JPH026346A - 光ファイバ線引き炉 - Google Patents

光ファイバ線引き炉

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JPH026346A
JPH026346A JP3968688A JP3968688A JPH026346A JP H026346 A JPH026346 A JP H026346A JP 3968688 A JP3968688 A JP 3968688A JP 3968688 A JP3968688 A JP 3968688A JP H026346 A JPH026346 A JP H026346A
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Ichiro Yoshimura
一朗 吉村
Hiroaki Takimoto
滝本 弘明
Shigeru Ito
茂 伊藤
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分計〉 本発明は光ファイバ線引き炉に関する。
〈従来の技術〉 光ファイバは一般に、棒状の光ファイバ用ガラス母材を
炉中で加熱軟化させて延伸することにより線引きされろ
。この光ファイバの製造に用いられる線引き炉は、通常
、上部開口部より光ファイバ用ガラス母材を挿入し、光
ファイバを下方へ引き出す構成であり、炉内には不活性
ガスを満たすようになっており、その下部開口部には不
活性ガス雰囲気の保持のためのシャッタが配設されてい
る。
このような従来の光ファイバ線引き炉の一例を第6図に
示す。同図に示すように、炉本体1内にはヒータ2及び
炉心管3が設けられており、炉本体1の上部開口部1a
より光ファイバ用ガラス母材10を押入し、綿引きされ
た光ファイバ11を下部開口部1bより引き出すように
なっている。ここで、炉心管3内は不活性ガス12で満
されるようになっているので、下部開口部1bには、そ
の中央部に光ファイバ11の出口4aを有するシャッタ
4が設けられている。
〈発明が解決しようとする課題〉 前述した綿引き炉においては、炉上部より不活性がス1
2を流すと、不活性がス12は、図示のような比較的高
速の乱流となってシャッタ4の出口4aから外部へ流れ
出すようになる。
ところで、炉心管3内は約2000℃の高温であって、
炉心管3にはカーボンが用いられているため、炉心管3
の内周面近傍で光ファイバ用ガラス母材10の中のSi
と炉心管3のCとが反応してSiCが生成される。また
、不活性ガスとして窒素を用いた場合にはSi3N4な
ども生成される。このように生成したSiCやSi3N
4などは微粒子となって浮遊することになるので、不活
性ガスとともにシャッタ4の出口4aから外部へ流れ出
すようになる。
したがって、SiCやSi、N4などの微粒子がレヤッ
タ4の出口4aを通る際の光ファイバ11に付着し、フ
ァイバに錫をつけてファイバ強度を低下させろという問
題が発生していた。
本発明は、上記課題に鑑み、炉心管壁近傍などで生じた
SiC等の微粒子が光ファイバに付着しないようにした
光ファイバ線引き炉を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉 前記目的を達成する本発明の光ファイバ線引き炉の構成
は、棒状の光ファイバ用ガラス母材を不活性ガス雰囲気
中で加熱欲化させつつ延伸して光ファイバに線引きする
炉であって、炉本体の上部より不活性ガスを導入すると
共に下部開口部に光ファイバの出口を有するシャッタを
設けてなる光ファイバ線引き炉において、前記シャッタ
にガスを炉本体外へ排出する開口部を形成したことを特
徴とする。
く作   用〉 前記のように構成された本発明の線引き炉によって、炉
心管の内壁近傍に流入した不活性ガスはそのまま壁面に
そって流れてシャッタに設けられた開口部より外部へ流
出すようになって、光ファイバ出口で高速乱流が発生し
な(なり、特に炉本体の壁面近傍で生成する微粒子は効
果的に外部へ排出される。
く実 施 例) 以下、本発明を図示の実施例により詳細に説明する。尚
、従来技術と同一部材には同一符号を付し重複する説明
は省略する。
第1図は本発明の第1実施例に係る光フアイバ線引き炉
を示す断面図である。同図に示すように、本実施例は炉
本体1の下部開口部1bに複数の孔40bを有する円板
状のシャッタ40を設けている。このシャッタ40は第
2図に示すように、その中央部に光ファイバ11を引き
出すための出口40aを有するとともに、その外縁部に
出口40aを中心として同心円上に8個の孔40bが等
間隔に設けられている。このシャッタ40は図中左右に
2つに分割されており、第1図中左右方向へ開閉自在と
なっている。尚、1aは炉本体1の上部開口部、2はヒ
ータ、3は、炉心管、10は光ファイバ用ガラス母材で
ある。
そして、上記のように構成された線引き炉により、炉本
体1の上部から不活性ガス12を流入させながら光ファ
イバを線引きすると、不活性がス12はほぼ光ファイバ
11の軸方向にそって下方に流れることになり、従来の
ように乱流を生じることがない。したがって、炉心管3
の内壁近傍でSiCの微粒子が生じても、この微粒子を
含むガスは孔40bより効率よく外部へ排出できるので
、微粒子が光ファイバ11に付着することが極力抑えら
れる。
なお、本実施例のシャッタ40を用いても炉本体1の下
部開口1bの大部分は塞がれるので、炉内を十分、不活
性ガス雰囲気下に保つことができろ。
前記実施例において、炉心管の内径を約40調、シャッ
タ40の各孔40bの直径を5 mm(各孔40bは半
径1.5 Insの円周上に設けられている。)に形成
した線引き炉で製造した光ファイバの700gスクリー
ニングによる平均破断長は、従来の同条件(炉心管3の
内径:40m+n)で製造された光ファイバの50km
から150に@へと向上した。
本実施例において、シャッタ40に設ける孔40bは円
形のものに限定されず、例えばスリット状のものでもよ
く、即ち、ガスを通すものであればよい。前記した孔4
0bはシャッタ40の外縁部に設けるのは、炉心管3の
内壁近傍で発生したSiC等を効率よく外部へ排出する
ためである。また孔40bは、小さいものを数多く設け
た方がガスの流れを均一にするという点で好ましい。さ
らに上記実施例のように同形状の孔を同心円上に配設す
れば、ガスの流れをさらに均一にするという効果が得ら
れる。
第3図は、本発明の第2実施例に係る線引き炉のシャッ
タ41を示す平面図である。尚、他の構成は前記実施例
と同様である。本例では、円板状のシャック41に設け
た光ファイバ11の出口41aを中心として同心円上に
メンシュ50を配設した構成であり、前記実施例同様S
iC等の微粒子を含むガスを光ファイバ11の軸方向に
沿ってメツシュ5oがら外部へ良好に排出することがで
きる。
第4図は、本発明の第3実施例に係る線引き炉を示す断
面図である。本例では光ファイバ11の出口42aを有
する円板状のシャッタ42を下部開口部1bの下方に配
設し、下部開口部1bの下面とシャッタ42の上面間に
隙間42bを設けた構成である。他の構成は前記第1*
施例と同様である。本例もSiC等の微粒子を含むガス
を光ファイバ11の軸方向に沿って隙間42bから外部
へ良好に排出することができる。
第5図は、本発明の第4実施例に係る線引き炉を示す断
面図である。本例では下部開口部1bの内周より小径に
形成した光ファイバ11の出口43aを有する円板状の
シャッタ43を下部開口部1bに配設し、下部開口部1
bの内周面とシャッタ43の外周面間に隙間43bを設
けた構成である。他の構成は前記第1実施例と同様であ
る。本例もSiC等の微粒子を含むガスを光ファイバ1
1の軸方向に沿って隙間43bから外部へ良好に排出す
ることができる。
〈発明の効果〉 以上、実施例とともに具体的に説明したように、本発明
の光ファイバ線引き炉によれば、炉内壁近1労で生じた
SiCなどの微粒子は内壁にそって流れてシャックの孔
より外部に排出されるようになり、また従来のように乱
流が生じることがないので、微粒子が光ファイバに付着
して光ファイバの強度を低下させることがない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例に係る光ファイバ線引き炉
を示す断面図、第2図は同光ファイバ線引き炉のレヤッ
タを示す平面図、第3図は本発明の第2実施例に係る光
ファイバ線引き炉のシャッタを示す平面図、第4図は本
発明の第3実施例に係る光ファイバ線引き炉を示す断面
図、第5図は本発明の第4実施例に係る光ファイバ線引
き炉を示す断面図、第6図は従来の光ファイバ線引き炉
を示す断面図である。 図  面  中、 1は炉本体、 1bは下部開口部、 10は光ファイバ用ガラス母材、 11は光ファイバ、 40.41,42,43はシャッタ、 40a、41a、42a、43aは出口、40bは孔、 42b、43bは隙間、 50はメツシュである。 特  許  出  願  人 住友電気工業株式会社 代    理    人

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)棒状の光ファイバ用ガラス母材を不活性ガス雰囲
    気中で加熱軟化させつつ延伸して光ファイバに線引きす
    る炉であって、炉本体の上部より不活性ガスを導入する
    と共に下部開口部に光ファイバの出口を有するシャッタ
    を設けてなる光ファイバ線引き炉において、前記シャッ
    タにガスを炉本体外へ排出する開口部を形成したことを
    特徴とする光ファイバ線引き炉。
  2. (2)前記開口部は、光ファイバの出口を中心として同
    心円上に配置した複数個の孔からなることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の光ファイバ線引き炉。
  3. (3)前記開口部は、光ファイバの出口を中心として同
    心円上に配設したメッシュからなることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の光ファイバ線引き炉。
  4. (4)前記開口部は、炉本体の下部開口部の下面とシャ
    ッタの上面とで形成した隙間からなることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の光ファイバ線引き炉。
  5. (5)前記開口部は、炉本体の下部開口部の内周面とシ
    ャッタの外周面とで形成した隙間からなることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の光ファイバ線引き炉。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US5637130A (en) * 1993-07-13 1997-06-10 Sumitomo Electric Industries, Inc. Method and furnace for drawing optical fibers
CN108975678A (zh) * 2018-10-30 2018-12-11 湖北凯乐量子通信光电科技有限公司 拉丝炉高温提棒防石墨件氧化装置

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