が混入しないような配慮をすることが望まし
く，これによって不純物の総量を０.５重量％以下に抑
制することができる。

【００２０】本発明に従う仮焼粉は，図１に示すような
工程を経て焼結体とすることにより，高い臨界電流密度
をもつＢｉ系酸化物超電導材料とすることができる。

【００２１】ここで，加圧・成型条件としては，１.０
〜５.０ｔ／ｃｍ²のプレス成形を行えばよい。また焼結
は８００〜９００℃で１〜１００時間が好ましい。中間
圧縮はＣＩＰ法により１.０〜５.０ｔ／ｃｍ²の圧力で
圧縮すればよい。

【００２２】したがって，本発明によれば，仮焼粉全体
の成分組成は前記(1) 式のものであって，前記(2) 式の
成分組成を有する低温相の結晶部分と，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓ
ｒ，ＣａまたはＣｕの１種以上の酸化物の非超電導物質
（未反応物質）の混合物からなる仮焼粉を，焼結処理し
てなる高温相組成率９５％以上，不純物の総量０.５重
量％以下，そして臨界電流密度３０００Ａ／ｃｍ² 以上
のＢｉ系酸化物超電導体材料を提供することができる。

【００２３】また，本発明によれば，式(1) の成分組成
となるように各成分の酸化物または炭酸塩を配合した粉
状物を焼成温度５００℃以上８５０℃未満の範囲で焼成
し粉砕する工程を少なくとも１回行うことにより，式
(2) で表される低温相の結晶と，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，Ｃ
ａまたはＣｕの１種以上の酸化物からなる非超電導物質
との混合物からなる仮焼粉を製造し，得られた仮焼粉を
中間圧縮を挟んで８００〜９００℃の焼結温度で焼結す
ることからなる実質上高温相の単相組織を有した高臨界
電流密度のＢｉ系酸化物超電導体材料の製造法を提供す
る。

【００２４】なお，本明細書で言う高温相の組成率は，
高温相と低温相からなる全結晶中の高温相の割合を表
す。これは，後記の実施例に記載したように，Ｘ線回折
チャートから高温相のピーク強度Ｉ_H と低温相のピーク
強度Ｉ_L を求め，１００×Ｉ_H／（Ｉ_H ＋Ｉ_L ）の式に
よって求めた値を意味する。

【００２５】以下に本発明の代表的な実施例を示すが，
高温相の組成率はＸ線回折測定により求め，臨界電流密
度は４端子法により７７Ｋ（ケルビン）で０テスラのも
とで測定し，そして不純物分析は，炭素については燃焼
法，水分についてはカールフイッシャや法，その他の不
純物についてはＩＣＰ法によりそれぞれ測定した。

【００２６】

【実施例】 〔実施例１〕Ｂｉ₂Ｏ₃，ＰｂＯ，ＳｒＣＯ₃，ＣａＯ，
ＣｕＯの粉体を，Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕのモル
比が１.８５：０.３５：１.９０：２.０５：３.０５と
なるように混合した後，焼成と粉砕を２回繰り返した。
焼成はいずれとも８００℃×１０時間の条件で大気中で
行なった。焼成と粉砕処理にあたっては，水，カーボ
ン，シリカ，アルミ等の不純物の混入がないように配慮
した。

【００２７】得られた仮焼粉を１部サンプリングし，高
温相の組成率をＸ線回折で調べたところ高温相組成率は
０％であり，この仮焼粉は低温相と，非超電導物質であ
る酸化物（各成分の酸化物）との混合物であることが同
定できた。また，仮焼粉の不純物（炭素および水を含
む）の総量は０.１５％であった。

【００２８】この仮焼粉を下記の条件でプレス成形し，
中間圧縮を２回挟む焼結を行った。すなわち，プレス成
形→焼結→中間圧縮→焼結→中間圧縮→焼結の工程で焼
結体を製造した。

【００２９】プレス成型：直径２０φｍｍ，厚さ２ｍｍ
の円盤状圧粉体に３.０ｔ／ｃｍ²でプレス成形 焼 結：８５０℃×５０時間 中間圧縮 ：ＣＩＰ法（冷間等方圧縮法）で３.０ｔ／
ｃｍ²で圧縮

【００３０】この焼結体を切り出し，臨界電流密度測
定，高温相組成率測定，不純物測定，密度測定を行なっ
た。それらの結果を表１に示した。

【００３１】〔実施例２〕仮焼粉の焼成を８２５℃×５
０時間とした以外は，実施例１を繰り返した。得られた
仮焼粉を１部サンプリングして高温相組成率と不純物量
を測定すると共に，この仮焼粉を用いて実施例１と同一
の条件で焼結体を製造し，その臨界電流密度測定，高温
相組成率測定，不純物測定，密度測定を行った。その結
果を表１に示した。

【００３２】〔実施例３〕Ｂｉ₂Ｏ₃，ＳｒＣＯ₃，Ｃａ
Ｏ，ＣｕＯの粉体を，Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕをモル比
が２.０：２.０：２.０：３.０の割合となるように混合
した以外は実施例１と同一の条件で仮焼粉を製造し，こ
の仮焼粉を１部サンプリングして高温相組成率と不純物
量を測定すると共に，この仮焼粉を実施例１と同一の条
件で焼結体を製造し，その臨界電流密度測定，高温相組
成率測定，不純物測定，密度測定を行った。その結果を
表１に示した。

【００３３】〔実施例４〕Ｂｉ₂Ｏ₃，ＰｂＯ，ＳｒＣＯ
₃，ＣａＯ，ＣｕＯの粉体に代えて，同一モル比となる
ように共沈させた共沈粉を出発原料とした以外は実施例
１と同一の条件で仮焼粉を製造し，この仮焼粉を１部サ
ンプリングして高温相組成率と不純物量を測定すると共
に，この仮焼粉を実施例１と同一の条件で焼結体を製造
し，その臨界電流密度測定，高温相組成率測定，不純物
測定，密度測定を行った。その結果を表１に示した。

【００３４】〔比較例１〕仮焼粉の焼成を８３５℃×５
０時間とした以外は，実施例１を繰り返した。得られた
仮焼粉を１部サンプリングして高温相組成率と不純物量
を測定すると共に，この仮焼粉を用いて実施例１と同一
の条件で焼結体を製造し，その臨界電流密度測定，高温
相組成率測定，不純物測定，密度測定を行った。その結
果を表１に示した。

【００３５】〔比較例２〕仮焼粉の焼成を８４０℃×５
０時間とした以外は，実施例１を繰り返した。得られた
仮焼粉を１部サンプリングして高温相組成率と不純物量
を測定すると共に，この仮焼粉を用いて実施例１と同一
の条件で焼結体を製造し，その臨界電流密度測定，高温
相組成率測定，不純物測定，密度測定を行った。その結
果を表１に示した。

【００３６】

【表１】

【００３７】表１の高温相組成率はＸ線回折によって求
めたものである。これは，測定されたＸ線チャートか
ら，図２に示す高温相のピーク強度Ｉ_H （０，０，１
０）と低温相のピーク強度Ｉ_L （０，０，８）から，１
００×Ｉ_H ／（Ｉ_H ＋Ｉ_L ）の式によって求めたもので
ある。また，焼結体の密度の測定は単位容積当りの重量
測定を行ない，次の３段階で評価した。 ◎印：相対密度８０％以上 ○印：相対密度７０〜８０％未満 △印：相対密度６０〜７０％未満

【００３８】表１の結果から，仮焼粉に高温相がないか
少ない実施例では，同じ成分組成でありながら仮焼粉の
高温相組成率が高い比較例に比べて，臨界電流密度が高
くなり，５０００Ａ／ｃｍ² も達成され得ることがわか
る。共沈粉を用いた実施例のものは若干不純物が高い
が，それでも，仮焼粉に高温相を無くすることによって
高い臨界電流密度の焼結体が得られている。Ｐｂをドー
プしない実施例のものでも，仮焼粉に高温相が存在しな
いことによって，かなり高い臨界電流密度の焼結体が得
られている。

【００３９】〔実施例５〕実施例で得られた仮焼粉を，
外径７ｍｍφ，長さ１５０ｍｍのゴムチューブに装填す
る。これを３ton/cm² の圧力で静水圧プレス（ＣＩＰ）
処理を行い，棒状に成形し前駆体とする。この前駆体を
８５０℃×５０時間で焼結したあと，この棒状試料を再
びゴムチューブに入れ，内側の空気を全て排除（真空パ
ック）したうえで，３ton/cm² の圧力で静水圧プレス
（ＣＩＰ）処理を行う。そして，最後にもう一度８５０
℃×５０時間で熱処理を行う。最終的に出来上がった形
状は，外径５.２ｍｍφ，長さ１４５ｍｍであった。

【００４０】この試料から長手方向に沿って，０.６ｍ
ｍ×０.６ｍｍ×２０ｍｍのテストピースを切り出し，
臨界電流密度測定試料とする。この試料を４端子法でＪ
ｃを測定した結果，Ｊｃは５０００Ａ/cm²であった。し
たがって，本例で得られたＢｉ系酸化物超電導材料は電
流リード用として好適なものである。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように，本発明によると，
従来の限界を超えた高い臨界電流密度を有するＢｉ系酸
化物超電導物質を安定して製造できる。したがって，超
電導リードの実現に大きく貢献できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従う酸化物超電導体の製造工程の例を
示すフロー図である。

【図２】仮焼粉の組織が焼結体の組織に及ぼす影響を説
明するための概念図である。

【図３】高温相組成率の算出方法を説明するためのＸ線
チャート例を示した図である。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成８年１０月１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項３

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項６

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００７

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００７】 Ｂｉ_ａ−Ｐｂ_ｂ−Ｓｒ_ｃ−Ｃａ_ｄ−Ｃｕ_３−Ｏ_ｘ・・・（１） ただし，（１）式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕの
モル数を３として標準化したとき， １．２０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．８０ １．２０≦ｃ≦３．００ １．２０≦ｄ≦３．００ ９．００≦ｘ≦１０．００の 値を有する。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 式(1) で表される成分と組成を有するＢ
   ｉ系酸化物超電導物質の焼結体を製造するための仮焼粉
   であって，仮焼粉全体としては該(1) 式で表される高温
   相の結晶と実質的に同じ成分組成を有し，式(2) で表さ
   れる成分組成を有した低温相の結晶と，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓ
   ｒ，ＣａまたはＣｕの１種以上の酸化物からなる非超電
   導物質と，不可避的不純物とから実質的になるＢｉ系酸
   化物超電導材料製造用の仮焼粉， Ｂｉ_a −Ｐｂ_b −Ｓｒ_c −Ｃａ_d −Ｃｕ₃ −Ｏ_x ・・・(1) ただし，(1) 式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕのモ
   ル数を３として標準化したとき，次の値を有する， １．２０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．８０ １．２０≦ｃ≦３．００ １．２０≦ｄ≦３．００ ９．００≦ｘ≦１０．００ Ｂｉ_a −Ｐｂ_b −Ｓｒ_c −Ｃａ_d −Ｃｕ₂ −Ｏ_x ・・・(2) ただし，(2) 式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕのモ
   ル数を２として標準化したとき， １．５０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．０５ １．５０≦ｃ≦２．５０ ０．５０≦ｄ≦１．５０ ７．０≦ｘ≦８．０ の値を有する。
2. 【請求項２】 仮焼粉は，該高温相の結晶を，該低温相
   の結晶との組成率で３０％以下含有する請求項１に記載
   のＢｉ系酸化物超電導材料製造用の仮焼粉。
3. 【請求項３】 式(1) の成分組成が得られるように配合
   した原料粉状物を焼成温度５００℃以上８４０℃以下で
   焼成し粉砕する工程を少なくとも１回行うことにより，
   式(2) で表される成分組成の低温相の結晶と，Ｂｉ，Ｐ
   ｂ，Ｓｒ，ＣａまたはＣｕの１種以上の酸化物からなる
   非超電導物質と，不可避的不純物から実質的になるＢｉ
   系酸化物超電導材料製造用仮焼粉の製造法， Ｂｉ_a −Ｐｂ_b −Ｓｒ_c −Ｃａ_d −Ｃｕ₃ −Ｏ_x ・・・(1) ただし，(1) 式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕのモ
   ル数を３として標準化したとき， １．２０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．８０ １．２０≦ｃ≦３．００ １．２０≦ｄ≦３．００ ９．００≦ｘ≦１０．００ 次の値を有し， Ｂｉ_a −Ｐｂ_b −Ｓｒ_c −Ｃａ_d −Ｃｕ₂ −Ｏ_x ・・・(2) ただし，(2) 式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕのモ
   ル数を２として標準化したとき， １．５０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．０５ １．５０≦ｃ≦２．５０ ０．５０≦ｄ≦１．５０ ７．０≦ｘ≦８．０ の値を有する。
4. 【請求項４】 得られる仮焼粉は，高温相の結晶を，低
   温相の結晶との組成率で３０％以下含有する請求項３に
   記載の製造法。
5. 【請求項５】 式(1) で表される成分組成を有した高温
   相の結晶の組成率が９５％以上，不純物の総量が０.５
   重量％以下，そして臨界電流密度が３０００Ａ／ｃｍ²
   以上のＢｉ系酸化物超電導体， Ｂｉ_a −Ｐｂ_b −Ｓｒ_c −Ｃａ_d −Ｃｕ₃ −Ｏ_x ・・・(1) ただし，(1) 式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕのモ
   ル数を３として標準化したとき， １．２０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．８０ １．２０≦ｃ≦３．００ １．２０≦ｄ≦３．００ ９．００≦ｘ≦１０．００ の値を有する。
6. 【請求項６】 式(1) の成分組成が得られるように配合
   した原料粉状物を焼成温度５００℃以上８４０℃以下で
   焼成し粉砕する工程を少なくとも１回行うことにより，
   式(2) で表される成分組成の低温相の結晶と，Ｂｉ，Ｐ
   ｂ，Ｓｒ，ＣａまたはＣｕの１種以上の酸化物からなる
   非超電導物質と，不可避的不純物とから実質的になるＢ
   ｉ系酸化物超電導材料製造用仮焼粉を製造し，得られた
   仮焼粉を中間圧縮を挟んで８００〜９００℃の焼結温度
   で焼結することからなる実質上高温相の単相組織を有し
   た高臨界電流密度のＢｉ系酸化物超電導体の製造法， Ｂｉ_a −Ｐｂ_b −Ｓｒ_c −Ｃａ_d −Ｃｕ₃ −Ｏ_x ・・・(1) ただし，(1) 式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕのモ
   ル数を３として標準化したとき， １．２０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．８０ １．２０≦ｃ≦３．００ １．２０≦ｄ≦３．００ ９．００≦ｘ≦１０．００ 次の値を有し， Ｂｉ_a −Ｐｂ_b −Ｓｒ_c −Ｃａ_d −Ｃｕ₂ −Ｏ_x ・・・(2) ただし，(2) 式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕのモ
   ル数を２として標準化したとき， １．５０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．０５ １．５０≦ｃ≦２．５０ ０．５０≦ｄ≦１．５０ ７．０≦ｘ≦８．０ の値を有する。
7. 【請求項７】棒状に圧粉成形された請求項１または２に
   記載の仮焼粉を焼結してなる臨界電流密度が３０００Ａ
   /cm²以上の電流リード用Ｂｉ系酸化物超電導体。