JPH0314292A - 高密度実装モジュールの製造方法 - Google Patents
高密度実装モジュールの製造方法Info
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- JPH0314292A JPH0314292A JP1149971A JP14997189A JPH0314292A JP H0314292 A JPH0314292 A JP H0314292A JP 1149971 A JP1149971 A JP 1149971A JP 14997189 A JP14997189 A JP 14997189A JP H0314292 A JPH0314292 A JP H0314292A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は複数枚の配線パターンとセラミックチップコン
デンサを内蔵した多層構成の高密度実装モジュールの製
造方法に関する。
デンサを内蔵した多層構成の高密度実装モジュールの製
造方法に関する。
（従来の技術とその課題）
例えば、配線パターンを有する樹脂基板を数枚積層し、
その積層基板中にセラミックチップコンデンサを内蔵し
、平面化することにより小型化を目的とした通信機器用
の高密度実装モジュールがある。
その積層基板中にセラミックチップコンデンサを内蔵し
、平面化することにより小型化を目的とした通信機器用
の高密度実装モジュールがある。
従来の、この種の装置は、セラミックチップコンデンサ
を内蔵する場合配線パターンの一部の部品取付ラントを
予しめ半田クリームなどを印刷し、セラミックチップコ
ンデンサを半田接合し、更にピアホールを有する回路基
板を、その上層部として取付け、同様の方法を繰返し乍
ら積層化を進める。上層側基板は取付けるヂップコンデ
ンザの衝合部分に嵌合孔などを設け、まｌ：基板イ目互
の回路接合には半田バンプ法などを使用する。この取イ
］けたセラミックチップコンデンサの容量値の変化や耐
熱衝撃性の低下を生じる欠点があった。第４図は従来の
実施例の説明図でセラミックチップコンテン１ノを内蔵
した積層基板の拡大断面図である。
を内蔵する場合配線パターンの一部の部品取付ラントを
予しめ半田クリームなどを印刷し、セラミックチップコ
ンデンサを半田接合し、更にピアホールを有する回路基
板を、その上層部として取付け、同様の方法を繰返し乍
ら積層化を進める。上層側基板は取付けるヂップコンデ
ンザの衝合部分に嵌合孔などを設け、まｌ：基板イ目互
の回路接合には半田バンプ法などを使用する。この取イ
］けたセラミックチップコンデンサの容量値の変化や耐
熱衝撃性の低下を生じる欠点があった。第４図は従来の
実施例の説明図でセラミックチップコンテン１ノを内蔵
した積層基板の拡大断面図である。
第４図に示すように、その構成はセラミックチップコン
デンサ５を取付け、数枚の基板を積層化した際、その間
の熱的繰返しは数回に及びセラミックチップコンデンサ
５の取付は用外部電極７を構成している銀層膜材料か使
用する半田材料８の錫成分との相互拡散現象を発生し、
電極の破損を生し、セラミックチップコンデンサ５の内
部電極６の相互間か不連続となり容量値か変化する。ま
た、熱的衝撃を加えた場合セラミックチップコンデンサ
５の取付は用外部電極７か剥離を生じ易い不具合を生し
ていた。
デンサ５を取付け、数枚の基板を積層化した際、その間
の熱的繰返しは数回に及びセラミックチップコンデンサ
５の取付は用外部電極７を構成している銀層膜材料か使
用する半田材料８の錫成分との相互拡散現象を発生し、
電極の破損を生し、セラミックチップコンデンサ５の内
部電極６の相互間か不連続となり容量値か変化する。ま
た、熱的衝撃を加えた場合セラミックチップコンデンサ
５の取付は用外部電極７か剥離を生じ易い不具合を生し
ていた。
（課題を解決するための手段）
本発明は、これらの欠点を解決するために予しめ回路取
付ランドと同一面にセラミックチップコンデンサとの取
付電極を保持して樹脂を充填し、セラミックチップコン
デンサを固定した後半田接合することを特撮どし、その
目的は取付電極面の接合領域を内部電極から分制し、ま
た、使用する半田量を僅少とすることにより半田拡散に
伴う電極の破損をなくし容量値の変化のない熱的衝撃に
対しても優れた高密度実装モジュールの提供にある。
付ランドと同一面にセラミックチップコンデンサとの取
付電極を保持して樹脂を充填し、セラミックチップコン
デンサを固定した後半田接合することを特撮どし、その
目的は取付電極面の接合領域を内部電極から分制し、ま
た、使用する半田量を僅少とすることにより半田拡散に
伴う電極の破損をなくし容量値の変化のない熱的衝撃に
対しても優れた高密度実装モジュールの提供にある。
（実施例）
第１図、第２図は本発明の実施例の工程説明図、第３図
は本発明の詳細な説明図でセラミックチップコンデンサ
を内蔵した積層基板の要部拡大断面図である。図におい
て、１は耐熱性エポキシ樹脂から成る第１層基板、２は
第２層基板、３は第１層基板の銅箔などにより構成した
部品取付ラン１く、４は第２層基板を取付けた際、セラ
ミックチップコンデンサの衝合部分を基板小型化にする
ため切削加工をした嵌合孔、５は高誘電体材料からなる
セラミックチップコンデンサ、６は白金厚膜などから成
る内部電極、７は内部電極６と接する面へ銀層膜を介し
、ニッケル層ざらに半田層からなる取付用外部電極、８
は銀、錫、鉛の成分からなる接合用半田、９はセラミッ
クチップコンデン・す５を嵌合孔４−中へ固定するため
の充填樹脂である。
は本発明の詳細な説明図でセラミックチップコンデンサ
を内蔵した積層基板の要部拡大断面図である。図におい
て、１は耐熱性エポキシ樹脂から成る第１層基板、２は
第２層基板、３は第１層基板の銅箔などにより構成した
部品取付ラン１く、４は第２層基板を取付けた際、セラ
ミックチップコンデンサの衝合部分を基板小型化にする
ため切削加工をした嵌合孔、５は高誘電体材料からなる
セラミックチップコンデンサ、６は白金厚膜などから成
る内部電極、７は内部電極６と接する面へ銀層膜を介し
、ニッケル層ざらに半田層からなる取付用外部電極、８
は銀、錫、鉛の成分からなる接合用半田、９はセラミッ
クチップコンデン・す５を嵌合孔４−中へ固定するため
の充填樹脂である。
嵌合孔４を有し、部品取付ラント３を有する第１層基板
１の取伺面１°ｌ＼、予じめ部品の固定化のために、例
えは、シリコン樹脂系の接着層を有するポリエステルフ
ィルムなどの仮固定膜１０を張り付ける。その後嵌合孔
４ヘセラミツクヂツプコンデン→ノ５を挿入し、仮固定
膜１０へ貼り付けて固定しエポキシ充填樹脂９を注入し
同化する。その後、仮固定膜１０を剥離することにより
取付面１゛は基板の部品取付ラン１（３およびセラミッ
クチップコンデンサ５の取付用外部電極７の一面のみを
表面に有する第２図の構成を得る。斯る平面状の取イ」
而１°へ半田接合を必要とする部分のみへ半田クリーム
を印刷して昇温し、セラミックチップコンデンサ５を回
路パターンと半田接合をする。
１の取伺面１°ｌ＼、予じめ部品の固定化のために、例
えは、シリコン樹脂系の接着層を有するポリエステルフ
ィルムなどの仮固定膜１０を張り付ける。その後嵌合孔
４ヘセラミツクヂツプコンデン→ノ５を挿入し、仮固定
膜１０へ貼り付けて固定しエポキシ充填樹脂９を注入し
同化する。その後、仮固定膜１０を剥離することにより
取付面１゛は基板の部品取付ラン１（３およびセラミッ
クチップコンデンサ５の取付用外部電極７の一面のみを
表面に有する第２図の構成を得る。斯る平面状の取イ」
而１°へ半田接合を必要とする部分のみへ半田クリーム
を印刷して昇温し、セラミックチップコンデンサ５を回
路パターンと半田接合をする。
断る構成ではセラミックチップコンデンサ５の半田接合
面は取付は電極の一面のみであり、また、誘電体の内部
電極６の端部露出面と半田接合することがない。半田付
けのための半田量は同一平面」−での固定状態のため僅
少量で回路形成のための接合を得ることが出来る。この
結果チップコンデンザ取付電極面を構成する銀層膜と、
半田に含まれる錫との比率を僅少値に抑えることが出来
るため昇温の際に発生する拡散に伴う取イ」電極の破損
を回避することか出来る。
面は取付は電極の一面のみであり、また、誘電体の内部
電極６の端部露出面と半田接合することがない。半田付
けのための半田量は同一平面」−での固定状態のため僅
少量で回路形成のための接合を得ることが出来る。この
結果チップコンデンザ取付電極面を構成する銀層膜と、
半田に含まれる錫との比率を僅少値に抑えることが出来
るため昇温の際に発生する拡散に伴う取イ」電極の破損
を回避することか出来る。
更につけ加えて説明すると、例えば、外形寸法が２ 、
０ ｍ ｍ ｘ １ 、２ ｍ ｍで高ざが０．６ｍｍ
のセラミックチップコンデンサを、従来の寸法で平面へ
取付けた場合、底面、側面、端面の夫々か半田との濡れ
フィレットを形成するため取付電極面積当りに要求する
半田量は約１２ｍｇ／ｍｍ２を要するが、本発明の予じ
めセラミックチップコンデンサを樹脂中に埋め込み取付
けた場合２ 、４． ｒｎ ｇ ／ ｍ ｍ２て、はぼ
１１５の値となり拡散量を抑制することが出来る。更に
半田印刷を施してからチップを搭載する方法と比較して
、半田溶融時の半田ポールの発生がない。この現象は半
田クリーム上に部品が搭載きれている場合、クリーム中
のフラックス成分が昇温に伴い部品下面にて突沸を生じ
、この際半田か飛散すること、またフラックス成分とし
一 てのアビエチン酸なとの零四気が不均質となり酸化物の
分解機能か低下するためと考えられる。
０ ｍ ｍ ｘ １ 、２ ｍ ｍで高ざが０．６ｍｍ
のセラミックチップコンデンサを、従来の寸法で平面へ
取付けた場合、底面、側面、端面の夫々か半田との濡れ
フィレットを形成するため取付電極面積当りに要求する
半田量は約１２ｍｇ／ｍｍ２を要するが、本発明の予じ
めセラミックチップコンデンサを樹脂中に埋め込み取付
けた場合２ 、４． ｒｎ ｇ ／ ｍ ｍ２て、はぼ
１１５の値となり拡散量を抑制することが出来る。更に
半田印刷を施してからチップを搭載する方法と比較して
、半田溶融時の半田ポールの発生がない。この現象は半
田クリーム上に部品が搭載きれている場合、クリーム中
のフラックス成分が昇温に伴い部品下面にて突沸を生じ
、この際半田か飛散すること、またフラックス成分とし
一 てのアビエチン酸なとの零四気が不均質となり酸化物の
分解機能か低下するためと考えられる。
（発明の効果）
以」二説明しＬ−ように多層配線パターンを有する基板
に嵌合孔を設け、予しめ配線パターン面と同一平面上に
セラミックチップコンデンザを挿入し樹脂を充填して固
定してから半田クリームを印刷し、昇温を加え半田付け
するから、使用する半田量を僅少量に抑制することによ
り、積層化のための熱履歴の繰返しを加えてもセラミッ
クチップコンデンザの電極の破損に伴う容量変化のない
、また熱１ｔｊ撃に対しても強固な多層高密度モジュー
ルを提供出来る利点かある。
に嵌合孔を設け、予しめ配線パターン面と同一平面上に
セラミックチップコンデンザを挿入し樹脂を充填して固
定してから半田クリームを印刷し、昇温を加え半田付け
するから、使用する半田量を僅少量に抑制することによ
り、積層化のための熱履歴の繰返しを加えてもセラミッ
クチップコンデンザの電極の破損に伴う容量変化のない
、また熱１ｔｊ撃に対しても強固な多層高密度モジュー
ルを提供出来る利点かある。
第１図、第２図は本発明の実施例の工程説明図、第３図
は本発明の実施例の積層基板の要部拡大断面図、第４図
は従来の実施例図で、積層基板の拡大説明図である。 １・ ・第１層基板、２・・・第２層基板、：３・・・
部品数イー１ランＩ・、４・・・嵌合孔、５・・・セラ
ミックヂップコンデンザ、６・・・内部電極、７・・・
取付用外部電極、８・・・接合用半田、９・・・充填樹
脂層、１０・・・仮固定膜。
は本発明の実施例の積層基板の要部拡大断面図、第４図
は従来の実施例図で、積層基板の拡大説明図である。 １・ ・第１層基板、２・・・第２層基板、：３・・・
部品数イー１ランＩ・、４・・・嵌合孔、５・・・セラ
ミックヂップコンデンザ、６・・・内部電極、７・・・
取付用外部電極、８・・・接合用半田、９・・・充填樹
脂層、１０・・・仮固定膜。
Claims (2)
- （１） 回路パターンとセラミックチップコンデンサを
有する多層基板から成る構成の高密度実装モジュールに
おいて、前記基板にセラミックチップコンデンサ嵌合の
ための嵌合孔を穿つ手段と、前記嵌合孔にセラミックチ
ップコンデンサを埋込み、仮固定膜に張り付け、エポキ
シ樹脂により固定する手段と前記仮固定膜を除去する手
段と、前記基板の取付ランドとセラミックチップコンデ
ンサを半田により固定する手段から成る高密度実装モジ
ュールの製造方法。 - （２） 特許請求の範囲第１項記載のセラミックチップ
コンデンサと基板上の回路パターンとを同一平面となる
ようにしたことを特徴とする高密度実装モジュールの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1149971A JPH06105835B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 高密度実装モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1149971A JPH06105835B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 高密度実装モジュールの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0314292A true JPH0314292A (ja) | 1991-01-22 |
| JPH06105835B2 JPH06105835B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=15486628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1149971A Expired - Fee Related JPH06105835B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 高密度実装モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06105835B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002204045A (ja) * | 2000-01-31 | 2002-07-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
| JP2002237683A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
| JP2006351778A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647696A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Japan Radio Co Ltd | High density package hybrid integrated circuit |
-
1989
- 1989-06-13 JP JP1149971A patent/JPH06105835B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647696A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Japan Radio Co Ltd | High density package hybrid integrated circuit |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002204045A (ja) * | 2000-01-31 | 2002-07-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
| JP2002237683A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
| JP2006351778A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
| JP4714510B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2011-06-29 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06105835B2 (ja) | 1994-12-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |