JPH0248810A - 高周波利得制御装置 - Google Patents
高周波利得制御装置Info
- Publication number
- JPH0248810A JPH0248810A JP19794888A JP19794888A JPH0248810A JP H0248810 A JPH0248810 A JP H0248810A JP 19794888 A JP19794888 A JP 19794888A JP 19794888 A JP19794888 A JP 19794888A JP H0248810 A JPH0248810 A JP H0248810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gain control
- diodes
- diode
- resistor
- pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Attenuators (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、映像分野の高周波利得制御装置に関するもの
である。
である。
（従来の技術）
近年、高周波利得制御装置は、映像産業の発展に伴い、
益々高性能化が要求されている。
益々高性能化が要求されている。
第２図は、従来の高周波利得制御装置の構成を示すもの
である。同図において、２１．２２．２３はピンダイオ
ード、２４．２５はコンデンサ、 ２６．２７．２８゜
２９、３０．３１．３２は抵抗器、３３はチョークコイ
ル、３４はＮＰＮトランジスタ、３５は入力端子、３６
は出力端子、３７は利得制御端子であり、３８は電源端
子である。
である。同図において、２１．２２．２３はピンダイオ
ード、２４．２５はコンデンサ、 ２６．２７．２８゜
２９、３０．３１．３２は抵抗器、３３はチョークコイ
ル、３４はＮＰＮトランジスタ、３５は入力端子、３６
は出力端子、３７は利得制御端子であり、３８は電源端
子である。
次に、動作を説明する。
入力信号は入力端子３５より入力され、ピンダイオード
２２のアノードとピンダイオード２３のカソードと抵抗
器３１とチョークコイル３３の交点に供給される。抵抗
器３１は他端が接地されている。ピンダイオード２３は
アノードがコンデンサ２５によって接地され、さらに抵
抗器２８．２９．３０を介して電源に接続される。さら
に、入力端子はチョークコイル３３を介してＮＰＮトラ
ンジスタ３４のエミッタに接続される。ＮＰＮ）−ラン
ジスタ３４のコレクタは抵抗器２９と３０の交点に接続
されるとともに、抵抗器３０を介して電源に接続される
。ピンダイオード２２のカソードは抵抗器３２を介して
接地されるとともに、ピンダイオード２１のカソードに
接続され、ピンダイオード２１のアノードはコンデンサ
２４を介して接地され、抵抗器２６．２７を介して接地
される。
２２のアノードとピンダイオード２３のカソードと抵抗
器３１とチョークコイル３３の交点に供給される。抵抗
器３１は他端が接地されている。ピンダイオード２３は
アノードがコンデンサ２５によって接地され、さらに抵
抗器２８．２９．３０を介して電源に接続される。さら
に、入力端子はチョークコイル３３を介してＮＰＮトラ
ンジスタ３４のエミッタに接続される。ＮＰＮ）−ラン
ジスタ３４のコレクタは抵抗器２９と３０の交点に接続
されるとともに、抵抗器３０を介して電源に接続される
。ピンダイオード２２のカソードは抵抗器３２を介して
接地されるとともに、ピンダイオード２１のカソードに
接続され、ピンダイオード２１のアノードはコンデンサ
２４を介して接地され、抵抗器２６．２７を介して接地
される。
抵抗器２７の交点は、抵抗器２８．２９の交点に接続さ
れている。利得制御端子３７がＯｖの時は、チョークコ
イル３３には電流が流れないので、ピンダイオード２１
．２３には電流が流れ、コンデンサ２４．２５により信
号成分が大きく減衰することになる。利得制御端子３７
の電圧値が上昇すると、ピンダイオード２１．２３は逆
バイアスになり、ピンダイオード２２が導通し始め、利
得制御量は最小になる。
れている。利得制御端子３７がＯｖの時は、チョークコ
イル３３には電流が流れないので、ピンダイオード２１
．２３には電流が流れ、コンデンサ２４．２５により信
号成分が大きく減衰することになる。利得制御端子３７
の電圧値が上昇すると、ピンダイオード２１．２３は逆
バイアスになり、ピンダイオード２２が導通し始め、利
得制御量は最小になる。
（発明が解決しようとする課題）
上記従来の構成では、ピンダイオード２１．２３が導通
し、ピンダイオード２２の導通が制限され始める時に、
信号径路のインピーダンスが急激に変化するために入力
径路の反射量が増大し、ミスマツチング状態になる欠点
があった。さらに、この高周波利得制御装置を他の装置
と縦続接続する場合には、利得制御のかかる順位を決め
なければならず、そのための利得制御の遅延回路を設定
する必要があり、複雑になる欠点があった。
し、ピンダイオード２２の導通が制限され始める時に、
信号径路のインピーダンスが急激に変化するために入力
径路の反射量が増大し、ミスマツチング状態になる欠点
があった。さらに、この高周波利得制御装置を他の装置
と縦続接続する場合には、利得制御のかかる順位を決め
なければならず、そのための利得制御の遅延回路を設定
する必要があり、複雑になる欠点があった。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、利得制御が開始
される状態において、かかるインピーダンス変化を軽減
するとともに、簡単な構成の利得制御遅延回路を含んだ
高周波利得制御装置を提供することである。
される状態において、かかるインピーダンス変化を軽減
するとともに、簡単な構成の利得制御遅延回路を含んだ
高周波利得制御装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
本発明の高周波利得制御装置は、ピンダイオードをπ型
に構成し、信号の通過径路にない信号減衰用の２つのピ
ンダイオードには、信号系の特性インピーダンスの近辺
にある抵抗器を直列に挿入し、信号減衰用の２つのピン
ダイオードを駆動するために、電源よりツェナーダイオ
ードを挿入して固定電位を得、信号の通過径路にあるピ
ンダイオードを駆動する制御用の電位が、ツェナーダイ
オードの固定電位から電源電圧までの間で利得制御がな
されるようにするものである。
に構成し、信号の通過径路にない信号減衰用の２つのピ
ンダイオードには、信号系の特性インピーダンスの近辺
にある抵抗器を直列に挿入し、信号減衰用の２つのピン
ダイオードを駆動するために、電源よりツェナーダイオ
ードを挿入して固定電位を得、信号の通過径路にあるピ
ンダイオードを駆動する制御用の電位が、ツェナーダイ
オードの固定電位から電源電圧までの間で利得制御がな
されるようにするものである。
（作 用）
本発明は上記構成により、利得制御開始電圧においては
、利得制御用のピンダイオードに直列に挿入された固定
抵抗が信号系のインピーダンスにマツチングするように
作用するとともに、利得制御開始電圧はツェナーダイオ
ードにより制御電位を電源電位より一定値だけ低い値に
設定でき、他の高周波利得制御装置との縦続接続時の分
担を可能にするものである。
、利得制御用のピンダイオードに直列に挿入された固定
抵抗が信号系のインピーダンスにマツチングするように
作用するとともに、利得制御開始電圧はツェナーダイオ
ードにより制御電位を電源電位より一定値だけ低い値に
設定でき、他の高周波利得制御装置との縦続接続時の分
担を可能にするものである。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。
第１図は、本発明の高周波利得制御装置の詳細図である
。同図において、１，２．３はピンダイオード、４はバ
イパス容量、５，６，７．８はバイアス抵抗器、９はＮ
ＰＮトランジスタ、１０．１１はチョークコイル、１２
はツェナーダイオード、１３は入力端子、１４は出力端
子、１５は制御端子であり、１６は電源端子である。
。同図において、１，２．３はピンダイオード、４はバ
イパス容量、５，６，７．８はバイアス抵抗器、９はＮ
ＰＮトランジスタ、１０．１１はチョークコイル、１２
はツェナーダイオード、１３は入力端子、１４は出力端
子、１５は制御端子であり、１６は電源端子である。
次に、動作を説明する。
入力信号は入力端子１３より入力され、ピンダイオード
２，３．抵抗器８およびチョークコイル１０の交点に接
続される。チョークコイル１０の他方はＮＰＮトランジ
スタ９のエミッタに接続され、ＮＰＮトランジスタ９の
ベースは抵抗器１７を介して制御端子１５に接続され、
トランジスタ９のコレクタは電源に接続されている。
２，３．抵抗器８およびチョークコイル１０の交点に接
続される。チョークコイル１０の他方はＮＰＮトランジ
スタ９のエミッタに接続され、ＮＰＮトランジスタ９の
ベースは抵抗器１７を介して制御端子１５に接続され、
トランジスタ９のコレクタは電源に接続されている。
ピンダイオード１，２．３はπ型構成となっていて、信
号の出力側がカソードと共通になっており、信号径路に
あるピンダイオード２の両端は、抵抗器７，８によって
接地されている。ピンダイオード１のアノードは、抵抗
器５を介して抵抗器６、チョークコイル１１．容量４の
交点に接続されている。容量４は他端が接地され、ピン
ダイオード１，３が導通する時に信号成分を減衰させる
役目を持っている。抵抗器５（３３Ω）と抵抗器６（６
８Ω）は、ピンダイオード１と抵抗器６が導通する時に
回路の入出力インピーダンスをミスマツチさせないため
に設置されるものであり、実験によれば、利得制御量０
〜２０ｄＢにおいて入出力のリターンロスは１０ｄＢ以
上を確保できている。チョークコイル１１（Ｉ ＪＪＨ
）は、ツェナーダイオード１２（６，２Ｖ）とバイアス
抵抗器１８により５．８ｖが強制的に与えられており、
この回路では入力端子１３の電位が５．８ン以上ではじ
めて最大減衰量を脱し、１２Ｖの時最小透過損失となる
ようになされている。抵抗器１９（３，３１Ω）と抵抗
器６（６８Ω）は、ピンダイオード３にバイアス電流を
流すためのものであり、ピンダイオード１，２．３に電
流が分配される動作時に、入出力のインピーダンスを一
定にするのに役立っている。
号の出力側がカソードと共通になっており、信号径路に
あるピンダイオード２の両端は、抵抗器７，８によって
接地されている。ピンダイオード１のアノードは、抵抗
器５を介して抵抗器６、チョークコイル１１．容量４の
交点に接続されている。容量４は他端が接地され、ピン
ダイオード１，３が導通する時に信号成分を減衰させる
役目を持っている。抵抗器５（３３Ω）と抵抗器６（６
８Ω）は、ピンダイオード１と抵抗器６が導通する時に
回路の入出力インピーダンスをミスマツチさせないため
に設置されるものであり、実験によれば、利得制御量０
〜２０ｄＢにおいて入出力のリターンロスは１０ｄＢ以
上を確保できている。チョークコイル１１（Ｉ ＪＪＨ
）は、ツェナーダイオード１２（６，２Ｖ）とバイアス
抵抗器１８により５．８ｖが強制的に与えられており、
この回路では入力端子１３の電位が５．８ン以上ではじ
めて最大減衰量を脱し、１２Ｖの時最小透過損失となる
ようになされている。抵抗器１９（３，３１Ω）と抵抗
器６（６８Ω）は、ピンダイオード３にバイアス電流を
流すためのものであり、ピンダイオード１，２．３に電
流が分配される動作時に、入出力のインピーダンスを一
定にするのに役立っている。
以上のように、本実施例によれば、利得を減衰させるピ
ンダイオードに直列に抵抗器を挿入し、電流からツェナ
ー電位だけ低い固定電位により、動作点を前記固定電位
以上で使用できるため、利得制御電位の分担が明確にな
り、利得制御時におけるインピーダンスマツチングに優
れ、かつ安定した利得制御を行うことが可能である。
ンダイオードに直列に抵抗器を挿入し、電流からツェナ
ー電位だけ低い固定電位により、動作点を前記固定電位
以上で使用できるため、利得制御電位の分担が明確にな
り、利得制御時におけるインピーダンスマツチングに優
れ、かつ安定した利得制御を行うことが可能である。
（発明の効果）
本発明によれば、π型に組まれたピンダイオードの利得
制御用の２つのピンダイオードに直列に低抵抗を接続す
ることにより、利得制御時のインピーダンスのずれを軽
減できるとともに、利得制御電位の一部を使用した多段
利得制御を行う場合に、安定した動作を確保することが
でき、その実用上の効果は極めて大である。
制御用の２つのピンダイオードに直列に低抵抗を接続す
ることにより、利得制御時のインピーダンスのずれを軽
減できるとともに、利得制御電位の一部を使用した多段
利得制御を行う場合に、安定した動作を確保することが
でき、その実用上の効果は極めて大である。
第１図は本発明の一実施例における高周波利得制御装置
の回路図、第２図は従来の高周波利得制御装置の回路図
である。 １．２．３・・・ピンダイオード、 ４・・・バイパス
容量、 ５，６，７，８，１７，１８．１９・・・バ
イアス抵抗器、 ９・・・ＮＰＮ）−ランジスタ、 １
０．１１・・・チョークコイル、 １２・・・ツェナー
ダイオード、 １３・・・入力端子、１４・・・出力端
子、 １５・・・制御端子、 １６・・・電源端子。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 １．２．３−、 ビ）り′イ４−ド ４ｏ−、バイ
パス８ｔ５．６．７．８．１７．１８．ｌ９−ＪＲ７ス
＆ＪＷ ９−ＮＰＮト”７ン”；入り１０．１１−
＋ヨークコイル １２− ンエナーダ／オード第２図 ＶＣＣ（１２Ｖ ） １３− 人ケ媚子 １４、−、工乃酬子１５−ｆｉ
ｌｌｌｌｌｌ］ｌ！ｌｒ） １６−−電１瑚±ＶＣＣ
（１２Ｖ）
の回路図、第２図は従来の高周波利得制御装置の回路図
である。 １．２．３・・・ピンダイオード、 ４・・・バイパス
容量、 ５，６，７，８，１７，１８．１９・・・バ
イアス抵抗器、 ９・・・ＮＰＮ）−ランジスタ、 １
０．１１・・・チョークコイル、 １２・・・ツェナー
ダイオード、 １３・・・入力端子、１４・・・出力端
子、 １５・・・制御端子、 １６・・・電源端子。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 １．２．３−、 ビ）り′イ４−ド ４ｏ−、バイ
パス８ｔ５．６．７．８．１７．１８．ｌ９−ＪＲ７ス
＆ＪＷ ９−ＮＰＮト”７ン”；入り１０．１１−
＋ヨークコイル １２− ンエナーダ／オード第２図 ＶＣＣ（１２Ｖ ） １３− 人ケ媚子 １４、−、工乃酬子１５−ｆｉ
ｌｌｌｌｌｌ］ｌ！ｌｒ） １６−−電１瑚±ＶＣＣ
（１２Ｖ）
Claims (1)
- ピンダイオードをπ型に構成し、信号の通過径路にない
信号減衰用の２つのピンダイオードには、信号系の特性
インピーダンスの近辺にある抵抗器を直列に挿入し、信
号減衰用の２つのピンダイオードを駆動するために、電
源よりツェナーダイオードを挿入して固定電位を得、前
記信号の通過径路にあるピンダイオードを駆動する制御
用の電位が、前記ツェナーダイオードの固定電位から電
源電圧までの間で利得制御がなされるようにすることを
特徴とする高周波利得制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19794888A JPH0248810A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 高周波利得制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19794888A JPH0248810A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 高周波利得制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0248810A true JPH0248810A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16382968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19794888A Pending JPH0248810A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 高周波利得制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0248810A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525146U (ja) * | 1991-08-23 | 1993-04-02 | 株式会社長府製作所 | ガス給湯器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715511A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Variable attenuator |
| JPS6244524B2 (ja) * | 1976-02-19 | 1987-09-21 | Roussel Uclaf | |
| JPS6376608A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波増幅装置 |
-
1988
- 1988-08-10 JP JP19794888A patent/JPH0248810A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6244524B2 (ja) * | 1976-02-19 | 1987-09-21 | Roussel Uclaf | |
| JPS5715511A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Variable attenuator |
| JPS6376608A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波増幅装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525146U (ja) * | 1991-08-23 | 1993-04-02 | 株式会社長府製作所 | ガス給湯器 |
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