JPS6246332Y2 - - Google Patents

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JPS6246332Y2
JPS6246332Y2 JP1979170782U JP17078279U JPS6246332Y2 JP S6246332 Y2 JPS6246332 Y2 JP S6246332Y2 JP 1979170782 U JP1979170782 U JP 1979170782U JP 17078279 U JP17078279 U JP 17078279U JP S6246332 Y2 JPS6246332 Y2 JP S6246332Y2
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diode
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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    • H03H11/02—Multiple-port networks
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    • H—ELECTRICITY
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    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
    • H03G1/0052—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using diodes
    • H03G1/0058—PIN-diodes
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    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/24—Frequency- independent attenuators
    • H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
    • H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
    • H03H7/255—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode the element being a PIN diode
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    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は例えばテレビジヨンチユーナ等におけ
る高周波切換回路及び信号の伝送量を制御する可
変減衰回路を備えた高周波入力回路に関するもの
で、特にPINダイオードを高周波切換回路のスイ
ツチングの素子として用いるとともに、該PINダ
イオードを信号の伝送量を制御する可変抵抗素子
としても用い挿入損失を減少するようにしたもの
である。
従来この種の回路は第１図に示すように２つの
入力を選択する高周波切換回路と信号の伝送量を
制御する可変回路が別々に構成され、高周波切換
回路にはスイツチングダイオードD1，D2が、又
可変減衰回路には信号経路と接地間に挿入された
PINダイオードD3，D4及び信号経路に挿入された
PINダイオードD5がそれぞれ用いられていた。そ
して高周波切換回路に於て入力端子１からの信号
を通過させ、入力端子２からの信号を阻止する場
合にはSW端子３を接地するとともに、SW端子
４に15Vを印加し又この時電源端子５には8Vを印
加しておく。
その結果前記スイツチングダイオードD1が短
絡状態に前記スイツチングダイオードD2が遮断
状態になり、入力端子１からの信号は該スイツチ
ングダイオードD1を通過して減衰することなく
出力端子７に伝送され、入力端子２からの信号は
前記スイツチングダイオードD2で阻止される。
一方可変減衰回路は可変抵抗素子として動作す
るPINダイオードD3、D4、D5がπ型に接続された
構成となつており、AGC端子６に7Vを印加し電
源端子５には8Vを常に印加しておく。そしてPIN
ダイオードD3、D4のアノード電圧V1、V2及びカ
ソード電圧V3、V4がそれぞれV1＜V3、V2＜V4に
なるように各バイアス抵抗R4、R5、R6、R7、R8
が設定されている。このため前記PINダイオード
D3、D4はこの状態では遮断状態である。一方入
力端子２からの信号を通過させ入力端子１からの
信号を阻止するにはSW端子４を接地するととも
に、SW端子３に15Vを印加することと電源端子
５にも8Vを印加しておく。その結果は前述と同
様にして前記入力端子２からの信号はスイツチン
グダイオードD2を通過し入力端子１からの信号
はスイツチングダイオードD1で阻止される。
そして信号の伝送量を制御するにはAGC端子
６の電圧を7Vから次第に減少させる。こうする
ことによりPINダイオードD3、D4、D5のドライバ
ーであるトランジスタT1のエミツタ電圧すなわ
ちPINダイオードD5のアノード電圧V4及びカソー
ド電圧V3が減少し、PINダイオードD5の電流が次
第に減少するので該PINダイオードD5の抵抗値は
次第に増加する。又PINダイオードD3、D4はトラ
ンジスタT1のエミツタ電圧即ちPINダイオードD5
のアノード電圧V4及びカソード電圧V3が減少
し、それらがPINダイオードD4、D3のアノード電
圧V2、V1より低くなつた時点でPINダイオード
D4、D3は遮断状態から導通状態へ変化する。か
くしてAGC端子６に印加する電圧により入力端
子１から入力された信号は任意に減衰される。
このような構成の従来の高周波入力回路は高周
波切換回路と信号の伝送量を制御する可変減衰回
路が別々のため使用部品点数が多いばかりでな
く、信号経路にそれぞれ直列に２個のダイオード
が挿入され、それらダイオードの順方向抵抗Ｒs
により挿入損失が多く回路の諸電気特性も悪いと
いう欠点を持つていた。
本考案はこのような従来の欠点を除去するよう
にしたものであり、以下本考案をその実施例を用
いて説明する。
第２図は本考案の１実施例である高周波入力回
路であり、この回路において入力端子９からの入
力信号を制御するためのPINダイオードD7、D8、
D9で構成されたπ型回路及び入力端子８からの
入力信号を制御するPINダイオードD6、D10、D9
で構成されたπ型回路がPINダイオードD9を共用
して互に並列に接続されていて、SW端子１０、
１１、電源端子１２、AGC端子１３に加える電
圧によつて入力信号の切換及び入力信号の伝送量
をそれぞれ制御できるようになつている。
この回路に於て、まず入力端子８からの信号を
通過させ入力端子９からの信号を阻止するには
SW端子１０を接地、SW端子１１に15V、AGC
端子１３に7V、電源端子１２に8Vを印加する。
その結果PINダイオードD10は短絡状態、PINダイ
オードD6、D7、D8、D9は遮断状態となる。従つ
て前記入力端子８からの入力信号は該PINダイオ
ードD10を通過し減衰することなく出力端子１４
に伝送されるが、一方入力端子９からの入力信号
はPINダイオードD8で阻止される。
つぎに前記入力端子８からの入力信号を可変減
衰するにはSW端子１０、１１、電源端子１２に
印加した電圧をそのまゝにして、AGC端子１３
に印加してある電圧を7Vから次第に減少させ
る。このことによりトランジスターT2のエミツ
タ電圧即ちPINダイオードD10のアノード電圧V8
が減少すると同時に、この電流も減少し、該PIN
ダイオードD10の抵抗値の増加により短絡状態か
ら導通状態へと次第に変化する。PINダイオード
D6、D9についてはAGC端子１３のAGC電圧が減
少するに従い前記トランジスタT2のエミツタ電
圧即ちPINダイオードD10のアノード電圧V8及び
カソード電圧V7が減少し、その値が抵抗R13、
R14、R15、R16によるブリーダ電圧即ちPINダイ
オードD6、D9のアノード電圧V5、V6より低くな
つた時点で該PINダイオードD6・D9は遮断状態か
ら導通状態になり次第にそれらの抵抗値が減少し
ていく。
かくしてAGC端子１３に印加する電圧によつ
て、入力端子８からの入力信号を任意に減衰させ
て出力端子１４に伝送させることができる。なお
この間PINダイオードD7、D8はAGC電圧に関係
なく遮断状態となつている。
入力端子９からの信号を通過させ入力端子８か
らの信号を阻止するにはSW端子１１を接地、
SW端子１０に15V、AGC端子１３に7V、電源端
子１２に8Vの電圧をそれぞれ印加する。その結
果前記PINダイオードD8は短絡状態、前記PINダ
イオードD6、D7、D9、D10はともに遮断状態とな
る。従つて入力端子９からの入力信号はPINダイ
オードD8を通過し減衰することなく出力端子１
４に伝送されるが、入力端子８からの入力信号は
PINダイオードD10で阻止される。
つぎに入力端子９からの入力信号を減衰するに
はSW端子１０、１１、電源端子１２を前述と同
様に印加したまゝにしておき、前記AGC端子１
３に印加してある電圧を7Vから次第に減少させ
る。このことによりトランジスタT2のエミツタ
電圧即ちPINダイオードD8のアノード電圧V8が減
少すると同時にこの電流も減少し、PINダイオー
ドD8の抵抗値が増大し短絡状態から導通状態へ
と次第に変化する。又PINダイオードD7、D9につ
いては前記AGC端子１３のAGC電圧が減少する
に従い前記トランジスタT2のエミツタ電圧即ち
PINダイオードD8のアノード電圧V8及びカソード
電圧V9が減少しその値がR13、R14、R15、R16、
R17によるブリーダ電圧即ちPINダイオードD9、
D7のアノード電圧V6、V5より低くなつた時点で
該PINダイオードD7、D9は遮断状態から導通状態
になり、次にその抵抗値が減少して変化する。か
くしてAGC端子１３にかける電圧によつて入力
端子９からの入力信号を任意に減衰させることが
出来る。又この間PINダイオードD6、D10はAGC
電圧に関係なく遮断状態となつている。
なお第２図においてC12〜C19はカツプリングコ
ンデンサ及びパスコン、R11〜R19は電流設定抵抗
及びバイアス抵抗、L6〜L8はチヨークコイルで
ある。
このように上記回路に於ては、信号経路に挿入
されるダイオードが前記PINダイオードD10又は
D8の１個だけであるため、ダイオードの直列抵
抗Ｒsによる挿入損失が軽減される。
このような構成にすると挿入損失が軽減出来る
ためVHF帯はもとよりUHF帯以上の回路に使用
すると極めて良い回路が出来有効である。
以上述べたように本考案はPINダイオードを高
周波切換回路のスイツチング素子として使用する
とともに信号の伝送量を制御する可変減衰回路の
可変素子としても用い低損入損失が得られ、又上
記実施例でも使用部品数が32個より26個となるよ
うに回路の簡略化を実現したもので、これにより
高性能でしかも小型、安価なUHF、VHFテレビ
ジヨンチユーナ等が可能となるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の高周波入力回路図、第２図は本
考案によるPINダイオードを用いた高周波回路図
である。 D6、D7、D8、D9、D10……PINダイオード、
８、９……入力端子、１０、１１……SW端子、
１２……電源端子、１３……AGC端子、１４…
…出力端子、T2……トランジスタ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 第１の入力端子と接地間に設けた第１のPINダ
    イオードと出力端子と接地間に設けた第２のPIN
    ダイオードと前記第１の入力端子と前記出力端子
    間に設けた第３のPINダイオードとによつて構成
    される第１のπ型回路網と、第２の入力端子と接
    地間に設けた第４のPINダイオードと前記第２の
    PINダイオードと前記第２の入力端子と前記出力
    端子間に設けた第５のPINダイオードとによつて
    構成される第２のπ型回路網と、前記第３および
    第５のいずれか一方のPINダイオードに選択的に
    逆バイアス電圧を加える第１のバイアス電圧印加
    手段と、前記第１、第２および第４の各PINダイ
    オードに第１の順バイアス電圧を加える第２のバ
    イアス電圧印加手段と、前記第３および第５のい
    ずれか他方のPINダイオードに第２の順バイアス
    電圧を加えるとともに該PINダイオードを含む前
    記π型回路網中の他の２個のPINダイオードに第
    ２の逆バイアス電圧を加える可変バイアス電圧印
    加手段とを備え、前記２個のPINダイオードに加
    わるバイアス電圧は、前記第２のバイアス電圧印
    加手段と前記可変バイアス電圧印加手段との協働
    によつて、前記可変バイアス電圧印加手段の出力
    電圧が大きい場合には逆バイアスとなり、該出力
    電圧が小さい場合には順バイアスとなる可変減衰
    器を備えたことを特徴とする高周波入力回路。
JP1979170782U 1979-12-10 1979-12-10 Expired JPS6246332Y2 (ja)

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JP1979170782U JPS6246332Y2 (ja) 1979-12-10 1979-12-10
US06/212,100 US4369414A (en) 1979-12-10 1980-12-02 High-frequency input circuit for two inputs

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JP1979170782U JPS6246332Y2 (ja) 1979-12-10 1979-12-10

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JPS5687725U JPS5687725U (ja) 1981-07-14
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