JP3242707B2 - チューナ回路 - Google Patents
チューナ回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はテレビジョン受像機やビ
デオテープレコーダ等の高周波回路装置に使用されるチ
ューナ回路に関するものであり、特に複数の電界効果ト
ランジスタ（以下「ＦＥＴ」という）を用いた高周波増
幅段を有し、バンド切換により多バンド受信を行なうチ
ューナ回路に関する。
デオテープレコーダ等の高周波回路装置に使用されるチ
ューナ回路に関するものであり、特に複数の電界効果ト
ランジスタ（以下「ＦＥＴ」という）を用いた高周波増
幅段を有し、バンド切換により多バンド受信を行なうチ
ューナ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常ＵＨＦ／ＶＨＦコンビネーションチ
ューナの場合、バンド切換により多バンド受信を行い、
ＵＨＦチューナ回路あるいはＶＨＦチューナ回路がそれ
ぞれ個別に有している高周波増幅段により、受信信号の
高周波増幅の動作が成されている。
ューナの場合、バンド切換により多バンド受信を行い、
ＵＨＦチューナ回路あるいはＶＨＦチューナ回路がそれ
ぞれ個別に有している高周波増幅段により、受信信号の
高周波増幅の動作が成されている。
【０００３】従来のチューナ回路の回路図を図２に示
し、同図を参照して説明する。ＵＨＦ用高周波増幅用Ｆ
ＥＴＱ１の第１ゲートａを結合コンデンサーＣ６を介し
ＵＨＦ入力同調回路Ａ１に接続するとともにゲート用チ
ョークコイルＬ１の一端とも接続する。
し、同図を参照して説明する。ＵＨＦ用高周波増幅用Ｆ
ＥＴＱ１の第１ゲートａを結合コンデンサーＣ６を介し
ＵＨＦ入力同調回路Ａ１に接続するとともにゲート用チ
ョークコイルＬ１の一端とも接続する。
【０００４】該ゲート用チョークコイルＬ１の他端を、
バイパスコンデンサーＣ７を介して接地するとともに、
バイアス抵抗Ｒ１０の一端とバイアス抵抗Ｒ１１の一端
に接続する。該バイアス抵抗Ｒ１１の他端を接地する。
バイパスコンデンサーＣ７を介して接地するとともに、
バイアス抵抗Ｒ１０の一端とバイアス抵抗Ｒ１１の一端
に接続する。該バイアス抵抗Ｒ１１の他端を接地する。
【０００５】前記バイアス抵抗Ｒ１０の他端を、バイパ
スコンデンサーＣ５を介して接地するとともに、ダンピ
ング抵抗Ｒ１２の一端とバイアス抵抗Ｒ４の一端とＵＨ
Ｆ用スイッチングダイオードＤ１のカソードに接続し、
該ＵＨＦ用スイッチングダイオードＤ１のアノードを端
子ＢＵに接続する。前記ダンピング抵抗Ｒ１２の他端と
ドレイン用チョークコイルＬ２の一端を接続し、該ドレ
イン用チョークコイルＬ２の他端とＵＨＦ段間同調回路
Ａ２を前記ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１のドレイン
ｃに接続する。
スコンデンサーＣ５を介して接地するとともに、ダンピ
ング抵抗Ｒ１２の一端とバイアス抵抗Ｒ４の一端とＵＨ
Ｆ用スイッチングダイオードＤ１のカソードに接続し、
該ＵＨＦ用スイッチングダイオードＤ１のアノードを端
子ＢＵに接続する。前記ダンピング抵抗Ｒ１２の他端と
ドレイン用チョークコイルＬ２の一端を接続し、該ドレ
イン用チョークコイルＬ２の他端とＵＨＦ段間同調回路
Ａ２を前記ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１のドレイン
ｃに接続する。
【０００６】前記ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１の第
２ゲートｂをバイパスコンデンサーＣ１を介して接地す
るとともに、保護抵抗Ｒ１の一端に接続し、該保護抵抗
Ｒ１の他端を端子ＡＧＣと保護抵抗Ｒ２の一端に接続す
る。該保護抵抗Ｒ２の他端をバイパスコンデンサーＣ２
を介して接地するとともに、ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥ
ＴＱ２の第２ゲートｆに接続する。
２ゲートｂをバイパスコンデンサーＣ１を介して接地す
るとともに、保護抵抗Ｒ１の一端に接続し、該保護抵抗
Ｒ１の他端を端子ＡＧＣと保護抵抗Ｒ２の一端に接続す
る。該保護抵抗Ｒ２の他端をバイパスコンデンサーＣ２
を介して接地するとともに、ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥ
ＴＱ２の第２ゲートｆに接続する。
【０００７】前記ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１のソ
ースｄをバイパスコンデンサーＣ３を介して接地すると
ともに、前記バイアス抵抗Ｒ４の他端とバイアス抵抗Ｒ
５の一端に接続し、該バイアス抵抗Ｒ５の他端を接地す
る。
ースｄをバイパスコンデンサーＣ３を介して接地すると
ともに、前記バイアス抵抗Ｒ４の他端とバイアス抵抗Ｒ
５の一端に接続し、該バイアス抵抗Ｒ５の他端を接地す
る。
【０００８】前記ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２の第
１ゲートｅを、結合コンデンサーＣ８を介してＶＨＦ入
力同調回路Ａ３と接続するとともに、バイアス抵抗Ｒ１
３、Ｒ１４のそれぞれの一端に接続し、該バイアス抵抗
Ｒ１４の他端を接地する。該バイアス抵抗Ｒ１３の他端
を、バイパスコンデンサーＣ９を介して接地するととも
に、ＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ４の一端とスイッチ
ングダイオードＤ２のカソードとバイアス抵抗Ｒ６の一
端に接続する。該スイッチングダイオードＤ２のアノー
ドを端子ＢＬに接続する。
１ゲートｅを、結合コンデンサーＣ８を介してＶＨＦ入
力同調回路Ａ３と接続するとともに、バイアス抵抗Ｒ１
３、Ｒ１４のそれぞれの一端に接続し、該バイアス抵抗
Ｒ１４の他端を接地する。該バイアス抵抗Ｒ１３の他端
を、バイパスコンデンサーＣ９を介して接地するととも
に、ＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ４の一端とスイッチ
ングダイオードＤ２のカソードとバイアス抵抗Ｒ６の一
端に接続する。該スイッチングダイオードＤ２のアノー
ドを端子ＢＬに接続する。
【０００９】前記ＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ４の他
端をＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ３の一端とスイッチ
ングダイオードＤ３のカソードと接続する。該スイッチ
ングダイオードＤ３のアノードをバイパスコンデンサー
Ｃ１０を介して接地するとともに、端子ＢＨに接続す
る。
端をＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ３の一端とスイッチ
ングダイオードＤ３のカソードと接続する。該スイッチ
ングダイオードＤ３のアノードをバイパスコンデンサー
Ｃ１０を介して接地するとともに、端子ＢＨに接続す
る。
【００１０】前記ＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ３の他
端をダンピング抵抗Ｒ１５の一端と接続し、該ダンピン
グ抵抗Ｒ１５の他端を前記ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴ
Ｑ２のドレインｇと接続する。ＶＨＦ用高周波増幅用Ｆ
ＥＴＱ２のソースｈをバイパスコンデンサーＣ４を介し
て接地するとともに、前記バイアス抵抗Ｒ６の他端とバ
イアス抵抗Ｒ７の一端を接続し、該バイアス抵抗Ｒ７の
他端を接地する。
端をダンピング抵抗Ｒ１５の一端と接続し、該ダンピン
グ抵抗Ｒ１５の他端を前記ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴ
Ｑ２のドレインｇと接続する。ＶＨＦ用高周波増幅用Ｆ
ＥＴＱ２のソースｈをバイパスコンデンサーＣ４を介し
て接地するとともに、前記バイアス抵抗Ｒ６の他端とバ
イアス抵抗Ｒ７の一端を接続し、該バイアス抵抗Ｒ７の
他端を接地する。
【００１１】まず、ＵＨＦ動作の場合について説明す
る。端子ＢＵに印加された電圧は、順方向電圧としてス
イッチングダイオードＤ１に印加されこれを導通させ
る。また該電圧は、ダンピング抵抗Ｒ１２及びチョーク
コイルＬ２を介して、ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１
のドレインｃに印加されるとともにバイアス抵抗Ｒ４、
Ｒ５で分圧されてソースｄに印加される。更に該電圧
は、バイアス抵抗Ｒ１０及びＲ１１によって分圧され、
チョークコイルＬ１を介して、ＵＨＦ用高周波増幅用Ｆ
ＥＴＱ１の第１ゲートａに印加される。
る。端子ＢＵに印加された電圧は、順方向電圧としてス
イッチングダイオードＤ１に印加されこれを導通させ
る。また該電圧は、ダンピング抵抗Ｒ１２及びチョーク
コイルＬ２を介して、ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１
のドレインｃに印加されるとともにバイアス抵抗Ｒ４、
Ｒ５で分圧されてソースｄに印加される。更に該電圧
は、バイアス抵抗Ｒ１０及びＲ１１によって分圧され、
チョークコイルＬ１を介して、ＵＨＦ用高周波増幅用Ｆ
ＥＴＱ１の第１ゲートａに印加される。
【００１２】従って、ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１
は動作状態となり、ＵＨＦ入力同調回路Ａ１から第１ゲ
ートａに与えられるＵＨＦの高周波信号を増幅してドレ
インｃ側へ出力する。その際、ＵＨＦ用高周波増幅用Ｆ
ＥＴＱ１の第２ゲートｂには端子ＡＧＣに与えられた利
得制御電圧が保護抵抗Ｒ１を介して印加されるので、Ｕ
ＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１のゲインが制御される。
は動作状態となり、ＵＨＦ入力同調回路Ａ１から第１ゲ
ートａに与えられるＵＨＦの高周波信号を増幅してドレ
インｃ側へ出力する。その際、ＵＨＦ用高周波増幅用Ｆ
ＥＴＱ１の第２ゲートｂには端子ＡＧＣに与えられた利
得制御電圧が保護抵抗Ｒ１を介して印加されるので、Ｕ
ＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１のゲインが制御される。
【００１３】この時、端子ＢＬ及び端子ＢＨは開放され
ているので、ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のドレイ
ンｇ及び第１ゲートｅには電圧が印加されないのでＶＨ
Ｆ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２は動作しない。
ているので、ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のドレイ
ンｇ及び第１ゲートｅには電圧が印加されないのでＶＨ
Ｆ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２は動作しない。
【００１４】次に、ＶＨＦ動作の場合について説明す
る。ローバンド選択時には、端子ＢＬに印加された電圧
は、順方向電圧としてスイッチングダイオードＤ２に印
加されこれを導通させる。また該電圧は、段間同調コイ
ルＬ４及びＬ３とダンピング抵抗Ｒ１５を介して、ＶＨ
Ｆ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のドレインｇに印加される
とともに、バイアス抵抗Ｒ６、Ｒ７で分圧されてソース
ｄに印加される。
る。ローバンド選択時には、端子ＢＬに印加された電圧
は、順方向電圧としてスイッチングダイオードＤ２に印
加されこれを導通させる。また該電圧は、段間同調コイ
ルＬ４及びＬ３とダンピング抵抗Ｒ１５を介して、ＶＨ
Ｆ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のドレインｇに印加される
とともに、バイアス抵抗Ｒ６、Ｒ７で分圧されてソース
ｄに印加される。
【００１５】ハイバンド選択時には、端子ＢＨに印加さ
れた電圧は、順方向電圧としてスイッチングダイオード
Ｄ３に印加されこれを導通させる。また該電圧は、段間
同調コイルＬ３及びダンピング抵抗Ｒ１５を介して、Ｖ
ＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のドレインｇに印加され
るとともに、バイアス抵抗Ｒ６、Ｒ７で分圧されてソー
スｄに印加される。
れた電圧は、順方向電圧としてスイッチングダイオード
Ｄ３に印加されこれを導通させる。また該電圧は、段間
同調コイルＬ３及びダンピング抵抗Ｒ１５を介して、Ｖ
ＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のドレインｇに印加され
るとともに、バイアス抵抗Ｒ６、Ｒ７で分圧されてソー
スｄに印加される。
【００１６】ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２の第１ゲ
ートｅにはバイアス抵抗Ｒ１３及びＲ１４で分圧された
電圧が印加される。従って、ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥ
ＴＱ２は動作状態となり、ＶＨＦ入力同調回路Ａ３から
第１ゲートｅに与えられるＶＨＦの高周波信号を増幅し
てドレインｇ側へ出力する。その際、ＶＨＦ用高周波増
幅用ＦＥＴＱ２の第２ゲートｆには端子ＡＧＣに与えら
れた利得制御電圧が保護抵抗Ｒ２を介して印加されるの
で、ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のゲインが制御さ
れる。
ートｅにはバイアス抵抗Ｒ１３及びＲ１４で分圧された
電圧が印加される。従って、ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥ
ＴＱ２は動作状態となり、ＶＨＦ入力同調回路Ａ３から
第１ゲートｅに与えられるＶＨＦの高周波信号を増幅し
てドレインｇ側へ出力する。その際、ＶＨＦ用高周波増
幅用ＦＥＴＱ２の第２ゲートｆには端子ＡＧＣに与えら
れた利得制御電圧が保護抵抗Ｒ２を介して印加されるの
で、ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のゲインが制御さ
れる。
【００１７】この時、端子ＢＵは開放されているので、
ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１のドレインｃ及び第１
ゲートａには電圧が印加されないためＵＨＦ用高周波増
幅用ＦＥＴＱ１は動作しない。尚、端子ＶＴに印加され
る電圧は、ＵＨＦ入力同調回路Ａ１、ＵＨＦ段間同調回
路Ａ２或いはＶＨＦ入力同調回路Ａ３等の同調電圧とな
る。
ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１のドレインｃ及び第１
ゲートａには電圧が印加されないためＵＨＦ用高周波増
幅用ＦＥＴＱ１は動作しない。尚、端子ＶＴに印加され
る電圧は、ＵＨＦ入力同調回路Ａ１、ＵＨＦ段間同調回
路Ａ２或いはＶＨＦ入力同調回路Ａ３等の同調電圧とな
る。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うに構成されたチューナ回路は部品点数及び接続箇所が
非常に多く、一定の面積の基板に全部品を実装する際の
実装密度が高いために、半田付け作業が難しく歩留まり
が悪いとともに、部品コストと作業コスト及び製品コス
トが相当高くなるという問題があった。
うに構成されたチューナ回路は部品点数及び接続箇所が
非常に多く、一定の面積の基板に全部品を実装する際の
実装密度が高いために、半田付け作業が難しく歩留まり
が悪いとともに、部品コストと作業コスト及び製品コス
トが相当高くなるという問題があった。
【００１９】またＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１の第
２ゲートｂとＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２の第２ゲ
ートｆのいずれにも、動作状態・非動作状態にかかわら
ず、常に端子ＡＧＣから電圧が印加されるため、動作し
ていないＦＥＴについては第２ゲート・ソース間電圧が
非常に高くなり最大定格を満足できなくなるか、あるい
は、最大定格すれすれで使用することになり信頼性を非
常に悪化させるという問題があった。
２ゲートｂとＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２の第２ゲ
ートｆのいずれにも、動作状態・非動作状態にかかわら
ず、常に端子ＡＧＣから電圧が印加されるため、動作し
ていないＦＥＴについては第２ゲート・ソース間電圧が
非常に高くなり最大定格を満足できなくなるか、あるい
は、最大定格すれすれで使用することになり信頼性を非
常に悪化させるという問題があった。
【００２０】本発明は、このような問題を解決し、部品
点数及び接続箇所が少なく恒常的に最大定格を十分満足
するチューナ回路を提供することを目的とする。
点数及び接続箇所が少なく恒常的に最大定格を十分満足
するチューナ回路を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、高周波信号が入力される第１ゲートと
ＡＧＣ電圧が印加される第２ゲートを備える複数の電界
効果トランジスタを用いた高周波段を有し、バンド切換
により多バンド受信を行なうチューナ回路において、そ
れぞれの前記電界効果トランジスタのソースを抵抗を介
さず直接接続するとともに、それぞれの前記電界効果ト
ランジスタの第２ゲートを抵抗を介さず直接接続し、前
記ソースには常に電圧を印加し、第１ゲートとドレイン
には動作させるべき電界効果トランジスタのみに電圧を
印加するようにしている。
め、本発明では、高周波信号が入力される第１ゲートと
ＡＧＣ電圧が印加される第２ゲートを備える複数の電界
効果トランジスタを用いた高周波段を有し、バンド切換
により多バンド受信を行なうチューナ回路において、そ
れぞれの前記電界効果トランジスタのソースを抵抗を介
さず直接接続するとともに、それぞれの前記電界効果ト
ランジスタの第２ゲートを抵抗を介さず直接接続し、前
記ソースには常に電圧を印加し、第１ゲートとドレイン
には動作させるべき電界効果トランジスタのみに電圧を
印加するようにしている。
【００２２】
【作用】このような構成によると、ＵＨＦ・ＶＨＦそれ
ぞれのＦＥＴのソースにはバンド選択の是非に関係なく
常に電圧が印加されるため第２ゲート・ソース間の電位
差が大きくならないので、恒常的に最大定格を十分満足
し、信頼性が向上する。また、非作動状態のトランジス
タのソースと第２ゲートの電位差が大きくならないこと
及びその非作動トランジスタはドレインだけでなく第１
ゲートにもバイアスが印加されないことによりその非作
動トランジスタのアイソレーション（信号入力等により
不本意に動作状態とならないこと）が確実になる。
ぞれのＦＥＴのソースにはバンド選択の是非に関係なく
常に電圧が印加されるため第２ゲート・ソース間の電位
差が大きくならないので、恒常的に最大定格を十分満足
し、信頼性が向上する。また、非作動状態のトランジス
タのソースと第２ゲートの電位差が大きくならないこと
及びその非作動トランジスタはドレインだけでなく第１
ゲートにもバイアスが印加されないことによりその非作
動トランジスタのアイソレーション（信号入力等により
不本意に動作状態とならないこと）が確実になる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基いて詳細に
説明する。図１に、本発明の実施例におけるチューナ回
路の回路図を示す。ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１の
第１ゲートａを、結合コンデンサーＣ６を介しＵＨＦ入
力同調回路Ａ１に接続するとともに、ゲート用チョーク
コイルＬ１の一端に接続する。
説明する。図１に、本発明の実施例におけるチューナ回
路の回路図を示す。ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１の
第１ゲートａを、結合コンデンサーＣ６を介しＵＨＦ入
力同調回路Ａ１に接続するとともに、ゲート用チョーク
コイルＬ１の一端に接続する。
【００２４】該ゲート用チョークコイルＬ１の他端を、
バイパスコンデンサーＣ７を介して接地するとともに、
バイアス抵抗Ｒ１０の一端とバイアス抵抗Ｒ１１の一端
と接続する。該バイアス抵抗Ｒ１１の他端を接地する。
バイパスコンデンサーＣ７を介して接地するとともに、
バイアス抵抗Ｒ１０の一端とバイアス抵抗Ｒ１１の一端
と接続する。該バイアス抵抗Ｒ１１の他端を接地する。
【００２５】前記バイアス抵抗Ｒ１０の他端を、バイパ
スコンデンサーＣ５を介して接地するとともにダンピン
グ抵抗Ｒ１２の一端とＵＨＦ用スイッチングダイオード
Ｄ１のカソードに接続し、該ＵＨＦ用スイッチングダイ
オードＤ１のアノードを端子ＢＵに接続する。前記ダン
ピング抵抗Ｒ１２の他端とドレイン用チョークコイルＬ
２の一端を接続し、該ドレイン用チョークコイルＬ２の
他端とＵＨＦ段間同調回路Ａ２を前記ＵＨＦ用高周波増
幅用ＦＥＴＱ１のドレインｃに接続する。
スコンデンサーＣ５を介して接地するとともにダンピン
グ抵抗Ｒ１２の一端とＵＨＦ用スイッチングダイオード
Ｄ１のカソードに接続し、該ＵＨＦ用スイッチングダイ
オードＤ１のアノードを端子ＢＵに接続する。前記ダン
ピング抵抗Ｒ１２の他端とドレイン用チョークコイルＬ
２の一端を接続し、該ドレイン用チョークコイルＬ２の
他端とＵＨＦ段間同調回路Ａ２を前記ＵＨＦ用高周波増
幅用ＦＥＴＱ１のドレインｃに接続する。
【００２６】前記ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１の第
２ゲートｂを、バイパスコンデンサーＣ１を介して接地
するとともに、ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２の第２
ゲートｆと保護抵抗Ｒ３の一端に接続する。該保護抵抗
Ｒ３の他端を利得制御電圧が与えられる端子ＡＧＣに接
続する。
２ゲートｂを、バイパスコンデンサーＣ１を介して接地
するとともに、ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２の第２
ゲートｆと保護抵抗Ｒ３の一端に接続する。該保護抵抗
Ｒ３の他端を利得制御電圧が与えられる端子ＡＧＣに接
続する。
【００２７】前記ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１のソ
ースｄを、バイパスコンデンサーＣ３を介して接地する
とともに、前記ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のソー
スｈとバイアス抵抗Ｒ８、Ｒ９のそれぞれの一端に接続
する。該バイアス抵抗Ｒ８の他端を新たに設けた端子Ｍ
Ｂに接続し、該バイアス抵抗Ｒ９の他端を接地する。
ースｄを、バイパスコンデンサーＣ３を介して接地する
とともに、前記ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のソー
スｈとバイアス抵抗Ｒ８、Ｒ９のそれぞれの一端に接続
する。該バイアス抵抗Ｒ８の他端を新たに設けた端子Ｍ
Ｂに接続し、該バイアス抵抗Ｒ９の他端を接地する。
【００２８】前記ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２の第
１ゲートｅを、結合コンデンサーＣ８を介してＶＨＦ入
力同調回路Ａ３と接続するとともに、バイアス抵抗Ｒ１
３の一端とバイアス抵抗Ｒ１４の一端に接続する。該バ
イアス抵抗Ｒ１４の他端を接地する。該バイアス抵抗Ｒ
１３の他端を、バイパスコンデンサーＣ９を介して接地
し、ＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ４の一端とスイッチ
ングダイオードＤ２のカソードに接続する。該スイッチ
ングダイオードＤ２のアノードを端子ＢＬに接続する。
１ゲートｅを、結合コンデンサーＣ８を介してＶＨＦ入
力同調回路Ａ３と接続するとともに、バイアス抵抗Ｒ１
３の一端とバイアス抵抗Ｒ１４の一端に接続する。該バ
イアス抵抗Ｒ１４の他端を接地する。該バイアス抵抗Ｒ
１３の他端を、バイパスコンデンサーＣ９を介して接地
し、ＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ４の一端とスイッチ
ングダイオードＤ２のカソードに接続する。該スイッチ
ングダイオードＤ２のアノードを端子ＢＬに接続する。
【００２９】前記ＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ４の他
端をＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ３の一端とスイッチ
ングダイオードＤ３のカソードと接続する。該スイッチ
ングダイオードＤ３のアノードをバイパスコンデンサー
Ｃ１０を介して接地するとともに、端子ＢＨに接続す
る。前記ＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ３の他端をダン
ピング抵抗Ｒ１５の一端と接続し、該ダンピング抵抗Ｒ
１５の他端を前記ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のド
レインｇと接続する。尚、端子ＶＴに印加される電圧
は、ＵＨＦ入力同調回路Ａ１、ＵＨＦ段間同調回路Ａ２
或いはＶＨＦ入力同調回路Ａ３等の同調電圧となる。
端をＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ３の一端とスイッチ
ングダイオードＤ３のカソードと接続する。該スイッチ
ングダイオードＤ３のアノードをバイパスコンデンサー
Ｃ１０を介して接地するとともに、端子ＢＨに接続す
る。前記ＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ３の他端をダン
ピング抵抗Ｒ１５の一端と接続し、該ダンピング抵抗Ｒ
１５の他端を前記ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のド
レインｇと接続する。尚、端子ＶＴに印加される電圧
は、ＵＨＦ入力同調回路Ａ１、ＵＨＦ段間同調回路Ａ２
或いはＶＨＦ入力同調回路Ａ３等の同調電圧となる。
【００３０】次に上記構成のチューナ回路において各バ
ンド選択時の状態を説明する。まずＵＨＦ選択時の場合
について説明する。端子ＢＵに印加された電圧は、順方
向電圧としてスイッチングダイオードＤ１に印加されこ
れを導通させる。また該電圧は、ダンピング抵抗Ｒ１２
及びドレイン用チョークコイルＬ２を介して、ＵＨＦ用
高周波増幅用ＦＥＴＱ１のドレインｃに印加される。更
に該電圧は、バイアス抵抗Ｒ１０及びＲ１１によって分
圧され、ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１の第１ゲート
ａに印加される。
ンド選択時の状態を説明する。まずＵＨＦ選択時の場合
について説明する。端子ＢＵに印加された電圧は、順方
向電圧としてスイッチングダイオードＤ１に印加されこ
れを導通させる。また該電圧は、ダンピング抵抗Ｒ１２
及びドレイン用チョークコイルＬ２を介して、ＵＨＦ用
高周波増幅用ＦＥＴＱ１のドレインｃに印加される。更
に該電圧は、バイアス抵抗Ｒ１０及びＲ１１によって分
圧され、ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１の第１ゲート
ａに印加される。
【００３１】ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１のソース
ｄ及びＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のソースｈに
は、バイアス抵抗Ｒ８を介してバンド選択に関係なく、
端子ＭＢより電圧が印加される。ＵＨＦ用高周波増幅用
ＦＥＴＱ１の第２ゲートｂ及びＶＨＦ用高周波増幅用Ｆ
ＥＴＱ２の第２ゲートｆには、保護抵抗Ｒ３を介して、
バンド選択に関係なく、端子ＡＧＣより利得制御電圧が
印加される。この時ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１は
ＵＨＦ入力同調回路Ａ１から与えられるＵＨＦの高周波
信号を増幅するとともに、端子ＡＧＣから印加された利
得制御電圧に応じて、そのゲインが制御される。
ｄ及びＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２のソースｈに
は、バイアス抵抗Ｒ８を介してバンド選択に関係なく、
端子ＭＢより電圧が印加される。ＵＨＦ用高周波増幅用
ＦＥＴＱ１の第２ゲートｂ及びＶＨＦ用高周波増幅用Ｆ
ＥＴＱ２の第２ゲートｆには、保護抵抗Ｒ３を介して、
バンド選択に関係なく、端子ＡＧＣより利得制御電圧が
印加される。この時ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１は
ＵＨＦ入力同調回路Ａ１から与えられるＵＨＦの高周波
信号を増幅するとともに、端子ＡＧＣから印加された利
得制御電圧に応じて、そのゲインが制御される。
【００３２】ここでＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２の
第１ゲートｅのバイアス抵抗Ｒ１３及びＲ１４は、それ
ぞれ１００ＫΩ以上の高抵抗値であることよりＶＨＦ用
高周波増幅用ＦＥＴＱ２のソースｈに端子ＭＢから電圧
が印加されても逆方向ドレイン電流はほとんど流れな
い。よってＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２は動作しな
い。
第１ゲートｅのバイアス抵抗Ｒ１３及びＲ１４は、それ
ぞれ１００ＫΩ以上の高抵抗値であることよりＶＨＦ用
高周波増幅用ＦＥＴＱ２のソースｈに端子ＭＢから電圧
が印加されても逆方向ドレイン電流はほとんど流れな
い。よってＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２は動作しな
い。
【００３３】次にＶＨＦ選択時の場合について説明す
る。端子ＢＬに印加された電圧は、順方向電圧としてス
イッチングダイオードＤ２に印加されこれを導通させ
る。また該電圧は、ＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ４、
Ｌ３及びダンピング抵抗Ｒ１５を介して、ＶＨＦ用高周
波増幅用ＦＥＴＱ２のドレインｇに印加される。更に該
電圧は、バイアス抵抗Ｒ１３及びＲ１４で分圧され、Ｖ
ＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２の第１ゲートｅに印加さ
れる。この時、スイッチングダイオードＤ３のカソード
に逆方向電圧が印加されるので、スイッチングダイオー
ドＤ３は非導通となりローバンド動作となる。
る。端子ＢＬに印加された電圧は、順方向電圧としてス
イッチングダイオードＤ２に印加されこれを導通させ
る。また該電圧は、ＶＨＦ段間１次側調整コイルＬ４、
Ｌ３及びダンピング抵抗Ｒ１５を介して、ＶＨＦ用高周
波増幅用ＦＥＴＱ２のドレインｇに印加される。更に該
電圧は、バイアス抵抗Ｒ１３及びＲ１４で分圧され、Ｖ
ＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２の第１ゲートｅに印加さ
れる。この時、スイッチングダイオードＤ３のカソード
に逆方向電圧が印加されるので、スイッチングダイオー
ドＤ３は非導通となりローバンド動作となる。
【００３４】端子ＢＨに印加された電圧は、順方向電圧
としてスイッチングダイオードＤ３に印加されこれを導
通させる。また該電圧は、ＶＨＦ段間１次側調整コイル
Ｌ３及びダンピング抵抗Ｒ１５を介して、ＶＨＦ用高周
波増幅用ＦＥＴＱ２のドレインｇに印加される。更に該
電圧は、バイアス抵抗Ｒ１３及びＲ１４で分圧され、Ｖ
ＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２の第１ゲートｅに印加さ
れ、ハイバンド動作となる。
としてスイッチングダイオードＤ３に印加されこれを導
通させる。また該電圧は、ＶＨＦ段間１次側調整コイル
Ｌ３及びダンピング抵抗Ｒ１５を介して、ＶＨＦ用高周
波増幅用ＦＥＴＱ２のドレインｇに印加される。更に該
電圧は、バイアス抵抗Ｒ１３及びＲ１４で分圧され、Ｖ
ＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２の第１ゲートｅに印加さ
れ、ハイバンド動作となる。
【００３５】よってＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ２は
ＶＨＦ入力同調回路Ａ３から与えられるＶＨＦの高周波
信号を増幅するとともに、端子ＡＧＣに印加された利得
制御電圧に応じてそのゲインが制御される。このとき、
ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１の第１ゲートａのバイ
アス抵抗Ｒ１０、Ｒ１１がそれぞれ１００ＫΩ以上の高
抵抗であることより端子ＭＢから電圧が印加されてもＵ
ＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１は動作しない。尚、上述
の実施例では、ＦＥＴを２ケ使用しているが、ＶＨＦの
ローバンド受信回路及びハイバンド受信回路をそれぞれ
別のＦＥＴにて構成する場合のように、ＦＥＴをさらに
増設する場合にも同様に本発明を適用できる。
ＶＨＦ入力同調回路Ａ３から与えられるＶＨＦの高周波
信号を増幅するとともに、端子ＡＧＣに印加された利得
制御電圧に応じてそのゲインが制御される。このとき、
ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１の第１ゲートａのバイ
アス抵抗Ｒ１０、Ｒ１１がそれぞれ１００ＫΩ以上の高
抵抗であることより端子ＭＢから電圧が印加されてもＵ
ＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴＱ１は動作しない。尚、上述
の実施例では、ＦＥＴを２ケ使用しているが、ＶＨＦの
ローバンド受信回路及びハイバンド受信回路をそれぞれ
別のＦＥＴにて構成する場合のように、ＦＥＴをさらに
増設する場合にも同様に本発明を適用できる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｕ
ＨＦ受信回路及びＶＨＦ受信回路それぞれのソースのバ
イアスを共通にすることができるため、部品点数及び接
続箇所を減らすことができる。従って、一定面積の基板
における部品の実装面積を低くして半田付作業を容易化
し歩留まりを改善できると共に部品コスト及び作業コス
トの低減によって製品のコストダウンを図ることができ
る。
ＨＦ受信回路及びＶＨＦ受信回路それぞれのソースのバ
イアスを共通にすることができるため、部品点数及び接
続箇所を減らすことができる。従って、一定面積の基板
における部品の実装面積を低くして半田付作業を容易化
し歩留まりを改善できると共に部品コスト及び作業コス
トの低減によって製品のコストダウンを図ることができ
る。
【００３７】また、ＦＥＴが非動作であっても第２ゲー
ト・ソース間電圧が異常に高くなることはなく信頼性の
悪化を防止することができる。さらに、それぞれのソー
ス及び第２ゲートを接続するラインが擬似ＧＮＤとして
利用できるためパターン展開が非常にやりやすくなる。
尚、ソースには常に電圧を印加し、第１ゲートとドレイ
ンには動作させるべき電界効果トランジスタのみに電圧
を印加するようにしているので、非作動トランジスタは
ドレインだけでなく第１ゲートにもバイアスが印加され
ないことになり、その非作動トランジスタのアイソレー
ション（信号入力等により不本意に動作状態とならない
こと）が確実になる。
ト・ソース間電圧が異常に高くなることはなく信頼性の
悪化を防止することができる。さらに、それぞれのソー
ス及び第２ゲートを接続するラインが擬似ＧＮＤとして
利用できるためパターン展開が非常にやりやすくなる。
尚、ソースには常に電圧を印加し、第１ゲートとドレイ
ンには動作させるべき電界効果トランジスタのみに電圧
を印加するようにしているので、非作動トランジスタは
ドレインだけでなく第１ゲートにもバイアスが印加され
ないことになり、その非作動トランジスタのアイソレー
ション（信号入力等により不本意に動作状態とならない
こと）が確実になる。
【図１】 本発明を実施したチューナ回路の回路図。
【図２】 従来例の回路図。
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ７、Ｃ９、Ｃ１０
バイパスコンデンサー Ｃ６、Ｃ８ 結合コンデンサー Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 保護抵抗 Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１
１、Ｒ１３、Ｒ１４ バイアス抵抗 Ｒ１２、Ｒ１５ ダンピング抵抗 Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３ スイッチングダイオード Ｑ１ ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴ Ｑ２ ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴ ａ、ｅ 第１ゲート ｂ、ｆ 第２ゲート ｃ、ｇ ドレイン ｄ、ｈ ソース Ｌ１、Ｌ２ チョークコイル Ｌ３、Ｌ４ ＶＨＦ段間１次側調整用コイル Ａ１ ＵＨＦ入力同調回路 Ａ２ ＵＨＦ段間同調回路 Ａ３ ＶＨＦ入力同調回路 ＶＴ、ＢＵ、ＡＧＣ、ＢＬ、ＢＨ、ＭＢ 電圧印加端子 ＵＨＦ ＩＮ ＵＨＦ受信信号入力端子 ＶＨＦ ＩＮ ＶＨＦ受信信号入力端子
バイパスコンデンサー Ｃ６、Ｃ８ 結合コンデンサー Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 保護抵抗 Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１
１、Ｒ１３、Ｒ１４ バイアス抵抗 Ｒ１２、Ｒ１５ ダンピング抵抗 Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３ スイッチングダイオード Ｑ１ ＵＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴ Ｑ２ ＶＨＦ用高周波増幅用ＦＥＴ ａ、ｅ 第１ゲート ｂ、ｆ 第２ゲート ｃ、ｇ ドレイン ｄ、ｈ ソース Ｌ１、Ｌ２ チョークコイル Ｌ３、Ｌ４ ＶＨＦ段間１次側調整用コイル Ａ１ ＵＨＦ入力同調回路 Ａ２ ＵＨＦ段間同調回路 Ａ３ ＶＨＦ入力同調回路 ＶＴ、ＢＵ、ＡＧＣ、ＢＬ、ＢＨ、ＭＢ 電圧印加端子 ＵＨＦ ＩＮ ＵＨＦ受信信号入力端子 ＶＨＦ ＩＮ ＶＨＦ受信信号入力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03J 5/24 H04B 1/16 H04B 1/18 H04B 1/26
Claims (1)
- 【請求項１】 高周波信号が入力される第１ゲートとＡ
ＧＣ電圧が印加される第２ゲートを備える複数の電界効
果トランジスタを用いた高周波段を有し、バンド切換に
より多バンド受信を行なうチューナ回路において、 それぞれの前記電界効果トランジスタのソースを抵抗を
介さず直接接続するとともに、それぞれの前記電界効果
トランジスタの第２ゲートを抵抗を介さず直接接続し、
前記ソースには常に電圧を印加し、第１ゲートとドレイ
ンには動作させるべき電界効果トランジスタのみに電圧
を印加するようにしたことを特徴とするチューナ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22109392A JP3242707B2 (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | チューナ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22109392A JP3242707B2 (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | チューナ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669763A JPH0669763A (ja) | 1994-03-11 |
| JP3242707B2 true JP3242707B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=16761383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22109392A Expired - Fee Related JP3242707B2 (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | チューナ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3242707B2 (ja) |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP22109392A patent/JP3242707B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0669763A (ja) | 1994-03-11 |
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