JP3226147B2 - 表面実装部品の接合構造 - Google Patents
表面実装部品の接合構造Info
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/403—Edge contacts; Windows or holes in the substrate having plural connections on the walls thereof
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプリント基材からなるメ
イン基板に表面実装部品をリードレスにて半田付けする
表面実装部品の接合構造に関する。
イン基板に表面実装部品をリードレスにて半田付けする
表面実装部品の接合構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント基材からなるメイン基板
上に表面実装部品としてのセラミックＩＣ基板をリード
レスにて直接半田付けするための接合構造は、第４図に
示すように上面に半田付ランド１ａが形成されたプリン
ト基材からなるメイン基板１と、前記メイン基板１上に
搭載され側面に前記半田付ランド１ａに対応する凹部２
ａが形成され、該凹部２ａの内面と上部周縁にメタライ
ズ端子２ｂが形成され、前記半田付ランド１ａとメタラ
イズ端子２ｂとを半田ペースト３をリフローして接合す
るものである。しかしながら、このような接合構造によ
ると、従来用いられているメイン基板１として、例え
ば、ガラス織布基材エポキシ樹脂層板（ＦＲ─４）を基
板としたものを用いた場合は、その平面方向の熱膨脹率
がセラミックＩＣ基板２の熱膨脹率の数倍であるため、
半田ペースト３をリフローによって溶融し、その後半田
ペースト３が冷える際に前記それぞれの基板の熱膨脹率
の違いによる応力によって前記凹部２ａの下部開口の角
部に半田クラック１ｃが生じ半田接合部の信頼性が低下
するという問題を有していた。また、前述した問題の解
決方法として、メイン基板１の銅箔の内側に、これと接
して、例えば、ゴム状の弾性を有するブチラール変性フ
ェノール樹脂層を形成し、この層によって前記熱膨脹率
の違いによる応力を吸収し、半田クラックの発生を防止
する方法も考えられるが、この場合はメイン基板１のコ
ストが高くなるという問題を有していた。
上に表面実装部品としてのセラミックＩＣ基板をリード
レスにて直接半田付けするための接合構造は、第４図に
示すように上面に半田付ランド１ａが形成されたプリン
ト基材からなるメイン基板１と、前記メイン基板１上に
搭載され側面に前記半田付ランド１ａに対応する凹部２
ａが形成され、該凹部２ａの内面と上部周縁にメタライ
ズ端子２ｂが形成され、前記半田付ランド１ａとメタラ
イズ端子２ｂとを半田ペースト３をリフローして接合す
るものである。しかしながら、このような接合構造によ
ると、従来用いられているメイン基板１として、例え
ば、ガラス織布基材エポキシ樹脂層板（ＦＲ─４）を基
板としたものを用いた場合は、その平面方向の熱膨脹率
がセラミックＩＣ基板２の熱膨脹率の数倍であるため、
半田ペースト３をリフローによって溶融し、その後半田
ペースト３が冷える際に前記それぞれの基板の熱膨脹率
の違いによる応力によって前記凹部２ａの下部開口の角
部に半田クラック１ｃが生じ半田接合部の信頼性が低下
するという問題を有していた。また、前述した問題の解
決方法として、メイン基板１の銅箔の内側に、これと接
して、例えば、ゴム状の弾性を有するブチラール変性フ
ェノール樹脂層を形成し、この層によって前記熱膨脹率
の違いによる応力を吸収し、半田クラックの発生を防止
する方法も考えられるが、この場合はメイン基板１のコ
ストが高くなるという問題を有していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑みなされたもので、表面実装部品としてのセラミック
ＩＣ基板を搭載したプリント基材からなるメイン基板の
半田接合部の半田クラックの発生を防止し、これによっ
てメイン基板のコストが高くならず、半田接合部の信頼
性が低下しない表面実装基板の接合構造を提供すること
にある。
鑑みなされたもので、表面実装部品としてのセラミック
ＩＣ基板を搭載したプリント基材からなるメイン基板の
半田接合部の半田クラックの発生を防止し、これによっ
てメイン基板のコストが高くならず、半田接合部の信頼
性が低下しない表面実装基板の接合構造を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するため、上面に半田付ランドが形成されプリント基
材からなるメイン基板と、前記メイン基板上に搭載さ
れ、側面に前記半田付ランドに対応する凹部が形成さ
れ、該凹部内面と同凹部の上部周縁にメタライズ端子が
形成され、前記半田付ランドとメタライズ端子とを半田
によって接合するものにおいて、前記凹部の側部開口と
上部開口の角部に半田マスキング剤により半田の非接合
手段が形成されていることを特徴とする。また、前記半
田マスキング剤が半田レジストであることを特徴とす
る。
決するため、上面に半田付ランドが形成されプリント基
材からなるメイン基板と、前記メイン基板上に搭載さ
れ、側面に前記半田付ランドに対応する凹部が形成さ
れ、該凹部内面と同凹部の上部周縁にメタライズ端子が
形成され、前記半田付ランドとメタライズ端子とを半田
によって接合するものにおいて、前記凹部の側部開口と
上部開口の角部に半田マスキング剤により半田の非接合
手段が形成されていることを特徴とする。また、前記半
田マスキング剤が半田レジストであることを特徴とす
る。
【０００５】
【作用】上記のように構成したので、本発明による表面
実装部品の接合構造においては前記凹部の側部開口と上
部開口の角部に設けた半田の非接合手段がリフローによ
る半田付けの際、同部分に半田を塗着させないように働
き、ストレスが加わらずメイン基板の半田接合部の半田
クラックの発生を防止する。
実装部品の接合構造においては前記凹部の側部開口と上
部開口の角部に設けた半田の非接合手段がリフローによ
る半田付けの際、同部分に半田を塗着させないように働
き、ストレスが加わらずメイン基板の半田接合部の半田
クラックの発生を防止する。
【０００６】
【実施例】以下図に基づいて本発明による一実施例を図
面に基づいて詳細に説明する。尚、図中符号は従来例と
同一のものを付す。
面に基づいて詳細に説明する。尚、図中符号は従来例と
同一のものを付す。
【０００７】図１は本発明による表面実装部品の接合構
造を示す図で、１は上面に半田付ランド１ａが形成さ
れ、同半田付ランド１ａ上に後述する表面実装部品とし
てのセラミックＩＣ基板２が載置され、ガラス織布基材
エポキシ樹脂層板（ＦＲ─４）のプリント基材からなる
メイン基板で、２は側面の凹部２ａの内壁と上部周縁
に、後述する半田ペースト３を介しメイン基板１の内部
回路に電気的に接続されるメタライズ端子２ｂが一体に
形成されるとともに、前記凹部２ａの側部開口と上部開
口の角部には半田の非接合手段としての半田マスキング
剤２ｃが塗着されている表面実装部品としてのセラミッ
クＩＣ基板である。３は前記凹部２ａの内面のメタライ
ズ端子２ｂに当接するように、且つ半田付ランド１ａ上
に盛られ、例えば電気炉中を通過させる、あるはホット
プートによって高温加熱して溶融し前記半田付ランド１
ａとメタライズ端子２ｂを接合する半田ペーストであ
る。
造を示す図で、１は上面に半田付ランド１ａが形成さ
れ、同半田付ランド１ａ上に後述する表面実装部品とし
てのセラミックＩＣ基板２が載置され、ガラス織布基材
エポキシ樹脂層板（ＦＲ─４）のプリント基材からなる
メイン基板で、２は側面の凹部２ａの内壁と上部周縁
に、後述する半田ペースト３を介しメイン基板１の内部
回路に電気的に接続されるメタライズ端子２ｂが一体に
形成されるとともに、前記凹部２ａの側部開口と上部開
口の角部には半田の非接合手段としての半田マスキング
剤２ｃが塗着されている表面実装部品としてのセラミッ
クＩＣ基板である。３は前記凹部２ａの内面のメタライ
ズ端子２ｂに当接するように、且つ半田付ランド１ａ上
に盛られ、例えば電気炉中を通過させる、あるはホット
プートによって高温加熱して溶融し前記半田付ランド１
ａとメタライズ端子２ｂを接合する半田ペーストであ
る。
【０００８】上記のように構成したので、前記凹部２ａ
の側部開口部の半田マスキング剤２ｃにはリフロー半田
付けの際に半田が塗着しないので、この部分にはメイン
基板１とセラミックＩＣ基板２との熱膨脹率の違いによ
るストレスが加わらず半田クラックが発生しない。
の側部開口部の半田マスキング剤２ｃにはリフロー半田
付けの際に半田が塗着しないので、この部分にはメイン
基板１とセラミックＩＣ基板２との熱膨脹率の違いによ
るストレスが加わらず半田クラックが発生しない。
【０００９】また、前記半田マスキング剤２ｃとして
は、例えば、樹脂等よりなる半田レジストを塗布したも
のが用いられる。
は、例えば、樹脂等よりなる半田レジストを塗布したも
のが用いられる。
【００１０】さらに、図２は本発明に係わる表面実装部
品の接合構造の第２の実施例の構成を示す図で、図中、
セラミックＩＣ基板２の凹部２ａの内壁と上部周縁の開
口の角部に対応する部分のメタライズ端子２ｂに半田の
非接合手段としての切欠部分２ｄを形成し、同切欠部分
２ｄにはリフロー半田付けの際に半田が塗着しない構造
とする。
品の接合構造の第２の実施例の構成を示す図で、図中、
セラミックＩＣ基板２の凹部２ａの内壁と上部周縁の開
口の角部に対応する部分のメタライズ端子２ｂに半田の
非接合手段としての切欠部分２ｄを形成し、同切欠部分
２ｄにはリフロー半田付けの際に半田が塗着しない構造
とする。
【００１１】上記のように構成したので、前記切欠部分
２ｄに対応するセラミックＩＣ基板２の凹部２ａの側部
開口の角部には、前記それぞれの基板の熱膨脹率の違い
によるストレスが加わらず半田クラックが発生しない。
２ｄに対応するセラミックＩＣ基板２の凹部２ａの側部
開口の角部には、前記それぞれの基板の熱膨脹率の違い
によるストレスが加わらず半田クラックが発生しない。
【００１２】また、図３は本発明に係わる表面実装部品
の接合構造の第３の実施例の構成を示す図で、１は上面
に内部回路に接続された半田付ランド１ａが形成され、
同半田付ランド１ａの前記凹部２ａの側部開口の角部に
対応する半田付ランド１ｂは同開口の幅より狭く形成さ
れ、後述する表面実装部品としてのセラミックＩＣ基板
２が載置されたプリント基材からなるメイン基板であ
る。２は側面の凹部２ａの内壁と上部周縁に、後述する
半田ペースト３を介しメイン基板１の内部回路に電気的
に接続されるメタライズ端子２ｂが一体に形成されたセ
ラミックＩＣ基板である。３は前記凹部２ａの内面のメ
タライズ端子２ｂに当接するように、且つ半田付ランド
１ａ上に盛られ、例えば電気炉中を通過させる、あるは
ホットプートによって高温加熱して溶融し前記半田付ラ
ンド１ａとメタライズ端子２ｂを接合する半田ペースト
である。
の接合構造の第３の実施例の構成を示す図で、１は上面
に内部回路に接続された半田付ランド１ａが形成され、
同半田付ランド１ａの前記凹部２ａの側部開口の角部に
対応する半田付ランド１ｂは同開口の幅より狭く形成さ
れ、後述する表面実装部品としてのセラミックＩＣ基板
２が載置されたプリント基材からなるメイン基板であ
る。２は側面の凹部２ａの内壁と上部周縁に、後述する
半田ペースト３を介しメイン基板１の内部回路に電気的
に接続されるメタライズ端子２ｂが一体に形成されたセ
ラミックＩＣ基板である。３は前記凹部２ａの内面のメ
タライズ端子２ｂに当接するように、且つ半田付ランド
１ａ上に盛られ、例えば電気炉中を通過させる、あるは
ホットプートによって高温加熱して溶融し前記半田付ラ
ンド１ａとメタライズ端子２ｂを接合する半田ペースト
である。
【００１３】上記のように構成したので、切欠部分１ｂ
によって前記凹部２ａの側部開口の角部に半田は塗着せ
ず、同部分には、前記それぞれの基板の熱膨脹率の違い
によるストレスは加わらず半田クラックは発生しない。
によって前記凹部２ａの側部開口の角部に半田は塗着せ
ず、同部分には、前記それぞれの基板の熱膨脹率の違い
によるストレスは加わらず半田クラックは発生しない。
【００１４】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明による表
面実装部品の接合構造によれば、半田クラックの発生す
る部分に対応するメタライズ端子の凹部の側部開口と上
部開口の角部に半田レジストを塗着する手段によって半
田の非接合手段を形成することによって、同部分に半田
が塗着しないようにし、メイン基板の半田接合部の半田
クラックの発生する部分にそれぞれの基板の熱膨脹率の
違いによるストレスが加わらず半田クラックが生じない
ようにしたので、メイン基板のコストが高くならず、半
田接合部の信頼性が低下しないという効果が大なるもの
である。
面実装部品の接合構造によれば、半田クラックの発生す
る部分に対応するメタライズ端子の凹部の側部開口と上
部開口の角部に半田レジストを塗着する手段によって半
田の非接合手段を形成することによって、同部分に半田
が塗着しないようにし、メイン基板の半田接合部の半田
クラックの発生する部分にそれぞれの基板の熱膨脹率の
違いによるストレスが加わらず半田クラックが生じない
ようにしたので、メイン基板のコストが高くならず、半
田接合部の信頼性が低下しないという効果が大なるもの
である。
【図１】本発明による表面実装部品の接合構造を示す要
部斜視図である。
部斜視図である。
【図２】本発明による表面実装部品の接合構造の第２の
実施例を説明する要部斜視図である。
実施例を説明する要部斜視図である。
【図３】本発明による表面実装部品の接合構造の第３の
実施例を説明する要部斜視図である。
実施例を説明する要部斜視図である。
【図４】従来の表面実装部品の接合構造の構成を示す要
部斜視図である。
部斜視図である。
１ メイン基板 １ａ 半田付ランド １ｂ 半田ぺースト ２ セラミック基板 ２ａ 凹部 ２ｂ メタライズ端子 ２ｃ 半田レジスト
Claims (2)
- 【請求項１】 上面に半田付ランドが形成されプリント
基材からなるメイン基板と、前記メイン基板上に搭載さ
れ、側面に前記半田付ランドに対応する凹部が形成さ
れ、該凹部内面と同凹部の上部周縁にメタライズ端子が
形成され、前記半田付ランドとメタライズ端子とを半田
によって接合するものにおいて、前記凹部の側部開口と
上部開口の角部に半田マスキング剤により半田の非接合
手段が形成されていることを特徴とする表面実装部品の
接合構造。 - 【請求項２】 前記半田マスキング剤が半田レジストで
あることを特徴とする請求項１記載の表面実装部品の接
合構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04987695A JP3226147B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 表面実装部品の接合構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04987695A JP3226147B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 表面実装部品の接合構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250841A JPH08250841A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3226147B2 true JP3226147B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=12843257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04987695A Expired - Fee Related JP3226147B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 表面実装部品の接合構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3226147B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3871820B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2007-01-24 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| DE102022111033A1 (de) * | 2022-05-04 | 2023-11-09 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement |
-
1995
- 1995-03-09 JP JP04987695A patent/JP3226147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08250841A (ja) | 1996-09-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |