JP2514483Y2 - 可変アテネ―タ - Google Patents

可変アテネ―タ

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JP2514483Y2
JP2514483Y2 JP1988075769U JP7576988U JP2514483Y2 JP 2514483 Y2 JP2514483 Y2 JP 2514483Y2 JP 1988075769 U JP1988075769 U JP 1988075769U JP 7576988 U JP7576988 U JP 7576988U JP 2514483 Y2 JP2514483 Y2 JP 2514483Y2
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JP
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capacitor
high frequency
capacity
diodes
frequency signal
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等 土屋
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案はPINダイオードを使用した可変アテネータに
係り、特にオールバンド型のテレビジョンチューナに好
適な此種アテネータに関する。
(ロ) 従来の技術 バンド切換えを必要としない最近のオールバンド型の
テレビジョンチューナには、そのRF−AGC段に第4図の
如く3個のPINダイオードを使用したT型の可変アテネ
ータが使用される。
この第4図のアテネータは、例えば実開昭56-26425号
公報〔H03H7/24〕等に詳述されているように、電流に対
して内部抵抗が対数的に変化する第1第2第3PINダイオ
ード(1)(2)(3)をそれぞれ直流阻止用の第1第
2コンデンサ(4)(5)、高周波接地用コンデンサ
(6)と共に所謂T型接続して入力端子(7)と出力端
子(8)と基準電位点(アースライン)との間に接続す
ると共に、その第3ダイオード(3)のカソードに端子
(9)から高周波阻止用の第3チョークコイル(13)を
介して固定バイアス電圧(V0)が印加され、他方、第
1第2ダイオード(1)(2)のカソードには同様の第
1第2チョークコイル(11)(12)をそれぞれ介して可
変制御電圧(Vx)が端子(10)から印加される構成とな
っている。また、(14)はアテネータのインピーダンス
調整用とバイアス印加用の抵抗である。
すなわち、このアテネータではVx>V0のときは第1
第2ダイオード(1)(2)が順バイアスされて低イン
ピーダンスになり、第3ダイオード(3)が逆バイアス
されて高インピーダンスになるので、入力端子(7)へ
の入力信号は殆んど減衰されずに出力端子(8)に導出
され、Vx<V0のときは上記と逆の状態になるので上記
入力信号は減衰されて出力端子(8)に導出される。従
って、固定バイアス電圧(V0)に対して可変制御電圧
の大きさを変化させることによって可変アテネータ動作
させることができる訳である。
(ハ) 考案が解決しようとする課題 ところで、このアテネータを前述の如きテレビジョン
チューナのRF-AGC段に使用する場合には、コンデンサ
(4)(5)(6)はVHF帯及びUHF帯に於いて充分低イ
ンピーダンスになるよう通常は1000PF程度の容量のもの
が使用されている。しかしながら、一般に使用される10
00PF程度のコンデンサでは、自己のインダクタンス成分
とによって生じる自己共振周波数が100〜200MHzとなる
ため、その周波数対高周波抵抗特性は第5図の如く周波
数に応じて変化することになる。
このため、前述の如くVx<V0であって第3ダイオー
ド(3)が順バイアスの状態では、このダイオード
(3)の高周波抵抗値数オームに対して高周波接地用コ
ンデンサ(6)の高周波抵抗が無視できなくなり、その
結果、Vx<V0のときの減衰度特性が第6図の如く周波
数に依存して変化することになり、従って、同一の制御
電圧Vx値に対してVHF帯とUHF帯で減衰度が大きく異なる
と云う問題があった。
そこで、本考案は同一の制御電圧Vx値に対する減衰度
をVHF帯からUHF帯に亘って略一定にできる可変アテネー
タを提供することを目的とする。
(ニ) 課題を解決するための手段 本考案の可変アテネータでは、第3ダイオードと基準
電位点との間に接続された高周波信号接地用のコンデン
サよりも充分小容量のコンデンサと低抵抗との直列接続
路を上記高周波信号接地用コンデンサに並列接続した。
そして、特に好適な実施例では上記高周波信号接地用コ
ンデンサの値を1000PF程度で、小容量コンデンサをその
100分の1程度の容量に選定し、低抵抗を数10Ω程度に
選定した。
(ホ) 作用 上記構成に依れば、前記高周波信号接地用コンデンサ
が比較的低い周波数(1000PFのときに100〜200MHz)に
自己共振点をもつのに対して、前記小容量コンデンサが
比較的高い周波数(800〜900MHz)に自己共振点をもつ
ため、これら両コンデンサと前記低抵抗の総合の高周波
抵抗値がVHF帯〜UHF帯に亘って略一定の低インピーダン
スになる。
(ヘ) 実施例 第1図は本考案の一実施例であって、先の第1図と同
一部分には同一番号を付しているが、この実施例では10
00PFの高周波接地用コンデンサ(6)に対して、8PFの
小容量コンデンサ(15)と、22Ωの低抵抗(16)の直列
接続路を並列接続した構成が付加されている。また、こ
の実施例では第1第2コンデンサ(4)(5)も1000PF
とし、抵抗(14)を180Ω、第1〜第3チョークコイル
(11)(12)(13)を1.2μHとし、第1〜第3PINダイ
オード(1)(2)(3)にNEC製の1SV157を使用し
た。この実施例に於ける上記コンデンサ(6)(15)と
低抵抗(16)からなる回路の総合の高周波抵抗値の周波
数特性は実測の結果第2図となり、それによりVx>V0
及びVx<V0のときの周波数対減衰度特性は何れも第3
図のようにVHF帯からUHF帯に亘って略平坦となった。
(ト) 考案の効果 以上の如く本考案の可変アテネータに依れば、VHF帯
〜UHF帯の範囲内で減衰度を周波数に依存しない平坦な
特性にすることができ、オールバンドチューナのRF-AGC
段に使用すれば好適である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例を示す回路図、第2図はその
要部の周波数対高周波抵抗特性を示す特性図、第3図は
上記実施例の周波数対減衰度特性を示す特性図、第4図
は従来の可変アテネータを示す回路図、第5図はその直
流阻止用コンデンサの周波数対高周波抵抗特性を示す特
性図、第6図は上記従来例の周波数対減衰度特性を示す
特性図である。 (1)(2)(3)……第1第2第3PINダイオード、
(4)(5)……直流阻止用コンデンサ、(6)……高
周波接地用コンデンサ、(15)……小容量コンデンサ、
(16)……低抵抗。

Claims (2)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1第2第3PINダイオードの各一方の電極
    を互に接続し、その第1第2ダイオードを信号ラインに
    直列に挿入し、第1第2ダイオードの他方の電極に直流
    阻止用コンデンサを直列に接続し、第3ダイオードの他
    方の電極を高周波信号接地用コンデンサを介して基準電
    位点に接続すると共に、上記第1第2ダイオードの各他
    方の電極と第3ダイオードの上記他方の電極との間に可
    変制御電圧を印加するようにした可変アテネータに於い
    て、前記高周波信号接地用コンデンサよりも充分小容量
    のコンデンサと低抵抗との直列接続路を前記高周波信号
    接地用コンデンサに並列接続したことを特徴とする可変
    アテネータ。
  2. 【請求項2】前記高周波接地用コンデンサは1000PF程度
    で前記小容量コンデンサは100分の1程度の容量をな
    し、前記低抵抗は数10オーム程度に選定された請求項第
    1項記載のアテネータ。
JP1988075769U 1988-06-07 1988-06-07 可変アテネ―タ Expired - Lifetime JP2514483Y2 (ja)

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JPH01179624U JPH01179624U (ja) 1989-12-22
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