JPS63161701A - マイクロ波スイツチ - Google Patents
マイクロ波スイツチInfo
- Publication number
- JPS63161701A JPS63161701A JP30774786A JP30774786A JPS63161701A JP S63161701 A JPS63161701 A JP S63161701A JP 30774786 A JP30774786 A JP 30774786A JP 30774786 A JP30774786 A JP 30774786A JP S63161701 A JPS63161701 A JP S63161701A
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- JP
- Japan
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- line
- impedance
- diode
- terminal
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- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の属jる技術分野
本発明はマイクロ波集積回路におけるスイッチの低消費
電力化に関するものである。
電力化に関するものである。
(2)従来の技術とその問題点
従来のマイクロ波スイッチの例を第3図に示す。
第3図において、1は入力端子、2は出力端子、3は入
出力を結ぶ伝送線路、4はダイオード、5はチョークコ
イル、6はバイアス端子である。バイアス端子6に負の
電圧を印加すると、ダイオード4は逆バイアス状態すな
わちOFFとなり、入力端子1からのマイクロ波は出力
端子2へ通過する。
出力を結ぶ伝送線路、4はダイオード、5はチョークコ
イル、6はバイアス端子である。バイアス端子6に負の
電圧を印加すると、ダイオード4は逆バイアス状態すな
わちOFFとなり、入力端子1からのマイクロ波は出力
端子2へ通過する。
また、バイアス端子6に正の電圧を印加すると、ダイオ
ード4は順バイアス状態すなわちONとなり、端子1か
らのマイクロ波は端子1へ反射する。このように、バイ
アス電圧により通過/反射を切り替えることができる。
ード4は順バイアス状態すなわちONとなり、端子1か
らのマイクロ波は端子1へ反射する。このように、バイ
アス電圧により通過/反射を切り替えることができる。
しかしながら、反射モードの時には、ダイオードに順方
向電流を流す必要があるため、消費電力が大きいという
欠点があった。
向電流を流す必要があるため、消費電力が大きいという
欠点があった。
(3)発明の目的
本発明の目的は、この欠点を除去し、低消費電力のマイ
クロ波スイッチを提供することにある。
クロ波スイッチを提供することにある。
(4)発明の構成
(4−1)発明の特徴と従来の技術との差異本発明のマ
イクロ波スイッチは、ダイオード。
イクロ波スイッチは、ダイオード。
線路及びスタブで構成され、ダイオードに逆方向電圧を
印加し、この電圧の値でマイクロ波を切り替えることを
特徴とする。ダイオードには順方向電流を流さないため
、消費電力が極端に小さく、従って、放熱の心配もない
ことが従来の回路と異なる点である。
印加し、この電圧の値でマイクロ波を切り替えることを
特徴とする。ダイオードには順方向電流を流さないため
、消費電力が極端に小さく、従って、放熱の心配もない
ことが従来の回路と異なる点である。
(4−2)実施例
第1図は本発明の実施例であり、第1図において、1は
入力端子、2は出力端子、3は入出力を結ぶ伝送線路、
4はダイオード、5はチラークコイル、6はバイアス端
子、7は開放スタブ、8は有限長線路である。
入力端子、2は出力端子、3は入出力を結ぶ伝送線路、
4はダイオード、5はチラークコイル、6はバイアス端
子、7は開放スタブ、8は有限長線路である。
次に動作を説明する。
バイアス端子6に負の電圧vlを印加したときのダイオ
ード4の接合容量をC,lとすると、このときのダイオ
ード4のインピーダンスは1/jωC41である。
ード4の接合容量をC,lとすると、このときのダイオ
ード4のインピーダンスは1/jωC41である。
一般に、特性インピーダンスZo、電気長θ。
の有限長線路を2端子対網とみなしたときのに行列(F
行列ともABCD行列ともいう)は、である、これにイ
ンピーダンス1 / jωCj lのダイオード4が接
続しているので、 1、□=jωCj l ’ V 11uL ’−”
−”−’−’・(2)である0式(2)を(1)に代入
し、viとI inの比を求めると、 となる。そこで、cosθ。−ωCj、Zosinθ。
行列ともABCD行列ともいう)は、である、これにイ
ンピーダンス1 / jωCj lのダイオード4が接
続しているので、 1、□=jωCj l ’ V 11uL ’−”
−”−’−’・(2)である0式(2)を(1)に代入
し、viとI inの比を求めると、 となる。そこで、cosθ。−ωCj、Zosinθ。
=0すなわち、
となるように、電気長θ。を設定しておけば、伝送線路
3からこの線路8を見たインピーダンスZ inは零と
なる。すなわち、バイアス端子6に負の電圧v1を印加
したときには、伝送線路3は線路8との交点で短絡(接
地)されたことになり、端子1からのマイクロ波は端子
1へ反射する。
3からこの線路8を見たインピーダンスZ inは零と
なる。すなわち、バイアス端子6に負の電圧v1を印加
したときには、伝送線路3は線路8との交点で短絡(接
地)されたことになり、端子1からのマイクロ波は端子
1へ反射する。
次に、バイアス端子6にvlとは異なる負の電圧V!を
印加したときのダイオード4の接合容量をCjtとする
と、このときのダイオード4のインピーダンスは1 /
jωCjZである0式(3)と同様に、伝送線路3か
らこの線路8を通して見たダイオードのインピーダンス
Z i’e求めると、となる。そこで、このインピーダ
ンスと等量逆符号のインピーダンスをもつスタブ7を並
列に接続しておけば、ダイオード4.線路8.スタブ7
は全体で並列共振状態すなわち非常に高いインピーダン
スとなる。一般に、特性インピーダンスZい電気長θ、
の開放スタブの端子インピーダンスZltは、 であるので、これが式(5)と等量逆符号となるには、
Z−t−Z五、すなわち、 であればよい、この式に式(4)を代入してθ、を求め
ると、 となる。従って、スタブ7の電気長θ3を式(7)の値
に設定しておけば、ダイオード4.線路8.スタブ7か
らなる並列インピーダンスZ(、、Z□/(Ztll十
Z□)は無限大となり、端子1からのマイクロ波は端子
2へ通過する。
印加したときのダイオード4の接合容量をCjtとする
と、このときのダイオード4のインピーダンスは1 /
jωCjZである0式(3)と同様に、伝送線路3か
らこの線路8を通して見たダイオードのインピーダンス
Z i’e求めると、となる。そこで、このインピーダ
ンスと等量逆符号のインピーダンスをもつスタブ7を並
列に接続しておけば、ダイオード4.線路8.スタブ7
は全体で並列共振状態すなわち非常に高いインピーダン
スとなる。一般に、特性インピーダンスZい電気長θ、
の開放スタブの端子インピーダンスZltは、 であるので、これが式(5)と等量逆符号となるには、
Z−t−Z五、すなわち、 であればよい、この式に式(4)を代入してθ、を求め
ると、 となる。従って、スタブ7の電気長θ3を式(7)の値
に設定しておけば、ダイオード4.線路8.スタブ7か
らなる並列インピーダンスZ(、、Z□/(Ztll十
Z□)は無限大となり、端子1からのマイクロ波は端子
2へ通過する。
例えば、線路インピーダンスとダイオード接合容量を具
体的に実現可能な値、 Z、=50Ω、 Z、=50Ω C=+=1pF、 C;2=2pF の場合、信号周波数I GHzに対して式(4)1式(
7)を満たす電気長はそれぞれ、 θ。=17.44°、 θ、=75.30゜となる。
体的に実現可能な値、 Z、=50Ω、 Z、=50Ω C=+=1pF、 C;2=2pF の場合、信号周波数I GHzに対して式(4)1式(
7)を満たす電気長はそれぞれ、 θ。=17.44°、 θ、=75.30゜となる。
このように第1図の回路では、線路8とスタブ7の電気
長を適当に設定しておけば、逆バイアス電圧を変化させ
ることにより、通過/反射を切り替えることができる。
長を適当に設定しておけば、逆バイアス電圧を変化させ
ることにより、通過/反射を切り替えることができる。
第2図は、第1図に示した本発明実施例を応用したマイ
クロ波単極双投切り替え器である。第2図において、2
0は入力端子、21.22は出力端子、23、24は本
発明スイッチ、25.26は1/4波長線路、27.2
8はバイアス端子、29は分岐点である。
クロ波単極双投切り替え器である。第2図において、2
0は入力端子、21.22は出力端子、23、24は本
発明スイッチ、25.26は1/4波長線路、27.2
8はバイアス端子、29は分岐点である。
バイアス端子27に負の電圧vIを印加し、バイアス端
子28に負の電圧■2を印加したときには、スイッチ2
3が短絡となり、分岐点29から左を見たインピーダン
スは無限大となり、端子20からのマイクロ波は端子2
2へ通過する。これとは逆に、バイアス端子27に負の
電圧v2を印加し、バイアス端子28に負の電圧■、を
印加したときには、スイッチ24が短絡となり、分岐点
29から右を見たインピーダンスは無限大となり、端子
20からのマイクロ波は端子21へ通過する。すなわち
、本回路は単極双投切り替え器として動作する。
子28に負の電圧■2を印加したときには、スイッチ2
3が短絡となり、分岐点29から左を見たインピーダン
スは無限大となり、端子20からのマイクロ波は端子2
2へ通過する。これとは逆に、バイアス端子27に負の
電圧v2を印加し、バイアス端子28に負の電圧■、を
印加したときには、スイッチ24が短絡となり、分岐点
29から右を見たインピーダンスは無限大となり、端子
20からのマイクロ波は端子21へ通過する。すなわち
、本回路は単極双投切り替え器として動作する。
(5)発明の詳細
な説明したように、本発明マイクロ波スイッチはダイオ
ードに順方向電流を流さず、2値の逆バイアス電圧を切
り替えてスイッチング動作を行うため、消費電力が極端
に少ない。従って、ダイオードからの発熱も殆どない。
ードに順方向電流を流さず、2値の逆バイアス電圧を切
り替えてスイッチング動作を行うため、消費電力が極端
に少ない。従って、ダイオードからの発熱も殆どない。
ゆえに、本発明マイクロ波スイッチは、低消費電力・(
1発熱が要求される人工衛星に搭載されるマイクロ波機
器の切り替えに効果的である。
1発熱が要求される人工衛星に搭載されるマイクロ波機
器の切り替えに効果的である。
第1図は本発明マイクロ波スイッチの実施例を示す構成
図、第2図は本発明マイクロ波スイッチの応用例を示す
構成図、第3図は従来のマイクロ波スイッチの例を示す
構成図である。 1・・・マイクロ波入力端子、 2・・・マイクロ波出
力端子、 3・・・伝送線路、 4・・・ダイオード、
5・・・チョークコイル、 6・・・バイアス端子、7
・・・スタブ、 8・・・線路、 20・・・マイクロ
波入力端子、 21.22・・・マイクロ波出力端子、
23、24・・・マイクロ波スイッチ、 25.26・
・・1/4波長線路、 27.28・・・バイアス端子
、29・・・分岐点。
図、第2図は本発明マイクロ波スイッチの応用例を示す
構成図、第3図は従来のマイクロ波スイッチの例を示す
構成図である。 1・・・マイクロ波入力端子、 2・・・マイクロ波出
力端子、 3・・・伝送線路、 4・・・ダイオード、
5・・・チョークコイル、 6・・・バイアス端子、7
・・・スタブ、 8・・・線路、 20・・・マイクロ
波入力端子、 21.22・・・マイクロ波出力端子、
23、24・・・マイクロ波スイッチ、 25.26・
・・1/4波長線路、 27.28・・・バイアス端子
、29・・・分岐点。
Claims (1)
- マイクロ波集積回路の伝送線路上の1点にスタブが並列
接続され、同点に別の有限長線路が並列接続され、その
有限長線路のもう一方の端子にダイオードが接続され、
そのダイオードに直流逆バイアスが印加されるように構
成されるとともに、この逆バイアス電圧は2値に制御さ
れ、一方のバイアス値のとき前記伝送線路から前記有限
長線路をみたインピーダンスが零または該伝送線路の特
性インピーダンスに比べて非常に低い値となるように該
有限長線路の長さが設定され、他方のバイアス値のとき
前記伝送線路から前記有限長線路をみたインピーダンス
と該伝送線路から前記スタブをみたインピーダンスが並
列共振または該伝送線路の特性インピーダンスに比べて
非常に高い値となるように前記スタブの長さが設定され
たことを特徴とするマイクロ波スイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30774786A JPS63161701A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | マイクロ波スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30774786A JPS63161701A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | マイクロ波スイツチ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63161701A true JPS63161701A (ja) | 1988-07-05 |
Family
ID=17972779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30774786A Pending JPS63161701A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | マイクロ波スイツチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63161701A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0391341A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 位相変調器 |
US5311186A (en) * | 1989-09-27 | 1994-05-10 | Nippon Soken, Inc. | Transponder for vehicle identification device |
WO2001022523A1 (fr) * | 1999-09-21 | 2001-03-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Circuit de commutation haute frequence |
EP1501151A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency switch and electronic device containing the same |
WO2006109764A1 (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-19 | Nec Corporation | 折り畳み型携帯電話機 |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP30774786A patent/JPS63161701A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0391341A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 位相変調器 |
US5311186A (en) * | 1989-09-27 | 1994-05-10 | Nippon Soken, Inc. | Transponder for vehicle identification device |
WO2001022523A1 (fr) * | 1999-09-21 | 2001-03-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Circuit de commutation haute frequence |
EP1501151A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency switch and electronic device containing the same |
US6998934B2 (en) | 2003-07-24 | 2006-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency switch and electronic device including the same |
WO2006109764A1 (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-19 | Nec Corporation | 折り畳み型携帯電話機 |
JP2006295622A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Nec Saitama Ltd | 折り畳み型携帯電話機 |
US8315677B2 (en) | 2005-04-12 | 2012-11-20 | Nec Corporation | Folding mobile phone |
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