JPH0758599A - チューナ回路 - Google Patents
チューナ回路Info
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- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
Abstract
の切り換えを行う入力同調回路を備えたチューナ回路に
関し、部品点数を削減して半田付け作業の歩留まりを改
善し、コストダウンを図ると共に、回路設計の自由度を
広げたチューナ回路を提供することを目的とする。 【構成】 直列接続された信号側のローバンド用コイル
L3およびハイバンド用コイルL4の接続中点と、直列
接続されたアース側のローバンド用コイルL1およびハ
イバンド用コイルL2の接続中点との間に、スイッチン
グダイオードD2を接続し、さらに信号側のローバンド
用コイルおよびハイバンド用コイルの接続中点に第1の
バイアス抵抗R3を介してバンド切り換え端子を接続
し、信号側のローバンド用コイルの入力側端子に第2の
バイアス抵抗R2を接続するように構成する。
Description
ビデオテープレコーダ等の高周波回路に使用するチュー
ナ回路に係り、とくにスイッチングダイオードを用いて
受信バンドの切り換えを行う入力同調回路を備えたチュ
ーナ回路に関する。
は、アンテナで受信したVHF帯またはUHF帯のテレ
ビジョン信号の中から希望するチャンネルの信号を選択
し、中間周波数に変換して後段の映像中間周波増幅回路
に加えるものである。
切り換えをスイッチングダイオードで行い、同調回路の
コンデンサの容量変化を可変容量ダイオードで行う電子
同調チューナがほとんどを占めている。
入力同調回路の従来例を示す回路図である。入力同調回
路は前段のフィルタ回路(不図示)に結合コンデンサC
1を介して接続され、後段の高周波増幅回路(不図示)
に結合コンデンサC2を介して接続されている。
ット側とに分割され、アース側はアース側ローバンド用
コイルL1およびハイバンド用コイルL2の直列回路に
接続され、ホット側はホット側ローバンド用コイルL3
およびハイバンド用コイルL4の直列回路に接続されて
いる。
アース側端子はハイバンド用電源端子BHおよびバイパ
スコンデンサC3に接続され、コンデンサC3の他端は
アースに接続されている。また、ホット側のハイバンド
用コイルL4の出力側端子は結合コンデンサC2を経て
後段に接続され、同調コンデンサC4および可変容量ダ
イオードD1の直列回路を経てアースに接続されてい
る。また、可変容量ダイオードD1のカソード端子には
同調電圧端子VTが同調電圧印加抵抗R1を介して接続
されている。
中点とアースとの間には、順方向に接続されたスイッチ
ングダイオードD2およびバイアス抵抗R2の直列回路
と、バイアス抵抗R2に並列に接続されたバイアス抵抗
R3およびバイパスコンデンサC5の直列回路とが接続
され、かつ抵抗R3のアース側端子にはローバンド用電
源端子BLが接続されている。
L2の接続中点と、ダイオードD2のカソードとは結合
コンデンサC6を介して接続され、またアース側のコイ
ルL1のアース側端子とホット側のコイルL3の出力側
端子との間には、後述するダンピング抵抗R4が接続さ
れている。
容量ダイオードD1の容量変化だけではその周波数範囲
をカバーできないため、ホット側およびアース側にそれ
ぞれハイバンド用コイル、ローバンド用コイルを設ける
と共に、バンド切り換え用スイッチングダイードD2を
設け、そのオン/オフによってインダクタンスを可変す
ることで対応している。
は、ローバンド用電源端子BLに正電圧を印加し、ハイ
バンド用電源端子BHはオープンにする。これにより、
スイッチングダイオードD2のカソード側に、ローバン
ド用電源電圧がバンド切り換え用バイアス抵抗R2,R
3で分圧されて印加されるので、スイッチングダイオー
ドD2は非導通となる。
で、アース側はコイルL1およびL2の直列接続とな
り、ホット側はコイルL3およびL4の直列接続とな
る。スイッチングダイオードD2が非導通であるため、
アース側コイルL1のアース側端子とホット側コイルL
3の出力側端子との間にダンピング抵抗R4が接続さ
れ、コイルL2と並列にバイアス抵抗R2およびR3の
合成抵抗Raが接続される。また、コイルL4の出力側
の容量VCは同調コンデンサC4と可変容量ダイオード
D1との合成容量である。
はローバンド用コイルL1,L3に対して非常に小さい
ため、ローバンド選択時には無視することが出来る。こ
のため、ローバンド選択時の等価回路は、図9(b) に示
すように、ホット側のローバンド用コイルL3と、アー
ス側のローバンド用コイルL1と、容量VCとで構成さ
れる単同調回路となり、かつコイルL3の出力側にダン
ピング抵抗R4が接続される。
端子BHに正電圧を印加し、ローバンド用電源端子BL
はオープンにする。これにより、スイッチングダイオー
ドD2は導通となる。
ホット側およびアース側の各ローバンド用コイルL1,
L3は結合コンデンサC6およびスイッチングダイオー
ドD2により並列接続されて合成インダクタンスLaで
表され、バイアス抵抗R2およびR3は合成抵抗Raで
表される。そして、ホット側のハイバンド用コイルL4
と、アース側のハイバンド用コイルL2と、容量VCと
で単同調回路が構成される。
(電界効果トランジスタ)を用い、かつハイバンドとロ
ーバンドとを切り換えて信号を選局するように構成した
チューナ回路では、FETの特性によってローバンドの
ときの利得がハイバンドのときの利得より大きくなって
しまう。そこで、利得差をなくすために、図8に示すよ
うに、ローバンド用ダンピング抵抗R4を接続し、図9
(b) に示すように、ローバンド選択時のみ同調回路をダ
ンピングして利得を下げるようにしている。
路は部品点数および接続箇所が非常に多く、一定面積の
基板に全部品を実装する際の実装密度が高いため、半田
付け作業が難しく、歩留まりが悪いと共に、部品コスト
および作業コストの点から製品コストが相当高くなると
いう不都合がある。
チューナ回路を先に提案した。この回路は、ローバンド
用ダンピング抵抗R4を削除し、ホット側のローバンド
用コイルL3およびハイバンド用コイルL4の接続中点
と、バイアス抵抗R2,R3との間に結合コンデンサC
6を接続し、かつアース側のローバンド用コイルL1お
よびハイバンド用コイルL2の接続中点と、バイアス抵
抗R2,R3との間にスイッチングダイオードD2を接
続した回路で、その他の構成は図8と同一である。すな
わち、図8に示す構成において、ダンピング抵抗R4を
削除し、スイッチングダイオードD2と結合コンデンサ
C6とを入れ換えた構成である。
は、スイッチングダイオードD2が非導通となるので、
図12に示す等価回路のように、ホット側のローバンド
用コイルL3と、アース側のローバンド用コイルL1
と、容量VCとで構成された単同調回路となる。そし
て、この場合はバイアス抵抗R2,R3の合成抵抗Ra
が同調回路のダンピング抵抗として機能するため、従来
のようにダンピング抵抗R4を別途に設ける必要がな
く、部品点数および接続箇所を減らすことができる。
ナ回路は、ハイバンド選択時のスイッチングダイオード
D2の順方向電流を確保するために、バイアス抵抗R2
の値をある程度以上は大きくすることが出来ない。ま
た、ローバンド選択時のスイッチングダイオードD2に
印加する逆方向電圧を確保するために、バイアス抵抗比
R2/R3をある程度以上大きくすることが出来ない等
のことから、回路のダンピング設定等の回路設計の自由
度が非常に狭くなるという不都合がある。
田付け作業の歩留まりを改善し、コストダウンを図ると
共に、回路設計の自由度を広げたチューナ回路を提供す
ることを目的とする。
ダイオードを用いて受信バンドの切り換えを行う入力同
調回路を有するチューナ回路において、直列接続された
信号側のローバンド用コイルおよびハイバンド用コイル
の接続中点と、直列接続されたアース側のローバンド用
コイルおよびハイバンド用コイルの接続中点との間に、
スイッチングダイオードを接続するように構成する。
用コイルおよびハイバンド用コイルの接続中点に第1の
バイアス抵抗を介してバンド切り換え端子を接続し、信
号側のローバンド用コイルの入力側端子に第2のバイア
ス抵抗を接続するように構成する。
ス側のローバンド用コイルおよびハイバンド用コイルを
結合コンデンサを介して直列接続し、アース側のハイバ
ンド用コイルおよび結合コンデンサの接続中点と、直列
接続された信号側のローバンド用コイルおよびハイバン
ド用コイルの接続中点との間に、スイッチングダイオー
ドを接続するように構成する。
用コイルおよびハイバンド用コイルの接続中点に第1の
バイアス抵抗を介してバンド切り換え端子を接続し、ア
ース側のローバンド用コイルおよび結合コンデンサの接
続中点に第2のバイアス抵抗を接続するように構成す
る。
バンド切り換え端子に逆方向電圧を印加してスイッチン
グダイオードを非導通とする。これにより、この回路は
信号側のローバンド用コイル、アース側のローバンド用
コイルおよび同調容量による単同調回路を構成する。ま
た、信号側のローバンド用コイルおよびハイバンド用コ
イルの接続中点と、バンド切り換え端子との間に接続し
たバイアス抵抗が同調回路をダンピングする。基本的に
ダンピングはこのバイアス抵抗によってのみ支配され
る。
ダイオードが導通するので、信号側およびアース側のロ
ーバンド用コイルが並列接続されて同調回路外となり、
信号側のハイバンド用コイル、アース側のハイバンド用
コイルおよび同調容量によって単同調回路を構成する。
る順方向電流は、第1の発明(請求項1,2)では信号
側のローバンド用コイルの入力側端子に接続した第2の
バイアス抵抗によってのみ支配され、第2の発明(請求
項3,4)ではアース側のローバンド用コイルおよび結
合コンデンサ間に接続された第2のバイアス抵抗によっ
てのみ支配される。
ードのローバンド選択時の逆方向電圧やハイバンド選択
時の順方向電流に対するダンピング設定等の回路設計の
自由度が改善される。
実施例を示す回路図である。本実施例は、前述の図11
に示す構成において、結合コンデンサC6を、結合コン
デンサC1とホット側ロ−バンド用コイルL3との間に
直列に接続し、バイアス抵抗R2を、ホット側ロ−バン
ド用コイルL3の入力側端子とアースとの間に接続した
点を除いては、図11に示す構成と同一の構成を有して
いる。
ルL3とハイバンド用コイルL4の接続中点には、スイ
ッチングダイオードD2のカソードと、バイパスコンデ
ンサC5で接地されたローバンド用電源端子BLに接続
されたバイアス抵抗R3とが接続される。また、スイッ
チングダイオードD2のアノードはアース側のローバン
ド用コイルL1とハイバンド用コイルL2の接続中点に
接続されている。
は、ローバンド用電源端子BLに正電圧を印加し、ハイ
バンド用電源端子BHをオープンにする。これにより、
スイッチイングダイオードD2のカソード側にバイアス
抵抗R2,R3で分圧された電圧が印加されるので、ス
イッチングダイオードD2は非導通となる。
で、回路の入力側にバイアス抵抗R2が並列に接続さ
れ、ホット側はコイルL3およびL4の直列接続、アー
ス側はコイルL1およびL2の直列接続となる。そし
て、コイルL4の出力側に同調コンデンサC4と可変容
量ダイオードD1との合成容量である容量VCが接続さ
れ、コイルL3およびコイルL4の接続中点とアースと
の間にバイアス抵抗R3が接続される。
はローバンド用コイルL1,L3に対して非常に小さい
ためローバンド選択時には無視することができ、また回
路の入力インピーダンスはバイアス抵抗R2に比較して
小さいため、ローバンド選択時の等価回路は、図2(b)
に示すように、ホット側のローバンド用コイルL3と、
アース側のローバンド用コイルL1と、容量VCとで構
成された単同調回路となり、かつコイルL3の出力側が
バイアス抵抗R3によりダンピングされた回路となる。
ス抵抗R3が同調回路のダンピング抵抗としての役割を
果たすため、ダンピング抵抗を別に設ける必要がなく、
部品点数および接続箇所を減らすことができる。
用電源端子BLをオープンにし、ハイバンド用電源端子
BHに正電圧を印加する。これにより、スイッチングダ
イオードD2は順方向電圧が印加されて導通となる。こ
のため、ハイバンド選択時の等価回路は、図3に示すよ
うに、ホット側のローバンド用コイルL3とアース側の
ローバンド用コイルL1とがそれぞれ結合コンデンサC
6およびスイッチングダイオードD2により並列接続さ
れて同調回路外の合成インダクタンスLaとして回路の
入力側に直列接続され、バイアス抵抗R3が並列接続さ
れ、同調回路はホット側ハイバンド用コイルL4と、ア
ース側ハイバンド用コイルL2と、容量VCとで構成さ
れた単同調回路となる。
の実施例を示す回路図である。本実施例は、前述の第1
の実施例(図1)において、結合コンデンサC6を、結
合コンデンサC1とアース側のローバンド用コイルL1
との間に直列に接続した点を除いては、図1に示す構成
と同一の構成を有している。本実施例におけるローバン
ド選択時およびハイバンド選択時の動作は、それぞれ前
述の第1の実施例における動作と同一である。
の実施例を示す回路図である。本実施例は、前述の第1
の実施例(図1)において、ホット側はローバンド用コ
イルL3およびハイバンド用コイルL4が直列接続さ
れ、アース側はローバンド用コイルL1およびハイバン
ド用コイルL2の直列接続の間に結合コンデンサC6が
接続され、コンデンサC6とコイルL2の接続中点にス
イッチングダイオードD2のアノードが接続されてい
る。さらに、アース側ローバンド用コイルL1のアース
側端子にバイパス抵抗R2が接続されている点を除いて
は、前述の第1の実施例と同一である。
は、ローバンド用電源端子BLに正電圧を印加し、ハイ
バンド用電源端子BHをオープンにする。これにより、
スイッチングダイオードD2のカソード側にバイアス抵
抗R2,R3で分圧された電圧が印加され、スイッチン
グダイオードD2は非導通になる。
ット側はローバンド用コイルL3とハイバンド用コイル
L4の直列接続となり、アース側はローバンド用コイル
L1とハイバンド用コイルL2の直列接続となる。しか
し、ローバンド選択時はハイバンド用コイルL2,L4
がローバンド用コイルL1,L3に対して非常に小さい
こと、回路の入力インピーダンスがバイアス抵抗R2に
比較して低いことなどにより、前述の第1の実施例の等
価回路と同様に、図2(b) に示す等価回路となり、バイ
アス抵抗R3によりダンピングされた単同調回路を構成
する。
子BLをオープンにし、ハイバンド用電源端子BHに正
電圧を印加する。これにより、スイッチングダイオード
D2には順方向電圧が印加され導通となる。このため、
ハイバンド選択時の等価回路は、図7に示すように、ホ
ット側のローバンド用コイルL3とアース側のローバン
ド用コイルL1とがそれぞれ結合コンデンサC6および
スイッチングダイオードD2により並列接続されて同調
回路外の合成インダクタンスLaとして回路の入力側に
直列接続され、バイアス抵抗R2,R3の合成抵抗Ra
が並列接続され、同調回路はホット側ハイバンド用コイ
ルL4と、アース側ハイバンド用コイルL2と、容量V
Cとで構成された単同調回路となる。
ホット側のローバンド用コイルおよびハイバンド用コイ
ルの接続中点と、バンド切り換え端子との間に接続され
たバイアス抵抗が同調回路のダンピング抵抗としての役
割を果たすため、従来のようにダンピング抵抗を別途に
設ける必要がなく、部品点数および接続箇所を減らすこ
とができる。したがって、一定面積の基板における実装
面積を低くして半田付け作業を容易化し、歩留まりを改
善できると共に、部品コストおよび作業コストの低減に
よって製品のコストダウンを図ることができる。
ピングは、ホット側のローバンド用コイルおよびハイバ
ンド用コイルの接続中点と、バンド切り換え端子との間
に接続されたバイアス抵抗によってのみ支配されるた
め、回路設計の自由度を大幅に改善することができる。
す回路図である。
図である。
図である。
す回路図である。
す回路図である。
図である。
図である。
る。
図である。
路図である。
図である。
回路図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 スイッチングダイオードを用いて受信バ
ンドの切り換えを行う入力同調回路を有するチューナ回
路において、 直列接続された信号側のローバンド用コイルおよびハイ
バンド用コイルの接続中点と、直列接続されたアース側
のローバンド用コイルおよびハイバンド用コイルの接続
中点との間に、前記スイッチングダイオードを接続した
ことを特徴とするチューナ回路。 - 【請求項2】 前記信号側のローバンド用コイルおよび
ハイバンド用コイルの接続中点に第1のバイアス抵抗を
介してバンド切り換え端子を接続し、前記信号側のロー
バンド用コイルの入力側端子に第2のバイアス抵抗を接
続したことを特徴とする請求項1記載のチューナ回路。 - 【請求項3】 スイッチングダイオードを用いて受信バ
ンドの切り換えを行う入力同調回路を有するチューナ回
路において、 アース側のローバンド用コイルおよびハイバンド用コイ
ルを結合コンデンサを介して直列接続し、前記アース側
のハイバンド用コイルおよび前記結合コンデンサの接続
中点と、直列接続された信号側のローバンド用コイルお
よびハイバンド用コイルの接続中点との間に、前記スイ
ッチングダイオードを接続したことを特徴とするチュー
ナ回路。 - 【請求項4】 前記信号側のローバンド用コイルおよび
ハイバンド用コイルの接続中点に第1のバイアス抵抗を
介してバンド切り換え端子を接続し、前記アース側のロ
ーバンド用コイルおよび前記結合コンデンサの接続中点
に第2のバイアス抵抗を接続したことを特徴とする請求
項3記載のチューナ回路。
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