JPH114151A - ダイオードスイッチ回路 - Google Patents
ダイオードスイッチ回路Info
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- JPH114151A JPH114151A JP15397497A JP15397497A JPH114151A JP H114151 A JPH114151 A JP H114151A JP 15397497 A JP15397497 A JP 15397497A JP 15397497 A JP15397497 A JP 15397497A JP H114151 A JPH114151 A JP H114151A
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- diode
- frequency signal
- switch
- pin diodes
- capacitor
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＲＦスイッチがオン状態のＲＦ高周波信号の挿
入損失を少なくするとともに、オフ状態におけるＲＦ高
周波信号の高アイソレーションを実現させる。 【解決手段】複数のＰＩＮダイオードＰＤ1〜ＰＤ6を順
方向に直列接続してスイッチング用直流バイアス源＋Ｂ
に印加され、複数のＰＩＮダイオードを均等に並列接続
してコンデンサＣ1〜Ｃ4を介してＲＦ高周波信号入出力
源Ｔ1、Ｔ2に印加される。
入損失を少なくするとともに、オフ状態におけるＲＦ高
周波信号の高アイソレーションを実現させる。 【解決手段】複数のＰＩＮダイオードＰＤ1〜ＰＤ6を順
方向に直列接続してスイッチング用直流バイアス源＋Ｂ
に印加され、複数のＰＩＮダイオードを均等に並列接続
してコンデンサＣ1〜Ｃ4を介してＲＦ高周波信号入出力
源Ｔ1、Ｔ2に印加される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はダイオードスイッチ
回路に関し、特に、ＲＦ高周波信号をオン／オフ制御す
るダイオードスイッチ回路に係わる。
回路に関し、特に、ＲＦ高周波信号をオン／オフ制御す
るダイオードスイッチ回路に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来から図４に示す特開平２−１６４１
２４号公報のダイオードスイッチ回路が提案されてい
る。図４のダイオードスイッチ回路は、ＰＩＮダイオー
ドＰＤ51〜ＰＤ54と、ＰＩＮダイオードＰＤ51〜ＰＤ54
が２個ずつ（ＰＤ51〜ＰＤ52、ＰＤ53〜ＰＤ54）直列に
接続されて構成されているダイオードブリッジ５０と、
２つのＰＩＮダイオードＰＤ51〜ＰＤ52、ＰＤ53〜ＰＤ
54からなり、かつダイオードブリッジ５０にバイアス電
圧が供給される一対の端子間のＰＩＮダイオードＰＤ51
〜ＰＤ54に対して逆方向に直列に接続されているダイオ
ード５１と、ＲＦ高周波信号の入出力端子Ｔ51、Ｔ52
と、ダイオード５１の中点に接続されているコンデンサ
Ｃ51と、交流電源防止のためのコンデンサＣ52、Ｃ53
と、抵抗Ｒ51、Ｒ52と、チョークコイルＣＣ51、ＣＣ52
とが備えられている。
２４号公報のダイオードスイッチ回路が提案されてい
る。図４のダイオードスイッチ回路は、ＰＩＮダイオー
ドＰＤ51〜ＰＤ54と、ＰＩＮダイオードＰＤ51〜ＰＤ54
が２個ずつ（ＰＤ51〜ＰＤ52、ＰＤ53〜ＰＤ54）直列に
接続されて構成されているダイオードブリッジ５０と、
２つのＰＩＮダイオードＰＤ51〜ＰＤ52、ＰＤ53〜ＰＤ
54からなり、かつダイオードブリッジ５０にバイアス電
圧が供給される一対の端子間のＰＩＮダイオードＰＤ51
〜ＰＤ54に対して逆方向に直列に接続されているダイオ
ード５１と、ＲＦ高周波信号の入出力端子Ｔ51、Ｔ52
と、ダイオード５１の中点に接続されているコンデンサ
Ｃ51と、交流電源防止のためのコンデンサＣ52、Ｃ53
と、抵抗Ｒ51、Ｒ52と、チョークコイルＣＣ51、ＣＣ52
とが備えられている。
【０００３】抵抗Ｒ51、Ｒ52は、各チョークコイルＣＣ
51、ＣＣ52を介してダイオードブリッジ５０の一対の端
子に各々接続されている。また、ＲＦ高周波信号入出力
端子Ｔ51、Ｔ52は各々コンデンサＣ52、Ｃ53を介してダ
イオードブリッジ５０の他の一対の端子に各々接続され
ている。コンデンサＣ51の一方はダイオード５１の中点
に接続されており、コンデンサＣ51の他方は基準電位点
に接続されている。
51、ＣＣ52を介してダイオードブリッジ５０の一対の端
子に各々接続されている。また、ＲＦ高周波信号入出力
端子Ｔ51、Ｔ52は各々コンデンサＣ52、Ｃ53を介してダ
イオードブリッジ５０の他の一対の端子に各々接続され
ている。コンデンサＣ51の一方はダイオード５１の中点
に接続されており、コンデンサＣ51の他方は基準電位点
に接続されている。
【０００４】このように構成されている図４に示す従来
のダイオードスイッチ回路について、以下その動作につ
いて説明する。電源供給の極性を正転および反転させる
ことによりＲＦスイッチをオン／オフさせることから、
ダイオードブリッジ５０を構成するＰＩＮダイオードＰ
Ｄ51〜ＰＤ54に順方向となるバイアス電圧を抵抗Ｒ51お
よびチョークコイルＣＣ51を介して印加すると、このバ
イアス電圧はダイオード５１に対しては逆方向に印加さ
れることにより、ＰＩＮダイオードＰＤ51〜ＰＤ54がオ
ンとなり、ダイオード５１はオフとなることからＲＦ高
周波信号入出力端子Ｔ51〜Ｔ52間は低損失となり、ＲＦ
高周波信号の伝送が可能となる。一方、ダイオードブリ
ッジ５０を構成する各ＰＩＮダイオードＰＤ51〜ＰＤ54
に逆方向となるバイアス電圧を抵抗Ｒ52およびチョーク
コイルＣＣ52を介して印加すると、このバイアス電圧は
ダイオード５１に対しては順方向に印加されることによ
り、ダイオード５１はオンとなり、ＰＩＮダイオードＰ
Ｄ51〜ＰＤ54はオフとなる。よってＲＦ高周波信号入出
力端子Ｔ51〜Ｔ52間はＲＦ高周波信号に対しては高損失
となり、ダイオード５１から減衰されて漏れるＲＦ高周
波信号はダイオード５１およびコンデンサＣ51を介して
基準電位点に伝送されアースされるため、ＲＦ高周波信
号入出力端子Ｔ51〜Ｔ52間のＲＦ高周波信号の伝送は完
全にオフされる。
のダイオードスイッチ回路について、以下その動作につ
いて説明する。電源供給の極性を正転および反転させる
ことによりＲＦスイッチをオン／オフさせることから、
ダイオードブリッジ５０を構成するＰＩＮダイオードＰ
Ｄ51〜ＰＤ54に順方向となるバイアス電圧を抵抗Ｒ51お
よびチョークコイルＣＣ51を介して印加すると、このバ
イアス電圧はダイオード５１に対しては逆方向に印加さ
れることにより、ＰＩＮダイオードＰＤ51〜ＰＤ54がオ
ンとなり、ダイオード５１はオフとなることからＲＦ高
周波信号入出力端子Ｔ51〜Ｔ52間は低損失となり、ＲＦ
高周波信号の伝送が可能となる。一方、ダイオードブリ
ッジ５０を構成する各ＰＩＮダイオードＰＤ51〜ＰＤ54
に逆方向となるバイアス電圧を抵抗Ｒ52およびチョーク
コイルＣＣ52を介して印加すると、このバイアス電圧は
ダイオード５１に対しては順方向に印加されることによ
り、ダイオード５１はオンとなり、ＰＩＮダイオードＰ
Ｄ51〜ＰＤ54はオフとなる。よってＲＦ高周波信号入出
力端子Ｔ51〜Ｔ52間はＲＦ高周波信号に対しては高損失
となり、ダイオード５１から減衰されて漏れるＲＦ高周
波信号はダイオード５１およびコンデンサＣ51を介して
基準電位点に伝送されアースされるため、ＲＦ高周波信
号入出力端子Ｔ51〜Ｔ52間のＲＦ高周波信号の伝送は完
全にオフされる。
【０００５】よってＲＦ高周波信号の挿入損失や出力電
流を増大させることなく高アイソレーション特性が得ら
れる。
流を増大させることなく高アイソレーション特性が得ら
れる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ダイオードスイッチ回路では、ＲＦスイッチをオン／オ
フ切り替えるために電源の供給極性を正転および反転さ
せ、ＲＦスイッチがオンのときにはＲＦ高周波信号の低
損失の特性が得られ、ＲＦスイッチがオフのときには高
アイソレーションの特性が各々得られたが、前述、低損
失化させるためにはＰＩＮダイオードを並列に接続し、
高アイソレーション化させるためにはダイオードを直列
に接続せねばならず、またダイオードの内部抵抗値には
バラツキがあるために一定の電流を流すのが困難である
ため、各ダイオードに個別の電流制限回路が必要になる
という難点があった。
ダイオードスイッチ回路では、ＲＦスイッチをオン／オ
フ切り替えるために電源の供給極性を正転および反転さ
せ、ＲＦスイッチがオンのときにはＲＦ高周波信号の低
損失の特性が得られ、ＲＦスイッチがオフのときには高
アイソレーションの特性が各々得られたが、前述、低損
失化させるためにはＰＩＮダイオードを並列に接続し、
高アイソレーション化させるためにはダイオードを直列
に接続せねばならず、またダイオードの内部抵抗値には
バラツキがあるために一定の電流を流すのが困難である
ため、各ダイオードに個別の電流制限回路が必要になる
という難点があった。
【０００７】本発明はこのような難点を解消するために
なされたもので、ＲＦスイッチがオフの際のＲＦ高周波
信号の挿入損失を少なくするために、ＰＩＮダイオード
を直列に接続し各ＰＩＮダイオードに一定の電流を流
し、ＲＦ高周波成分はコンデンサを用いて並列に流すダ
イオードスイッチ回路を提供することを目的としてい
る。
なされたもので、ＲＦスイッチがオフの際のＲＦ高周波
信号の挿入損失を少なくするために、ＰＩＮダイオード
を直列に接続し各ＰＩＮダイオードに一定の電流を流
し、ＲＦ高周波成分はコンデンサを用いて並列に流すダ
イオードスイッチ回路を提供することを目的としてい
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
る本発明のダイオードスイッチ回路は、複数のＰＩＮダ
イオードを順方向に直列接続してスイッチイング用直流
バイアス源に印加され、複数のＰＩＮダイオードを均等
に並列接続してコンデンサを介してＲＦ高周波信号入出
力源に印加されるものである。
る本発明のダイオードスイッチ回路は、複数のＰＩＮダ
イオードを順方向に直列接続してスイッチイング用直流
バイアス源に印加され、複数のＰＩＮダイオードを均等
に並列接続してコンデンサを介してＲＦ高周波信号入出
力源に印加されるものである。
【０００９】本発明のダイオードスイッチ回路におい
て、スイッチング用直流バイアス源から直流電流が供給
され、この直流電流により順方向に直列接続された複数
のＰＩＮダイオードがオンされ、コンデンサによりＲＦ
高周波信号を複数のＰＩＮダイオードが２個、もしくは
３個ずつ均等に直列接続されたダイオードブロックに並
列に流すことが出来る。
て、スイッチング用直流バイアス源から直流電流が供給
され、この直流電流により順方向に直列接続された複数
のＰＩＮダイオードがオンされ、コンデンサによりＲＦ
高周波信号を複数のＰＩＮダイオードが２個、もしくは
３個ずつ均等に直列接続されたダイオードブロックに並
列に流すことが出来る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明のダイオードスイッ
チ回路の一実施例について、図面を参照して説明する。
図１（ａ）に示す本発明のダイオードスイッチ回路は、
直流電流を供給するスイッチング用直流バイアス源＋Ｂ
と、スイッチング用直流バイアス源＋Ｂから供給された
直流電流を一定のダイオード電流値にコントロールする
ための抵抗Ｒ1、Ｒ2と、バイアス電圧には低インピーダ
ンスであり、ＲＦ高周波信号には高インピーダンスであ
るため直流電流は流し、ＲＦ高周波信号を遮断するチョ
ークコイルＣＣ1、ＣＣ2と、コンデンサＣ1〜Ｃ4と、２
個ずつ（ＰＤ1〜ＰＤ2、ＰＤ3〜ＰＤ4、ＰＤ5〜ＰＤ6）
直列接続されペアをなすダイオードブロックＤＢ1〜Ｄ
Ｂ3を形成する複数のＰＩＮダイオードＰＤ1〜ＰＤ6
と、ＲＦ高周波信号入出力端子Ｔ1、Ｔ2と、各ダイオー
ドブロックＤＢ1〜ＤＢ3に対して並列接続されているコ
ンデンサＣ1〜Ｃ4とが備えられている。
チ回路の一実施例について、図面を参照して説明する。
図１（ａ）に示す本発明のダイオードスイッチ回路は、
直流電流を供給するスイッチング用直流バイアス源＋Ｂ
と、スイッチング用直流バイアス源＋Ｂから供給された
直流電流を一定のダイオード電流値にコントロールする
ための抵抗Ｒ1、Ｒ2と、バイアス電圧には低インピーダ
ンスであり、ＲＦ高周波信号には高インピーダンスであ
るため直流電流は流し、ＲＦ高周波信号を遮断するチョ
ークコイルＣＣ1、ＣＣ2と、コンデンサＣ1〜Ｃ4と、２
個ずつ（ＰＤ1〜ＰＤ2、ＰＤ3〜ＰＤ4、ＰＤ5〜ＰＤ6）
直列接続されペアをなすダイオードブロックＤＢ1〜Ｄ
Ｂ3を形成する複数のＰＩＮダイオードＰＤ1〜ＰＤ6
と、ＲＦ高周波信号入出力端子Ｔ1、Ｔ2と、各ダイオー
ドブロックＤＢ1〜ＤＢ3に対して並列接続されているコ
ンデンサＣ1〜Ｃ4とが備えられている。
【００１１】スイッチング用直流バイアス源＋Ｂの一方
は抵抗Ｒ1およびチョークコイルＣＣ1を介してダイオー
ドブロックＤＢ1を構成するＰＩＮダイオードＰＤ1の入
力側に接続され、スイッチング用直流バイアス源＋Ｂの
他方は基準電位点に接続されている。ＲＦ高周波信号出
力端子Ｔ1はコンデンサＣ1およびＣ2に各々接続されて
おり、コンデンサＣ1はダイオードブロックＤＢ1および
コンデンサＣ3を介してＲＦ高周波信号入力端子Ｔ2に接
続され、コンデンサＣ2はダイオードブロックＤＢ2およ
びコンデンサＣ3を介してＲＦ高周波信号入力端子Ｔ2
と、ダイオードブロックＤＢ3およびコンデンサＣ4を介
してＲＦ高周波信号入力端子Ｔ2に各々接続されてい
る。
は抵抗Ｒ1およびチョークコイルＣＣ1を介してダイオー
ドブロックＤＢ1を構成するＰＩＮダイオードＰＤ1の入
力側に接続され、スイッチング用直流バイアス源＋Ｂの
他方は基準電位点に接続されている。ＲＦ高周波信号出
力端子Ｔ1はコンデンサＣ1およびＣ2に各々接続されて
おり、コンデンサＣ1はダイオードブロックＤＢ1および
コンデンサＣ3を介してＲＦ高周波信号入力端子Ｔ2に接
続され、コンデンサＣ2はダイオードブロックＤＢ2およ
びコンデンサＣ3を介してＲＦ高周波信号入力端子Ｔ2
と、ダイオードブロックＤＢ3およびコンデンサＣ4を介
してＲＦ高周波信号入力端子Ｔ2に各々接続されてい
る。
【００１２】また、直列ダイオードブロックＤＢ3を構
成するＰＩＮダイオードＰＤ6の出力側とコンデンサＣ4
の間には、基準電位点に接続されている抵抗Ｒ2を介し
てチョークコイルＣＣ2が接続されている。このように
構成されている図１（ａ）のダイオードスイッチ回路に
ついて、以下その動作について説明する。
成するＰＩＮダイオードＰＤ6の出力側とコンデンサＣ4
の間には、基準電位点に接続されている抵抗Ｒ2を介し
てチョークコイルＣＣ2が接続されている。このように
構成されている図１（ａ）のダイオードスイッチ回路に
ついて、以下その動作について説明する。
【００１３】スイッチ用直流バイアス源＋Ｂから供給さ
れる直流電流は抵抗Ｒ1にて一定の値であるダイオード
電流にコントロールされ、スイッチ用直流バイアス源＋
Ｂ→抵抗Ｒ1→チョークコイルＣＣ1→ＰＩＮダイオード
ＰＤ1→ＰＤ2→ＰＤ3→ＰＤ4→ＰＤ5→ＰＤ6→チョーク
コイルＣＣ2→抵抗Ｒ2→基準電位点の経路で供給され
る。よって前述の経路で供給された直流電流により複数
のＰＩＮダイオードＰＤ1〜ＰＤ6にも一定の直流電流
（ダイオード電流）が各々供給されることにより複数の
ＰＩＮダイオードＰＤ1〜ＰＤ6全てがオン状態となる。
れる直流電流は抵抗Ｒ1にて一定の値であるダイオード
電流にコントロールされ、スイッチ用直流バイアス源＋
Ｂ→抵抗Ｒ1→チョークコイルＣＣ1→ＰＩＮダイオード
ＰＤ1→ＰＤ2→ＰＤ3→ＰＤ4→ＰＤ5→ＰＤ6→チョーク
コイルＣＣ2→抵抗Ｒ2→基準電位点の経路で供給され
る。よって前述の経路で供給された直流電流により複数
のＰＩＮダイオードＰＤ1〜ＰＤ6にも一定の直流電流
（ダイオード電流）が各々供給されることにより複数の
ＰＩＮダイオードＰＤ1〜ＰＤ6全てがオン状態となる。
【００１４】また、ＲＦ高周波信号出力端子Ｔ1より送
出されるＲＦ高周波信号ｆは３つの経路にてＲＦ高周波
信号入力端子Ｔ2へと伝送される。すなわち、前述のＲ
Ｆ高周波信号ｆは、ＲＦ高周波信号出力端子Ｔ1→コン
デンサＣ1→ＰＩＮダイオードＰＤ1→ＰＤ2→コンデン
サＣ3→ＲＦ高周波信号入力端子Ｔ2の経路で伝送される
ＲＦ高周波信号ｆ1と、ＲＦ高周波信号出力端子Ｔ1→コ
ンデンサＣ2→ＰＩＮダイオードＰＤ4→ＰＤ3→コンデ
ンサＣ3→ＲＦ高周波信号入力端子Ｔ2の経路で伝送され
るＲＦ高周波信号ｆ2と、ＲＦ高周波信号出力端子Ｔ1→
コンデンサＣ2→ＰＩＮダイオードＰＤ5→ＰＤ6→コン
デンサＣ4→ＲＦ高周波信号入力端子Ｔ2の経路で伝送さ
れるＲＦ高周波信号ｆ3と、異なった３つの経路で低損
失で伝送される。
出されるＲＦ高周波信号ｆは３つの経路にてＲＦ高周波
信号入力端子Ｔ2へと伝送される。すなわち、前述のＲ
Ｆ高周波信号ｆは、ＲＦ高周波信号出力端子Ｔ1→コン
デンサＣ1→ＰＩＮダイオードＰＤ1→ＰＤ2→コンデン
サＣ3→ＲＦ高周波信号入力端子Ｔ2の経路で伝送される
ＲＦ高周波信号ｆ1と、ＲＦ高周波信号出力端子Ｔ1→コ
ンデンサＣ2→ＰＩＮダイオードＰＤ4→ＰＤ3→コンデ
ンサＣ3→ＲＦ高周波信号入力端子Ｔ2の経路で伝送され
るＲＦ高周波信号ｆ2と、ＲＦ高周波信号出力端子Ｔ1→
コンデンサＣ2→ＰＩＮダイオードＰＤ5→ＰＤ6→コン
デンサＣ4→ＲＦ高周波信号入力端子Ｔ2の経路で伝送さ
れるＲＦ高周波信号ｆ3と、異なった３つの経路で低損
失で伝送される。
【００１５】また、スイッチング用直流バイアス源＋Ｂ
からの電源供給が遮断されると複数のダイオードＰＤ1
〜ＰＤ6全てがオフ状態となり、ＲＦ高周波信号ｆ（ｆ
1、ｆ2、ｆ3）もオフとなる。また、上記図１（ａ）で
示すダイオード回路では、直列ダイオードブロックＤＢ
1〜ＤＢ3を構成する６個のＰＩＮダイオードＰＤ1〜Ｐ
Ｄ6を２個ずつ直列に接続してダイオードブロックを構
成したが、図１（ａ）のダイオードスイッチ回路は図１
（ｂ）の様に書き直す事が出来るとともに、図２（ａ）
に示すダイオードスイッチ回路の（直列）ダイオードブ
ロックＤＢ81〜ＤＢ84を構成するＰＩＮダイオードを
８、１０、１２、・・・・と無限大に増やすことが可能で、
かつ同様に図２（ｂ）に示すようなダイオードスイッチ
回路に用いられ、（直列）ダイオードブロックＤＢ91〜
ＤＢ93を構成するＰＩＮダイオードが３個ずつ直列に接
続されているときも、６、９、１２、・・・・と無限大に増
やすことも可能であり、上述の図２（ａ）、（ｂ）の各
（直列）ダイオードブロックＤＢ81〜ＤＢ84、ＤＢ91〜
ＤＢ93に対して並列にコンデンサＣ81〜Ｃ83およびＣ91
〜Ｃ94をそれぞれ接続し、直流電流を供給することでＲ
Ｆスイッチがオン状態のときにＲＦ高周波信号の挿入損
失を少なくするとともに、ＲＦスイッチがオフ状態のと
きにＲＦ高周波信号の高アイソレーション化が可能とな
る。
からの電源供給が遮断されると複数のダイオードＰＤ1
〜ＰＤ6全てがオフ状態となり、ＲＦ高周波信号ｆ（ｆ
1、ｆ2、ｆ3）もオフとなる。また、上記図１（ａ）で
示すダイオード回路では、直列ダイオードブロックＤＢ
1〜ＤＢ3を構成する６個のＰＩＮダイオードＰＤ1〜Ｐ
Ｄ6を２個ずつ直列に接続してダイオードブロックを構
成したが、図１（ａ）のダイオードスイッチ回路は図１
（ｂ）の様に書き直す事が出来るとともに、図２（ａ）
に示すダイオードスイッチ回路の（直列）ダイオードブ
ロックＤＢ81〜ＤＢ84を構成するＰＩＮダイオードを
８、１０、１２、・・・・と無限大に増やすことが可能で、
かつ同様に図２（ｂ）に示すようなダイオードスイッチ
回路に用いられ、（直列）ダイオードブロックＤＢ91〜
ＤＢ93を構成するＰＩＮダイオードが３個ずつ直列に接
続されているときも、６、９、１２、・・・・と無限大に増
やすことも可能であり、上述の図２（ａ）、（ｂ）の各
（直列）ダイオードブロックＤＢ81〜ＤＢ84、ＤＢ91〜
ＤＢ93に対して並列にコンデンサＣ81〜Ｃ83およびＣ91
〜Ｃ94をそれぞれ接続し、直流電流を供給することでＲ
Ｆスイッチがオン状態のときにＲＦ高周波信号の挿入損
失を少なくするとともに、ＲＦスイッチがオフ状態のと
きにＲＦ高周波信号の高アイソレーション化が可能とな
る。
【００１６】次に本発明のダイオードスイッチ回路の他
の実施例について、図面を参照して説明する。図３に示
すダイオードスイッチ回路は、直流電流を供給するスイ
ッチ用直流バイアス源＋Ｂと、スイッチＳＷ21、ＳＷ22
と、バイアス電圧には低インピーダンスであり、ＲＦ高
周波信号には高インピーダンスであるチョークコイルＣ
Ｃ21、ＣＣ22と、２個ずつ（ＰＤ21〜ＰＤ22、ＰＤ23〜
ＰＤ24）直列接続されペアをなすダイオードブロックＤ
Ｂ21、ＤＢ22を構成しているＰＩＮダイオードＰＤ21〜
ＰＤ24と、コンデンサＣ21〜Ｃ25と、ＲＦ高周波信号入
出力端子Ｔ21、Ｔ22とが備えられている。
の実施例について、図面を参照して説明する。図３に示
すダイオードスイッチ回路は、直流電流を供給するスイ
ッチ用直流バイアス源＋Ｂと、スイッチＳＷ21、ＳＷ22
と、バイアス電圧には低インピーダンスであり、ＲＦ高
周波信号には高インピーダンスであるチョークコイルＣ
Ｃ21、ＣＣ22と、２個ずつ（ＰＤ21〜ＰＤ22、ＰＤ23〜
ＰＤ24）直列接続されペアをなすダイオードブロックＤ
Ｂ21、ＤＢ22を構成しているＰＩＮダイオードＰＤ21〜
ＰＤ24と、コンデンサＣ21〜Ｃ25と、ＲＦ高周波信号入
出力端子Ｔ21、Ｔ22とが備えられている。
【００１７】スイッチＳＷ21の一方はスイッチ用直流バ
イアス源＋Ｂに接続されており、スイッチＳＷ21の他方
は、チョークコイルＣＣ21を介してダイオードブロック
ＤＢ21を成すＰＩＮダイオードＰＤ21に接続されてい
る。また、ダイオードブロックＤＢ21、ＤＢ22を構成
し、各々直列に接続されているＰＩＮダイオードＰＤ21
〜ＰＤ22およびＰＤ23〜ＰＤ24の接続中点には、コンデ
ンサＣ21およびＣ22を介してスイッチＳＷ22が接続され
ており、スイッチＳＷ22の他方は基準電位点に接続され
ている。
イアス源＋Ｂに接続されており、スイッチＳＷ21の他方
は、チョークコイルＣＣ21を介してダイオードブロック
ＤＢ21を成すＰＩＮダイオードＰＤ21に接続されてい
る。また、ダイオードブロックＤＢ21、ＤＢ22を構成
し、各々直列に接続されているＰＩＮダイオードＰＤ21
〜ＰＤ22およびＰＤ23〜ＰＤ24の接続中点には、コンデ
ンサＣ21およびＣ22を介してスイッチＳＷ22が接続され
ており、スイッチＳＷ22の他方は基準電位点に接続され
ている。
【００１８】ＲＦ高周波信号出力端子Ｔ21はコンデンサ
Ｃ23、Ｃ24に各々接続されており、コンデンサＣ23はダ
イオードブロックＤＢ21およびコンデンサＣ25を介しＲ
Ｆ高周波信号入力端子Ｔ22に接続され、コンデンサＣ24
はダイオードブロックＤＢ22およびコンデンサＣ25を介
してＲＦ高周波信号入力端子Ｔ22に接続されている。コ
ンデンサＣ24と直列ダイオードブロックＤＢ22を構成す
るＰＩＮダイオードＰＤ23間には、他方が基準電位点に
接続されているチョークコイルＣＣ22が接続されてい
る。
Ｃ23、Ｃ24に各々接続されており、コンデンサＣ23はダ
イオードブロックＤＢ21およびコンデンサＣ25を介しＲ
Ｆ高周波信号入力端子Ｔ22に接続され、コンデンサＣ24
はダイオードブロックＤＢ22およびコンデンサＣ25を介
してＲＦ高周波信号入力端子Ｔ22に接続されている。コ
ンデンサＣ24と直列ダイオードブロックＤＢ22を構成す
るＰＩＮダイオードＰＤ23間には、他方が基準電位点に
接続されているチョークコイルＣＣ22が接続されてい
る。
【００１９】このように構成されている図３のダイオー
ドスイッチ回路について、以下その動作について説明す
る。図１のダイオードスイッチ回路の動作と同様に、ス
イッチ用直流バイアス源＋Ｂから直流電流が供給され
る。しかし、ＲＦスイッチがオフ状態のときはスイッチ
ＳＷ21がオフであるためにスイッチＳＷ21以降の回路に
直流電流が供給されない。故にＰＩＮダイオードＰＤ21
〜24はオフ状態となり高抵抗となる。よってＲＦ高周波
信号出力端子Ｔ21より２つの経路で伝送されるＲＦ高周
波信号ｆ（ｆ21、ｆ22）のＲＦ高周波信号ｆ21は、コン
デンサＣ23、ダイオードブロックＤＢ21およびコンデン
サＣ25を介して伝送されるが、ダイオードブロックＤＢ
21を構成するＰＩＮダイオードＰＤ21〜ＰＤ22が高抵抗
なためにＲＦ高周波信号入力端子Ｔ22への伝送が阻止さ
れ、減衰しきれずに漏れた信号がスイッチＳＷ21に連動
して動作するオン状態のスイッチＳＷ22を介して基準電
位点へアースされる。また、一方のＲＦ高周波信号ｆ22
も前述のＲＦ高周波信号ｆ21と同様に、ＰＩＮダイオー
ドＰＤ23〜ＰＤ24が高抵抗なために、減衰しきれずに漏
れた信号がスイッチＳＷ22を介して基準電位点へアース
される。
ドスイッチ回路について、以下その動作について説明す
る。図１のダイオードスイッチ回路の動作と同様に、ス
イッチ用直流バイアス源＋Ｂから直流電流が供給され
る。しかし、ＲＦスイッチがオフ状態のときはスイッチ
ＳＷ21がオフであるためにスイッチＳＷ21以降の回路に
直流電流が供給されない。故にＰＩＮダイオードＰＤ21
〜24はオフ状態となり高抵抗となる。よってＲＦ高周波
信号出力端子Ｔ21より２つの経路で伝送されるＲＦ高周
波信号ｆ（ｆ21、ｆ22）のＲＦ高周波信号ｆ21は、コン
デンサＣ23、ダイオードブロックＤＢ21およびコンデン
サＣ25を介して伝送されるが、ダイオードブロックＤＢ
21を構成するＰＩＮダイオードＰＤ21〜ＰＤ22が高抵抗
なためにＲＦ高周波信号入力端子Ｔ22への伝送が阻止さ
れ、減衰しきれずに漏れた信号がスイッチＳＷ21に連動
して動作するオン状態のスイッチＳＷ22を介して基準電
位点へアースされる。また、一方のＲＦ高周波信号ｆ22
も前述のＲＦ高周波信号ｆ21と同様に、ＰＩＮダイオー
ドＰＤ23〜ＰＤ24が高抵抗なために、減衰しきれずに漏
れた信号がスイッチＳＷ22を介して基準電位点へアース
される。
【００２０】一方、ＲＦスイッチがオン状態のときには
スイッチＳＷ21がオンであり、スイッチＳＷ22がオフで
あることから、スイッチ用直流バイアス源＋Ｂから供給
される直流電流によりＰＩＮダイオードＰＤ21〜ＰＤ24
全てがオンされることから、ＰＩＮダイオードＰＤ21〜
ＰＤ24は全て低抵抗となり、ＲＦ高周波信号出力端子Ｔ
21から送出されるＲＦ高周波信号ｆ（ｆ21、ｆ22）はＲ
Ｆ高周波信号入力端子Ｔ22へ低損失で伝送される。
スイッチＳＷ21がオンであり、スイッチＳＷ22がオフで
あることから、スイッチ用直流バイアス源＋Ｂから供給
される直流電流によりＰＩＮダイオードＰＤ21〜ＰＤ24
全てがオンされることから、ＰＩＮダイオードＰＤ21〜
ＰＤ24は全て低抵抗となり、ＲＦ高周波信号出力端子Ｔ
21から送出されるＲＦ高周波信号ｆ（ｆ21、ｆ22）はＲ
Ｆ高周波信号入力端子Ｔ22へ低損失で伝送される。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のダイオードスイッチ回路によれば、使用する複数のＰ
ＩＮダイオードを直列に接続し直流電流を流すことによ
り、ＰＩＮダイオードの内部抵抗のバラツキに関係なく
等しい値の電流を供給可能で、一つの電流制限回路を用
いるのみで電流値をコントロールでき、スイッチングの
目的であるＲＦ高周波信号は、コンデンサ等を使用して
各ダイオードに並列に通過させることで、容易に低損失
なダイオードスイッチを実現できるとともに、ダイオー
ドスイッチ回路に使用されるＰＩＮダイオードの数を回
路性能に応じて制限なく自由に選択することができる。
のダイオードスイッチ回路によれば、使用する複数のＰ
ＩＮダイオードを直列に接続し直流電流を流すことによ
り、ＰＩＮダイオードの内部抵抗のバラツキに関係なく
等しい値の電流を供給可能で、一つの電流制限回路を用
いるのみで電流値をコントロールでき、スイッチングの
目的であるＲＦ高周波信号は、コンデンサ等を使用して
各ダイオードに並列に通過させることで、容易に低損失
なダイオードスイッチを実現できるとともに、ダイオー
ドスイッチ回路に使用されるＰＩＮダイオードの数を回
路性能に応じて制限なく自由に選択することができる。
【図１】（ａ）、（ｂ）本発明のダイオードスイッチ回
路の一実施例を示すブロック図。
路の一実施例を示すブロック図。
【図２】（ａ）、（ｂ）本発明のダイオードスイッチ回
路の一実施例に用いられるＰＩＮダイオードを複数使用
したブロック図。
路の一実施例に用いられるＰＩＮダイオードを複数使用
したブロック図。
【図３】本発明のダイオードスイッチ回路の他の実施例
を示すブロック図。
を示すブロック図。
【図４】従来のダイオードスイッチ回路を示すブロック
図。
図。
ＰＤ1〜ＰＤ6・・・・・・（複数の）ＰＩＮダイオード Ｃ1〜Ｃ4・・・・・・コンデンサ Ｔ1、Ｔ2・・・・・・ＲＦ高周波信号入出力源（端子） ＋Ｂ・・・・・・スイッチング用直流バイアス源
Claims (1)
- 【請求項１】複数のＰＩＮダイオード（ＰＤ1〜ＰＤ6）
を順方向に直列接続してスイッチイング用直流バイアス
源（＋Ｂ）に印加され、前記複数のＰＩＮダイオードを
均等に並列接続してコンデンサ（Ｃ1〜Ｃ4）を介してＲ
Ｆ高周波信号入出力源（Ｔ1、Ｔ2）に印加されることを
特徴とするダイオードスイッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15397497A JPH114151A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | ダイオードスイッチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15397497A JPH114151A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | ダイオードスイッチ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH114151A true JPH114151A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15574156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15397497A Withdrawn JPH114151A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | ダイオードスイッチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH114151A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10305361A1 (de) * | 2003-02-10 | 2004-08-26 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Elektronischer Hochfrequenz-Schalter |
| EP1578017A3 (de) * | 2004-03-19 | 2006-06-28 | Feig Electronic GmbH | Elektronischer Schalter für Hochfrequenz-Verbindungen |
| DE102005013123B4 (de) * | 2004-03-19 | 2007-09-13 | Feig Electronic Gmbh | Elektronischer Schalter für Hochfrequenz-Verbindungen |
| KR100777445B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2007-11-21 | 삼성전자주식회사 | 고주파 신호의 스위칭 장치 |
| WO2023133219A1 (en) * | 2022-01-06 | 2023-07-13 | Advanced Energy Industries, Inc. | Dc series rf parallel pin diode switch |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP15397497A patent/JPH114151A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10305361A1 (de) * | 2003-02-10 | 2004-08-26 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Elektronischer Hochfrequenz-Schalter |
| DE10305361B4 (de) * | 2003-02-10 | 2008-07-31 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Elektronischer Hochfrequenz-Schalter |
| EP1578017A3 (de) * | 2004-03-19 | 2006-06-28 | Feig Electronic GmbH | Elektronischer Schalter für Hochfrequenz-Verbindungen |
| DE102005013123B4 (de) * | 2004-03-19 | 2007-09-13 | Feig Electronic Gmbh | Elektronischer Schalter für Hochfrequenz-Verbindungen |
| KR100777445B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2007-11-21 | 삼성전자주식회사 | 고주파 신호의 스위칭 장치 |
| WO2023133219A1 (en) * | 2022-01-06 | 2023-07-13 | Advanced Energy Industries, Inc. | Dc series rf parallel pin diode switch |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |