JPH0640750A - ハーメチックコート光ファイバの製造装置 - Google Patents

ハーメチックコート光ファイバの製造装置

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JPH0640750A
JPH0640750A JP5052238A JP5223893A JPH0640750A JP H0640750 A JPH0640750 A JP H0640750A JP 5052238 A JP5052238 A JP 5052238A JP 5223893 A JP5223893 A JP 5223893A JP H0640750 A JPH0640750 A JP H0640750A
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    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ハーメチックコート光フアイバの量産製造に
適した製造装置の提供。 【構成】 光ファイバ用プリフオームを線引炉で溶融、
紡糸して裸ファイバとした後、該裸ファイバを反応容器
内に導入すると共に、該反応容器内に原料ガスを導入
し、該裸ファイバ上に化学気相析出法により薄膜被覆層
を形成するハーメチックコート光ファイバの製造装置に
おいて、該反応容器は原料ガス導入手段を有する上部、
反応部である中間部、排気手段を有する下部の3部分か
ら構成され、該中間部の内部の断面積は該上部の内部の
断面積よりも大きいものであることを特徴とする。固体
粒子等の堆積を低減できるので、長時間のコーティング
を可能とし、耐水素特性,機械的特性共に優れたハーメ
チックコート光フアイバを生産性向上して製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は耐水素特性及び機械的特
性共に優れたハーメチックコート光ファイバの量産製造
に適した製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光ファイバへのハーメチックコートは、
光ファイバへの水及び水素等、外気の浸入を防ぐ手段と
して有効である。コーティング材料としては金属(合金
を含む)、炭素等の無機材料が一般的であり、この中で
も炭素コーティングはその化学的安定性、組織の緻密性
等の面から優れており、そのコーティング方法としては
原料ガスを化学的に反応させて、ファイバ表面に析出さ
せるCVD法が成膜速度及び膜質の点で有利であること
が知られている。従来このような技術として例えば米国
特許第4,790,625 号明細書、欧州特許第0,308,143 号明
細書等に示されているような製造装置がある。反応容器
はこれらに記載されるように上からシールガス導入口、
原料ガス導入口、排気ガス排出口を有するタイプが代表
的で、紡糸された高温のファイバはこれら原料ガス導入
口と排出口との間で熱的化学反応によりハーメチックコ
ートが施される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来このような装置で
は気相中に生成した固体粒子、例えばカーボン粒子が反
応容器の内壁に付着し、長尺にコーティングしようとす
ると、それが徐々に堆積して反応容器を塞いで線引きの
継続が不可能になるという問題があった。従ってかかる
問題を解決しなければ歩留りは向上せず、生産性を高め
ることはできない。そこで、本発明では固体粒子等の堆
積が低減できるハーメチックコート光ファイバの製造装
置を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】かかる問題を解決するた
めに本発明者等は鋭意検討を重ねた結果、反応容器の形
状を上部より下部にかけてその内径を増加させ、その材
質を化学的に安定で、かつ耐熱性の高いものとし、その
内壁面を鏡面状に滑らかなものとすることにより上記目
的を達成できる装置となることを見出した。またこの装
置を用いて原料条件を好適に設定することにより、耐水
素特性および機械的特性共に優れたハーメチックコート
光ファイバを高い生産性で製造できた。すなわち本発明
は、光ファイバ用プリフオームを線引炉で溶融、紡糸し
て裸ファイバとした後、該裸ファイバを反応容器内に導
入すると共に、該反応容器内に原料ガスを導入し、該裸
ファイバ上に化学気相析出法により薄膜被覆層を形成す
るハーメチックコート光ファイバの製造装置において、
該反応容器は原料ガス導入手段を有する上部、反応部で
ある中間部、排気手段を有する下部の3部分から構成さ
れ、該中間部の内部の断面積は該上部の内部の断面積よ
りも大きいものであることを特徴とする上記製造装置を
提供する。
【0005】図1に本発明の装置の一具体例を示す。1
は線引炉、2は線引炉と反応容器5を繋ぐガスシールド
で、開閉度自在の開口部9を有し、長さも自由に設定で
きる。5が本発明に係る反応容器であり、テーパー状に
下部に向かいその内部の断面積が大きくなっている。3
は上部シールガス導入管、6は排気管、7はファイバ保
護管、8は下部シールガス導入管、10はハーメチック
コート光ファイバをそれぞれ示す。反応容器の断面形状
は、容器内のガスの流れが均一になれば特に制限は無い
が、好ましくは正方形等の線対称形、より好ましくは円
形のような点対称形のほうがガスの流れもそれに応じて
ファイバを軸として対称な形で流れるのでファイバ周方
向のコーティングの均一性の点で有利である。
【0006】
【作用】本発明者らの所見によれば、気体中で生成した
固体粒子(以下単に粒子という)の堆積は、反応容器の
形状及び内壁面の形状に大きく左右される。すなわち内
壁面に突起や大きな凹凸が存在すると、その部分でガス
の流れが乱れ微視的な澱み部分が形成されたりして、粒
子が優先的に堆積し易くなる。従って粒子の堆積を効果
的に防止するためにはこの内面形状を鏡面状に滑らかに
することがまず効果的である。しかしながら、これだけ
では不十分で、反応容器の形状も堆積防止には重要な役
割を果たすことを見いだした。すなわち、反応容器の断
面積を上部より中間部を大きくすることにより粒子の堆
積を著しく減少させることができ、更に図1に示したよ
うに下部にいくに従ってその断面積を増加させると更に
粒子が堆積しにくくなる。なお、断面円形の反応管の場
合、中間部の内径が該上部の内径よりも大きいものが好
ましく、図1に示したように下部にいくに従ってその内
径を増加させると更に粒子が堆積しにくくなる。これは
ガスの流れと粒子の移動現象の変化によって粒子が壁面
に付着するのを効果的に防ぐためと考えられる。また、
本発明者らの所見では、粒子が最も多く堆積する場所
は、原料ガス導入部(上部)、及び排気口近傍(下部)
の二箇所である。従って図2に示すように、この部分の
形状をなだらかに太くすることも効果的である。具体的
には本発明装置において、該反応容器の上部における断
面積はおよそ80〜700mm2 、下部における断面積
は700〜5000mm2 程度が好ましく、断面が円形
の容器の場合には、該反応容器の上部における最小径は
10mm〜30mm、下部における最大径は30mm〜
80mmであることが特に好ましい。これは上部の最小
断面積(断面が円形の場合は最小径)が小さすぎる(例
えば最小径10mm以下)と、僅かな粒子の堆積でも反
応管を閉塞させてしまい、また大きすぎると原料ガスが
ファイバに届きにくくなり良好なコーティングができな
くなってしまうためである。また下部の最大断面積(断
面が円形の場合は最大径)が大きすぎるとその部分での
容器内のガス流速が低くなるため澱みを生じやすく粒子
の堆積を誘発してしまう。本発明の反応容器の材質とし
ては、高い耐熱性と耐蝕性、耐熱的衝撃性、表面粗さ及
び加工性の点から透明石英ガラスが最も適しており、場
合によってはシリコン、チタン等の金属の炭化物や窒化
物のセラミックス、あるいは炭素等の材質も使用でき
る。またこれらを表面にコーティング処理した複合材料
ももちろん利用できる。
【0007】本発明の製造装置を用いたハーメチックコ
ート光ファイバ製造の好ましい条件についても種々検討
した。その結果、原料ガスとしては例えば、炭化水素
類,ハロゲン化炭化水素類,ハロゲン化炭素,ハロゲン
ガス等を用いることができるが、特にエチレンとクロロ
ホルムとの混合ガスが好適であった。エチレンとクロロ
ホルムの混合比率は、混合ガス中の水素原子数と塩素原
子数の比が1.3以上、好ましくは1.6以上の場合
に、得られたハーメチックコート光ファイバの耐水素特
性が優れることが判明した(後記各実施例、比較例参
照)。図3は原料組成と耐水素特性の関係を示したもの
である。横軸はH/Cl、縦軸は水素分子の吸収帯であ
る波長1.24μmにおける伝送損失増加量を示してい
る。この原料組成は反応容器の形状及び断面積に従って
適宜決められる。原料の総量は少なすぎると形成される
カーボン被覆の厚さが不十分となり、良好な耐水素特性
が得られない。また多すぎても粒子の生成を増長させ、
得られる被覆膜の性質も劣化する。これらのことから原
料の総流量はおよそ100〜1000cc/minが適
当である。
【0008】
【実施例】以下、実施例を参照しながら詳細に説明す
る。 実施例1 図1に示すような反応容器を用いてコーティングを行っ
た。上部の内径は20mm、下部の内径は60mm、中
部は上部より大きい内径でなだらかなテーパ形状に内径
及び断面積が増加している。原料総流量250cc/m
inとし、原料組成と耐水素特性の関係を調べ(図
3)、原料組成H/Clを1.6とした。この条件下で
約150km線引き後、反応容器内部を観察したとこ
ろ、上部、下部共に粒子の堆積は殆ど認められず、また
得られたハーメチックコート光ファイバの耐水素特性及
び機械的特性は共に良好であった。
【0009】実施例2 図2に示すような本発明の反応容器を用いてハーメチッ
クコートコーティングを行った。上部の内径は20mm
で、原料導入管下部約1cmから径を広げて、中間部で
は内径約32mm、下部では内径約60mmとした。こ
れは粒子堆積の著しい場所のみ径を拡げたタイプであ
る。この場合も実施例1と同様の条件で約150kmコ
ーティングを行い、反応容器内部を調べたところ、容器
内に粒子の堆積は殆ど認められず、得られたファイバの
耐水素特性及び機械的特性共に良好であった。原料組成
と耐水素特性の関係を調べた結果を図3に示す。
【0010】実施例3 図2に示すような本発明の反応容器を用いてハーメチッ
クコーティングを行った。但し、この反応容器の断面形
状は正方形であり、上部における内部の一辺の長さは2
5mm、原料導入管下部約1cmから内部の寸法を大き
くし、中間部では内部の一辺の長さが35mm、そして
同様に断面積を大きくして下部では一辺の長さを50m
mとした。これは粒子堆積の著しい場所のみ断面積を広
げた断面形状が正方形のタイプである。この場合も約1
50kmコーティング後、反応容器内部を観察したとこ
ろ、粒子の堆積は僅かで更にコーティングが可能な状態
であった。
【0011】比較例1 原料ガスにC2 4 とCHCl3 とを用い、CHCl3
のキャリヤーガスとしてはHe を用いて、石英ファイバ
上にカーボンをコーティングした。また上部シールガス
にはN2 を、下部シールガスには空気を使用した。線引
き速度は200m/minで行った。反応容器は図4に
示すタイプの石英製でその内径は上部、下部とも20m
mと一定にし、反応管長は700mmとした。原料組成
と耐水素特性の関係を調べた結果を図3に示す。図3の
実験の結果により原料の流量を次のようにした。 C2 4 : 114cc/min CHCl3 : 132cc/min(H/Cl=1.
5) このような条件の下でコーティングを行ったところ、内
面形状の滑らかな材質の反応容器を使用したため中間部
では粒子の堆積はほとんど認められず、約60kmまで
線引長を延ばすことができたが、反応管上部及び下部で
粒子の堆積が著しく、更に継続することは困難な状態と
なった。
【0012】比較例2 反応容器の内径は上部及び中部が36mm、下部60m
mとし、図5に示すようにその内径変化部を排気口近辺
に設けた。ガスの流量条件は比較例1と同様とした。こ
のような反応管でコーティングを行った。約150km
線引き後、反応容器内部を観察したところ、下部での粒
子の堆積は認められなかったが、上部原料導入口直下で
の堆積は著しかった。また、得られた光ファイバの耐水
素特性は広い原料組成域にわたり、比較例1に比べ劣化
した。原料組成と耐水素特性の関係を調べた結果を図3
に示す。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の装置を用
いることによって長時間の連続コーティングが可能とな
り、生産性の向上に大いに役立つ。また、本発明による
ハーメチックコート光ファイバは耐水素特性、機械的特
性共に優れた高品質のものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施態様を示す概略説明図である。
【図2】 本発明の他の実施態様を示す概略説明図であ
る。
【図3】 本発明または従来の製造装置を用いてハーメ
チックコート光ファイバを製造するときの、原料ガス組
成と得られた光ファイバの耐水素特性との関係を示すグ
ラフ図である。
【図4】 比較例1で用いた従来装置を示す概略説明図
である。
【図5】 比較例2で用いた装置の概略説明図である。
【符合の説明】
1 線引炉 2 ガスシールド 3 シールガス導入管 4 原料ガス導入管 5 反応容器本体 6 排気管 7 ファイバ保護管 8 シールガス導入管 9 開口部 10 ハーメチックコート光ファイバ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光ファイバ用プリフオームを線引炉で溶
    融、紡糸して裸ファイバとした後、該裸ファイバを反応
    容器内に導入すると共に、該反応容器内に原料ガスを導
    入し、該裸ファイバ上に化学気相析出法により薄膜被覆
    層を形成するハーメチックコート光ファイバの製造装置
    において、該反応容器は原料ガス導入手段を有する上
    部、反応部である中間部、排気手段を有する下部の3部
    分から構成され、該中間部の内部の断面積は該上部の内
    部の断面積よりも大きいものであることを特徴とする上
    記製造装置。
  2. 【請求項2】 前記反応容器は2以上の部分において断
    面積が変化するものであることを特徴とする請求項1記
    載の製造装置。
  3. 【請求項3】 前記反応容器の下部の内部の断面積は中
    間部の内部の断面積よりも大きいことを特徴とする請求
    項1または請求項2記載の製造装置。
  4. 【請求項4】 前記反応容器の上部における内部の最小
    断面積が80〜700mm2 、下部における内部の最大
    断面積が700〜5000mm2 であることを特徴とす
    る請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の製造装
    置。
  5. 【請求項5】 前記反応容器の内部の断面積は、該上部
    より下方に向かってテーパー状になだらかに増加してい
    ることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか
    に記載の製造装置。
  6. 【請求項6】 前記反応容器は断面が円形もしくは正方
    形のものであることを特徴とする請求項1ないし請求項
    5のいずれかに記載の製造装置。
  7. 【請求項7】 前記反応容器は断面が円形で上部におけ
    る最小径は10mm〜30mm、下部における最大径は
    30mm〜80mmであることを特徴とする請求項6に
    記載の製造装置。
  8. 【請求項8】 前記反応容器の内面は鏡面状に滑らかで
    あることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれ
    かに記載の製造装置。
  9. 【請求項9】 前記反応容器の材質が透明石英ガラスで
    あることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれ
    かに記載の製造装置。
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