JPH03171497A

JPH03171497A - データ処理装置

Info

Publication number: JPH03171497A
Application number: JP1309602A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Tanaka; 良幸田中
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-11-29
Filing date: 1989-11-29
Publication date: 1991-07-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、不揮発性メモリ（プログラマブル・リードオ
ンメモリ、以下、ＰＲＯＭと略す）を内蔵したテータ処
理装置への書込み方法と、書き込んだデータによる制御
に関するものである。

従来の技術近年、不揮発性メモリを内蔵したデータ処理装置への書
込みデータは、同装置を制御する制御信号と同じデータ
を書き込んでいた。その中でも特に１０ビッ１・構戊な
どの８で割り切れないビット構成の不揮発性メモリを内
蔵したデータ処理装置への書込み方法は、同装置を制御
する制御信号と正しく書き込みを行うためのデータを合
わせて書き込まなくてはならない。以下に従来の８で割
り切れないビット構成の不揮発性メモリを内蔵したデー
タ処理装置への書込み方法について説明する。

第２図は、従来の８で割り切れないビット構戊の不揮発
性メモリを内蔵したデータ処理装置の回路ブロック図を
示すものであり、１は１０ヒット構或の不揮発性メモリ
を持つ半導体装置ブロック図である。２〜４は不揮発性
メモリであり、２はデータ０，３はデータ２、４はデー
タ８である。

５〜７はデータ書込み回路であり、５はデータ０用、６
はデータ２用、７はデータ８用である。８〜１０はデー
タ読出し回路であり、８はデータＯ用、９はデータ２用
、１０はデータ８用である。

１１．１．２は８ビット切替え入出力回路であり、１１
はデータＯ・データ８用、１２はデータ２用である。１
３〜１５はデータ取込み回路であり、１３はデータ０用
、１４はデータ２用、Ｊ５はデータ８用である。１６は
内部回路である。１７〜２４は８ビット入出力信号線で
あり、１７はデータＯ・データ８用、１８はデータ１・
データ９用、１９はデータ２用、２０はデータ３用、２
１はデータ４用、２２はデータ５用、２３はデータ６用
、２４はデータ７用である。２５〜２７は内部回路用デ
ータ取込み信号線であり、２５はデータＯ用、２６はデ
ータ２用、２７はデータ８用である。２８〜３０は外部
入出力用信号線であり、２８はデータＯ用、２９はデー
タ２用、３０はデータ８用である。

このように構威された従来の８で割り切れないビット構
威の不揮発性メモリを内蔵したデータ処理装置について
、第２図に加えて第３図のメモリマップ図を参照しなが
らその動作について説明する。第３図のメモリマップ図
において、３゛２はＰＲＯＭライタ内のデータマップ、
３３はビット構威不揮発性メモリのデータマップであり
、ｆＯ〜ｆ　９，ｇｏ−ｇ９，ｉ　０〜１９はビット単
位の情報を示している。

現在、不揮発性メモリにデータを書き込むときはＰＲＯ
Ｍライタが多く使われる。このＰＲＯＭライタの大半は
１ワード８ビットｔＭ　６であり、１０ビットの不揮発
性メモリにデータを書き込むときは、第３図のように、
８ビットと２ビット（たとえば、ｆＯ−ｆ７と、ｆ８〜
ｆ９）、あるいは７ビットと３ビット（図示せず）とい
う具合いに、２アドレスに分ける必要がある。また、大
半のＰＲＯＭライタは書き込みを行う前にブランクチェ
ック（Ｆ　Ｒ　ＯＭ全ビット“１”のチェック）を行っ
ているため、８ビット切替え入出力回路１−１−・１２
によってデータ８・データ９側、すなわち９番目とビッ
ト・］−〇番目のビットに切り替わったとき、残り６ビ
ット（８ビット入出力信号線１９〜２４）は゛１゜′が
出力されるように入出力回路を制御している。

また、内蔵した不揮発性メモリへの書き込みは、８ビッ
ト入出力信号線１７〜２４から入力された８ビットデー
タが外部入出力用信号線２８〜３０を通って不揮発性メ
モリ２〜４へ書き込まれる。さらに内蔵した不揮発性メ
モリを使って内部回路１６を動作させるときは不揮発性
メモリから内部回路用データ取込み信号線２５〜２７を
通って不揮発性メモリへ書き込まれたデータがそのまま
データ取込み回路１３〜ｌ５に取り込まれ、内部回路１
６を動作させる。

発明が解決しようとする課題しかしながら、上記のような構成では大半のＦＲＯＭラ
イタの書込み方法がプログラムへリファイ（ｌアドレス
書き込みとＦＲＯＭライタのデータと不揮発性メモリへ
書き込まれたデータとを比較し、同じならば次のアドレ
スへと進む方式）であるため、８ビット切替え入出力回
路１１・１２によってデータ８・データ９側に切り替わ
ったとき、残り６ビット（８ビット入出力信号線１９〜
２４）は゛１゛が出力されているので、ＰＲＯＭライタ
のデータも、第３図のように、残り６ビッｉ・は“′１
“でなければならない。このようにＰＲＯＭライタへの
データプログラムか非常に難しいとい５う問題点を有していた。

課題を解決するための手段本発明は、上記従来の問題点を解消するもので、内部回
路用テータ取込み信号線中にデータ反転回路を設けたデ
ータ処理装置であり、このデータ反転回路により不揮発
性メモリへ書き込まれたデータを反転させ、そのデータ
をデータ取込み回路に取り込み、内部回路を動作させる
こ之のできるものである。

作用本発明によると、内部回路用データ取込み信号線中にデ
ータ反転回路を設けたことにより、不揮発性メモリへ書
き込まれたデータを反転させ、そのデータが内部回路を
動作させる。そのために不揮発性メモリへの書き込みは
内部回路用データの反転データを書き込まなくてはなら
ない。しかし、ＦＲＯＭライタ側でＦＲＯＭライタに内
部回路用データをプログラムし反転すれば問題はない。

さらにＰＲＯＭライタ側でテータを反転させることによ
り、８ヒソ１・切替え入出力回路によっ６てデータ８・データ９側に切り替わったとき、残り６ビ
ットは゛Ｏ“゜をＦＲＯＭライタにフログラムすればよ
いので、ＰＲＯＭライタへのテータプログラムか非ｇに
簡単にできるようになる。

実施例第１図は、本発明の８で割り切れないビット構戊の不揮
発性メモリを内蔵したデータ処理装置の回路ブロック図
を示すものであり、１は１０ビソト構戊の不揮発性メモ
リを持つ半導体装置ブロックである。２〜４は不揮発性
メモリであり、２はデ〜タ０，３はデータ２、４はデー
タ８である。

５〜７はデータ書込み回路であり、５はデータ０用、６
はデータ２用、７はデータ８用である。８〜１０はデー
タ読出し回路であり、８はデータＯ用、９はデータ２用
、１０はテータ８用である。

１１．１２は８ビット切替え入出力回路であり、１１は
データ０・データ８用、１２はデータ２用である。１３
〜１５はデータ取込み回路であり、１３はデータＯ用、
１４はデータ２用、１５はテータ８用である。１６は内
部回路である。１７〜２４は８ビット入出力信号線であ
り、１７はデータＯ・データ８用、１８はデータ１・デ
ータ９用、ｌ９はデータ２用、２０はデータ３用、２１
はデータ４用、２２はテータ５用、２３はデータ６用、
２４はデータ７用である。２５〜２７は内部回路用デー
タ取込み信号線であり、２５はデタＯ用、２６はデータ
２用、２７はデータ８用である。２８〜３０は外部入出
力用信号線であり、２８はデータＯ用、２９はデータ２
用、３０はデータ８用である。３１は不揮発性メモリデ
ータ反転回路である。

このように構威された本実施例の８で割り切れないビッ
ト構或の不揮発性メモリを内蔵したデータ処理装置につ
いて、その動作について説明する。

まず、内蔵した不揮発性メモリへの書き込みは、８ビッ
ト入出力信号線ｌ７〜２４から入力された８ビットデー
タが外部入出力用信号線２８〜３０を通って不揮発性メ
モリ２〜４へ書き込まれる。たたし、書込みデータは内
部回路で使用するデータの反転データを書き込む。次に
内蔵した不揮発性メモリを使って内部回路１６を動作さ
せる時は不揮発性メモリから不揮発性メモリデータ反転
回路３１を経て内部回路用データ取込み信号線２５〜２
７を通って不揮発性メモリへ書き込まれたデータの反転
データがデータ取込み回路Ｊ３〜１５に取り込まれ、内
部回路１６を動作させる。

以上のように、本実施例によれば、内部回路用データ取
込み信号線２５〜２７中にデータ反転回路３］−を設け
たことにより、不揮発性メモリ２〜４へ書き込まれたデ
ータを反転させ、そのデータが内部回路１６を動作させ
る。そのために不揮発性メモリへの書き込みは内部回路
用データの反転データを書き込めるようになった。反転
データを書き込めるため、８ビット切替え入出力回路に
よってデータ８・データ９側に切り替わったとき、残り
６ビッ１・が″１“′ということを気にせずに、ＰＲＯ
Ｍライタにプログラムできる。また、このデータ処理に
内蔵した不揮発性メモリへのデータ書き込みは、Ｉ）　
Ｒ　Ｏ　Ｍライタにプロクラムした後、ＰＲＯＭ９ライタでデータを反転して書き込む。

発明の効果本発明によれば、１０ビットなどの８で割り切れないビ
ット構成の不揮発性メモリを内蔵したデータ処理装置に
不揮発性メモリデータ反転回路を設けることにより、内
蔵した不揮発性メモリへ内部回路用データの反転データ
を書き込めるようになったので、ＰＲＯＭライタへのデ
ータプログラムが簡単にできるという効果を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第■図は本発明の８で割り切れないビット構戊の不揮発
性メモリを内蔵したデータ処理装置の回路ブロック図、
第２図は従来の８で割り切れないビｙト構或の不揮発性
メモリを内蔵したデータ処理装置の回路ブロック図、第
３図はＦＲＯＭライタから８で割り切れないビット構成
の不揮発性メモリにデータを書込むメモリマップ図であ
る。１・・・・・・１０ビッ１・構成の不揮発性メモリを持
つ半導体装置ブロック、２・・・・・・不揮発性メモリ
（デ−］　０タＯ）、３・・・・・・不揮発性メモリ（データ２）、
４・・・・・・不揮発性メモリ（データ８）、１０・・
・・・・データ読出し回路（データ８用）、１１・・・
・・・８ビット切替え入出力回路（データＯ・データ８
用）、１２・・・・・・８ビット切替え入出力回路（デ
ータ２用）、３１・・・・・・不揮発性メモリ反転回路
。

Claims

【特許請求の範囲】

外部から入力される制御信号反転データを記憶する手段
と、前記制御信号により制御される内部回路と、前記記
憶手段と前記内部回路の間に設けられたデータ反転手段
とを有するデータ処理装置。