KR940005005B1

KR940005005B1 - 무선주파수 스위치 시스템

Info

Publication number: KR940005005B1
Application number: KR1019860008144A
Authority: KR
Inventors: 가이끼 알파이왈라 페로쯔; 헨리 베게만 로버트
Original assignee: 알 씨 에이 코포레이션; 글렌 에이취. 브르스틀
Priority date: 1985-09-30
Filing date: 1986-09-29
Publication date: 1994-06-09
Also published as: FR2588144A1; US4678929A; GB2181314B; KR870003621A; GB8623351D0; JPS6282719A; HK94094A; JPH0624318B2; DE3633045C2; CA1237487A; FR2588144B1; SG23592G; GB2181314A; DE3633045A1

Abstract

내용 없음.

Description

무선주파수 스위치 시스템

제1도는 본 발명의 원리에 따라 RF신호를 스위칭하는 스위치 장치에 대한 개략적인 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

19, 36, 70, 76, 50, 44 : 바이어스 제어수단

53, 54, 55 : 저역 통과 필터수단

60, 61, 84, 120 : 캐패시턴스.

본 발명은 스위치에 관한 것으로, 특히, 텔레비젼 반송파에서 사용되는 것과 같은 고무선 주파수(RF)를 조절하는데 적합한 스위치에 관한 것이다.

텔레비젼 시스템에 있어서는, 종종 안테나, 비데오 카셋트 레코드 또는 유선 텔레비젼 아웃리트(outlet)와 같은 다수의 신호원중 선택된 것을 텔레비젼 수상기 또는 비데오 카셋트 레코드와 같은 부하장치에 결합하는 것이 편리하다. 또한 종종 다른 부하장치에도 적용가능하게 하도록 다수의 신호원중 비선택된 것을 아웃리트점에 결합하는 것도 편리하다.

직렬 및 분로 다이오드를 사용하는 스위치는 통상 압력 포트와 출력 포트 사이에서 RF스위칭하는데 사용된다. 스위치가 "오프"즉 신호를 통과시키지 않을 때는, 직렬 다이오드 역바이어스되어 작은 용량성을 나타내는 한편, 분포 다이오드는 순바이어스되어 저지향성을 나타낸다. 입력 포트와 출력상태간에는 "오프"상태의 고감쇄가 바람직하며, 이러한 것을 달성하기 위해서는 역바이어스된 다이오드의 용량성은 매우 작아야만 된다. 그러나, 이것은 일반적으로 높은 역바이어스 전압을 필요로 한다. 더욱이, 분로 다이오드의 저항은 매우 낮아야만 한다. 비록 부수적으로 비교적 큰 전력 소모를 필요로 하는 단점을 수반하더라도, 비교적 큰 순바이어스 전류를 사용하여 저항을 낮춘다. 어떠한 경우에 있어서는 분로 다이오드만을 사용하여 편리하게 달성되는 것보다 RF시호 스위치에 요구되는 고감쇄를 달성하는데 정채 하등 분로 저항이 필요하다고 알려져 있다.

본 발명에 양상에 따라, 제1 선택 가능한 동작 모드로 입력 포트와 출력 포트간의 신호를 선택적으로 결합하여 제2 선택 가능한 동작모드로 입력 포트와 출력 포트간의 신호를 결합하지 않는 스위치 자치는 제1형의 제1전극 및 제2형의 제2 전극을 갖는 한쌍의 다이오드를 구비하며, 다이오드는 직렬로 결합되어 있다. 제1 전극 각각은 회로점에 결합되며 제2 전극 각각은 입력 포트 및 출력 포트 각각에 결합된다. 분로 다이오드는 제1형의 제1전극과 기준 전위점 및 회로점 각각에 결합된 제2형의 제2 전극을 갖는다. 제어전극을 갖는 트랜지스터는 회로점과 기준 전위점사이에 결합된 주요한 제어가능 도통경로를 갖는다.

제어장치는 모드 선택 신호를 수신하는 제어 입력에 결합된다. 제어장치는 제1 동작 모드를 선택하는 모드 선택 신호에 응답하여 한쌍의 다이오드를 순방향 바이어스시캐려하며 분로 다이오드를 역방향 바이어스시키려 하는 바이어스 전위를 인가한다. 제어장치는 또한 트랜지스터의 제어전극에 결합되어 제어전위를 트랜지스터의 제어전극에 인가함으로써 주요한 제어가능 도통경로를 실제로 비도통상태로 만든다.

제어장치는 제2 동작 모드를 선택하는 모드 선택 신호에 응답하여 분로다이오드를 순방향 바이어스시키며 한쌍의 다이오드를 역방향 바이어스시키는 바이어스 전위를 인가한다. 제어장치는 또한 트랜지스터의 제어건극에 제어전위를 인가하여 주요한 제어가능 도통경로를 실제로 도통으로 만든다.

본 발명의 또 다른 양상에 따라, 제어장치는 또한 트랜지스터의 주요한 제어가능 도통경로의 도통상태에 응답하는 바이어스 제어회로를 포함한다. 바이어스 제어회로는 주요한 제어가능 도통경로가 실제로 비도통일때는 한쌍의 다이오드에 순방향 바이어스를 분로 다이오드에는 역방향 바이어스를, 분로 다이오드에는 순방향 바이어스를 인가한다.

본 발명의 다른 양상에 따라, 한쌍의 다이오드의 제1 각각의 전극중 한 전극은 지역 통과 필터를 거쳐 회로점에 결합된다.

도면을 참조하면, (10)은 스위치 장치를 두 동작 모드중 선택된 모드 상태로 만드는 제어단자이다. 제1논리 레벨을 초과하는 제어전압이 제어단자(10)에 인가 될 때, 제1입력단자(12)에 인가된 신호는 더 이상 결합되지 않으면 제2입력단자(14)에 인가된 신호는 제1출력단자(16)에 결합된다. 제어단자(10)에 인가된 제어전압이 거의 접지 전위와 동일한 제2논리 레벨 이하이면, 입력단자(12)에 인가된 입력 신호는 출력단자(16)에 결합되며 입력단자(14)에 인가된 입력 신호는 제2출력단자(18)에 결합된다.

신호 결합 및 감결합은 도면에서 점선 박스(20,21,22)로 표시된 세 개의 기본 스위치부에 의해 달성된다. 스위치부의 구성은 "티(Tee) 부"의 형태이다. 스위치부(20)에서, 터의 직렬암은 "직렬(back-to-back)"로 결합된 각 다이오드(62 및 64)를 구비하는 반면에 분로암은 다이오드(66)와 트랜지스터(24)의 콜렉터-에미터 경로의 병렬 조합을 구비하며, 트랜지스터(24)는 적합하게는 바이폴라 트랜지스터이다. 다이오드(62,64,66)는 적합하게는 PIN(P-진성-P) 다이오드이며, 이 다이오드는 높은 무선 주파수에서 스위칭하는 바람직한 특성을 제공하는 것으로 공지되어 있다. 신호가 스위치부(20)를 통하여 결합되어지면, 직렬 다이오드(62 및 64)는 비교적 저임피던스를 나타내도록 순방향 바이어스되며, 분로 다이오드(66)는 역방향 바이어스되며, 트랜지스터(24)는 차단되어, 분로암이 고임피던스를 나타내게 되다. 신호가 스위치부(20)를 통하여 결합되지 않으면, 나중에 보다 상세히 설명될 바와같이, 직렬 다이오드(62,64)를 역방향 바이어스시키며 분로 다이오드(66)를 순방향 바이어스시키는 바이어스가 인가된다. 트랜지스터(24)는 포화상태로 바이어스되는데, 즉 트랜지스터의 접합이 순방향 바이어스되어 콜렉터-에미터 전압이 매우 작게 되므로, 나중에 보다 상세히 설명될 바와 같이 다이오드(62 및 64)는 고역방향 바이어스 이하로 되고 다이오드(66)는 높게 순방향 바이어스되어 진다. 순방향 바이어스된 다이오드(66) 및 포화된 트랜지스터(24)의 콜렉터-에미터 경료의 병렬 조합은 비교적 매우 낮은 임피던스를 나타냄으로써, 역방향 바이어스된 다이오드(62 및 64)의 비교적 고임피던스와 함께 동작하는 비교적 높은 정도의 신호 감쇄를 제공한다. 따라서 트랜지스터(24)는 분로암 임피던스의 자체 형성부 뿐만 아니라 스위치부(20)의 직렬 및 분로암 다이오드의 임피던스를 제어한다.

스위치부(21)는 스위치(20)내의 다이오드(62,64,66) 및 트랜지스터(24)와 각각 상응하는 다이오드(86,82,94) 및 트랜지스터(42)를 포함한다. 그러나, 스위치부(21)는 직렬 인덕턴스(54) 및 분로 캐패시턴스(53 및 55)를 구비하는 저역 통과 필터가 티의 직렬암에 삽입된다는 점에서 다소 다르다. 나중에 보다 상세히 설명될 바와 같이, 저역 통화 필터는 신호가 스위치부(21)에 의해 결합되어질때는 아무런 영향도 주지 않지만, 신호가 결합되지 않을 때는 감쇄를 증가시킨다.

스위치부(22)는 실제로 스위치부(20)와 동일하며, 다이오드(62,64,66) 및 트랜지스터(24)에 각각 상응하는 다이오드(88,100,102) 및 트랜지스터(108)를 포함한다.

도시된 실시예를 보다 상세히 기술하고자 한다. 제어단자(10)는 전류 제한용 저항(11) 통해 PNP트랜지스터(19)의 베이스에 결합되며 또한 전류 제한용 저항(26)을 통해 NPN트랜지스터(24)의 베이스에 결합된다. 트랜지스터(19)의 에미터는 캐패시터(13)를 통해 접지로 바이패스되며 제1공급단자(30)를 통해 동작공급전압, 예를 들어 12VDC(도시되지 않음)의 정극에 결합된다. 트랜지스터(24)의 에미터 접지(32)에 결합되며, 접지는 또한 제2 공급단자(34)를 통해 동작 공급 전압의 부극에도 결합된다.

트랜지스터(19 및 24)는 나중에 보다 상세히 기술될 바와같이, 각각의 콜렉터 전극에 결합된 제1 도체(36)의 전위를 제어한다. 제어단자(10)에 인가된 제어잔압이 거의단자(30)의 전위와 동일한 제1논리 레벨을 초과하면, 트랜지스터(19)의 콜렉터 전류는 차단되어 트랜지스터(24)는 포화상태로 바이어스된다. 따라서, 도체(36)의 전위는 거의 접지 전위와 동일하게 낮은데, 이것은 트랜지스터(24)가 포화상태이기 때문이다. 제어단자(10)에 인가된 제어전압이 제2 논리 레벨 이하이면, 트랜지스터(24)의 콜렉터 전류는 차단되어 트랜지스터(19)는 포화상태로 바이어스되므로, 도체(36)의 전위는 거의단자(30)의 전위와 동일하게 높게 된다. 도체(36)는 캐패시터(38 및 40)를 통해 AC신호용 접지로 바이패스 된다.

도체(36)는 또한 전류 제한용 저항(46 및 48)을 통해 트랜지스터(42 및 44)의 베이스 전극 각각에 결합된다. 트랜지스터(42 및 44)의 에미터 접지 및 정공급단자(30) 각각에 결합된다.

제2도체(50)는 트랜지스터(44)의 콜렉터와, 인덕터(54)와 직렬인 저항(52)을 통해 트랜지스터(42)의 콜렉터에 결합된다. 단자(10)에 인가된 제어전압이 제1 논리 레벨을 초과하면, 도체상의 저전위로 인하여 트랜지스터(42)의 콜렉터 전류가 차단되며 트랜지스터(44)는 포화상태로 바이어스된다. 따라서, 도체(50)의 전위는 거의 단자(30)의 전위와 동일하게 높다.

제어단자(30)에 인가된 제어전압이 제2 논리 레벨 이하일 때, 도체(36)상의 고전위로 인하여 트랜지스터(44)의 콜렉터 전류가 차단되어 트랜지스터(42)는 포화상태로 바이어스된다. 따라서, 도체(50)의 전위는 접지 전위와 거의 동일하게 비교적 낮다. 도체(50)는 캐패시터(56 및 58)를 통해 AC신호용 접지로 바이패스된다.

입력단자(12)는 캐패시터(60)를 통해 제1 다이오드(62)의 음극에 AC결합되며, 이 다이오드(62)의 양극은 회로점(68)에서 제2 다이오드(64)의 양극 및 제3 다이오드(66)의 음극에 결합된다. 회로망(68)은 또한 저항(70)을 통해 도체(36)에 결합되어 트랜지스터(24)의 콜렉터에 직접 결합된다. 다이오드(62)의 음극은 또한 저항(72)을 통해 접지 및 저항(74)을 통해 도체(50)에 결합된다. 다이오드(66)의 양극은 저항(76)을 통해 도체에 결합되며 캐패시터(78)를 통해 접지로 바이패스 된다.

출력단자(16)는 저항(80)을 통해 접지에 결합되며 또한 캐패시터(61)를 통해 다이오드(64) 및 제4 다이오드(82)의 음극 각각에 AC결합되며, 다이오드(82)의 양극은 트랜지스터(42)의 콜렉터에 결합된다.

입력단자(14)는 저항(92)을 통해 접지로 결합된 회로점(90)에서, 캐패시터(84)를 통해 제5 다이오드(86) 및 제6 다이오드(88)의 음극에 AC결합된다. 다이오드(86)의 양극은 저항(52)과 인덕터(54)의 접합과, 제7 다이오드(94)의 음극에 결합된다.

인덕터(54)는 인쇄 회로 기판상에서의 도전성 스트립과 같이, 편리하게 단길이의 도체로 형성되어지는 충분히 작은 위도성으로 되어 있다. 인덕터(54)에 연관된 캐패시턴스는 도면에서 인덕터(54)와 접지의 각 단사이에 결합된 캐패시터(53 및 55)로 표시된다. 캐패시터(53 및 55)는 필수적으로 실제캐패시터의 표시를 필요로 하지 않는데, 이것은 희망하는 용량의 인덕터(54) 및 예를 들어 인쇄호로 기판 도체 패턴에 연관된 기생 또는 표유용량으로 제공될 수 있기 때문이다.

다이오드(94)의 양극은 저항(96)을 통해 도체(36)에 결합되며 캐패시터(98)를 통해 접지로 바이패스된다. 다이오드(88)의 양극은 회로점(104)에서 제8 다이오스(100)의 양극 및 제9 다이오드(102)의 음극에 결합된다. 회로점(104)은 저항(106)을 통해 도체(36)에 결합되며 에미터 전극이 접지되어 있는 트랜지스터(108)의 콜렉터 전극에 결합된다. 트랜지스터(108)의 베이스 전극은 저항(110)을 통해 도체(50)에 결합된다. 다이오드(102)의 양극은 저항(112)을 통해 도체(50)에 결합되며 캐패시터(114)를 통해 접지로 바이패스된다. 다이오드(100)의 음극은 저항(116)을 통해 도체(50)에 결합되며 또한 저항(118)을 통해 접지의 결합되며 캐패시터(120)를 통해 출력단자(18)에 용량성으로 결합된다.

동작중, 단자(10)에 인가된 논리 레벨은 희망 동작 모드로 선택된다. 기술의 목적으로, 먼저 단자(10)에 인가된 논리 레벨이 제1 논리 레벨을 초과 특 제1 논리 레벨보다 정이라고 가정을 하자. 설명된 바와 같이, 이것으로 인하여 트랜지스터(24)는 포화되어 도체(36)는 거의 접지 전위로 되며 도체(50)는 거의단자(30)의 전위로 된다. 다이오드(62)는 그러므로 역방향 바이어스되고 다이오드(66)는 도체(50)의 전위 및 트랜지스터(24)의 콜렉터 접지 전위로 인해 순방향 바이어스된다. 다이오드(82)는 저항(52), 인덕터(54), 저항(80)을 통해 양극에 결합된 도체(50)의 전위에 의해 순방향 바이어스된다. 이것으로 다이오드(64 및 82)의 음극은 정전위에 있게 되는데 이 정전위는 다이오드(64)의 양극이 트랜지스터(24)의 콜렉터를 통해 거의 접지전위에 있게 되기 때문에 다이오드(64)를 역방향 바이어스시킨다.

입력단자(12)에서 출력단자(16)까지의 경로는 "티부"의 형태를 이루며, 이 부는 직렬암이 역방향 바이어스된 다이오드(62 및 64)이므로 고임피던스를 나타낸다. 분로암은 순방향 바이어스된 다이오드(66)와 포화된 트랜지스터(24)의 병렬조합을 구비하며, 상기 두 소자는 각각 저임피던스를 나타내며 특히 저임피던스의 병렬 조합을 형성한다. 입력단자(12)에서 출력단자(16)까지의 경로는 특히 고감쇄 현상을 나타내는데, 이러한 현상은 "오프"상태의 RF스위치에서는 바람직하다. 입력단자(12)상의 입력 신호는 그러므로 실제로 출력단자(16)와, 또한단자(16)가 다이오드(82)를 통해 결합되어지는 출력단자(18)에 도달하는 것이 저지된다.

주목할만하게 트랜지스터(24)는 이것이 포화될 때 고감쇄를 달성하는데 있어서 3가지 역할을 수행한다. 첫째, 트랜지스터(24)의 포화된 콜렉터 전압은 직렬 소자 다이오드(62 및 64)의 고임피던스 상태를 얻기 위한 역바이어스 전압을 설정한다. 둘째, 트랜지스터(24)는 분로 다이오드(66)의 저임피던스 상태를 얻기 위한 순방향 바이어스 전압을 설정한다. 셋째, 트랜지스터(24)의 낮은 포화 저항은 분로 다이오드(66)의 것과 병렬로 결합되어 특히 저임피던스의 병렬 조합을 달성한다.

동일하게, 다이오드(100)는 역방향 바이어스되며 다이오드(102)는 순방향 바이어스 되는데, 이것은 트랜지스터(108)가 도체(50)로부터 저항(110)을 통해 공급된 베이스 구동으로 포화되기 때문에 거의 접지인 트랜지스터(108)의 콜렉커와 도체(50)의 전위에 기인한 것이다. 다이오드(86)는 저항(52) 및 저항(92)을 통해 도체(50)의 전위에 의해 순방향 바이어스된다. 이것으로 다이오드(86 및 88)의 음극은 정전위에 머물러 있게 되는데, 이 정전위는 다이오드(88)의 양극이 트랜지스터(108)의 콜렉터를 통해 거의 접지 전위에 머물게 되기 때문에 다이오드(88)를 역바이어스시킨다.

입력단자(14)에서 출력단자(18)까지의 경로는 "티부"의 형태이며, 이 부에서는 직렬암이 역방향 바이어스된 다이오드(88 및 100)이므로 고임피던스를 나타낸다. 분로암은 순방향 바이어스된 다이오드(102)와 포화된 트랜지스터(108)의 병렬조합을 구비하며, 상기 두 소자는 각각 저임피던스를 나타내며 특히 저임피던스의 병렬 조합을 형성한다. 입력단자(14)에서 출력단자(18)까지의 경로는 그러므로 특히 고감쇄를 나타낸다. 트랜지스터(108)는 상술된 바와같이 트랜지스터(24)와 동일하게 다기능을 수행한다.

입력단자(14)는 순방향 바이어스된 다이오드(86 및 82)와 인덕터(54)의 직렬 접속을 통하여 출력단자(16)에 결합된다. 저항(46)을 통해 트랜지스터(42)의 베이스에 결합된 도체(36)상의 접지전위로 인하여 바이어스 오프된 트랜지스터(42)는 입력단자(14)를 출력단자(16)에 결합하는 경로에는 실제로 영향을 미치지 않는 콜렉터의 접지에서 고임피던스를 나타낸다. 인덕터(54)의 인덕턴스는 흥미있는 신호의 최고 주파수 이상의 차단 주파수를 갖는 캐패시터(53 및 55)와 연관하여 저역 통과 "Pi"부를 형성하도록 선택된다.

기술상의 목적으로, 지금부터 단자(10)에 인가된 논리 레벨이 제2 논리 레벨보다 적은 즉 제2 논리 레벨보다 부이라고 가정을 한다. 설명된 바와같이, 이것은 도체(36)를 단자(30)의 전위를 머물게 하도록 하며 도체(50)를 접지전위에 머물게 하도록 한다. 저항(70)을 통해 도체(36)에 의해 회로점(68)에 인가된 정전위는 다이오드(66)를 역방향 바이어스시키는데, 이것은 이 다이오드의 양극이 거의 접지전위에 머물기 때문이다. 트랜지스터(24)는 저항(26)을 통해 베이스에 인가된 단자(10)상의 접지전위에 의해 바이어스 오프돈다. 음극 모두가 저항(74 및 80)에 의해 접지에 결합된 다이오드(62 및 64)는 회전(68)에서의 정전위에 의해 순방향 바이어스된다. 트랜지스터(42)는 저항(46)을 통해 베이스에 인가된 도체(36)상의 정전위로 인해 포화상태로 바이어스된다. 이것으로 인하여 트랜지스터(42)의 콜렉터는 다이오드(82)의 양극에 접지전위를 인가하게 되며 다이오드(82)의 음극은 순방향 바이어스된 다이오드(64)에 의해 정전위로 보유된다. 다이오드(82)는 그러므로 역방향 바이어스된다. 입력단자(12)에서의 신호는 그러므로 순방향 바이어스된 다이오드(62 및 64)를 통해 출력단자(16)에 결합되며 단자(18)에는 결합되지 않는다.

다이오드(94)는 저항(96)을 통해 양극에 인가된 도체(36)상의 정전위와 저항(52)을 통해 음극에 인가된 접지전위에 의해 순방향 바이어스된다. 다이오드(88 및 100)는 저항(106)을 통해 인가된 도체(36)상의 정전위와 저항(92 및 116)을 통해 인가된 접지전위에 의해 순방향 바이어스된다. 트랜지스터(108)는 저항(110)을 통해 베이스에 인가된 접지전위에 의해 바이어스 오프된다. 다이오드(86)의 양극은 인덕터(54)를 통해 포화상태인 트랜지스터(42)의 콜렉터에 결합되며, 저항(106,92 및 116)의 저항비는 다이오드(86)의 양극과 음극간에 인가된 전위차가 트랜지스터(42)를 역방향 바이어스되는 정도이다. 다이오드(102)는 저항(106)을 통해 음극에 인가된 도체(36)상의 정전위 및 저항(112)을 통해 양극에 인가된 접지전위에 의해 역방향 바이어스된다. 입력단자(14)에서의 신호는 그러므로 순방향 바이어스된 다이오드(88 및 100)를 통해 출력단자(18)에 결합된다.

입력단자(12)에서 출력단자(18)까지의 신호 및 입력단자(14)에서 출력단자(16)까지의 신호의 기생 결합은 감쇄 회로망의 직렬소자를 형성하는 인덕터(54)의 작용으로 매우 낮은 치로 저하된다. 인덕터(54)는 기생신호 결합의 양방향에 대해 상응하는 분로 임피던스와 비교하여 흥미있는 주파수 범위에서 비교적 높은 저항을 나타낸다. 기생 신호 결합은 한 방향에 있어서, 분로 임피던스는 포화된 트랜지스터(42)의 저임피던스에 의해 제공된다. 기생 신호 결합은 한 방향에 있어서, 분로 임피던스는 캐패시터(98)에 의해 접지로 바이패스되는 순방향 바이어스된 다이오드(94)의 저임피던스로 제공된다.

본 발명은 다른 수의 입력 및 출력 포트를 갖고도 사용될 수 있다는 것이 주목된다. 또한, "오프" 상태 감쇄가 특히 커지는 것이 요구될 경우 추가의 저역 통과 필터부가 도입될 수 있다. 이들 및 다른 변형도 다음의 특허청구범위에서 한정되는 본 발명의 범주를 벗어나지 않는 한은 고려될 수 있다.

Claims

신호 입력 포트(12) 및 신호 출력 포트(16), 모드 선택 신호를 수신하는 제어 입력(10), 상기 모드 선택 신호에 응답하여 제1 동작 모드가 선택될때는 상기 입력 포트와 상기 출력 포트간의 신호를 결합하고 상기 모드 선택 신호에 응답하여 상기 제2 동작 모드가 선택될 때는 상기 포트간의 상기 신호를 실제로 결합하지 않으며, 제1형의 제1 전극 및 제2형의 제2전극을 갖으며 회로점에 결합되는 상기 제1 전극과 상기 입력 포트 및 상기 출력 포트 각각에 결합된 상기 제2 전극에 직렬로 결합되어지는 한쌍의 다이오드(62,64), 기준 전위점 및 상기 회로점 각각에 접속된 상기 제1형의 제1 전극 및 상기 제2형의 제2전극을 갖는 분로 다이오드(66)를 구비한 신호 스위치 장치(68)를 포함하는 시스템에 있어서, 제어전극 및 상기 회로점과 상기 기준 전위점간에 결합된 주요한 제어가능 도통경로를 가는 트랜지스터수단(24) 및 상기 제어점에 결합되며 상기 제1 동작 모드를 선택하는 상기 모드 선택 신호에 응답하여 상기 다이오드쌍(62, 64)을 순방향 바이어스시키고 상기 분로 다이오드(66)를 역방향 바이어스시키려는 바이어스 전위를 인가하며, 상기 주요한 제어가능 도통경로를 실제로 비도통 상태로 만들기 위해 상기 트랜지스터 수단(24)의 제어전극에 제어전위를 인가하는 제어수단(19)을 구비하며, 상기 제어 수단은 다이오드에 대해 상기 제2 동작 모드를 선택하는 상기 모드 선택 신호에 응답하여 상기 한쌍의 다이오드를 역방향 바이어스시키며, 주요한 제어가능 도통경로를 실제로 도통상태로 만들기 위해 상기 트랜지스터 수단의 제어전극에 제어전위를 인가하는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
제1항에 있어서, 상기 제어수단은 또한 상기 트랜지스터 수단의 상기 주요한 제어가능 도통경로의 도통상태에 응답하여 상기 주요 제어가능한 도통경로가 실제로 비도통상태일 때는 상기 다이오드쌍에 순방향 바이어스를 인가하고 상기 분로 다이오드에 역방향 바이어스가 인가하며, 상기 주요 제어가능한 도통경로가 실제로 도통상태일 때는 상기 분로 다이오드에 순방향 바이어스를, 상기 다이오드쌍에 역방향 바이어스를 인가하는 바이어스 제어수단(70,74,76,80)을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
제2항에 있어서, 상기 트랜지스터 수단은 바이폴라 트랜지스터를 구비하며 상기 다이오드는 PIN다이오드인 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
제3항에 있어서, 상기 트랜지스터 수단의 주요 제어가능한 도통경로를 실제로 도통상태로 만들기 위해 상기 트랜지스터 수단의 상기 제어전극에 인가된 상기 제어전위로 인하여 상기 트랜지스터가 포화상태로 되는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
제4항에 있어서, 상기 제2 전극은 캐패시턴스(60,61,84,120)를 통해 상기 입력 포트 및 출력 포트 각각에 결합되는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
제5항에 있어서, 상기 분로 다이오드의 상기 제2 전극은 상기 기준 전위점에 용량성으로 결합되는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
제1항에 있어서, 상기 제1 다이오드쌍의 제1 전극 중 한 전극은 저역 통과 필터수단(53,54,55)을 구비하는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
제7항에 있어서, 상기 저역 통과 필터수단은 직렬 인덕터 수단(54) 및 분로 캐패시터 수단(53,55)을 구비하는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
제8항에 있어서, 상기 저역 통과 필터수단(53,54,55)은 결합되어지는 상기 신호를 통과시키기에 충분히 높은 차단 주파수를 나타내는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
제9항에 있어서, 상기 제어 수단은 또한 상기 트랜지스터 수단의 상기 주요 제어가능한 도통경로의 도통상태에 응답하여 상기 주요 제어 가능한 도통경로가 실제로 비도통일때는 상기 다이오드쌍에 순방향 바이어스를, 상기 분로 다이오드에 역방향 바이어스를 인가하며, 상기 주요 제어가능한 도통경로가 실제로 도통일때는 상기 분로 다이오드에 순방향 바이어스를, 상기 다이오드쌍에 역방향 바이어스를 인가하는 바이어스 제어수단(19,36,70,76,50,44)을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
제10항에 있어서, 상기 각 다이오드는 PIN다이오드이며 상기 트랜지스터 수단은 바이폴라 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
제11항에 있어서, 상기 트랜지스터수단(24)의 주요 제어가능한 도통경로를 실제로 도통으로 만들기 위해 상기 트랜지스터 수단(24)의 상기 제어전극에 인가된 상기 제어전극에 인가된 상기 제어전위로 인하여 상기 트랜지스터는 포화상태로 되는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
제12항에 있어서, 상기 바이어스 전위는 저항 수단(26)을 통해 상기 제어수단에 의해 인가되는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
제13항에 있어서, 상기 다이오드쌍(62,64)의 상기 제2전극은 상기 입력 및 출력 포트 각각에 용량성으로 결합되는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.