JPH0314292A - 高密度実装モジュールの製造方法 - Google Patents
高密度実装モジュールの製造方法Info
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- JPH0314292A JPH0314292A JP1149971A JP14997189A JPH0314292A JP H0314292 A JPH0314292 A JP H0314292A JP 1149971 A JP1149971 A JP 1149971A JP 14997189 A JP14997189 A JP 14997189A JP H0314292 A JPH0314292 A JP H0314292A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 7
- 239000006071 cream Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 abstract description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は複数枚の配線パターンとセラミックチップコン
デンサを内蔵した多層構成の高密度実装モジュールの製
造方法に関する。
デンサを内蔵した多層構成の高密度実装モジュールの製
造方法に関する。
(従来の技術とその課題)
例えば、配線パターンを有する樹脂基板を数枚積層し、
その積層基板中にセラミックチップコンデンサを内蔵し
、平面化することにより小型化を目的とした通信機器用
の高密度実装モジュールがある。
その積層基板中にセラミックチップコンデンサを内蔵し
、平面化することにより小型化を目的とした通信機器用
の高密度実装モジュールがある。
従来の、この種の装置は、セラミックチップコンデンサ
を内蔵する場合配線パターンの一部の部品取付ラントを
予しめ半田クリームなどを印刷し、セラミックチップコ
ンデンサを半田接合し、更にピアホールを有する回路基
板を、その上層部として取付け、同様の方法を繰返し乍
ら積層化を進める。上層側基板は取付けるヂップコンデ
ンザの衝合部分に嵌合孔などを設け、まl:基板イ目互
の回路接合には半田バンプ法などを使用する。この取イ
]けたセラミックチップコンデンサの容量値の変化や耐
熱衝撃性の低下を生じる欠点があった。第4図は従来の
実施例の説明図でセラミックチップコンテン1ノを内蔵
した積層基板の拡大断面図である。
を内蔵する場合配線パターンの一部の部品取付ラントを
予しめ半田クリームなどを印刷し、セラミックチップコ
ンデンサを半田接合し、更にピアホールを有する回路基
板を、その上層部として取付け、同様の方法を繰返し乍
ら積層化を進める。上層側基板は取付けるヂップコンデ
ンザの衝合部分に嵌合孔などを設け、まl:基板イ目互
の回路接合には半田バンプ法などを使用する。この取イ
]けたセラミックチップコンデンサの容量値の変化や耐
熱衝撃性の低下を生じる欠点があった。第4図は従来の
実施例の説明図でセラミックチップコンテン1ノを内蔵
した積層基板の拡大断面図である。
第4図に示すように、その構成はセラミックチップコン
デンサ5を取付け、数枚の基板を積層化した際、その間
の熱的繰返しは数回に及びセラミックチップコンデンサ
5の取付は用外部電極7を構成している銀層膜材料か使
用する半田材料8の錫成分との相互拡散現象を発生し、
電極の破損を生し、セラミックチップコンデンサ5の内
部電極6の相互間か不連続となり容量値か変化する。ま
た、熱的衝撃を加えた場合セラミックチップコンデンサ
5の取付は用外部電極7か剥離を生じ易い不具合を生し
ていた。
デンサ5を取付け、数枚の基板を積層化した際、その間
の熱的繰返しは数回に及びセラミックチップコンデンサ
5の取付は用外部電極7を構成している銀層膜材料か使
用する半田材料8の錫成分との相互拡散現象を発生し、
電極の破損を生し、セラミックチップコンデンサ5の内
部電極6の相互間か不連続となり容量値か変化する。ま
た、熱的衝撃を加えた場合セラミックチップコンデンサ
5の取付は用外部電極7か剥離を生じ易い不具合を生し
ていた。
(課題を解決するための手段)
本発明は、これらの欠点を解決するために予しめ回路取
付ランドと同一面にセラミックチップコンデンサとの取
付電極を保持して樹脂を充填し、セラミックチップコン
デンサを固定した後半田接合することを特撮どし、その
目的は取付電極面の接合領域を内部電極から分制し、ま
た、使用する半田量を僅少とすることにより半田拡散に
伴う電極の破損をなくし容量値の変化のない熱的衝撃に
対しても優れた高密度実装モジュールの提供にある。
付ランドと同一面にセラミックチップコンデンサとの取
付電極を保持して樹脂を充填し、セラミックチップコン
デンサを固定した後半田接合することを特撮どし、その
目的は取付電極面の接合領域を内部電極から分制し、ま
た、使用する半田量を僅少とすることにより半田拡散に
伴う電極の破損をなくし容量値の変化のない熱的衝撃に
対しても優れた高密度実装モジュールの提供にある。
(実施例)
第1図、第2図は本発明の実施例の工程説明図、第3図
は本発明の詳細な説明図でセラミックチップコンデンサ
を内蔵した積層基板の要部拡大断面図である。図におい
て、1は耐熱性エポキシ樹脂から成る第1層基板、2は
第2層基板、3は第1層基板の銅箔などにより構成した
部品取付ラン1く、4は第2層基板を取付けた際、セラ
ミックチップコンデンサの衝合部分を基板小型化にする
ため切削加工をした嵌合孔、5は高誘電体材料からなる
セラミックチップコンデンサ、6は白金厚膜などから成
る内部電極、7は内部電極6と接する面へ銀層膜を介し
、ニッケル層ざらに半田層からなる取付用外部電極、8
は銀、錫、鉛の成分からなる接合用半田、9はセラミッ
クチップコンデン・す5を嵌合孔4−中へ固定するため
の充填樹脂である。
は本発明の詳細な説明図でセラミックチップコンデンサ
を内蔵した積層基板の要部拡大断面図である。図におい
て、1は耐熱性エポキシ樹脂から成る第1層基板、2は
第2層基板、3は第1層基板の銅箔などにより構成した
部品取付ラン1く、4は第2層基板を取付けた際、セラ
ミックチップコンデンサの衝合部分を基板小型化にする
ため切削加工をした嵌合孔、5は高誘電体材料からなる
セラミックチップコンデンサ、6は白金厚膜などから成
る内部電極、7は内部電極6と接する面へ銀層膜を介し
、ニッケル層ざらに半田層からなる取付用外部電極、8
は銀、錫、鉛の成分からなる接合用半田、9はセラミッ
クチップコンデン・す5を嵌合孔4−中へ固定するため
の充填樹脂である。
嵌合孔4を有し、部品取付ラント3を有する第1層基板
1の取伺面1°l\、予じめ部品の固定化のために、例
えは、シリコン樹脂系の接着層を有するポリエステルフ
ィルムなどの仮固定膜10を張り付ける。その後嵌合孔
4ヘセラミツクヂツプコンデン→ノ5を挿入し、仮固定
膜10へ貼り付けて固定しエポキシ充填樹脂9を注入し
同化する。その後、仮固定膜10を剥離することにより
取付面1゛は基板の部品取付ラン1(3およびセラミッ
クチップコンデンサ5の取付用外部電極7の一面のみを
表面に有する第2図の構成を得る。斯る平面状の取イ」
而1°へ半田接合を必要とする部分のみへ半田クリーム
を印刷して昇温し、セラミックチップコンデンサ5を回
路パターンと半田接合をする。
1の取伺面1°l\、予じめ部品の固定化のために、例
えは、シリコン樹脂系の接着層を有するポリエステルフ
ィルムなどの仮固定膜10を張り付ける。その後嵌合孔
4ヘセラミツクヂツプコンデン→ノ5を挿入し、仮固定
膜10へ貼り付けて固定しエポキシ充填樹脂9を注入し
同化する。その後、仮固定膜10を剥離することにより
取付面1゛は基板の部品取付ラン1(3およびセラミッ
クチップコンデンサ5の取付用外部電極7の一面のみを
表面に有する第2図の構成を得る。斯る平面状の取イ」
而1°へ半田接合を必要とする部分のみへ半田クリーム
を印刷して昇温し、セラミックチップコンデンサ5を回
路パターンと半田接合をする。
断る構成ではセラミックチップコンデンサ5の半田接合
面は取付は電極の一面のみであり、また、誘電体の内部
電極6の端部露出面と半田接合することがない。半田付
けのための半田量は同一平面」−での固定状態のため僅
少量で回路形成のための接合を得ることが出来る。この
結果チップコンデンザ取付電極面を構成する銀層膜と、
半田に含まれる錫との比率を僅少値に抑えることが出来
るため昇温の際に発生する拡散に伴う取イ」電極の破損
を回避することか出来る。
面は取付は電極の一面のみであり、また、誘電体の内部
電極6の端部露出面と半田接合することがない。半田付
けのための半田量は同一平面」−での固定状態のため僅
少量で回路形成のための接合を得ることが出来る。この
結果チップコンデンザ取付電極面を構成する銀層膜と、
半田に含まれる錫との比率を僅少値に抑えることが出来
るため昇温の際に発生する拡散に伴う取イ」電極の破損
を回避することか出来る。
更につけ加えて説明すると、例えば、外形寸法が2 、
0 m m x 1 、2 m mで高ざが0.6mm
のセラミックチップコンデンサを、従来の寸法で平面へ
取付けた場合、底面、側面、端面の夫々か半田との濡れ
フィレットを形成するため取付電極面積当りに要求する
半田量は約12mg/mm2を要するが、本発明の予じ
めセラミックチップコンデンサを樹脂中に埋め込み取付
けた場合2 、4. rn g / m m2て、はぼ
115の値となり拡散量を抑制することが出来る。更に
半田印刷を施してからチップを搭載する方法と比較して
、半田溶融時の半田ポールの発生がない。この現象は半
田クリーム上に部品が搭載きれている場合、クリーム中
のフラックス成分が昇温に伴い部品下面にて突沸を生じ
、この際半田か飛散すること、またフラックス成分とし
一 てのアビエチン酸なとの零四気が不均質となり酸化物の
分解機能か低下するためと考えられる。
0 m m x 1 、2 m mで高ざが0.6mm
のセラミックチップコンデンサを、従来の寸法で平面へ
取付けた場合、底面、側面、端面の夫々か半田との濡れ
フィレットを形成するため取付電極面積当りに要求する
半田量は約12mg/mm2を要するが、本発明の予じ
めセラミックチップコンデンサを樹脂中に埋め込み取付
けた場合2 、4. rn g / m m2て、はぼ
115の値となり拡散量を抑制することが出来る。更に
半田印刷を施してからチップを搭載する方法と比較して
、半田溶融時の半田ポールの発生がない。この現象は半
田クリーム上に部品が搭載きれている場合、クリーム中
のフラックス成分が昇温に伴い部品下面にて突沸を生じ
、この際半田か飛散すること、またフラックス成分とし
一 てのアビエチン酸なとの零四気が不均質となり酸化物の
分解機能か低下するためと考えられる。
(発明の効果)
以」二説明しL−ように多層配線パターンを有する基板
に嵌合孔を設け、予しめ配線パターン面と同一平面上に
セラミックチップコンデンザを挿入し樹脂を充填して固
定してから半田クリームを印刷し、昇温を加え半田付け
するから、使用する半田量を僅少量に抑制することによ
り、積層化のための熱履歴の繰返しを加えてもセラミッ
クチップコンデンザの電極の破損に伴う容量変化のない
、また熱1tj撃に対しても強固な多層高密度モジュー
ルを提供出来る利点かある。
に嵌合孔を設け、予しめ配線パターン面と同一平面上に
セラミックチップコンデンザを挿入し樹脂を充填して固
定してから半田クリームを印刷し、昇温を加え半田付け
するから、使用する半田量を僅少量に抑制することによ
り、積層化のための熱履歴の繰返しを加えてもセラミッ
クチップコンデンザの電極の破損に伴う容量変化のない
、また熱1tj撃に対しても強固な多層高密度モジュー
ルを提供出来る利点かある。
第1図、第2図は本発明の実施例の工程説明図、第3図
は本発明の実施例の積層基板の要部拡大断面図、第4図
は従来の実施例図で、積層基板の拡大説明図である。 1・ ・第1層基板、2・・・第2層基板、:3・・・
部品数イー1ランI・、4・・・嵌合孔、5・・・セラ
ミックヂップコンデンザ、6・・・内部電極、7・・・
取付用外部電極、8・・・接合用半田、9・・・充填樹
脂層、10・・・仮固定膜。
は本発明の実施例の積層基板の要部拡大断面図、第4図
は従来の実施例図で、積層基板の拡大説明図である。 1・ ・第1層基板、2・・・第2層基板、:3・・・
部品数イー1ランI・、4・・・嵌合孔、5・・・セラ
ミックヂップコンデンザ、6・・・内部電極、7・・・
取付用外部電極、8・・・接合用半田、9・・・充填樹
脂層、10・・・仮固定膜。
Claims (2)
- (1) 回路パターンとセラミックチップコンデンサを
有する多層基板から成る構成の高密度実装モジュールに
おいて、前記基板にセラミックチップコンデンサ嵌合の
ための嵌合孔を穿つ手段と、前記嵌合孔にセラミックチ
ップコンデンサを埋込み、仮固定膜に張り付け、エポキ
シ樹脂により固定する手段と前記仮固定膜を除去する手
段と、前記基板の取付ランドとセラミックチップコンデ
ンサを半田により固定する手段から成る高密度実装モジ
ュールの製造方法。 - (2) 特許請求の範囲第1項記載のセラミックチップ
コンデンサと基板上の回路パターンとを同一平面となる
ようにしたことを特徴とする高密度実装モジュールの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1149971A JPH06105835B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 高密度実装モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1149971A JPH06105835B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 高密度実装モジュールの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0314292A true JPH0314292A (ja) | 1991-01-22 |
JPH06105835B2 JPH06105835B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=15486628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1149971A Expired - Fee Related JPH06105835B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 高密度実装モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06105835B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002204045A (ja) * | 2000-01-31 | 2002-07-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP2002237683A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP2006351778A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS647696A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Japan Radio Co Ltd | High density package hybrid integrated circuit |
-
1989
- 1989-06-13 JP JP1149971A patent/JPH06105835B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS647696A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Japan Radio Co Ltd | High density package hybrid integrated circuit |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002204045A (ja) * | 2000-01-31 | 2002-07-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP2002237683A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP2006351778A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP4714510B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2011-06-29 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06105835B2 (ja) | 1994-12-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |