JPH11139824A - Ｂｉ系高温相超電導体用の仮焼粉と多結晶体 - Google Patents
Ｂｉ系高温相超電導体用の仮焼粉と多結晶体Info
- Publication number
- JPH11139824A JPH11139824A JP9306241A JP30624197A JPH11139824A JP H11139824 A JPH11139824 A JP H11139824A JP 9306241 A JP9306241 A JP 9306241A JP 30624197 A JP30624197 A JP 30624197A JP H11139824 A JPH11139824 A JP H11139824A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- calcined powder
- phase
- temperature
- calcined
- superconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 焼結により高Ｊｃの高温相超電導体を製造す
るための仮焼粉を提供する。 【解決手段】 全体組成が２２２３相と実質的に同じ
で、２２１２相結晶と、それ以外の酸化物との混晶から
なるもので、ＤＴＡ吸熱ピークが、８６０〜８７５℃並
びに８７５〜８９０℃のもの、あるいは、８７５〜８９
０℃のみのものを仮焼粉とする。
るための仮焼粉を提供する。 【解決手段】 全体組成が２２２３相と実質的に同じ
で、２２１２相結晶と、それ以外の酸化物との混晶から
なるもので、ＤＴＡ吸熱ピークが、８６０〜８７５℃並
びに８７５〜８９０℃のもの、あるいは、８７５〜８９
０℃のみのものを仮焼粉とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この出願の発明は、Ｂｉ系高
温相超電導体用の仮焼粉とこの仮焼粉より得られる高Ｊ
ｃ高温相超電導体多結晶体に関するものである。
温相超電導体用の仮焼粉とこの仮焼粉より得られる高Ｊ
ｃ高温相超電導体多結晶体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】Ｂｉ系酸化物高温超電導体に
ついては、Ｔｃ（臨界温度）が１００Ｋレベルの高温相
結晶体と、８０Ｋレベルの低温相結晶体があることが知
られており、前者の高温相結晶体は、その成分組成が
（Ｂｉ，Ｐｂ）2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx として標準化
して表わされる２２２３相の結晶からなり、一方、低温
相結晶体は、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ1 Ｃｕ2 Ｏx として標準
化して表わされる２２１２相の結晶からなることが明ら
かにされている。
ついては、Ｔｃ（臨界温度）が１００Ｋレベルの高温相
結晶体と、８０Ｋレベルの低温相結晶体があることが知
られており、前者の高温相結晶体は、その成分組成が
（Ｂｉ，Ｐｂ）2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx として標準化
して表わされる２２２３相の結晶からなり、一方、低温
相結晶体は、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ1 Ｃｕ2 Ｏx として標準
化して表わされる２２１２相の結晶からなることが明ら
かにされている。
【０００３】これらＢｉ系超電導体のうち、前者の高温
２２２３相超電導体については、線材化が難しく、Ｊｃ
（臨界電流密度）が低いという問題点を解消すべく、そ
の実用化について精力的に検討が進められており、たと
えばこれまでにも、短い試料ではあるが、Ａｇシース法
により、Ｊｃ≧６０，０００Ａ／ｃｍ2 の特性を有する
ものが実現されたと報告されている。
２２２３相超電導体については、線材化が難しく、Ｊｃ
（臨界電流密度）が低いという問題点を解消すべく、そ
の実用化について精力的に検討が進められており、たと
えばこれまでにも、短い試料ではあるが、Ａｇシース法
により、Ｊｃ≧６０，０００Ａ／ｃｍ2 の特性を有する
ものが実現されたと報告されている。
【０００４】しかしながら、大きな期待にもかかわら
ず、２２２３高温相超電導体のＪｃは、一般的な焼結法
では一桁低い１，０００〜２，５００Ａ／ｃｍ2 レベル
にとどまっているのが現状であり、この点についての抜
本的で大幅な特性改善が望まれているところである。こ
のような問題の解決には、製造工程の改善がなによりも
考慮され、焼結のための原料粉の扱いも見直されるべき
と考えられる。実際、たとえば、「粉体及び粉末冶金」
３５（１９８８）、Ｐ１０２０、または「粉体及び粉末
冶金」３９（１９９２）、Ｐ３７８には、原料粉を焼結
して超電導焼結体を製造するさいに、中間圧縮工程を挿
入するとＣ軸配向組織の形成と高密度化により臨界電流
密度が大きく向上すると報告されている。また、焼結に
適用する原料粉（仮焼粉）の状態を示す評価手段とし
て、ＸＲＤ図、ＴＧ−ＤＴＡ図を用いることは一般的に
行われている。例えば、Jpn. J.Appl.Phys.,２８（１９
８９），Ｌ２１９６には、酸素分圧や、示差熱分析の昇
温速度によってＤＴＡ吸熱曲線の形状が変化することが
報告されている。
ず、２２２３高温相超電導体のＪｃは、一般的な焼結法
では一桁低い１，０００〜２，５００Ａ／ｃｍ2 レベル
にとどまっているのが現状であり、この点についての抜
本的で大幅な特性改善が望まれているところである。こ
のような問題の解決には、製造工程の改善がなによりも
考慮され、焼結のための原料粉の扱いも見直されるべき
と考えられる。実際、たとえば、「粉体及び粉末冶金」
３５（１９８８）、Ｐ１０２０、または「粉体及び粉末
冶金」３９（１９９２）、Ｐ３７８には、原料粉を焼結
して超電導焼結体を製造するさいに、中間圧縮工程を挿
入するとＣ軸配向組織の形成と高密度化により臨界電流
密度が大きく向上すると報告されている。また、焼結に
適用する原料粉（仮焼粉）の状態を示す評価手段とし
て、ＸＲＤ図、ＴＧ−ＤＴＡ図を用いることは一般的に
行われている。例えば、Jpn. J.Appl.Phys.,２８（１９
８９），Ｌ２１９６には、酸素分圧や、示差熱分析の昇
温速度によってＤＴＡ吸熱曲線の形状が変化することが
報告されている。
【０００５】しかし、焼結に適用する原料粉（仮焼粉）
の状態が超電導焼結体の臨界電流密度に及ぼす影響につ
いては報告例は少なく、充分に解析されていない。そこ
で、この出願の発明は、以上のとおりの従来技術の限界
を克服し、焼結に適用する原料粉（仮焼粉）に着目する
ことで、Ｂｉ系酸化物高温相超電導体のＪｃ（臨界電流
密度）を大幅に向上させるための新しい技術的手段を提
供することを課題としている。
の状態が超電導焼結体の臨界電流密度に及ぼす影響につ
いては報告例は少なく、充分に解析されていない。そこ
で、この出願の発明は、以上のとおりの従来技術の限界
を克服し、焼結に適用する原料粉（仮焼粉）に着目する
ことで、Ｂｉ系酸化物高温相超電導体のＪｃ（臨界電流
密度）を大幅に向上させるための新しい技術的手段を提
供することを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この出願の発明は、上記
の課題を解決するものとして、Ｂｉ系酸化物高温２２２
３相超電導体の焼結体用仮焼粉であって、全体組成は焼
結体と実質的に同一であり、かつ、ＤＴＡ吸熱ピークと
して、８６０〜８７５℃に頂点をもつ低温側吸熱ピーク
と、８７５〜８９０℃に頂点を持つ高温側吸熱ピークと
が表われることを特徴とするＢｉ系高温相超電導体用の
仮焼粉（請求項１）と、最高温度７２０〜８００℃で仮
焼されてなる仮焼粉（請求項２）をはじめ、Ｂｉ系酸化
物高温２２２３相超電導体の焼結体用仮焼粉であって、
全体組成は焼結体と実質的に同一であり、かつ、ＤＴＡ
吸熱ピークが、８７５〜８９０℃に頂点を持つ吸熱ピー
クのみが表われることを特徴とするＢｉ系高温相超電導
体用の仮焼粉（請求項３）と、最高温度８００〜８４０
℃で仮焼されてなる仮焼粉（請求項４）を提供する。ま
た、この出願の発明は、上記の仮焼粉について、成分組
成が次式（１）
の課題を解決するものとして、Ｂｉ系酸化物高温２２２
３相超電導体の焼結体用仮焼粉であって、全体組成は焼
結体と実質的に同一であり、かつ、ＤＴＡ吸熱ピークと
して、８６０〜８７５℃に頂点をもつ低温側吸熱ピーク
と、８７５〜８９０℃に頂点を持つ高温側吸熱ピークと
が表われることを特徴とするＢｉ系高温相超電導体用の
仮焼粉（請求項１）と、最高温度７２０〜８００℃で仮
焼されてなる仮焼粉（請求項２）をはじめ、Ｂｉ系酸化
物高温２２２３相超電導体の焼結体用仮焼粉であって、
全体組成は焼結体と実質的に同一であり、かつ、ＤＴＡ
吸熱ピークが、８７５〜８９０℃に頂点を持つ吸熱ピー
クのみが表われることを特徴とするＢｉ系高温相超電導
体用の仮焼粉（請求項３）と、最高温度８００〜８４０
℃で仮焼されてなる仮焼粉（請求項４）を提供する。ま
た、この出願の発明は、上記の仮焼粉について、成分組
成が次式（１）
【０００７】
【化３】
【０００８】（式中の元素数は次の値を示す。 １．２０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．８０ １．２０≦ｃ≦３．００ １．２０≦ｄ≦３．００ ９．００≦ｘ≦１０．００） で表わされるＢｉ系酸化物高温相超電導体の焼結体製造
用の仮焼粉であって、全体組成は前記式（１）と実質的
に同一であり、かつ、次式（２）
用の仮焼粉であって、全体組成は前記式（１）と実質的
に同一であり、かつ、次式（２）
【０００９】
【化４】
【００１０】（式中の元素数は次の値を示す。 １．５０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．０５ １．５０≦ｃ≦２．５０ ０．５０≦ｄ≦１．５０ ７．００≦ｘ≦８．００） で表わされる成分組成の結晶とそれ以外のＢｉ，Ｐｂ，
Ｓｒ，ＣａおよびＣｕの元素の１種以上のものの酸化物
とを含有することを特徴とするＢｉ系高温相超電導体用
の仮焼粉（請求項５）をも提供する。
Ｓｒ，ＣａおよびＣｕの元素の１種以上のものの酸化物
とを含有することを特徴とするＢｉ系高温相超電導体用
の仮焼粉（請求項５）をも提供する。
【００１１】そして、さらにこの出願の発明は、以上の
仮焼粉が焼結されてなるＢｉ系酸化物高温相超電導体の
多結晶体であって、Ｊｃ（臨界電流密度）≧９０００Ａ
／ｃｍ2 の特性を有することを特徴とするＢｉ系高温相
超電導体の多結晶体（請求項６）も提供する。
仮焼粉が焼結されてなるＢｉ系酸化物高温相超電導体の
多結晶体であって、Ｊｃ（臨界電流密度）≧９０００Ａ
／ｃｍ2 の特性を有することを特徴とするＢｉ系高温相
超電導体の多結晶体（請求項６）も提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】この出願の発明は、上記のとおり
の特徴を持つものであるが、発明者による詳細な検討の
結果導かれた新しい知見に基づいて完成されている。発
明は、この知見に留意することにより様々な形態として
実施することができる。
の特徴を持つものであるが、発明者による詳細な検討の
結果導かれた新しい知見に基づいて完成されている。発
明は、この知見に留意することにより様々な形態として
実施することができる。
【００１３】すなわち、まず、一般にＢｉ系２２２３相
焼結体は多結晶体であるがために結晶粒界が多く存在
し、粒界間の弱結合により超電導電流が阻害され臨界電
流密度（Ｊｃ）が最大で２，５００Ａ／ｃｍ2 程度しか
得られていなかったが、同じ多結晶体でありながらＡｇ
シース線材ではＪｃ数万Ａ／ｃｍ2 以上得られているこ
とから、粒界の性状を改善する事により多結晶体であっ
ても現状の値から大きく改善することができると考えら
れることから、発明者は、焼結する前の段階における仮
焼粉に着目し、様々な要因を検討している。
焼結体は多結晶体であるがために結晶粒界が多く存在
し、粒界間の弱結合により超電導電流が阻害され臨界電
流密度（Ｊｃ）が最大で２，５００Ａ／ｃｍ2 程度しか
得られていなかったが、同じ多結晶体でありながらＡｇ
シース線材ではＪｃ数万Ａ／ｃｍ2 以上得られているこ
とから、粒界の性状を改善する事により多結晶体であっ
ても現状の値から大きく改善することができると考えら
れることから、発明者は、焼結する前の段階における仮
焼粉に着目し、様々な要因を検討している。
【００１４】仮焼粉の一般的製造プロセスは、たとえば
図１に示すことができ、また、多結晶体の製造プロセス
は、たとえば図２に示すことができるが、高Ｊｃが得ら
れる多結晶体とするには、仮焼粉を焼結する際にＢｉ系
２２２３相が成長しやすく、粒界間に不純物が出来るだ
け存在しないような、仮焼の段階での適切な結晶形態と
その割合があると考えられる。また、Ｂｉ系２２２３相
はＢｉ−２２１２相とＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超
電導相以外の酸化物が反応して成長することが知られて
いる。そこで理想的な仮焼粉は、Ｂｉ−２２１２相結晶
にＣａ2 ＰｂＯ 4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物
相あるいはＢｉ−２２０１相が均一に分散されているこ
とが望ましいことがわかる。
図１に示すことができ、また、多結晶体の製造プロセス
は、たとえば図２に示すことができるが、高Ｊｃが得ら
れる多結晶体とするには、仮焼粉を焼結する際にＢｉ系
２２２３相が成長しやすく、粒界間に不純物が出来るだ
け存在しないような、仮焼の段階での適切な結晶形態と
その割合があると考えられる。また、Ｂｉ系２２２３相
はＢｉ−２２１２相とＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超
電導相以外の酸化物が反応して成長することが知られて
いる。そこで理想的な仮焼粉は、Ｂｉ−２２１２相結晶
にＣａ2 ＰｂＯ 4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物
相あるいはＢｉ−２２０１相が均一に分散されているこ
とが望ましいことがわかる。
【００１５】このような超電導相と不純物相あるいはＢ
ｉ−２２０１相の分散状態を熱分析のＴＧ−ＤＴＡ（熱
重量−示差熱分析装置）を用いることで判断できること
が見出されている。たとえば、高温相の結晶と実質的に
同じ成分組成に原料を調整し、最高温度７００℃で仮焼
すると２２０１相の結晶ができ、さらに温度を上昇して
７２０℃〜８００℃の最高温度で仮焼するとＢｉ−２２
１２相結晶とＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以
外の不純物相とＢｉ−２２０１相となる。粉砕を行い、
再度同条件で仮焼することにより主成分のＢｉ−２２１
２相結晶にＣａ 2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外
の不純物相あるいはＢｉ−２２０１相が取り込まれるこ
となく均一に分散している状態となる。そのとき所定の
条件で測定すると図３のＤＴＡ曲線となる。この曲線
の特徴は８６０℃〜８７５℃に頂点を持つ低温側吸熱ピ
ークと８７５℃〜８９０℃に頂点を持つ高温側吸熱ピー
クの２つの吸熱ピークを持つことにある。
ｉ−２２０１相の分散状態を熱分析のＴＧ−ＤＴＡ（熱
重量−示差熱分析装置）を用いることで判断できること
が見出されている。たとえば、高温相の結晶と実質的に
同じ成分組成に原料を調整し、最高温度７００℃で仮焼
すると２２０１相の結晶ができ、さらに温度を上昇して
７２０℃〜８００℃の最高温度で仮焼するとＢｉ−２２
１２相結晶とＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以
外の不純物相とＢｉ−２２０１相となる。粉砕を行い、
再度同条件で仮焼することにより主成分のＢｉ−２２１
２相結晶にＣａ 2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外
の不純物相あるいはＢｉ−２２０１相が取り込まれるこ
となく均一に分散している状態となる。そのとき所定の
条件で測定すると図３のＤＴＡ曲線となる。この曲線
の特徴は８６０℃〜８７５℃に頂点を持つ低温側吸熱ピ
ークと８７５℃〜８９０℃に頂点を持つ高温側吸熱ピー
クの２つの吸熱ピークを持つことにある。
【００１６】また、最高温度８００℃にて仮焼し、粉砕
を行い再度同条件で仮焼すると、やはりＢｉ−２２１２
相結晶とＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の
不純物相あるいはＢｉ−２２０１相の結晶形態である
が、その主成分のＢｉ−２２１２相結晶にＣａ2 ＰｂＯ
4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相が一部取り込
まれて分散している状態となる。そのとき所定の条件で
図３のＤＴＡ曲線となる。この曲線の特徴は、前述の
８６０℃〜８７５℃に頂点を持つ低温側吸熱ピークが高
温側にシフトし、その曲線が前述の８７５℃〜８９０℃
に頂点を持つ高温側吸熱曲線と一部重なっていることに
ある。
を行い再度同条件で仮焼すると、やはりＢｉ−２２１２
相結晶とＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の
不純物相あるいはＢｉ−２２０１相の結晶形態である
が、その主成分のＢｉ−２２１２相結晶にＣａ2 ＰｂＯ
4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相が一部取り込
まれて分散している状態となる。そのとき所定の条件で
図３のＤＴＡ曲線となる。この曲線の特徴は、前述の
８６０℃〜８７５℃に頂点を持つ低温側吸熱ピークが高
温側にシフトし、その曲線が前述の８７５℃〜８９０℃
に頂点を持つ高温側吸熱曲線と一部重なっていることに
ある。
【００１７】最高温度８００℃〜８４０℃にて仮焼する
と、Ｂｉ−２２１２相結晶とＣａ2ＰｂＯ4 ，ＣｕＯな
どの超電導相以外の不純物相の結晶、Ｂｉ−２２２３相
の結晶の混相状態となるが、そのＢｉ−２２１２相結
晶、あるいはＢｉ−２２２３相の結晶にＣａ2 Ｐｂ
Ｏ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相が均一に取
り込まれて分散している状態となる。そのとき所定の条
件で図３のＤＴＡ曲線となる。この曲線の特徴は、前
述の低温側吸熱ピークが無くなり、８７５℃〜８９０℃
に頂点を持つ一つの吸熱ピークのみということにある。
と、Ｂｉ−２２１２相結晶とＣａ2ＰｂＯ4 ，ＣｕＯな
どの超電導相以外の不純物相の結晶、Ｂｉ−２２２３相
の結晶の混相状態となるが、そのＢｉ−２２１２相結
晶、あるいはＢｉ−２２２３相の結晶にＣａ2 Ｐｂ
Ｏ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相が均一に取
り込まれて分散している状態となる。そのとき所定の条
件で図３のＤＴＡ曲線となる。この曲線の特徴は、前
述の低温側吸熱ピークが無くなり、８７５℃〜８９０℃
に頂点を持つ一つの吸熱ピークのみということにある。
【００１８】最高温度８４０℃〜融点以下にて仮焼する
とＢｉ−２２１２相結晶とＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなど
の超電導相以外の不純物相の結晶、Ｂｉ−２２２３相の
結晶の混相状態となるが、Ｂｉ−２２２３相が主成分と
なる。そのため多結晶焼結体を作成時に高温相が成長す
るところは少なく、結果的にＢｉ−２２２３相になりき
らない部分が残り、高Ｊｃが得られなくなる。そのとき
のＤＴＡ曲線は、所定の測定条件で、図３となる。こ
の曲線の特徴は、前述の低温側吸熱ピークが無くなり、
８７５℃〜８９０℃に頂点を持つ一つの吸熱ピークのみ
ということにある。
とＢｉ−２２１２相結晶とＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなど
の超電導相以外の不純物相の結晶、Ｂｉ−２２２３相の
結晶の混相状態となるが、Ｂｉ−２２２３相が主成分と
なる。そのため多結晶焼結体を作成時に高温相が成長す
るところは少なく、結果的にＢｉ−２２２３相になりき
らない部分が残り、高Ｊｃが得られなくなる。そのとき
のＤＴＡ曲線は、所定の測定条件で、図３となる。こ
の曲線の特徴は、前述の低温側吸熱ピークが無くなり、
８７５℃〜８９０℃に頂点を持つ一つの吸熱ピークのみ
ということにある。
【００１９】そして、以上の仮焼粉の組成構成、結晶の
混晶状態、並びにＤＴＡ吸熱ピークとＪｃ（臨界電流密
度）との対応関係からは、Ｂｉ系２２２３相多結晶体で
高い臨界電流密度を得るには、焼結する前の段階におけ
る仮焼粉がＢｉ系２２２３相の結晶と実質的に同じ成分
組成を有し、Ｂｉ−２２１２相の結晶が主成分となり、
Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａまたはＣｕの１種以上の酸化物
から実質的になるものであり、主成分のＢｉ−２２１２
相の結晶に取り込まれることなくその他の酸化物が均一
に分散しているためＤＴＡの吸熱ピークが所定の測定条
件で図３の特徴を持つものであればよいことがわか
る。また、その仮焼条件は、最高温度７２０℃〜８００
℃望ましくは７４０℃〜７８０℃であり、さらにその焼
成時間は固相反応の開始に最低必要な０．１時間以上で
あればよいが、あまり長いと外部からのコンタミネーシ
ョンが懸念されるため、最長でも３００時間とするが、
望ましくは１時間〜１００時間である。
混晶状態、並びにＤＴＡ吸熱ピークとＪｃ（臨界電流密
度）との対応関係からは、Ｂｉ系２２２３相多結晶体で
高い臨界電流密度を得るには、焼結する前の段階におけ
る仮焼粉がＢｉ系２２２３相の結晶と実質的に同じ成分
組成を有し、Ｂｉ−２２１２相の結晶が主成分となり、
Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａまたはＣｕの１種以上の酸化物
から実質的になるものであり、主成分のＢｉ−２２１２
相の結晶に取り込まれることなくその他の酸化物が均一
に分散しているためＤＴＡの吸熱ピークが所定の測定条
件で図３の特徴を持つものであればよいことがわか
る。また、その仮焼条件は、最高温度７２０℃〜８００
℃望ましくは７４０℃〜７８０℃であり、さらにその焼
成時間は固相反応の開始に最低必要な０．１時間以上で
あればよいが、あまり長いと外部からのコンタミネーシ
ョンが懸念されるため、最長でも３００時間とするが、
望ましくは１時間〜１００時間である。
【００２０】あるいは、仮焼粉は、Ｂｉ−２２１２相の
結晶が主成分となり、Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａまたはＣ
ｕの１種以上の酸化物から実質的になるものであり、主
成分のＢｉ−２２１２相の結晶にその他の酸化物が均一
に取り込まれているためＤＴＡの吸熱ピークが所定の測
定条件で図３の特徴を持つものであればよいことがわ
かる。また、その仮焼条件が最高温度８００℃〜８４０
℃望ましくは８０５℃〜８３０℃であり、さらにその焼
成時間は上記と同様の理由により０．１時間〜３００時
間望ましくは１時間〜１００時間である。
結晶が主成分となり、Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａまたはＣ
ｕの１種以上の酸化物から実質的になるものであり、主
成分のＢｉ−２２１２相の結晶にその他の酸化物が均一
に取り込まれているためＤＴＡの吸熱ピークが所定の測
定条件で図３の特徴を持つものであればよいことがわ
かる。また、その仮焼条件が最高温度８００℃〜８４０
℃望ましくは８０５℃〜８３０℃であり、さらにその焼
成時間は上記と同様の理由により０．１時間〜３００時
間望ましくは１時間〜１００時間である。
【００２１】そこで、この出願の発明の仮焼粉では、前
記のとおり、ＤＴＡ吸熱ピークとして、８６０〜８７５
℃に頂点を持つ低温側吸熱ピークと８７５〜８９０℃に
頂点を持つ高温側吸熱ピークとが表われるもので、特
に、最高温度７２０〜８００℃、望ましくは７４０〜７
８０℃で、上記と同様の理由により０．１〜３００時
間、望ましくは１〜１００時間仮焼されてなるものであ
ること、あるいは、ＤＴＡ吸熱ピークとして、８７５〜
８９０℃のみに頂点を持つ吸熱ピークが表われるもの
で、特に、最高温度８００〜８４０℃、望ましくは８０
５〜８３０℃で、上記と同様の理由により０．１〜３０
０時間、望ましくは１〜１００時間仮焼されてなるもの
であることを特徴としている。
記のとおり、ＤＴＡ吸熱ピークとして、８６０〜８７５
℃に頂点を持つ低温側吸熱ピークと８７５〜８９０℃に
頂点を持つ高温側吸熱ピークとが表われるもので、特
に、最高温度７２０〜８００℃、望ましくは７４０〜７
８０℃で、上記と同様の理由により０．１〜３００時
間、望ましくは１〜１００時間仮焼されてなるものであ
ること、あるいは、ＤＴＡ吸熱ピークとして、８７５〜
８９０℃のみに頂点を持つ吸熱ピークが表われるもの
で、特に、最高温度８００〜８４０℃、望ましくは８０
５〜８３０℃で、上記と同様の理由により０．１〜３０
０時間、望ましくは１〜１００時間仮焼されてなるもの
であることを特徴としている。
【００２２】また、この発明の仮焼粉は、成分組成が式
（１）で表わされるＢｉ系酸化物高温相超電導体の焼結
体製造用の仮焼粉であって、全体組成は前記式（１）と
実質的に同一であり、式（２）で表わされる成分組成の
結晶とそれ以外のＢｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａおよびＣｕの
元素の１種以上のものの酸化物とを含有することを適当
としている。
（１）で表わされるＢｉ系酸化物高温相超電導体の焼結
体製造用の仮焼粉であって、全体組成は前記式（１）と
実質的に同一であり、式（２）で表わされる成分組成の
結晶とそれ以外のＢｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａおよびＣｕの
元素の１種以上のものの酸化物とを含有することを適当
としている。
【００２３】式（１）（２）における元素数は、各々Ｃ
ｕを３および２として標準化した時のものである。そし
てこの元素数の上下限の範囲は、高温相超電導体の焼結
体としての多結晶体を得るために望ましいものである。
なお、前記の「実質的に同一」との規定は、不可避的要
因（不純物の混入等）を除いて同一であることを意味し
ている。
ｕを３および２として標準化した時のものである。そし
てこの元素数の上下限の範囲は、高温相超電導体の焼結
体としての多結晶体を得るために望ましいものである。
なお、前記の「実質的に同一」との規定は、不可避的要
因（不純物の混入等）を除いて同一であることを意味し
ている。
【００２４】仮焼粉の製造プロセスについては、図１の
ような一般的なものとして適宜に考慮される。また、こ
の発明のＪｃ≧９０００Ａ／ｃｍ2 の特性の多結晶体の
製造も図２のような一般的なものとして適宜に考慮され
る。また、前記のＤＴＡ吸熱ピークについても、その測
定は通常の手法によるものとして考慮される。
ような一般的なものとして適宜に考慮される。また、こ
の発明のＪｃ≧９０００Ａ／ｃｍ2 の特性の多結晶体の
製造も図２のような一般的なものとして適宜に考慮され
る。また、前記のＤＴＡ吸熱ピークについても、その測
定は通常の手法によるものとして考慮される。
【００２５】以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発
明の実施の形態について例示説明する。もちろん、この
発明は以下の例により何ら限定されることはない。
明の実施の形態について例示説明する。もちろん、この
発明は以下の例により何ら限定されることはない。
【００２６】
【実施例】以下の実施例においては次の諸条件が共通し
て採用されている。ＴＧ−ＤＴＡ（熱重量−示差熱分
析）装置は、マックサイエンス製２０００型を用いた。
測定条件は、７００℃〜９２０℃で２℃／ｍｉｎの昇温
速度、試料充填量は内容積０．１ｃｃのアルミナ容器に
２０ｍｇ、乾燥Ａｉｒ雰囲気で行った。
て採用されている。ＴＧ−ＤＴＡ（熱重量−示差熱分
析）装置は、マックサイエンス製２０００型を用いた。
測定条件は、７００℃〜９２０℃で２℃／ｍｉｎの昇温
速度、試料充填量は内容積０．１ｃｃのアルミナ容器に
２０ｍｇ、乾燥Ａｉｒ雰囲気で行った。
【００２７】１軸成形条件としては、１．０〜５．０Ｔ
ｏｎ／ｃｍ2 のプレス成形を行った。中間圧縮はＣＩＰ
装置を用い１〜３Ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力をかけ、必要に
応じて数回行った。焼結条件は、温度８２０〜８６０
℃、雰囲気は大気である。
ｏｎ／ｃｍ2 のプレス成形を行った。中間圧縮はＣＩＰ
装置を用い１〜３Ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力をかけ、必要に
応じて数回行った。焼結条件は、温度８２０〜８６０
℃、雰囲気は大気である。
【００２８】Ｊｃ測定にあたっては、上記プロセスにて
得られた多結晶体を短冊状に切り出し、電極を作成して
測定用試料とした。この試料を４端子通電法にてＪｃを
測定した。実施例１ 所要の原料を、酸化物組成がＢｉ1.85Ｐｂ0.35Ｓｒ1.90
Ｃａ2.05Ｃｕ3.05ＯXとなるように調整し、圧粉体を形
成してこれを仮焼した。
得られた多結晶体を短冊状に切り出し、電極を作成して
測定用試料とした。この試料を４端子通電法にてＪｃを
測定した。実施例１ 所要の原料を、酸化物組成がＢｉ1.85Ｐｂ0.35Ｓｒ1.90
Ｃａ2.05Ｃｕ3.05ＯXとなるように調整し、圧粉体を形
成してこれを仮焼した。
【００２９】仮焼は乾燥空気中７６０℃で１０時間行っ
た。粉砕は極性有機溶媒と非極性有機溶媒５：１００
（重量比）の混合液を溶媒に用いて、Ｚｒボールを使用
しての湿式粉砕により行った。粉砕は、平均粒子径が
２．０μｍ以下になるまで行った。粉砕後の乾燥は減圧
乾燥法で密閉系で行い大気中の水分やカーボンが吸着し
ないようにした。再び仮焼を乾燥空気中７６０℃で１０
時間行い仮焼粉を得た。平均粒径は２．５μｍ以下であ
り、ＸＲＤにて確認したところＢｉ−２２１２相Ｂｉ−
２２０１相及びＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相
以外の不純物相からなっていた。また、ＴＧ−ＤＴＡ測
定を行ったところ、８６５℃と８８３℃の頂点を持つ吸
熱ピークが確認された。この時の仮焼粉の炭素含有量は
１８０ｐｐｍであった。この仮焼粉を用いて、前記焼結
条件に沿って、以下の条件で焼結体を作製した。
た。粉砕は極性有機溶媒と非極性有機溶媒５：１００
（重量比）の混合液を溶媒に用いて、Ｚｒボールを使用
しての湿式粉砕により行った。粉砕は、平均粒子径が
２．０μｍ以下になるまで行った。粉砕後の乾燥は減圧
乾燥法で密閉系で行い大気中の水分やカーボンが吸着し
ないようにした。再び仮焼を乾燥空気中７６０℃で１０
時間行い仮焼粉を得た。平均粒径は２．５μｍ以下であ
り、ＸＲＤにて確認したところＢｉ−２２１２相Ｂｉ−
２２０１相及びＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相
以外の不純物相からなっていた。また、ＴＧ−ＤＴＡ測
定を行ったところ、８６５℃と８８３℃の頂点を持つ吸
熱ピークが確認された。この時の仮焼粉の炭素含有量は
１８０ｐｐｍであった。この仮焼粉を用いて、前記焼結
条件に沿って、以下の条件で焼結体を作製した。
【００３０】プレス成型：直径２０φｍｍ、厚さ１ｍｍ
の円盤状圧粉体に３．０Ｔｏｎ／ｃｍ2 焼結：８５０℃＊５０時間（大気中） 中間圧縮：ＣＩＰ法で３．０Ｔｏｎ／ｃｍ2 こうして得られた試料を短冊状に切り出し、Ａｇ電極を
作製し、４端子通電法により７７Ｋで臨界電流密度Ｊｃ
を測定したところ、１０，５００Ａ／ｃｍ2 の値が得ら
れた。実施例２ 実施例１において仮焼粉作製時に仮焼温度を８２０℃と
した以外は、同様な方法でＪｃ測定用試料を作製した。
ＸＲＤにて確認したところ仮焼粉はＢｉ−２２２３相、
Ｂｉ−２２１２相及びＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超
電導相以外の不純物相からなっており、Ｂｉ−２２２３
相の割合は５％であった。ＴＧ−ＤＴＡ測定を行ったと
ころ、８８３℃の頂点を持つ吸熱ピークが確認された。
この時の仮焼粉の炭素含有量は１６０ｐｐｍであった。
この試料のＪｃは、９，０００Ａ／ｃｍ2 の値を示し
た。実施例３ 実施例１において得られた仮焼粉を銀シースに充填し外
径が約２ｍｍになるまで線引きを行った。その後電気炉
にて簡単な熱処理を行い、テープ厚が０．２ｍｍ程度に
なるまで圧延を行い、その後８４０℃前後で２５〜１０
０時間焼成を行う。この圧延と焼成を数回繰り返し試料
を作製した。こうして得られた試料のＪｃは、２０，０
００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。実施例４ 実施例１において作製した仮焼粉と同じ条件で作製した
仮焼粉を、有機溶剤及び有機バインダーにより合成した
有機ビヒクルと重量比３：１でそれぞれ混合し、三本ロ
ールにより均一分散させ、超電導ペーストを得た。この
ペーストを用い、スクリーン印刷法により銀基板上に膜
厚５０μｍのペースト厚膜を作製し、８５０℃×５０時
間の熱処理を行って試料を作製した。この試料のＪｃ
は、１１，２００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。比較例１ 実施例１において仮焼粉作製時に仮焼温度を８００℃と
した以外は、同様な方法でＪｃ測定用試料を作製した。
Ｂｉ−２２１２相及びＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超
電導相以外の不純物相からなっており、またＴＧ−ＤＴ
Ａ測定を行ったところ、８７５℃と８８５℃に頂点を持
つ吸熱ピークが確認された。この時の仮焼粉の炭素含有
量は１９０ｐｐｍであった。この試料のＪｃは、５，０
００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。比較例２ 実施例１において仮焼粉作製時に仮焼温度を７００℃と
した以外は、同様な方法でＪｃ測定用試料を作製した。
Ｂｉ−２２０１相・Ｂｉ−２１２２相及びＣａ 2 ＰｂＯ
4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相からなってい
て、その主成分は、Ｂｉ−２２０１相であった。また、
ＴＧ−ＤＴＡ測定を行ったところ、８３０〜８９０℃に
４つの吸熱ピークが確認された。この時の仮焼粉の炭素
含有量は３８０ｐｐｍであった。この試料のＪｃは、
１，５００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。比較例３ 実施例１において仮焼粉作製時に仮焼温度を８５０℃と
した以外は、同様な方法でＪｃ測定用試料を作製した。
Ｂｉ−２２２３相、Ｂｉ−２２１２相及びＣａ 2 ＰｂＯ
4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相からなってい
て、その主成分は、Ｂｉ−２２２３相であり、割合は９
０％であった。また、ＴＧ−ＤＴＡ測定を行ったとこ
ろ、８８４℃にのみ吸熱ピークが確認された。この時の
仮焼粉の炭素含有量は１８０ｐｐｍであった。この試料
のＪｃは、１，０００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。比較例４ 比較例１で得られた仮焼粉を用い、焼結時の焼結温度を
８３０℃とした以外は、実施例１と同じ手法で焼結体を
作製した。この試料のＪｃを測定したところ、８００Ａ
／ｃｍ2 の値しか得られなかった。比較例５ 比較例３で得られた仮焼粉を用いた以外は、実施例３と
同一条件にて銀テープを作製した。この試料のＪｃを測
定したところ、８，５００Ａ／ｃｍ2 の値しか得られな
かった。比較例６ 比較例３で得られた仮焼粉を用いた以外は、実施例４と
同一条件にてペースト厚膜を作製した。この試料のＪｃ
を測定したところ、４，３００Ａ／ｃｍ2 の値しか得ら
れなかった。
の円盤状圧粉体に３．０Ｔｏｎ／ｃｍ2 焼結：８５０℃＊５０時間（大気中） 中間圧縮：ＣＩＰ法で３．０Ｔｏｎ／ｃｍ2 こうして得られた試料を短冊状に切り出し、Ａｇ電極を
作製し、４端子通電法により７７Ｋで臨界電流密度Ｊｃ
を測定したところ、１０，５００Ａ／ｃｍ2 の値が得ら
れた。実施例２ 実施例１において仮焼粉作製時に仮焼温度を８２０℃と
した以外は、同様な方法でＪｃ測定用試料を作製した。
ＸＲＤにて確認したところ仮焼粉はＢｉ−２２２３相、
Ｂｉ−２２１２相及びＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超
電導相以外の不純物相からなっており、Ｂｉ−２２２３
相の割合は５％であった。ＴＧ−ＤＴＡ測定を行ったと
ころ、８８３℃の頂点を持つ吸熱ピークが確認された。
この時の仮焼粉の炭素含有量は１６０ｐｐｍであった。
この試料のＪｃは、９，０００Ａ／ｃｍ2 の値を示し
た。実施例３ 実施例１において得られた仮焼粉を銀シースに充填し外
径が約２ｍｍになるまで線引きを行った。その後電気炉
にて簡単な熱処理を行い、テープ厚が０．２ｍｍ程度に
なるまで圧延を行い、その後８４０℃前後で２５〜１０
０時間焼成を行う。この圧延と焼成を数回繰り返し試料
を作製した。こうして得られた試料のＪｃは、２０，０
００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。実施例４ 実施例１において作製した仮焼粉と同じ条件で作製した
仮焼粉を、有機溶剤及び有機バインダーにより合成した
有機ビヒクルと重量比３：１でそれぞれ混合し、三本ロ
ールにより均一分散させ、超電導ペーストを得た。この
ペーストを用い、スクリーン印刷法により銀基板上に膜
厚５０μｍのペースト厚膜を作製し、８５０℃×５０時
間の熱処理を行って試料を作製した。この試料のＪｃ
は、１１，２００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。比較例１ 実施例１において仮焼粉作製時に仮焼温度を８００℃と
した以外は、同様な方法でＪｃ測定用試料を作製した。
Ｂｉ−２２１２相及びＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超
電導相以外の不純物相からなっており、またＴＧ−ＤＴ
Ａ測定を行ったところ、８７５℃と８８５℃に頂点を持
つ吸熱ピークが確認された。この時の仮焼粉の炭素含有
量は１９０ｐｐｍであった。この試料のＪｃは、５，０
００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。比較例２ 実施例１において仮焼粉作製時に仮焼温度を７００℃と
した以外は、同様な方法でＪｃ測定用試料を作製した。
Ｂｉ−２２０１相・Ｂｉ−２１２２相及びＣａ 2 ＰｂＯ
4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相からなってい
て、その主成分は、Ｂｉ−２２０１相であった。また、
ＴＧ−ＤＴＡ測定を行ったところ、８３０〜８９０℃に
４つの吸熱ピークが確認された。この時の仮焼粉の炭素
含有量は３８０ｐｐｍであった。この試料のＪｃは、
１，５００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。比較例３ 実施例１において仮焼粉作製時に仮焼温度を８５０℃と
した以外は、同様な方法でＪｃ測定用試料を作製した。
Ｂｉ−２２２３相、Ｂｉ−２２１２相及びＣａ 2 ＰｂＯ
4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相からなってい
て、その主成分は、Ｂｉ−２２２３相であり、割合は９
０％であった。また、ＴＧ−ＤＴＡ測定を行ったとこ
ろ、８８４℃にのみ吸熱ピークが確認された。この時の
仮焼粉の炭素含有量は１８０ｐｐｍであった。この試料
のＪｃは、１，０００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。比較例４ 比較例１で得られた仮焼粉を用い、焼結時の焼結温度を
８３０℃とした以外は、実施例１と同じ手法で焼結体を
作製した。この試料のＪｃを測定したところ、８００Ａ
／ｃｍ2 の値しか得られなかった。比較例５ 比較例３で得られた仮焼粉を用いた以外は、実施例３と
同一条件にて銀テープを作製した。この試料のＪｃを測
定したところ、８，５００Ａ／ｃｍ2 の値しか得られな
かった。比較例６ 比較例３で得られた仮焼粉を用いた以外は、実施例４と
同一条件にてペースト厚膜を作製した。この試料のＪｃ
を測定したところ、４，３００Ａ／ｃｍ2 の値しか得ら
れなかった。
【００３１】
【発明の効果】以上詳しく説明したとおり、この出願の
発明により、Ａｇシース等の手段を採用することなし
に、焼結によって、Ｊｃ（臨界電流密度）の高いＢｉ系
高温相超電導体が提供されることになる。
発明により、Ａｇシース等の手段を採用することなし
に、焼結によって、Ｊｃ（臨界電流密度）の高いＢｉ系
高温相超電導体が提供されることになる。
【図１】仮焼粉の製造プロセスを示した工程図である。
【図２】焼結多結晶体の製造プロセスを示した工程図で
ある。
ある。
【図３】ＤＴＡ吸熱ピークを示した図である。
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｂｉ系酸化物高温２２２３相超電導体の
焼結体用仮焼粉であって、全体組成は焼結体と実質的に
同一であり、かつ、ＤＴＡ吸熱ピークとして、８６０〜
８７５℃に頂点を持つ低温側吸熱ピークと、８７５〜８
９０℃に頂点を持つ高温側吸熱ピークとが表われること
を特徴とするＢｉ系高温相超電導体用の仮焼粉。 - 【請求項２】 最高温度７２０〜８００℃で仮焼されて
なる請求項１の仮焼粉。 - 【請求項３】 Ｂｉ系酸化物高温２２２３相超電導体の
焼結体用仮焼粉であって、全体組成は焼結体と実質的に
同一であり、かつ、ＤＴＡ吸熱ピークが、８７５〜８９
０℃に頂点を持つ吸熱ピークのみが表われることを特徴
とするＢｉ系高温相超電導体用の仮焼粉。 - 【請求項４】 最高温度８００〜８４０℃で仮焼されて
なる請求項３の仮焼粉。 - 【請求項５】 成分組成が次式（１） 【化１】 （式中の元素数は次の値を示す。 １．２０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．８０ １．２０≦ｃ≦３．００ １．２０≦ｄ≦３．００ ９．００≦ｘ≦１０．００） で表わされるＢｉ系酸化物高温相超電導体の焼結体製造
用の仮焼粉であって、全体組成は前記式（１）と実質的
に同一であり、かつ、次式（２） 【化２】 （式中の元素数は次の値を示す。 １．５０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．０５ １．５０≦ｃ≦２．５０ ０．５０≦ｄ≦１．５０ ７．００≦ｘ≦８．００） で表わされる成分組成の結晶とそれ以外のＢｉ，Ｐｂ，
Ｓｒ，ＣａおよびＣｕの元素の１種以上のものの酸化物
とを含有する請求項１ないし４いずれかの仮焼粉。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかの仮焼粉が
焼結されてなるＢｉ系酸化物高温相超電導体の多結晶体
であって、Ｊｃ（臨界電流密度）≧９０００Ａ／ｃｍ2
の特性を有することを特徴とするＢｉ系高温相超電導体
の多結晶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30624197A JP3683395B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Ｂｉ系高温相超電導体用の仮焼粉と多結晶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30624197A JP3683395B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Ｂｉ系高温相超電導体用の仮焼粉と多結晶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11139824A true JPH11139824A (ja) | 1999-05-25 |
| JP3683395B2 JP3683395B2 (ja) | 2005-08-17 |
Family
ID=17954708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30624197A Expired - Fee Related JP3683395B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Ｂｉ系高温相超電導体用の仮焼粉と多結晶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3683395B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007026773A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導線材およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP30624197A patent/JP3683395B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007026773A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導線材およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3683395B2 (ja) | 2005-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11139824A (ja) | Ｂｉ系高温相超電導体用の仮焼粉と多結晶体 | |
| JPH11199232A (ja) | 超電導体用仮焼粉と超電導多結晶体 | |
| JP4215180B2 (ja) | Ｂｉ系２２２３酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉の製造方法及びＢｉ系２２２３酸化物超電導体の製造方法。 | |
| JP2625280B2 (ja) | 酸化物超電導材料の製造方法 | |
| JP2618046B2 (ja) | 酸化物超電導材料とその製造方法 | |
| WO1993010047A1 (en) | Method of fabricating thallium-containing ceramic superconductors | |
| JP2555734B2 (ja) | 超電導物質の製法 | |
| JP3568657B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造法 | |
| JP3461654B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造法 | |
| JP3630889B2 (ja) | 臨界電流密度の高い酸化物超電導体用の仮焼粉 | |
| JPH10101337A (ja) | Ｂｉ系酸化物超電導体製造用の仮焼粉 | |
| JPH09118525A (ja) | Ｂｉ系酸化物超電導材料製造用の仮焼粉およびその製造法 | |
| JPH10226569A (ja) | Ｂｉ系酸化物超電導体製造用の仮焼粉およびこれを焼結してなるＢｉ−２２２３相多結晶体 | |
| JP2637617B2 (ja) | 超電導材料の製造方法 | |
| JPH02204358A (ja) | 酸化物超電導体及びその製法 | |
| JPS63307111A (ja) | 導電体の製造方法 | |
| JP2971504B2 (ja) | Ｂｉ基酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH01275426A (ja) | 酸化物超電導体及びその製法 | |
| JPH05229823A (ja) | 酸化物超伝導材料の製造方法 | |
| WO1991003426A1 (en) | Superconducting material and production thereof | |
| Wu et al. | Superconductivity and X‐ray diffraction studies of the Hg‐1223 superconductor and related precursor | |
| Ram et al. | Effects of Bi (x) additives on microstructure and superconductivity in YBa 2− x Bi x Cu 3 O 7− δ | |
| JPH07206443A (ja) | Ｂｉ系超電導体及びその製造法 | |
| JPH04285011A (ja) | 酸化物超伝導材料 | |
| JPH06183823A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040316 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040517 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041207 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050204 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050301 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050311 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050317 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050426 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050525 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080603 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080603 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090603 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100603 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100603 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110603 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110603 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120603 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120603 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130603 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |