KR870003621A - 무선주파수 스위치 시스템 - Google Patents

무선주파수 스위치 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR870003621A
KR870003621A KR1019860008144A KR860008144A KR870003621A KR 870003621 A KR870003621 A KR 870003621A KR 1019860008144 A KR1019860008144 A KR 1019860008144A KR 860008144 A KR860008144 A KR 860008144A KR 870003621 A KR870003621 A KR 870003621A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
radio frequency
diode
electrode
switch system
frequency switch
Prior art date
Application number
KR1019860008144A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940005005B1 (ko
Inventor
가이끼 알파이왈라 페로쯔
헨리 베게만 로버트
Original Assignee
글렌 에이취. 브르스톨
알 씨 에이 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 글렌 에이취. 브르스톨, 알 씨 에이 코포레이션 filed Critical 글렌 에이취. 브르스톨
Publication of KR870003621A publication Critical patent/KR870003621A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940005005B1 publication Critical patent/KR940005005B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/74Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes

Abstract

내용 없음

Description

무선주파수 스위치 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 원리에 따라 RF신호를 스위칭하는 스위치 장치에 대한 개략적인 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
19, 36, 70, 76, 50, 44 : 바이어스 제어수단
53, 54, 55 : 저역 통과 필터수단
60, 61, 84, 120 : 캐패시턴스.

Claims (14)

  1. 신호 입력 포트(12) 및 신호 출력 포트(16), 모드 선택 신호를 수신하는 제어 입력(10), 상기 모드 선택 신호에 응답하여 제1 동작 모드가 선택될때는 상기 입력 포트와 상기 출력 포트간의 신호를 결합하고 상기 모드 선택 신호에 응답하여 상기 제2 동작 모드가 선택될 때는 상기 포트간의 상기 신호를 실제로 결합하지 않으며, 제1형의 제1 전극 및 제2형의 제2전극을 갖으며 회로점에 결합되는 상기 제1 전극과 상기 입력 포트 및 상기 출력 포트 각각에 결합된 상기 제2 전극에 직렬로 결합되어지는 한쌍의 다이오드(62,64), 기준 전위점 및 상기 회로점 각각에 접속된 상기 제1형의 제1 전극 및 상기 제2형의 제2전극을 갖는 분로 다이오드(66)를 구비한 신호 스위치 장치(68)를 포함하는 시스템에 있어서, 제어전극 및 상기 회로점과 상기 기준 전위점간에 결합된 주요한 제어가능 도통경로를 가는 트랜지스터수단(24) 및 상기 제어점에 결합되며 상기 제1 동작 모드를 선택하는 상기 모드 선택 신호에 응답하여 상기 다이오드쌍(62, 64)을 순방향 바이어스시키고 상기 분로 다이오드(66)를 역방향 바이어스시키려는 바이어스 전위를 인가하며, 상기 주요한 제어가능 도통경로를 실제로 비도통 상태로 만들기 위해 상기 트랜지스터 수단(24)의 제어전극에 제어전위를 인가하는 제어수단(19)을 구비하며, 상기 제어 수단은 다이오드에 대해 상기 제2 동작 모드를 선택하는 상기 모드 선택 신호에 응답하여 상기 한쌍의 다이오드를 역방향 바이어스시키며, 주요한 제어가능 도통경로를 실제로 도통상태로 만들기 위해 상기 트랜지스터 수단의 제어전극에 제어전위를 인가하는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은 또한 상기 트랜지스터 수단의 상기 주요한 제어가능 도통경로의 도통상태에 응답하여 상기 주요 제어가능한 도통경로가 실제로 비도통상태일 때는 상기 다이오드쌍에 순방향 바이어스를 인가하고 상기 분로 다이오드에 역방향 바이어스가 인가하며, 상기 주요 제어가능한 도통경로가 실제로 도통상태일 때는 상기 분로 다이오드에 순방향 바이어스를, 상기 다이오드쌍에 역방향 바이어스를 인가하는 바이어스 제어수단(70,74,76,80)을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
  3. 제2항에 있어서, 상기 트랜지스터 수단은 바이폴라 트랜지스터를 구비하며 상기 다이오드는 PIN다이오드인 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 트랜지스터 수단의 주요 제어가능한 도통경로를 실제로 도통상태로 만들기 위해 상기 트랜지스터 수단의 상기 제어전극에 인가된 상기 제어전위로 인하여 상기 트랜지스터가 포화상태로 되는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2 전극은 캐패시턴스(60,61,84,120)를 통해 상기 입력 포트 및 출력 포트 각각에 결합되는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
  6. 제5항에 있어서, 상기 분로 다이오드의 상기 제2 전극은 상기 기준 전위점에 용량성으로 결합되는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 다이오드쌍의 제1 전극 중 한 전극은 저역 통과 필터수단(53,54,55)을 구비하는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 저역 통과 필터수단은 직렬 인덕터 수단(54) 및 분로 캐패시터 수단(53,55)을 구비하는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 저역 통과 필터수단(53,54,55)은 결합되어지는 상기 신호를 통과시키기에 충분히 높은 차단 주파수를 나타내는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제어 수단은 또한 상기 트랜지스터 수단의 상기 주요 제어가능한 도통경로의 도통상태에 응답하여 상기 주요 제어 가능한 도통경로가 실제로 비도통일때는 상기 다이오드쌍에 순방향 바이어스를, 상기 분로 다이오드에 역방향 바이어스를 인가하며, 상기 주요 제어가능한 도통경로가 실제로 도통일때는 상기 분로 다이오드에 순방향 바이어스를, 상기 다이오드쌍에 역방향 바이어스를 인가하는 바이어스 제어수단(19,36,70,76,50,44)을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 각 다이오드는 PIN다이오드이며 상기 트랜지스터 수단은 바이폴라 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 상기 트랜지스터수단(24)의 주요 제어가능한 도통경로를 실제로 도통으로 만들기 위해 상기 트랜지스터 수단(24)의 상기 제어전극에 인가된 상기 제어전위로 인하여 상기 트랜지스터는 포화상태로 되는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
  13. 제12항에 있어서, 상기 바이어스 전위는 저항 수단(26)을 통해 상기 제어수단에 의해 인가되는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
  14. 제13항에 있어서, 상기 다이오드쌍(62,64)의 상기 제2전극은 상기 입력 및 출력 포트 각각에 용량성으로 결합되는 것을 특징으로 하는 무선 주파수 스위치 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860008144A 1985-09-30 1986-09-29 무선주파수 스위치 시스템 KR940005005B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US781,633 1985-09-30
US06/781,633 US4678929A (en) 1985-09-30 1985-09-30 Radio frequency switch

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR870003621A true KR870003621A (ko) 1987-04-18
KR940005005B1 KR940005005B1 (ko) 1994-06-09

Family

ID=25123412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019860008144A KR940005005B1 (ko) 1985-09-30 1986-09-29 무선주파수 스위치 시스템

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4678929A (ko)
JP (1) JPH0624318B2 (ko)
KR (1) KR940005005B1 (ko)
CA (1) CA1237487A (ko)
DE (1) DE3633045A1 (ko)
FR (1) FR2588144B1 (ko)
GB (1) GB2181314A (ko)
HK (1) HK94094A (ko)
SG (1) SG23592G (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1323416C (en) * 1985-07-31 1993-10-19 Katsuya Nakagawa Rf switch
US4774563A (en) * 1987-05-01 1988-09-27 Zenith Electronics Corporation Color video switching circuit
US4894720A (en) * 1987-07-31 1990-01-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit for selectively outputting high frequency signals
US5117123A (en) * 1990-04-30 1992-05-26 Thomson Consumer Electronics, Inc. Diode switch providing temperature compensated d.c. bias for cascaded amplifier
FR2700432A1 (fr) * 1993-01-13 1994-07-13 Philips Electronics Nv Dispositif commutateur de signaux de télévision pour une distribution par câble.
DE59508022D1 (de) * 1994-04-21 2000-04-27 Koninkl Philips Electronics Nv Schaltungsanordnung zum Einspeisen eines Antennensignals
DE19538172A1 (de) * 1995-10-13 1997-04-17 Philips Patentverwaltung Schaltungsanordnung zum Einspeisen eines Antennensignals
US6967547B2 (en) * 2002-06-24 2005-11-22 Signal Technology Corporation RF switch including diodes with intrinsic regions
US7250804B2 (en) * 2002-12-17 2007-07-31 M/A -Com, Inc. Series/shunt switch and method of control

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3047741A (en) * 1959-05-01 1962-07-31 Mechron Multiple channel electronic switching circuit
US3374364A (en) * 1965-09-22 1968-03-19 Amphenol Corp Diode transfer switch
US3141098A (en) * 1962-06-07 1964-07-14 Ravenhill Peter High speed electronic switching circuit
GB1068216A (en) * 1964-11-13 1967-05-10 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to electrical switching apparatus
US3459968A (en) * 1966-05-26 1969-08-05 Us Army Diode switch
US3702898A (en) * 1970-08-04 1972-11-14 Nasa Electronic video editor
DE2212564C3 (de) * 1971-04-06 1981-07-23 Società Italiana Telecomunicazioni Siemens S.p.A., 20149 Milano Elektronische Schalteranordnung für Videosignale
JPS5542412A (en) * 1978-09-20 1980-03-25 Hitachi Ltd Electronic high frequency switch
JPS55150526U (ko) * 1979-04-17 1980-10-30
US4260832A (en) * 1979-10-29 1981-04-07 The Goodyear Tire & Rubber Company Alkylation of 2,6-di-tert-alkylphenols with alkanediols
JPS5776992A (en) * 1980-10-30 1982-05-14 Sony Corp Commander for remote control
US4400735A (en) * 1981-07-10 1983-08-23 Zenith Radio Corporation Multi-component video system controller
JPS5933337U (ja) * 1982-08-25 1984-03-01 デイエツクスアンテナ株式会社 高周波信号切換スイツチ
US4492937A (en) * 1982-10-29 1985-01-08 Rca Corporation Terminated switch
JPS59149414A (ja) * 1983-02-15 1984-08-27 Dx Antenna Co Ltd 分岐装置
US4521810A (en) * 1983-05-03 1985-06-04 Rca Corporation Video source selector
US4575759A (en) * 1983-06-28 1986-03-11 Rca Corporation Component video interconnection apparatus
JPS6052734U (ja) * 1983-09-19 1985-04-13 三洋電機株式会社 高周波信号切換え装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6282719A (ja) 1987-04-16
FR2588144A1 (fr) 1987-04-03
SG23592G (en) 1992-05-15
GB8623351D0 (en) 1986-11-05
US4678929A (en) 1987-07-07
FR2588144B1 (fr) 1990-10-12
GB2181314B (ko) 1989-09-06
DE3633045A1 (de) 1987-04-02
DE3633045C2 (ko) 1992-02-20
CA1237487A (en) 1988-05-31
JPH0624318B2 (ja) 1994-03-30
GB2181314A (en) 1987-04-15
HK94094A (en) 1994-09-16
KR940005005B1 (ko) 1994-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR860001485B1 (ko) 애널로그스위치회로
US4523111A (en) Normally-off, gate-controlled electrical circuit with low on-resistance
US3215859A (en) Field effect transistor gate
US4883984A (en) PIN diode switch
KR880012094A (ko) 전원 공급 장치
US3179817A (en) Diode bridge gating circuit with opposite conductivity type transistors for control
KR870010694A (ko) 광대역 전장 제어 스위칭회로
KR870003621A (ko) 무선주파수 스위치 시스템
US4742249A (en) RF switch with diode network and control latch sharing common element
US4649354A (en) Switchable multi-frequency dielectric resonator oscillator
US3135874A (en) Control circuits for electronic switches
US3414737A (en) Field effect transistor gating circuit
EP0399226A3 (en) Voltage clamping circuit
US4896061A (en) GaAs analog switch cell with wide linear dynamic range from DC to GHz
US3175100A (en) Transistorized high-speed reversing double-pole-double-throw switching circuit
US5027020A (en) Zero voltage switching AC relay circuit
KR840007325A (ko) 스위치 회로
US4520278A (en) Electronic switch
US3541355A (en) Circuit for selectively producing output pulses of opposite polarity in response to input pulses of a similar polarity
KR100974107B1 (ko) 전자 신호 처리 장치 및 전자 신호 스위치
US3710142A (en) Signal gating circuit
US3867651A (en) Monostable switching circuit
GB907656A (en) Tunnel diode logic circuit
RU94044397A (ru) Транзисторный ключ
KR100257637B1 (ko) 제한된 출력전류를 가진 차동증폭기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020605

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee