JPH03198399A - 電子部品の半田付方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は基板上に形成された電極ランドに塗布された
クリーム半田上に電子部品を載置しリフローにより該電
子部品と電極ランドとの接合を行（従来の技術） 近時における電子機器の小型軽量化の傾向を受けてこれ
ら機器に使用される電子部品もチップ部品に代表される
ように非常に小さなものが用いられるようになっている
。

このチップ部品は、半田付は部分が小さく半日こてを用
いた半田付作業は困難であるために、これらチップ部品
の半田付けを行う場合にはフロー半田付は方法とりフロ
ー半田付は方法が一般的に用いられている。

このうち、フロー半田付は方法は、プリント基板の所定
箇所にチップ部品をあらかじめ接着剤で仮固定しておき
、それにフラッグス塗布、予備加熱を行った後溶融半田
槽にフローさせることによりチップ部品の半田付けを行
う方法である。

また、リフロー半田付は方法は、第５図に示すように基
板１上に形成された電極ランド２にクリーム半田３を塗
布し、さらに該クリーム半田３上にチップ部品４を載置
しリフロー炉や高温蒸気槽等の加熱装置を通過させ加熱
を行うことによりチップ部品４と電極ランド２との接合
を行う半田付方法である。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、このような従来の半田付方法の内、リフ
ロー半田付は方法によりチップ部品４の半田付けを行う
場合には、チップ部品４は電極ランド２に塗布されたク
リーム半田３上に単に載置されているにすぎないため、
リフローを行う際に、クリーム状半田ペースト３の乾燥
状態やマウントされる際の部品位置によりチップ部品４
がクリーム半田３上で位置ずれ？起してしまい、第４図
に示すように所定の電極ランドからずれることにより近
傍に配置された他の部品とショートを起こしたり、第５
図に示すようにチップ部品４が一方の電極ランド２ａ上
に立上ってしまい不良品となってしまうという問題点が
あった。

また、このようなチップ部品４のクリーム半田３上にお
ける位置ずれは、基板１上における回路パターンが高密
度になるにつれて不良発生率が高くなるために、ハイブ
リッドＩＣのりフローを行う際に部品間隔を狭めた状態
でチップ部品を多用することができず、ハイブリッドＩ
Ｃの高密度高実装化の要求に十分対応することができな
いという問題点があった。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、チ
ップ形電子部品を安定的に電極ランドに接合させリフロ
ーを行うようにした電子部品の半田付方法を提供するも
のである。

（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、この発明の電子部品の半田
付方法は、基板上に形成された電極ランドにクリーム半
田を塗布し、さらに該クリーム半田上に電子部品を載置
しリフローにより電子部品と電極ランドとの接合を行う
電子部品の半田付方法において、前記電極ランドに第一
のクリーム半田層の塗布を行った後、該第一のクリーム
半田層上に第二のクリーム半田層の塗布を行うことによ
り電子部品端部係止壁を形成することにより電子部品の
半田付を行うようにしたものである。

（作　用） 上記のように、電極ランドに第一のクリーム半田層の塗
布を行った後、該第一のクリーム半田層上に第二のクリ
ーム半田層の塗布を行うことにより電子部品端部係止壁
を形成しているため、クリー半田上に載置される電子部
品の端部が該係止壁に係止されることになり、チップ形
電子部品を安定的に電極ランドに接合させリフローを行
うことができる。

（実施例） 以下本発明の実施例を図面に基いて詳細に説明する。

第１図は本発明に関わる電子部品の半田付方法の実施例
を示す分解斜視図が、第２図は同断面図が、第３図は同
平面図が示されている。

本実施例における基板１０は、１５００℃前後で焼成す
ることにより形成されたアルミナ基板であり、該基板１
０表面部１０ａにＡｇ−ＰｄもしくはＡｇ−Ｐｔ等の導
電性ペーストをスクリーン印刷等により塗布し、乾燥さ
せた後、通炉加熱により焼成を行うことにより電極ラン
ド１２−および図示しない回路パターンが形成されてい
る。

電極ランド１２上面全域には第一のクリーム半田層１４
がスクリーン印刷等により塗布されている。

第一のクリーム半田層１４乾燥後、該第一のクリーム半
田層上に第二のクリーム半田層１６の塗布を行うことに
より電子部品端部係止壁１８を形成させる。

第二のクリーム半田層１６により形成される電子部品端
部係止壁１８は、電子部品２０の両端部に設けられた電
極２２側面部２２ａに当接するように形成された対向す
る側面立上壁１８ａと、電子部品２０の電極２２端部２
２ｂに当接するように形成された立上壁１８ｂと、を有
する凹形状を成しており、第２図に示すように該凹部分
（図の符号Ｘ）に電子部品２０端部を係止させることに
よりチップ形電子部品２０を安定的に電極ランド１２に
接合させリフローを行うことができる。

電子部品端部係止壁１８は、第３図に示すように基板１
０表面部１０ａにおいて−っの電子部品２０に対して凹
部分を対向させて二つ配置されている。

尚、上記実施例においては、基板表面部１ａに形成され
た電極ランド１２に第一のクリーム半田層１４の塗布を
行った後、該第一のクリーム半田層上１４に第二のクリ
ーム半田層１６の塗布を行い電子部品端部係止壁１８を
形成する場合について説明したが、基板両面に同様の方
法により電子部品端部係止壁１８を形成する場合におい
ても同様に適用することが可能である。

（発明の効果） 以上に説明したように、この発明の電子部品の半田付方
法によれば、以下に記載するような効果を有する。

■第二のクリーム半田層１６により形成される電子部品
端部係止壁１８により電子部品２０端部の係止を行いリ
フロー半田付けを行うため、電子部品２０がクリーム半
田上で位置ずれを起すことが防止でき、このため、近傍
に配置された他の部品とショートを起こしたり、電子部
品２０が一方の電極ランド上に立上り不良品となること
が防止でき製品歩留りを向上させることができるという
優れた効果を有する。

■また、電子部品２０を安定的に電極ランド１２に接合
させリフローを行うことができるため、ハイブリッドＩ
Ｃのりフローを行う際に部品間隔を狭めた状態でチップ
部品を多用することが可能となり、ハイブリッドＩＣの
高密度高実装化の要求に十分対応することができるとい
う優れた効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に関わる電子部品の半田付方法の実施例
を示す分解斜視図 第２図は同実施例の断面図、 第３図は同実施例の平面図、 第４図は従来の電子部品の半田付方法を行った場合の平
面図、 第５図は同従来の側面図である。 第　　１ 図 η １０・・・基板、１０ａ・・・基板表面部、１２・・・
電極ランド、 １４・・・第一のクリーム半田層、 １６・・・第二のクリーム半田層、 １８・・・係止壁、２０・・・電子部品。 特　許　出　願　人　太陽誘電株式会社第 ２ 図 Ｕ 第 図 ４ 第 図 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に形成された電極ランドにクリーム半田を
   塗布し、さらに該クリーム半田上に電子部品を載置しリ
   フローにより電子部品と電極ランドとの接合を行う電子
   部品の半田付方法において、前記電極ランドに第一のク
   リーム半田層の塗布を行った後、該第一のクリーム半田
   層上に第二のクリーム半田層の塗布を行うことにより電
   子部品端部係止壁を形成したことを特徴とする電子部品
   の半田付方法。