JPH03153020A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH03153020A JPH03153020A JP29260889A JP29260889A JPH03153020A JP H03153020 A JPH03153020 A JP H03153020A JP 29260889 A JP29260889 A JP 29260889A JP 29260889 A JP29260889 A JP 29260889A JP H03153020 A JPH03153020 A JP H03153020A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- alignment
- stage
- substrate
- light cable
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
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- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体装置製造工程中における感光性レジスト
を用いたフォトリソグラフィーにおいてパターンを形成
する露光装置にエツジ周辺露光機能を付属させることに
より歩留り向上及びトータルのスルーブツト向上を図る
ものである。
を用いたフォトリソグラフィーにおいてパターンを形成
する露光装置にエツジ周辺露光機能を付属させることに
より歩留り向上及びトータルのスルーブツト向上を図る
ものである。
[従来の技術]
感光性レジストを用いたフォトリソグラフィーにおいて
基板周縁に塗布レジストが厚(残り、後の工程におい℃
剥離・脱落などを起こし歩留りの低下を起こすことはよ
く知られているところである。そこでパターン露光前に
基板周縁のレジストをあらかじめ露光しておき現像時に
除去するための周辺露光装置が実用化され使用されてい
る。
基板周縁に塗布レジストが厚(残り、後の工程におい℃
剥離・脱落などを起こし歩留りの低下を起こすことはよ
く知られているところである。そこでパターン露光前に
基板周縁のレジストをあらかじめ露光しておき現像時に
除去するための周辺露光装置が実用化され使用されてい
る。
[発明が解決しようとする課題]
従来技術で用いられていたような専用の周辺露光装置に
よれば周縁のレジスト除去による効果は得ることができ
るがそれに伴い工程数の増加及び新たな装置購入の必要
があり結果として製造所要時間の長期化及び半導体装置
のコストの増加を招き周辺露光技術の導入を妨げていた
。
よれば周縁のレジスト除去による効果は得ることができ
るがそれに伴い工程数の増加及び新たな装置購入の必要
があり結果として製造所要時間の長期化及び半導体装置
のコストの増加を招き周辺露光技術の導入を妨げていた
。
[課題を解決するための手段]
前記課題を解決するためにはパターン露光時に同時に周
辺部も露光できればよいわけであり周辺露光機能を有す
る露光装置が求められてきた。又露光装置のスループッ
トを落とさないために本来のパターン露光とは別の場所
2時間に周辺露光を行えることが望ましい。上記内容を
実現する手段として露光装置に備えられている基板のプ
リセット部に周辺露光機能を持たせることとしスループ
ットの低下を防いだ。以下に実施例に基づき本発明の詳
細について述べる。
辺部も露光できればよいわけであり周辺露光機能を有す
る露光装置が求められてきた。又露光装置のスループッ
トを落とさないために本来のパターン露光とは別の場所
2時間に周辺露光を行えることが望ましい。上記内容を
実現する手段として露光装置に備えられている基板のプ
リセット部に周辺露光機能を持たせることとしスループ
ットの低下を防いだ。以下に実施例に基づき本発明の詳
細について述べる。
[実施例]
第1図に縮小投影露光装置のウエノ・−ローグー搬送系
及びプリアライメント部(周辺−×光fit 48部)
の模式図を示す。図において、1はウエノ・−キャリア
、2はウェハ抜き差しアーム、6は横スライドアーム、
4はウェイトアーム、5はプリアライメントステージ、
6は搬入量スライダー 7はライトケーブル、8はウェ
ハーステージ、9はオリフラセンサーである。ウェハ−
キャリア1より出てきた基板はアーム2〜4によってプ
リアライメントステージ5に運ばれプリアライメント部
でオリエンテーションフラットを検知さレウx t−−
ステージ8との位置決めをされた後プリアライメントス
テージ5上部のライトテーブル下洗ウェハー外周に添っ
て回転することによって周辺露光される機構を取った。
及びプリアライメント部(周辺−×光fit 48部)
の模式図を示す。図において、1はウエノ・−キャリア
、2はウェハ抜き差しアーム、6は横スライドアーム、
4はウェイトアーム、5はプリアライメントステージ、
6は搬入量スライダー 7はライトケーブル、8はウェ
ハーステージ、9はオリフラセンサーである。ウェハ−
キャリア1より出てきた基板はアーム2〜4によってプ
リアライメントステージ5に運ばれプリアライメント部
でオリエンテーションフラットを検知さレウx t−−
ステージ8との位置決めをされた後プリアライメントス
テージ5上部のライトテーブル下洗ウェハー外周に添っ
て回転することによって周辺露光される機構を取った。
この実施例においては新たに付は加わった機構としては
外部光源よりライトガイドによって導かれた露光用光源
ライトケーブル7(g線)及びウェハー外周形状に添っ
てライトケーブル7下を回転移動する機能を付加された
プリアライメントステージ5のみである。
外部光源よりライトガイドによって導かれた露光用光源
ライトケーブル7(g線)及びウェハー外周形状に添っ
てライトケーブル7下を回転移動する機能を付加された
プリアライメントステージ5のみである。
[発明の効果コ
以上述べた実施例の露光装置によれば本来のパターン露
光時にプリセット部において次処理の基板の周縁部に露
光されスループットの低下もな(また当然のとと(工程
の増加もな(大きな効果が得られた。又各露光装置に周
辺露光機能を付加するための追加改造を要するのみでよ
(、専用の周辺露光装置を複数台購入する必要もな(投
資の削減及びクリーンルームのスペース節約にもなりそ
の効果は非常に大きいものがあった。
光時にプリセット部において次処理の基板の周縁部に露
光されスループットの低下もな(また当然のとと(工程
の増加もな(大きな効果が得られた。又各露光装置に周
辺露光機能を付加するための追加改造を要するのみでよ
(、専用の周辺露光装置を複数台購入する必要もな(投
資の削減及びクリーンルームのスペース節約にもなりそ
の効果は非常に大きいものがあった。
第1図は本発明の実施例の露光装置のウエノ1−ローダ
ー搬送系及びプリアライメント部の・模式図1・・・・
・・・・・ウェハーキャリア2・・・・・・・・・ウェ
ハ抜き差しアーム5・・・・・・・・・横スライドアー
ム4・・・・・・・・・ウェイトアーム 5・・・・・・・・・プリアライメントステージ6・・
・・・・・・・搬入量スライダー7・・・・・・・・・
ライトケーブル 8・・・・・・・・・ウェハーステージ9・・・・・・
・・・オリフラセンサー以上
ー搬送系及びプリアライメント部の・模式図1・・・・
・・・・・ウェハーキャリア2・・・・・・・・・ウェ
ハ抜き差しアーム5・・・・・・・・・横スライドアー
ム4・・・・・・・・・ウェイトアーム 5・・・・・・・・・プリアライメントステージ6・・
・・・・・・・搬入量スライダー7・・・・・・・・・
ライトケーブル 8・・・・・・・・・ウェハーステージ9・・・・・・
・・・オリフラセンサー以上
Claims (1)
- 半導体装置製造工程内等における露光装置において基
板のプリセット部で基板のエッジ周辺部を露光する機能
を有することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29260889A JPH03153020A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29260889A JPH03153020A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03153020A true JPH03153020A (ja) | 1991-07-01 |
Family
ID=17784000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29260889A Pending JPH03153020A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03153020A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190021391A (ko) * | 2016-06-30 | 2019-03-05 | 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 | 엣지 노광 장치 및 방법 |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP29260889A patent/JPH03153020A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190021391A (ko) * | 2016-06-30 | 2019-03-05 | 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 | 엣지 노광 장치 및 방법 |
JP2019519818A (ja) * | 2016-06-30 | 2019-07-11 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント(グループ)カンパニー リミティド | エッジ露光装置及び方法 |
US10782614B2 (en) | 2016-06-30 | 2020-09-22 | Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. | Edge exposure device and method |
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