JPH0132430Y2 - - Google Patents
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- JPH0132430Y2 JPH0132430Y2 JP1981189793U JP18979381U JPH0132430Y2 JP H0132430 Y2 JPH0132430 Y2 JP H0132430Y2 JP 1981189793 U JP1981189793 U JP 1981189793U JP 18979381 U JP18979381 U JP 18979381U JP H0132430 Y2 JPH0132430 Y2 JP H0132430Y2
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- JP
- Japan
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- diode
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- resistor
- diodes
- series
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Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はダイオードを使用した高周波スイツチ
回路に関する。
回路に関する。
高周波信号の通過、遮断を制御する場合、操作
部とスイツチ回路部を分離して設置したい場合
や、機械的可動部なしに電子的にコントロールし
たい場合にはダイオードを使用した回路が一般に
用いられる。すなわちダイオードを順方向にバイ
アスし、電流を流した場合にはその高周波インピ
ーダンスが低下し、無バイアス又は逆バイアス状
態に於ては高周波インピーダンスが高くなること
を利用してスイツチを構成するものである。
部とスイツチ回路部を分離して設置したい場合
や、機械的可動部なしに電子的にコントロールし
たい場合にはダイオードを使用した回路が一般に
用いられる。すなわちダイオードを順方向にバイ
アスし、電流を流した場合にはその高周波インピ
ーダンスが低下し、無バイアス又は逆バイアス状
態に於ては高周波インピーダンスが高くなること
を利用してスイツチを構成するものである。
一般にダイオード1個だけではその高周波イン
ピーダンスの変化量が充分に大きくないため、遮
断時の減衰量は限られたものとなり、実用のため
には複数のダイオードを高周波信号の伝送経路に
沿つてシリーズ及びシヤントに配置し、相互にオ
ン、オフすることにより高い遮断減衰量が得られ
る様にすることが多い。またこの場合高インピー
ダンス状態、つまり無電流の状態におかれる方の
ダイオードは逆バイアスの電圧がかかる様にして
高周波信号電圧に対する非直線歪の発生をおさえ
るのが一般的である。これを実現するため従来と
られてきた方法の例としては第1図に示す回路が
ある。第1図において、1は入力又は出力端子
で、この端子1はコンデンサ2、逆方向接続のダ
イオード4及びコンデンサ5を直列に介して出力
又は入力端子6へ接続される。そして、上記コン
デンサ2とダイオード4との接続点は抵抗3を介
して接地されると共に、ダイオード7を逆方向に
介して切換スイツチ8の接点b及び切換スイツチ
9の接点aに接続される。さらに、ダイオード7
と切換スイツチ8,9との接続点はコンデンサ1
0を介して接地される。上記切換スイツチ8,9
は連動して切換えられるようになつており、切換
スイツチ8の共通接点cには正の直流電圧B+
が、供給され、切換スイツチ9の共通接点cは接
地される。そして、切換スイツチ8の接点a及び
切換スイツチ9の接点bは一括して接続され、コ
ンデンサ11を介して接地されると共にチヨーク
コイル12を介してダイオード4とコンデンサ5
との接続点に接続される。上記切換スイツチ8,
9は、端子1,6間における信号の通過、遮断を
切換えるもので、接点a側に切換えた場合に通
過、接点b側に切換えた場合に遮断となる。
ピーダンスの変化量が充分に大きくないため、遮
断時の減衰量は限られたものとなり、実用のため
には複数のダイオードを高周波信号の伝送経路に
沿つてシリーズ及びシヤントに配置し、相互にオ
ン、オフすることにより高い遮断減衰量が得られ
る様にすることが多い。またこの場合高インピー
ダンス状態、つまり無電流の状態におかれる方の
ダイオードは逆バイアスの電圧がかかる様にして
高周波信号電圧に対する非直線歪の発生をおさえ
るのが一般的である。これを実現するため従来と
られてきた方法の例としては第1図に示す回路が
ある。第1図において、1は入力又は出力端子
で、この端子1はコンデンサ2、逆方向接続のダ
イオード4及びコンデンサ5を直列に介して出力
又は入力端子6へ接続される。そして、上記コン
デンサ2とダイオード4との接続点は抵抗3を介
して接地されると共に、ダイオード7を逆方向に
介して切換スイツチ8の接点b及び切換スイツチ
9の接点aに接続される。さらに、ダイオード7
と切換スイツチ8,9との接続点はコンデンサ1
0を介して接地される。上記切換スイツチ8,9
は連動して切換えられるようになつており、切換
スイツチ8の共通接点cには正の直流電圧B+
が、供給され、切換スイツチ9の共通接点cは接
地される。そして、切換スイツチ8の接点a及び
切換スイツチ9の接点bは一括して接続され、コ
ンデンサ11を介して接地されると共にチヨーク
コイル12を介してダイオード4とコンデンサ5
との接続点に接続される。上記切換スイツチ8,
9は、端子1,6間における信号の通過、遮断を
切換えるもので、接点a側に切換えた場合に通
過、接点b側に切換えた場合に遮断となる。
すなわち、切換スイツチ8,9が通過側に切換
えられた場合にはシリーズ接続のダイオード4は
チヨークコイル12と抵抗3を通つて接地に電流
が流れることによりオンとなり、シヤント接続の
ダイオード7はオフ状態となり、しかもダイオー
ド7はほぼB電圧に等しい電圧で逆バイアスされ
る様になつている。切換スイツチ8,9を遮断側
に切換えた場合にはこれら両ダイオードのバイア
ス条件は逆になり、高周波信号を遮断する様にな
つている。なおチヨークコイル12は高周波の損
失なくダイオード4,7に電圧を加えるためのも
のである。
えられた場合にはシリーズ接続のダイオード4は
チヨークコイル12と抵抗3を通つて接地に電流
が流れることによりオンとなり、シヤント接続の
ダイオード7はオフ状態となり、しかもダイオー
ド7はほぼB電圧に等しい電圧で逆バイアスされ
る様になつている。切換スイツチ8,9を遮断側
に切換えた場合にはこれら両ダイオードのバイア
ス条件は逆になり、高周波信号を遮断する様にな
つている。なおチヨークコイル12は高周波の損
失なくダイオード4,7に電圧を加えるためのも
のである。
第2図に示した回路は遮断時の減衰特性を向上
するため、第1図の回路を3段縦続に接続した従
来例である。この場合にはデシベルで表わした遮
断減衰量は第1図に示した回路のほぼ3倍得られ
るのであるが、制御に要する電流も3倍になる
し、回路が複雑になるという欠点があつた。
するため、第1図の回路を3段縦続に接続した従
来例である。この場合にはデシベルで表わした遮
断減衰量は第1図に示した回路のほぼ3倍得られ
るのであるが、制御に要する電流も3倍になる
し、回路が複雑になるという欠点があつた。
本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、シ
リーズ及びシヤント接続されたダイオードを複数
段用いる場合においても回路構成を簡易化し得る
と共に消費電流が少なく、しかも信号通過時の挿
入損失を減少することができる高周波スイツチ回
路を提供することを目的とする。
リーズ及びシヤント接続されたダイオードを複数
段用いる場合においても回路構成を簡易化し得る
と共に消費電流が少なく、しかも信号通過時の挿
入損失を減少することができる高周波スイツチ回
路を提供することを目的とする。
以下図面を参照して本考案の一実施例を説明す
る。第3図はシリーズ及びシヤント用のダイオー
ドを3段接続した場合の実施例を示したものであ
る。第3図において21は入力又は出力端子で、
この端子21はコンデンサ22、逆方向接続のダ
イオード23,24,25、コンデンサ26を直
列に介して出力又は入力端子27に接続される。
そして、上記コンデンサ22とダイオード23と
の接続点a、ダイオード23とダイオード24と
の接続点b、ダイオード24とダイオード25と
の接続点cは、それぞれ抵抗28,29,30を
介して接地される。また、上記接続点a,b,c
は、それぞれ逆方向接続のダイオード31,3
2,33及び抵抗34,35,36を直列に介し
て切換スイツチ37の接点b及び切換スイツチ3
8の接点aに接続される。上記ダイオード31,
32,33と抵抗34,35,36との接続点は
コンデンサ39,40,41を介して接地され
る。上記切換スイツチ37,38は連動して切換
えられるようになつており、切換スイツチ37の
共通接点cには正の直流電圧B+が供給され、切
換スイツチ38の共通接点cは接地される。そし
て、切換スイツチ37の接点a及び切換スイツチ
38の接点bは一括して接続され、コンデンサ4
2を介して接地されると共にインピーダンス素子
例えばチヨークコイル43を介してダイオード2
5とコンデンサ26との接続点に接続される。上
記切換スイツチ37,38を接点a側に切換えた
場合は信号の通過、接点b側に切換えた場合は信
号の遮断となる。
る。第3図はシリーズ及びシヤント用のダイオー
ドを3段接続した場合の実施例を示したものであ
る。第3図において21は入力又は出力端子で、
この端子21はコンデンサ22、逆方向接続のダ
イオード23,24,25、コンデンサ26を直
列に介して出力又は入力端子27に接続される。
そして、上記コンデンサ22とダイオード23と
の接続点a、ダイオード23とダイオード24と
の接続点b、ダイオード24とダイオード25と
の接続点cは、それぞれ抵抗28,29,30を
介して接地される。また、上記接続点a,b,c
は、それぞれ逆方向接続のダイオード31,3
2,33及び抵抗34,35,36を直列に介し
て切換スイツチ37の接点b及び切換スイツチ3
8の接点aに接続される。上記ダイオード31,
32,33と抵抗34,35,36との接続点は
コンデンサ39,40,41を介して接地され
る。上記切換スイツチ37,38は連動して切換
えられるようになつており、切換スイツチ37の
共通接点cには正の直流電圧B+が供給され、切
換スイツチ38の共通接点cは接地される。そし
て、切換スイツチ37の接点a及び切換スイツチ
38の接点bは一括して接続され、コンデンサ4
2を介して接地されると共にインピーダンス素子
例えばチヨークコイル43を介してダイオード2
5とコンデンサ26との接続点に接続される。上
記切換スイツチ37,38を接点a側に切換えた
場合は信号の通過、接点b側に切換えた場合は信
号の遮断となる。
次に上記実施例の動作について説明する。信号
伝送経路に介在されるシリーズ側のダイオード2
3,24,25は全て直流的に直列接続されてい
る。このため切換スイツチ37,38を通過側に
切換えた場合には、電流はまずチヨークコイル4
3を通り、次に抵抗30,29によつて接地に分
流しつつシリーズ側ダイオード25,24,23
の全てを通過したのち抵抗28を通じて接地へ流
れ、回路を通過状態にする。この時、接続点a,
b,cはB電圧から各々のダイオード23,2
4,25の順方向電圧降下分を差し引いた電圧に
保持されるため、、シヤント側ダイオード31,
32,33は逆バイアス状態におかれ、オフ状態
となつている。
伝送経路に介在されるシリーズ側のダイオード2
3,24,25は全て直流的に直列接続されてい
る。このため切換スイツチ37,38を通過側に
切換えた場合には、電流はまずチヨークコイル4
3を通り、次に抵抗30,29によつて接地に分
流しつつシリーズ側ダイオード25,24,23
の全てを通過したのち抵抗28を通じて接地へ流
れ、回路を通過状態にする。この時、接続点a,
b,cはB電圧から各々のダイオード23,2
4,25の順方向電圧降下分を差し引いた電圧に
保持されるため、、シヤント側ダイオード31,
32,33は逆バイアス状態におかれ、オフ状態
となつている。
次に切換スイツチ37,38を遮断側に切換え
た場合には、シヤント側ダイオード31,32,
33は各々抵抗34,35,36及び28,2
9,30を通つて接地に電流が流れるためオン状
態となり、高周波信号を接地に短絡する様に動作
する。この時各バイアス抵抗28,29,30,
34,35,36の値を各々Ra,Rb,Rc,Rd,
Re,Rfとすれば Rd/Ra<Re/Rb<Rf/Rc の関係にすることにより、接続点aは接続点bよ
りも、同様に接続点bは接続点cよりも高い電位
に保たれるため、シリーズ側のダイオード23,
24,25は全て逆バイアス状態となる。また前
述のシリーズ側ダイオード23,24,25がオ
ンになつた状態に於ては、Rb≫Ra及びRc≫Ra
の関係としておくことにより抵抗29(Rb)及
び抵抗30(Rc)に分流する電流を抵抗28
(Ra)を通る電流に比較して減少させることがで
き、全てのシリーズ側ダイオード23,24,2
5に流れる電流の差を非常に小さくすることがで
きる。
た場合には、シヤント側ダイオード31,32,
33は各々抵抗34,35,36及び28,2
9,30を通つて接地に電流が流れるためオン状
態となり、高周波信号を接地に短絡する様に動作
する。この時各バイアス抵抗28,29,30,
34,35,36の値を各々Ra,Rb,Rc,Rd,
Re,Rfとすれば Rd/Ra<Re/Rb<Rf/Rc の関係にすることにより、接続点aは接続点bよ
りも、同様に接続点bは接続点cよりも高い電位
に保たれるため、シリーズ側のダイオード23,
24,25は全て逆バイアス状態となる。また前
述のシリーズ側ダイオード23,24,25がオ
ンになつた状態に於ては、Rb≫Ra及びRc≫Ra
の関係としておくことにより抵抗29(Rb)及
び抵抗30(Rc)に分流する電流を抵抗28
(Ra)を通る電流に比較して減少させることがで
き、全てのシリーズ側ダイオード23,24,2
5に流れる電流の差を非常に小さくすることがで
きる。
上記第3図に示す回路によれば、シリーズ側ダ
イオード23,24,25を直列的に通つて電流
が流れるため、消費電流を少くすることができ、
また全てのダイオード23,24,25が各々の
間にコンデンサ等の直流遮断のための素子を必要
とせずに直結されるため、高周波に於る通過時の
挿入損失を少なくできるとともに、部品数を減少
できるという特徴がある。
イオード23,24,25を直列的に通つて電流
が流れるため、消費電流を少くすることができ、
また全てのダイオード23,24,25が各々の
間にコンデンサ等の直流遮断のための素子を必要
とせずに直結されるため、高周波に於る通過時の
挿入損失を少なくできるとともに、部品数を減少
できるという特徴がある。
第4図の回路は本考案の他の実施例であつて、
シヤント側ダイオード31,32,33への抵抗
の接続方法を変えたものである。この例ではシヤ
ント側ダイオード31,32,33に対し、抵抗
51,52,53を介してバイアス電圧を順次供
給するようにしたものであり、各抵抗51,5
2,53の電圧降下によつて接続点a,b,cに
於ける電圧は接続点aは接続点bよりも、接続点
bは接続点cよりも高く保持され、シリーズ側ダ
イオード28,29,30は全て逆バイアスされ
る様になる。
シヤント側ダイオード31,32,33への抵抗
の接続方法を変えたものである。この例ではシヤ
ント側ダイオード31,32,33に対し、抵抗
51,52,53を介してバイアス電圧を順次供
給するようにしたものであり、各抵抗51,5
2,53の電圧降下によつて接続点a,b,cに
於ける電圧は接続点aは接続点bよりも、接続点
bは接続点cよりも高く保持され、シリーズ側ダ
イオード28,29,30は全て逆バイアスされ
る様になる。
また第3図の回路に於ては抵抗34、第4図の
回路に於ては抵抗51は、省略することが可能で
あり、その場合にはさらに部品数を削減すること
ができる。
回路に於ては抵抗51は、省略することが可能で
あり、その場合にはさらに部品数を削減すること
ができる。
なお本考案によつて第3図、第4図の例のよう
に3段のシリーズ及びシヤントのダイオードを組
合せた場合のみならず、2段あるいは4段以上の
場合にも回路を構成し得ることは言うまでもな
い。また、これらの例に於ては各接続点には接地
との間に抵抗28,29,30が接続されている
ため、高周波信号に対しては損失を発生するが、
これは各抵抗28,29,30に直列にチヨーク
コイルを設けることにより高周波が抵抗に流入す
るのを防ぐことができ、損失を減少できる。さら
に、第3図及び第4図に示した回路では制御電圧
は正としてあるが、ダイオードの方向を全て逆に
接続することにより、負の電圧で制御することも
可能である。
に3段のシリーズ及びシヤントのダイオードを組
合せた場合のみならず、2段あるいは4段以上の
場合にも回路を構成し得ることは言うまでもな
い。また、これらの例に於ては各接続点には接地
との間に抵抗28,29,30が接続されている
ため、高周波信号に対しては損失を発生するが、
これは各抵抗28,29,30に直列にチヨーク
コイルを設けることにより高周波が抵抗に流入す
るのを防ぐことができ、損失を減少できる。さら
に、第3図及び第4図に示した回路では制御電圧
は正としてあるが、ダイオードの方向を全て逆に
接続することにより、負の電圧で制御することも
可能である。
以上述べたように本考案によれば、高周波の信
号伝送経路にシリーズに設けられるダイオードを
直流的に直列接続されるように構成しているの
で、従来シリアルダイオード間に設けていたコン
デンサが不要となり、回路構成を簡易化すること
ができる。また、シリアル側ダイオードには共通
電流が流れるので、各ダイオードに流れる電流が
大きくなつてダイオードの高周波インピーダンス
が低下し、信号通過時の挿入損失が減少する。こ
の場合、従来の回路と同程度の信号通過時挿入損
失を得るのであれば、回路電流を1/2程度に減少
することができる。また、シヤント側ダイオード
には、抵抗を直列に設けているので、信号遮断時
の回路電流も減少することができる。
号伝送経路にシリーズに設けられるダイオードを
直流的に直列接続されるように構成しているの
で、従来シリアルダイオード間に設けていたコン
デンサが不要となり、回路構成を簡易化すること
ができる。また、シリアル側ダイオードには共通
電流が流れるので、各ダイオードに流れる電流が
大きくなつてダイオードの高周波インピーダンス
が低下し、信号通過時の挿入損失が減少する。こ
の場合、従来の回路と同程度の信号通過時挿入損
失を得るのであれば、回路電流を1/2程度に減少
することができる。また、シヤント側ダイオード
には、抵抗を直列に設けているので、信号遮断時
の回路電流も減少することができる。
第1図は従来の高周波スイツチ回路を示す回路
構成図、第2図は第1図の回路を3段接続した場
合の例を示す回路構成図、第3図は本考案の一実
施例を示す回路構成図、第4図は本考案の他の実
施例を示す回路構成図である。 21,27……入出力端子、23,24,25
……直列側ダイオード、31,32,33……並
列側ダイオード、37,38……切換スイツチ。
構成図、第2図は第1図の回路を3段接続した場
合の例を示す回路構成図、第3図は本考案の一実
施例を示す回路構成図、第4図は本考案の他の実
施例を示す回路構成図である。 21,27……入出力端子、23,24,25
……直列側ダイオード、31,32,33……並
列側ダイオード、37,38……切換スイツチ。
Claims (1)
- 高周波入出力端子間に極性を一致させて直列に
接続される第1のダイオード群と、この第1のダ
イオード群の両端と上記入出力端子との間に接続
されるコンデンサと、上記第1のダイオード群の
各カソードと接地との間に接続される第1の抵抗
器群と、この第1の抵抗器群と上記第1のダイオ
ード群との各接続点にそれぞれカソードが接続さ
れる第2のダイオード群と、この第2のダイオー
ド群の各アノードと第1の制御端子との間に接続
される第2の抵抗器群と、上記第1のダイオード
群のアノード側端部と第2の制御端子との間に接
続されるインピーダンス素子と、上記第1及び第
2の制御端子に電源電圧と接地電位とを交互に切
換えて印加する切換スイツチとを具備し、上記切
換スイツチの切換え動作に応じて上記第1のダイ
オード群と第2のダイオード群が交互にオン/オ
フ制御されるようにしたことを特徴とする高周波
スイツチ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18979381U JPS5893044U (ja) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | 高周波スイツチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18979381U JPS5893044U (ja) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | 高周波スイツチ回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5893044U JPS5893044U (ja) | 1983-06-23 |
JPH0132430Y2 true JPH0132430Y2 (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=29994016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18979381U Granted JPS5893044U (ja) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | 高周波スイツチ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5893044U (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5277648U (ja) * | 1975-12-06 | 1977-06-09 |
-
1981
- 1981-12-19 JP JP18979381U patent/JPS5893044U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5893044U (ja) | 1983-06-23 |
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