JP2647737B2 - スイッチ回路及びこれを用いた信号減衰回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、高周波信号の伝送経路を切り替えるスイッ
チ回路及び高周波信号の減衰比を切り替える信号減衰回
路に関するものである。

（従来の技術） 従来、高周波回路においてはスイッチングダイオード
を用いて高周波信号の伝送経路を切り替えるスイッチ回
路が知られている。第２図なこのスイッチ回路の一例を
示す回路図である。図において、１及び２はそれぞれ複
数のスイッチングダイオード（以下、ダイオードと称す
る）Ｄを直列に接続したスイッチ部で、スイッチ部１の
アノード側はコンデンサC1を介して入出力端子３に接続
されると共に、抵抗器R1を介して接地されている。スイ
ッチ部２のカソード側はコンデンサC2を介して入出力端
子４に接続されると共に、抵抗器R2を介して接地されて
いる。また、スイッチ部１のカソード側及びスイッチ部
２のアノード側は、抵抗器R3の一端側及びコンデンサC3
の一端側に接続され、コンデンサC3の他端側は入出力端
子５に接続されている。さらに、抵抗器R3の他端側は、
１回路２接点のスイッチ６の接片6aに接続され、スイッ
チ６の第１の接点6bには所定の正の電圧＋Ｖが、第２の
接点6cには所定の負の電圧−Ｖがそれぞれ印加されてい
る。

前述のスイッチ回路によれば、例えば入出力端子3,4
のそれぞれに異なる第１及び第２の高周波信号を入力し
た状態で、スイッチ６の接片6aを第１の接点6bに接続す
ると、入出力端子５には第２の高調波信号が出力され
る。

即ち、スイッチ部１のダイオードＤは逆バイアスされ
てオフ状態となり、スイッチ部２のダイオードＤは順方
向にバイアスされてオン状態になる。従って、第１の高
調波信号はスイッチ部１によって遮断され、第２の高調
波信号がスイッチ部２を介して入出力端子５に出力され
る。

また、スイッチ６の接片6aを接点6cに接続すると、ス
イッチ部２のダイオードＤは逆バイアスされてオフ状態
になると共に、スイッチ部１のダイオードＤは順方向に
バイアスされてオン状態になり、入出力端子５には第１
の高調波信号が出力される。

信号の伝送方向は、前述したものと逆方向でも可能で
あり、一信号の出力先を二通りに切り替えることもでき
る。

一方、前述したスイッチ回路を用いて高周波信号の減
衰比を切り替えることができるようにした信号減衰回路
も知られている。第３図はこの信号減衰回路を一例を示
す回路図である。図において、前述したスイッチ回路と
同一構成部分は同一符号をもって表し、その説明を省略
する。即ち、7,8,9はそれぞれダイオードＤからなるス
イッチ部で、スイッチ部７のアノード側はスイッチ部８
のカソード側及び抵抗器R1の一端側に接続されると共
に、コンデンサC1を介して入出力端子３に接続されてい
る。前記抵抗器R1の他端側は接地されている。スイッチ
部７のカソード側はスイッチ部９のアノード側に接続さ
れると共に、コンデンサC3を介して入出力端子５に接続
されている。また、スイッチ部７のカソード側及びスイ
ッチ部９のアノード側には、前述と同様にスイッチ６及
び抵抗器R3を介して正又は負の電圧が印加できるように
なっている。スイッチ部８のアノード側は減衰器10を介
してスイッチ部９のカソード側に接続されている。

減衰器10は、一方の入出力端子10aと他方の入出力端
子10bとの間に記述の順に直列に接続されたコンデンサ1
01、抵抗102、コンデンサ103と、抵抗器102の両端をそ
れぞれ接地する抵抗器104,105、及び入出力端子10a,10b
間に接続された直流分バイパス用のコイル106によって
構成されている。

前述の構成よりなる信号減衰回路によれば、例えば入
出力端子３に高周波信号を入力した状態で、スイッチ６
の接片6aを第２の接点6cに接続すると、入出力端子５に
前記高周波信号が減衰することなく出力される。また、
スイッチ６の接片6aを第１の接点6bに接続すると、入出
力端子５には減衰器10の減衰比によって減衰された高周
波信号が出力される。

即ち、スイッチ６の接片6aを第２の接点6cに接続する
と、スイッチ部8,9のダイオードＤは逆バイアスされて
オフ状態となり、スイッチ部７のダイオードＤは順方向
にバイアスされてオン状態になる。従って、入出力端子
３に入力された高周波信号はスイッチ部７を介して入出
力端子５に出力される。また、スイッチ６の接片6aを第
１の接点6bに接続すると、スイッチ部７のダイオードＤ
は逆バイアスされてオフ状態となり、スイッチ部8,9の
ダイオードＤは順方向にバイアスされてオン状態にな
る。従って、入出力端子５に入力された高周波信号はス
イッチ部8,9及び減衰器10を介して入出力端子５に出力
される。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら前述した従来のスイッチ回路及び信号減
衰回路においては、二通りの状態を切り替えるための正
及び負の電圧の電源を備える必要があるという問題点が
あった。

本発明の目的は上記の問題点に鑑み、単一電源にて動
作する高周波信号用のスイッチ回路及び該スイッチ回路
を用いた信号減衰回路を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明は上記の目的を達成するために、請求項（１）
では、少くとも一のダイオードからなる第１および第２
のスイッチ部と、前記第１のスイッチ部のアノード側と
第１の入出力端子との間に接続された第１のコンデンサ
と、前記第２のスイッチ部のカソード側と第２の入出力
端子との間に接続された第２のコンデンサと、一端側が
前記第１のスイッチ部のカソード側と前記第２のスイッ
チ部のアノード側に接続され、他端側が第３の入出力端
子に接続された第３のコンデンサと、第１の状態と第２
の状態とを切り替える切り替え制御信号に基づいて、前
記第１のスイッチ部のアノード側と前記第２のスイッチ
部のカソード側並びに前記第１のスイッチ部のカソード
側及び第２のスイッチ部のアノード側の電位を切り替え
る電位切り替え回路とからなり、前記電位切り替え回路
は、前記第１のスイッチ部のカソード側及び第２のスイ
ッチ部のアノード側と接地間に接続された第１のスイッ
チングトランジスタと、前記第１のスイッチ部のアノー
ド側及び第２のスイッチ部のカソード側並びに前記第１
のスイッチングトランジスタの制御端子と接地間に接続
されると共に、制御端子に前記切り替え制御信号が入力
された第２のスイッチングトランジスタと、前記第１の
スイッチ部のアノード側とカソード側のそれぞれに抵抗
器を介して接続された電源端子とを備え、前記切り替え
制御信号により第１の状態が選択されたときに、前記第
２のスイッチングトランジスタをオフ又はオン状態とな
して前記第１のスイッチ部のアノード側及び前記第２の
スイッチ部のカソード側を所定の高電位とすると共に、
前記第１のスイッチングトランジスタを前記第２のスイ
ッチングトランジスタとは逆のオン又はオフ状態となし
て前記第１のスイッチ部のカソード側及び前記第２のス
イッチ部のアノード側を前記高電位よりも低い所定の低
電位とすると共に、前記第２の状態が選択されたとき
に、前記第２のスイッチングトランジスタをオン又はオ
フ状態となして前記第１のスイッチ部のアノード側及び
前記第２のスイッチ部のカソード側を前記低電位とする
と共に、前記第１のスイッチングトランジスタを前記第
２のスイッチングトランジスタとは逆のオフ又はオン状
態となして前記第１のスイッチ部のカソード側及び前記
第２のスイッチ部のアノード側を前記高電位とするスイ
ッチ回路を提案する。

また、請求項（２）では、少なくとも一のダイオード
からなる第１乃至第３のスイッチ部と、前記第１のスイ
ッチ部のアノード側と前記第２のスイッチ部のカソード
側との間に接続され、コンデンサを介して接地された抵
抗器を有する抵抗減衰器と、一端側が前記第１のスイッ
チ部のカソード側と前記第３のスイッチ部のアノード側
に接続され、他端側が第１の入出力端子に接続された第
１のコンデンサと、一端側が前記第２のスイッチ部のア
ノード側と前記第３のスイッチ部のカソード側に接続さ
れ、他端側が第２の入出力端子に接続された第２のコン
デンサと、第１の状態と第２の状態とを切り替える切り
替え制御信号に基づいて、前記第１のスイッチ部のカソ
ード側と前記第３のスイッチ部のアノード側並びに前記
第３のスイッチ部のカソード側及び第２のスイッチ部の
アノード側の電位を切り替える電位切り替え回路とから
なり、前記電位切り替え回路は、前記第２のスイッチ部
のアノード側及び第３のスイッチ部のカソード側と接地
間に接続された第１のスイッチングトランジスタと、前
記第１のスイッチ部のカソード側及び第３のスイッチ部
のアノード側並びに前記第１のスイッチングトランジス
タの制御端子と接地間に接続されると共に、制御端子に
前記切り替え制御信号が入力された第２のスイッチング
トランジスタと、前記第３のスイッチ部のアノード側と
カソード側のそれぞれに抵抗器を介して接続された電源
端子とを備え、前記切り替え制御信号により第１の状態
が選択されたときに、前記第２のスイッチングトランジ
スタをオフ又はオン状態となして前記第１のスイッチ部
のカソード側及び前記第３のスイッチ部のアノード側を
所定の高電位とすると共に、前記第１のスイッチングト
ランジスタを前記第２のスイッチングトランジスタとは
逆のオン又はオフ状態となして前記第３のスイッチ部の
カソード側及び前記第２のスイッチ部のアノード側を前
記高電位よりも低い所定の低電位とすると共に、前記第
２の状態が選択されたときに、前記第２のスイッチング
トランジスタをオン又はオフ状態となして前記第１のス
イッチ部のカソード側及び前記第３のスイッチ部のアノ
ード側を前記低電位とすると共に、前記第１のスイッチ
ングトランジスタを前記第２のスイッチングトランジス
タとは逆のオフ又はオン状態となして前記第３のスイッ
チ部のカソード側及び前記第２のスイッチ部のアノード
側を前記高電位とする信号減衰回路を提案する。

また、請求項（３）では、少なくとも一のダイオード
からなる第１乃至第４のスイッチ部と、前記第１のスイ
ッチ部のアノード側と前記第２のスイッチ部のカソード
側との間に接続され、コンデンサを介して接地された抵
抗器を有する第１の抵抗減衰器と、前記第３のスイッチ
部のカソード側と前記第４のスイッチ部のアノード側と
の間に接続され、コンデンサを介して接地された抵抗器
を有する第２の抵抗減衰器と、一端側が前記第１のスイ
ッチ部のカソード側と前記第３のスイッチ部のアノード
側に接続され、他端側が第１の入出力端子に接続された
第１のコンデンサと、一端側が前記第２のスイッチ部の
アノード側と前記第４のスイッチ部のカソード側に接続
され、他端側が第２の入出力端子に接続された第２のコ
ンデンサと、第１の状態と第２の状態とを切り替える切
り替え制御信号に基づいて、前記第１のスイッチ部のカ
ソード側と前記第３のスイッチ部のアノード側並びに前
記第２のスイッチ部のアノード側及び第４のスイッチ部
のカソード側の電位を切り替える電位切り替え回路とか
らなり、前記電位切り替え回路は、前記第２のスイッチ
部のアノード側及び第４のスイッチ部のカソード側と接
地間に接続された第１のスイッチングトランジスタと、
前記第１のスイッチ部のカソード側及び第３のスイッチ
部のアノード側並びに前記第１のスイッチングトランジ
スタの制御端子と接地間に接続されると共に、制御端子
に前記切り替え制御信号が入力された第２のスイッチン
グトランジスタと、前記第１のスイッチ部のカソード側
と前記第２のスイッチ部のアノード側のそれぞれに抵抗
器を介して接続された電源端子とを備え、前記切り替え
制御信号により第１の状態が選択されたときに、前記第
２のスイッチングトランジスタをオフ又はオン状態とな
して前記第１のスイッチ部のカソード側及び前記第３の
スイッチ部のアノード側を所定の高電位とすると共に、
前記第１のスイッチングトランジスタを前記第２のスイ
ッチングトランジスタとは逆のオン又はオフ状態となし
て前記第２のスイッチ部のアノード側及び前記第４のス
イッチ部のカソード側を前記高電位よりも低い所定の低
電位とすると共に、前記第２の状態が選択されたとき
に、前記第２のスイッチングトランジスタをオン又はオ
フ状態となして前記第１のスイッチ部のカソード側及び
前記第３のスイッチ部のアノード側を前記低電位とする
と共に、前記第１のスイッチングトランジスタを前記第
２のスイッチングトランジスタとは逆のオフ又はオン状
態となして前記第２のスイッチ部のアノード側及び前記
第４のスイッチ部のカソード側を前記高電位とする信号
減衰回路を提案する。

（作 用） 本発明の請求項（１）によれば、電位切り替え回路に
第１の状態を選択する切り替え制御信号が入力されたと
きは、例えば前記電位切り替え回路の第２のスイッチン
グトランジスタがオフ状態とされて第１のスイッチ部の
アノード側及び第２のスイッチ部のカソード側には、例
えば電源端子に印加された所定の正の電圧が印加されて
高電位とされ、第１のスイッチングトランジスタがオン
状態とされて前記第１のスイッチ部のカソード側及び前
記第２のスイッチ部のアノード側は前記高電位よりも低
い所定の低電位、例えば零電位とされる。これにより、
前記第１のスイッチ部のダイオードは順方向にバイアス
されてオンとなり、前記第２のスイッチ部のダイオード
は逆バイアスされてオフになる。従って、例えば第１及
び第２の入出力端子のそれぞれに異なる高周波信号を入
力した場合、前記第１の入出力端子に入力された高周波
信号は第１のコンデンサ、第１のスイッチ部及び第３の
コンデンサを介して第３の入出力端子に出力される。こ
のとき、前記第２の入出力端子に入力された高周波信号
は前記第２のスイッチ部によって遮断される。

また、電位切り替え回路に第２の状態を選択する切り
替え制御信号が入力されたときは、例えば前記電位切り
替え回路の第１のスイッチングトランジスタがオン状態
とされて、前記第１のスイッチ部のアノード側及び第２
のスイッチ部のカソード側は前記低電位とされ、前記第
２のスイッチングトランジスタがオフ状態とされて、前
記第１のスイッチ部のカソード側及び前記第２のスイッ
チ部のアノード側は前記高電位とされる。これにより、
前記第１のスイッチ部のダイオードは逆バイアスされて
オフとなり、前記第２のスイッチ部のダイオードは順方
向にバイアスされてオンになる。従って、前記第１の入
出力端子に入力された高周波信号は前記第１のスイッチ
部によって遮断される。このとき、前記第２の入出力端
子の入力された高周波信号は第２のコンデンサ、第２の
スイッチ部及び第３のコンデンサを介して第３の入出力
端子に出力される。

また、請求項（２）によれば、例えば第１の入出力端
子に高周波信号を入力し、電位切り替え回路に第１の状
態を選択する切り替え制御信号が入力されたときは、例
えば前記電位切り替え回路の第２のスイッチングトラン
ジスタがオフ状態とされて、第１のスイッチ部のカソー
ド側及び第３のスイッチ部のアノード側には、例えば電
源端子に印加された所定の正の電圧が印加されて高電位
とされ、これに伴い第１のスイッチングトランジスタが
オン状態とされて、第２のスイッチ部のアノード側及び
前記第３のスイッチ部のカソード側は前記高電位よりも
低い所定の低電位、例えば零電位とされる。これによ
り、前記第３のスイッチ部のダイオードは順方向にバイ
アスされてオンとなる。また、抵抗減衰器において第１
及び第２のスイッチ部と接地点との間の直流分の伝達は
コンデンサによって遮断されているので、前記第２及び
第３のスイッチ部のダイオードは逆バイアスされてオフ
になる。従って、前記第１の入出力端子に入力された高
周波信号は第１のコンデンサ、第３のスイッチ部及び第
２のコンデンサを介して第２の入出力端子に出力され
る。

また、前記電位切り替え回路に第２の状態を選択する
切り替え制御信号が入力されたときは、例えば前記電位
切り替え回路の第２のスイッチングトランジスタがオン
状態とされて、第１のスイッチ部のカソード側及び第３
のスイッチ部のアノード側は前記低電位とされ、これに
伴い前記第１のスイッチングトランジスタがオフ状態と
されて、第２のスイッチ部のアノード側及び前記第３の
スイッチ部のカソード側は前記高電位とされる。これに
より、前記第３のスイッチ部のダイオードは逆にバイア
スされてオフとなり、前記第２及び第３のスイッチ部の
ダイオードは順方向にバイアスされてオンになる。従っ
て、前記第１の入出力端子に入力された高周波信号は第
１のコンデンサ、第１のスイッチ部、前記抵抗減衰器、
第２のスイッチ部及び第２のコンデンサを介して第２の
入出力端子に出力され、前記抵抗減衰器の減衰比によっ
て減衰される。

さらに、請求項（３）によれば、例えば第１の入出力
端子に高周波信号を入力し、電位切り替え回路に第１の
状態を選択する切り替え制御信号が入力されたときは、
例えば前記電位切り替え回路の第２のスイッチングトラ
ンジスタがオフ状態とされて、第１のスイッチ部のカソ
ード側及び第３のスイッチ部のアノード側には、例えば
電源端子に印加された所定の正の電圧が印加されて高電
位とされ、これに伴い第１のスイッチングトランジスタ
がオン状態とされて、第２のスイッチ部のアノード側及
び第４のスイッチ部のカソード側は前記高電位よりも低
い所定の低電位、例えば零電位とされる。また、第１の
抵抗減衰器において第１及び第２のスイッチ部と接地点
との間の直流分の伝達はコンデンサによって遮断され、
第２の抵抗減衰器において第３及び第４のスイッチ部と
接地点との間の直流分の伝達もコンデンサによって遮断
されている。これにより、前記第３及び第４のスイッチ
部のダイオードは順方向にバイアスされてオンとなり、
前記第１及び第２のスイッチ部のダイオードは逆バイア
スされてオフなる。従って、前記第１の入出力端子に入
力された高周波信号は第１のコンデンサ、第３のスイッ
チ部、第２の抵抗減衰器、第４のスイッチ部及び第２の
コンデンサを介して第２の入出力端子に出力され、前記
第２の抵抗減衰器の減衰比によって減衰される。

また、前記電位切り替え回路に第２の状態を選択する
切り替え制御信号が入力されたときは、例えば前記電位
切り替え回路の第２のスイッチングトランジスタがオン
状態とされて、第１のスイッチ部のカソード側及び第３
のスイッチ部のアノード側は前記低電位とされ、これに
伴い前記第１のスイッチングトランジスタがオフ状態と
されて、第２のスイッチ部のアノード側及び前記第４の
スイッチ部のカソード側は前記高電位とされる。これに
より、前記第３及び第４のスイッチ部のダイオードは逆
バイアスされてオフとなり、前記第１及び第２のスイッ
チ部のダイオードは順方向にバイアスされてオンにな
る。従って、前記第１の入出力端子に入力された高周波
信号は第１のコンデンサ、第１のスイッチ部、第１の抵
抗減衰器、第２のスイッチ部及び第２のコンデンサを介
して第２の入出力端子に出力され、前記第１の抵抗減衰
器の減衰比によって減衰される。

（実施例） 第１図は本発明の第１の実施例のスイッチ回路を示す
回路図である。図において、前述した従来例と同一構成
部分は同一符号をもって表し、その説明を省略する。即
ち、１及び２はそれぞれ複数のスイッチングダイオード
（以下、ダイオードと称する）Ｄを直列に接続したスイ
ッチ部で、スイッチ部１のアノード側はコンデンサC1を
介して入出力端子３に接続され、スイッチ部２のカソー
ド側はコンデンサC2を介して入出力端子４に接続されて
いる。また、スイッチ部１のカソード側及びスイッチ部
２のアノード側は、コンデンサC3の一端側に接続され、
コンデンサC3の他端側は入出力端子５に接続されてい
る。

20は電位切り替え回路で、複数の抵抗器R21〜R29及び
NPN型のトランジスタTr1,Tr2によって構成されている。

トランジスタTr1のエミッタは接地され、ベースは抵
抗器R21を介して切り替え制御信号の入力端子21に接続
されると共に、抵抗器R22を介して接地されている。さ
らに、トランジスタTr1のコレクタは、抵抗器R23を介し
てスイッチ部１のアノード側に、また抵抗器R24を介し
てスイッチ部２のカソード側にそれぞれ接続されてい
る。

また、トランジスタTr2のエミッタは接地され、ベー
スは抵抗器R25を介してトランジスタTr1のコレクタに接
続されると共に、抵抗器R26を介して接地されている。
さらに、トランジスタTr1のコレクタ及びトランジスタT
r2のコレクタのそれぞれには、抵抗器R28,R29を介して
所定の正の電圧＋Ｖが印加されている。

次に、前述の構成よりなる第１の実施例の動作を、入
出力端子３に第１の高周波信号を、また入出力端子４に
第２の高周波信号をそれぞれ入力し、いずれか一方の高
周波信号を入出力端子５に出力する場合について説明す
る。

入力端子21にハイレベルの切り替え制御信号を入力す
ると、トランジスタTr1のベースにハイレベルの電圧が
印加され、トランジスタTr1はオン状態になる。これに
より、スイッチ部１のアノード側、スイッチ部２のカソ
ード側及びトランジスタTr2のベースはそれぞれ低電
位、ここではほぼ零電位となる。従って、トランジスタ
Tr2はオフ状態になり、スイッチ部１のカソード側及び
スイッチ部２のアノード側には正の電圧＋Ｖが印加され
て高電位となる。これにより、スイッチ部１のダイオー
ドＤは逆バイアスされてオフとなり、第１の高周波信号
の伝達を遮断する。また、スイッチ部２のダイオードＤ
は順方向にバイアスされてオン状態になり、第２の高周
波信号を伝達し、入出力端子５から出力する。

また、入力端子21にローレバルの切り替え制御信号を
入力すると、トランジスタTr1のベースにローレベルの
電圧が印加され、トランジスタTr1はオフ状態になる。
これにより、スイッチ部のアノード側、スイッチ部２の
カソード側及びトランジスタTr2のベースには、それぞ
れ抵抗器R28及び抵抗器R23,24,25を介して前記電圧＋Ｖ
が印加されて高電位となる。従って、トランジスタTr2
はオン状態になり、スイッチ部１のカソード側及びスイ
ッチ部２のアノード側は抵抗器R27及びトランジスタTr2
を介して接地され、ほぼ零電位、即ち低電位となる。こ
れにより、スイッチ部１のダイオードＤは順方向にバイ
アスされてオンとなり、第１の高周波信号を伝達し、入
出力端子５から出力する。また、スイッチ部２のダイオ
ードＤは逆バイアスされてオフとなり、第２の高周波信
号の伝達を遮断する。

前述したように、第１の実施例によれば従来のように
正及び負の電圧を必要としないので、単一の電源によっ
て動作させることができる。

次に、本発明の第２の実施例を説明する。

第４図は第２の実施例の信号減衰回路を示す回路図で
ある。図において、前述した第１の実施例と同一構成部
分は同一符号をもって表し、その説明を省略する。ま
た、第１の実施例と第２の実施例との相違点は、第１の
実施例におけるスイッチ部２、コンデンサC2及び抵抗器
R24を除去し、スイッチ部１のアノード側とカソード側
との間に、直列に接続されたスイッチ部11、減衰器12、
スイッチ部13を並列に接続したことにある。

即ち、スイッチ部11,13はそれぞれダイオードＤから
なり、スイッチ部11のカソード側はスイッチ部１のアノ
ード側に接続され、スイッチ部13のアノード側はスイッ
チ部１のカソード側に接続されている。また、スイッチ
部11のカソード側とスイッチ部13のアノード側との間に
は減衰器12が接続されている。

減衰器12は、複数の抵抗器121,122,123とコンデンサC
4とからなり、スイッチ部11のアノード側とスイッチ部1
3のカソード側との間に抵抗器121,122が直列に接続さ
れ、抵抗器123の一端側は抵抗器121に抵抗器122との接
続点に接続されると共に、抵抗器123の他端側はコンデ
ンサC4を介して接地されている。

前述の構成よりなる第２の実施例の動作を、例えば入
出力端子３に高周波信号を入力し、入出力端子５から出
力される信号の減衰比を切り替える場合について説明す
る。

入力端子21にハイレベルの切り替え制御信号を入力す
ると、トランジスタTr1のベースにハイレベルの電圧が
印加され、トランジスタTr1はオン状態になる。これに
より、スイッチ部１のアノード側、スイッチ部２のカソ
ード側及びトランジスタTr2のベースはそれぞれ低電
位、ここではほぼ零電位となる。従って、トランジスタ
Tr2はオフ状態になり、スイッチ部１のカソード側及び
スイッチ部２のアノード側には正の電圧＋Ｖが印加され
て高電位となる。これにより、スイッチ部１のダイオー
ドＤは逆バイアスされてオフとなり、高周波信号の伝達
を遮断する。また、スイッチ部11,13のダイオードＤは
順方向にバイアスされてオン状態となり、高周波信号は
減衰器12を介して伝達され、入出力端子５から出力され
る。このとき、高周波信号は抵抗器R121,122,123の抵抗
値によって設定された減衰比により減衰される。また、
減衰器12において、抵抗器R123への直流電流の流通はコ
ンデンサC4によって遮断される。

また、入力端子21にローレベルの切り替え制御信号を
入力すると、トランジスタTr1のベースにローレベルの
電圧が印加され、トランジスタTr1はオフ状態になる。
これにより、スイッチ部１のアノード側、スイッチ部11
のカソード側及びトランジスタTr2のベースには、それ
ぞれ抵抗器R28及び抵抗器R23,25を介して前記電圧＋Ｖ
が印加されて高電位となる。従って、トランジスタTr2
はオン状態になり、スイッチ部１のカソード側及びスイ
ッチ部13のアノード側は抵抗器R27及びトランジスタTr2
を介して接地され、ほぼ零電位、即ち低電位となる。こ
れにより、スイッチ部１のダイオードＤは順方向にバイ
アスされてオンとなり、高周波信号を伝達し、入出力端
子５から出力する。また、スイッチ部11,13のダイオー
ドＤは逆バイアスされてオフとなり、高周波信号の伝達
を遮断する。これにより、高周波信号は減衰されること
なく出力される。

前述した第２の実施例においても第１の実施例と同様
に、正及び負の電圧を必要としないので、単一の電源に
よって動作させることができる。

次に、本発明の第３の実施例を説明する。

第５図は本発明の第３の実施例の信号減衰回路を示す
回路図である。図において、前述した第２の実施例と同
一構成部分は同一符号をもって表し、その説明を省略す
る。また、第２の実施例と第３の実施例との相違点はス
イッチ部１に代えて、直列接続されたスイッチ部14、減
衰器15、スイッチ部16を設けたことにある。即ち、スイ
ッチ部14,16は前述と同様にダイオードＤからなり、ス
イッチ部14のアノード側はスイッチ部11のカソード側
に、またスイッチ部16のカソード側はスイッチ部13のア
ノード側にそれぞれ接続されている。さらにスイッチ部
14のカソード側とスイッチ部16のアノード側との間には
減衰器15が接続されている。

減衰器15は、複数の抵抗器151,152,153とコンデンサC
5とからなり、スイッチ部14のカソード側とスイッチ部1
6のアノード側との間に抵抗器151,152が直列に接続さ
れ、抵抗器153の一端側は抵抗器151と抵抗器152との接
続点に接続されると共に、抵抗器153の他端側はコンデ
ンサC5を介して接地されている。

前述の構成よりなる第３の実施例によれば、入力端子
21に、ハイレベルの切り替え制御信号を入力したときに
は、入出力端子３から入力された高周波信号は、スイッ
チ部11,13及び減衰器12を介して入出力端子５に出力さ
れ、入力端子21にローレベルの切り替え制御信号を入力
したときには、入出力端子３から入力された高周波信号
は、スイッチ部14,16及び減衰器15を介して入出力端子
５に出力される。従って、切り替え制御信号によって入
出力端子５から出力される信号の減衰比を切り替えるこ
とができる。

前述した第３の実施例においても第１及び第２の実施
例と同様に、正及び負の電圧を必要としないので、単一
の電源によって動作させることができる。

次に、本発明の第４の実施例を説明する。

第６図は第４の実施例の信号減衰回路を示す回路図で
ある。図において、前述した第３の実施例と同一構成部
分は同一符号をもって表し、その説明を省略する。ま
た、第３の実施例と第４の実施例との相違点は、スイッ
チ部11,13及び減衰器12からなる信号伝送経路と、スイ
ッチ部14,16及び減衰器15からなる信号伝送経路のうち
使用されない伝送経路を介して信号が伝送されることを
完全に阻止するアイソレーション回路30を設けたことに
ある。

アイソレーション回路30は、抵抗器31〜33、コンデン
サ34〜36及びダイオード37,38によって構成される。ダ
イオード37のアノードはコンデンサ34を介してスイッチ
部11のカソード側に接続されると共に、抵抗器31を介し
てトランジスタTr1のコレクタに接続されている。ま
た、ダイオード37のカソードは抵抗器32を介してトラン
ジスタTr2のコレクタに接続されると共に、コンデンサ3
5を介して接地されている。さらに、ダイオード38のア
ノードはダイオード37のカソードに接続され、カソード
は抵抗器33を介してトランジスタTr1のコレクタに接続
されると共に、コンデンサ36を介してスイッチ部14のカ
ソード側に接続されている。

前述の構成よりなる第４の実施例によれば、第３の実
施例と同様に、入力端子21にハイレベルの切り替え制御
信号を入力したときには、入出力端子３から入力された
高周波信号は、スイッチ部11,13及び減衰器12を介して
入出力端子５に出力され、入力端子21にローレベルの切
り替え制御信号と入力したときには、入出力端子３から
入力された高周波信号は、スイッチ部14,16及び減衰器1
5を介して入出力端子５に出力される。従って、切り替
え制御信号によって入出力端子５から出力される信号の
減衰比を切り替えることができる。

さらに、第４の実施例によれば、入力端子21にハイレ
ベルの切り替え信号を入力したときには、トランジスタ
Tr1がオンになり、トランジスタTr2がオフになるので、
ダイオード37のアノードは抵抗器31とトランジスタTr1
を介して、まだダイオード38は抵抗器33とトランジスタ
Tr1を介してそれぞれ接地されて低電位となる。さら
に、ダイオード37のカソードとダイオード38のアノード
には抵抗器R29と抵抗器32を介して電圧＋Ｖが印加さ
れ、それぞれ高電位となる。これにより、ダイオード37
は逆バイアスされてオフとなり、ダイオード38は順方向
にバイアスされてオンになる。従って、オフ状態にある
スイッチ部14,16を含む伝送経路はコンデンサ35,36及び
ダイオード38を介して接地される。これにより、スイッ
チ部14,16から高周波信号が漏れて伝送されても、これ
が入出力端子５に出力されることはない。また、入力端
子21にローレベルの切り替え制御信号を入力したとき
は、トランジスタTr1がオフになり、トランジスタTr2が
オンになるので、ダイオード37のアノードには抵抗器31
と抵抗器R28を介して、またダイオード38には抵抗器33
と抵抗器R28を介して電圧＋Ｖが印加され、それぞれ高
電位となる。さらに、ダイオード37のカソードとダイオ
ード38のアノードは抵抗器32とトランジスタTr2を介し
て接地されて低電位となる。これにより、ダイオード37
は順方向にバイアスされてオンとなり、ダイオード38は
逆バイアスされてオフになる。従って、オフ状態にある
スイッチ部11,13を含む伝送経路はコンデンサ34,36及び
ダイオード37を介して接地される。これにより、スイッ
チ部11,13から高周波信号が漏れて伝送されても、これ
が入出力端子５に出力されることはない。

前述したように、第１乃至第４の実施例によれば従来
のように正及び負の電源を必要とせず単一電源によって
動作させることができるので、パターン設計の簡略化を
図ることができる。また、切り替え制御信号によって容
易に状態の切り替え、即ちスイッチ状態の切り替え或い
は減衰比の切り替えを行うことができるので、他の電気
回路に簡単に組み込むことができる。さらに、電源の数
を低減することができるので、本発明のスイッチ回路又
は信号減衰回路を用いることにより、装置の形状を小型
にすることができる。

尚、実施例における電位切り替え回路は一例であり、
これに限定されないことは言うまでもないことである。

また、本実施例では正の電圧＋Ｖの電源（図示せず）
を用いたが、負の電圧の電源を用いても同様の効果を得
ることができる。

さらに、第１乃至第３の実施例に対して、第４の実施
例におけるアイソレーション回路30を付加しても良い。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明の請求項（１）によれ
ば、単一電源によって動作させることができるのでパタ
ーン設計の簡略化を図ることができる。また、切り替え
制御信号によって二通りの状態を容易に切り替えること
ができるので、操作性を向上させることができると共
に、他の電気回路に簡単に組み込むことができる。さら
に、従来に比べて電源の数を低減することができるの
で、本スイッチ回路を用いた装置の形状を小型にするこ
とができる。

また、請求項（２），（３）によれば、単一電源によ
って動作させることができるのでパターン設計の簡略化
を図ることができる。また、切り替え制御信号によって
二通りの減衰比を容易に切り替えることができるので、
操作性を向上させることができると共に、他の電気回路
に簡単に組み込むことができる。さらに、従来に比べて
電源の数を低減することができるので、本信号減衰回路
を用いた装置の形状を小型にすることができるという優
れた利点を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例のスイッチ回路を示す回
路図、第２図は従来のスイッチ回路の一例を示す回路
図、第３図は従来の信号減衰回路の一例を示す回路図、
第４図は本発明の第２の実施例の信号減衰回路を示す回
路図、第５図は第３の実施例の信号減衰回路を示す回路
図、第６図は第４の実施例の信号減衰回路を示す回路図
である。 1,2,11,13,14,16……スイッチ部、Ｄ……ダイオード、
3,4,5……入出力端子、C1〜C5……コンデンサ、12,15…
…減衰器、121〜123,151〜153……抵抗器、20……電位
切り替え回路、Tr1,Tr2……トランジスタ、R21〜R29…
…抵抗器、30……アイソレーション回路、31〜33……抵
抗器、34〜36……コンデンサ、37,38……ダイオード。

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも一のダイオードからなる第１お
   よび第２のスイッチ部と、 前記第１のスイッチ部のアノード側と第１の入出力端子
   との間に接続された第１のコンデンサと、 前記第２のスイッチ部のカソード側と第２の入出力端子
   との間に接続された第２のコンデンサと、 一端側が前記第１のスイッチ部のカソード側と前記第２
   のスイッチ部のアノード側に接続され、他端側が第３の
   入出力端子に接続された第３のコンデンサと、 第１の状態と第２の状態とを切り替える切り替え制御信
   号に基づいて、前記第１のスイッチ部のアノード側と前
   記第２のスイッチ部のカソード側並びに前記第１のスイ
   ッチ部のカソード側及び第２のスイッチ部のアノード側
   の電位を切り替える電位切り替え回路とからなり、 前記電位切り替え回路は、前記第１のスイッチ部のカソ
   ード側及び第２のスイッチ部のアノード側と接地間に接
   続された第１のスイッチングトランジスタと、 前記第１のスイッチ部のアノード側及び第２のスイッチ
   部のカソード側並びに前記第１のスイッチングトランジ
   スタの制御端子と接地間に接続されると共に、制御端子
   に前記切り替え制御信号が入力された第２のスイッチン
   グトランジスタと、 前記第１のスイッチ部のアノード側とカソード側のそれ
   ぞれに抵抗器を介して接続された電源端子とを備え、 前記切り替え制御信号により第１の状態が選択されたと
   きに、前記第２のスイッチングトランジスタをオフ又は
   オン状態となして前記第１のスイッチ部のアノード側及
   び前記第２のスイッチ部のカソード側を所定の高電位と
   すると共に、前記第１のスイッチングトランジスタを前
   記第２のスイッチングトランジスタとは逆のオン又はオ
   フ状態となして前記第１のスイッチ部のカソード側及び
   前記第２のスイッチ部のアノード側を前記高電位よりも
   低い所定の低電位とすると共に、前記第２の状態が選択
   されたときに、前記第２のスイッチングトランジスタを
   オン又はオフ状態となして前記第１のスイッチ部のアノ
   ード側及び前記第２のスイッチ部のカソード側を前記低
   電位とすると共に、前記第１のスイッチングトランジス
   タを前記第２のスイッチングトランジスタとは逆のオフ
   又はオン状態となして前記第１のスイッチ部のカソード
   側及び前記第２のスイッチ部のアノード側を前記高電位
   とする ことを特徴とするスイッチ回路。
2. 【請求項２】少なくとも一のダイオードからなる第１乃
   至第３のスイッチ部と、 前記第１のスイッチ部のアノード側と前記第２のスイッ
   チ部のカソード側との間に接続され、コンデンサを介し
   て接地された抵抗器を有する抵抗減衰器と、 一端側が前記第１のスイッチ部のカソード側と前記第３
   のスイッチ部のアノード側に接続され、他端側が第１の
   入出力端子に接続された第１のコンデンサと、 一端側が前記第２のスイッチ部のアノード側と前記第３
   のスイッチ部のカソード側に接続され、他端側が第２の
   入出力端子に接続された第２のコンデンサと、 第１の状態と第２の状態とを切り替える切り替え制御信
   号に基づいて、前記第１のスイッチ部のカソード側と前
   記第３のスイッチ部のアノード側並びに前記第３のスイ
   ッチ部のカソード側及び第２のスイッチ部のアノード側
   の電位を切り替える電位切り替え回路とからなり、 前記電位切り替え回路は、前記第２のスイッチ部のアノ
   ード側及び第３のスイッチ部のカソード側と接地間に接
   続された第１のスイッチングトランジスタと、 前記第１のスイッチ部のカソード側及び第３のスイッチ
   部のアノード側並びに前記第１のスイッチングトランジ
   スタの制御端子と接地間に接続されると共に、制御端子
   に前記切り替え制御信号が入力された第２のスイッチン
   グトランジスタと、 前記第３のスイッチ部のアノード側とカソード側のそれ
   ぞれに抵抗器を介して接続された電源端子とを備え、 前記切り替え制御信号により第１の状態が選択されたと
   きに、前記第２のスイッチングトランジスタをオフ又は
   オン状態となして前記第１のスイッチ部のカソード側及
   び前記第３のスイッチ部のアノード側を所定の高電位と
   すると共に、前記第１のスイッチングトランジスタを前
   記第２のスイッチングトランジスタとは逆のオン又はオ
   フ状態となして前記第３のスイッチ部のカソード側及び
   前記第２のスイッチ部のアノード側を前記高電位よりも
   低い所定の低電位とすると共に、前記第２の状態が選択
   されたときに、前記第２のスイッチングトランジスタを
   オン又はオフ状態となして前記第１のスイッチ部のカソ
   ード側及び前記第３のスイッチ部のアノード側を前記低
   電位とすると共に、前記第１のスイッチングトランジス
   タを前記第２のスイッチングトランジスタとは逆のオフ
   又はオン状態となして前記第３のスイッチ部のカソード
   側及び前記第２のスイッチ部のアノード側を前記高電位
   とする ことを特徴とする信号減衰回路。
3. 【請求項３】少なくとも一のダイオードからなる第１乃
   至第４のスイッチ部と、 前記第１のスイッチ部のアノード側と前記第２のスイッ
   チ部のカソード側との間に接続され、コンデンサを介し
   て接地された抵抗器を有する第１の抵抗減衰器と、 前記第３のスイッチ部のカソード側と前記第４のスイッ
   チ部のアノード側との間に接続され、コンデンサを介し
   て接地された抵抗器を有する第２の抵抗減衰器と、 一端側が前記第１のスイッチ部のカソード側と前記第３
   のスイッチ部のアノード側に接続され、他端側が第１の
   入出力端子に接続された第１のコンデンサと、 一端側が前記第２のスイッチ部のアノード側と前記第４
   のスイッチ部のカソード側に接続され、他端側が第２の
   入出力端子に接続された第２のコンデンサと、 第１の状態と第２の状態とを切り替える切り替え制御信
   号に基づいて、前記第１のスイッチ部のカソード側と前
   記第３のスイッチ部のアノード側並びに前記第２のスイ
   ッチ部のアノード側及び第４のスイッチ部のカソード側
   の電位を切り替える電位切り替え回路とからなり、 前記電位切り替え回路は、前記第２のスイッチ部のアノ
   ード側及び第４のスイッチ部のカソード側と接地間に接
   続された第１のスイッチングトランジスタと、 前記第１のスイッチ部のカソード側及び第３のスイッチ
   部のアノード側並びに前記第１のスイッチングトランジ
   スタの制御端子と接地間に接続されると共に、制御端子
   に前記切り替え制御信号が入力された第２のスイッチン
   グトランジスタと、 前記第１のスイッチ部のカソード側と前記第２のスイッ
   チ部のアノード側のそれぞれに抵抗器を介して接続され
   た電源端子とを備え、 前記切り替え制御信号により第１の状態が選択されたと
   きに、前記第２のスイッチングトランジスタをオフ又は
   オン状態となして前記第１のスイッチ部のカソード側及
   び前記第３のスイッチ部のアノード側を所定の高電位と
   すると共に、前記第１のスイッチングトランジスタを前
   記第２のスイッチングトランジスタとは逆のオン又はオ
   フ状態となして前記第２のスイッチ部のアノード側及び
   前記第４のスイッチ部のカソード側を前記高電位よりも
   低い所定の低電位とすると共に、前記第２の状態が選択
   されたときに、前記第２のスイッチングトランジスタを
   オン又はオフ状態となして前記第１のスイッチ部のカソ
   ード側及び前記第３のスイッチ部のアノード側を前記低
   電位とすると共に、前記第１のスイッチングトランジス
   タを前記第２のスイッチングトランジスタとは逆のオフ
   又はオン状態となして前記第２のスイッチ部のアノード
   側及び前記第４のスイッチ部のカソード側を前記高電位
   とする ことを特徴とする信号減衰回路。