KR860001485B1 - 애널로그스위치회로 - Google Patents

애널로그스위치회로 Download PDF

Info

Publication number
KR860001485B1
KR860001485B1 KR1019830004042A KR830004042A KR860001485B1 KR 860001485 B1 KR860001485 B1 KR 860001485B1 KR 1019830004042 A KR1019830004042 A KR 1019830004042A KR 830004042 A KR830004042 A KR 830004042A KR 860001485 B1 KR860001485 B1 KR 860001485B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
analog
switch
turned
input terminal
Prior art date
Application number
KR1019830004042A
Other languages
English (en)
Other versions
KR840006111A (ko
Inventor
요시오 나까야마
후미노리 아베
나오후미 나가사와
Original Assignee
산요덴기 가부시기가이샤
이우에 가오루
도오교오산요덴기 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP57160028A external-priority patent/JPS5949018A/ja
Priority claimed from JP16002682A external-priority patent/JPS5949009A/ja
Application filed by 산요덴기 가부시기가이샤, 이우에 가오루, 도오교오산요덴기 가부시기가이샤 filed Critical 산요덴기 가부시기가이샤
Publication of KR840006111A publication Critical patent/KR840006111A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR860001485B1 publication Critical patent/KR860001485B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/02—Manually-operated control
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/163—Soft switching
    • H03K17/164—Soft switching using parallel switching arrangements

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Attenuators (AREA)
  • Keying Circuit Devices (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

애널로그스위치회로
제1도는 종래의 신호감소기를 표시하는 블록도.
제2도는 종래의 신호감쇠기에 포함되어 잇는 애널로그스위치회로를 표시하는 도면.
제3도는 본 발명에 의한 애널로그스위치회로의 실시예를 표시하는 회로도.
제4도는 동 다른 실시예를 표시하는 회로도.
제5도는 본 발명에 의한 신호감쇠기의 실시예를 표시하는 블록도.
제6도는 요부회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
(1) : 부하 (2) : 신호출력단자
(3) : 입력신호원 (4) : 바이어스회로
(5) : 신호입력단자 (6) : 바이어스입력단자
(7) : 저항분압회로 (8a)(8b)…(8f)(8g) : 애널로그스위치
(1)5 : 전송게이트 (22),(23),(25) : 지연회로
(25),(26),(37),(38) : 인버어터 (27),(28),(29),(30) : 정전류원
(31),(32),(33),(34) : 절환스위치 (24),(36) : OR게이트
본 발명은, 소위, 전자볼륨이라고 일컬어지는 오오디오장치의 음량조정기에 호적한 신호감쇠기에 포함되는, 절연게이트 전계효과 트랜지스터를 사용해서, 애널로그신호의 전송을 제어하는 애널로그스위치회로에 관한 것이다.
일반적으로, 전자볼륨이라고 일컬어지는 음량조정기의 신호감쇠기는, 제1도에 표시한 바와같이, 엡프 및 스피이커 등으로 이루어진 부하(1)에 접속되는 신호출력단자(2)와, 부하(1)에 비해 저임피이던스의 입력신호원(3) 및 바이어스회로(4)로부터, 각각, 입력신호(Vi)와 바이어스전압(Vb)를 입력하는 신호입력단자(5)및 바이어스입력단자(6)와, 신호입력단자(5)와 바이어스입력단자(6)의 사이에 접속되며, 복수의 저항(7a)(7b)…(7e)(7f)이 직렬 접속되어서 구성된 저항분압회로(7)와, 저항분압회로(7)의 각 저항의 일단에 입력단이 접속되고, 또한, 출력단이 공통으로 신호출력단자(2)에 접속된 복수의 애널로그스위치(8a)(8b)…(8f)(8g)등으로 구성되어 있다. 그리고 조작버튼(9)을 누르면, 누른 회수에 대응하는 시각펄스(CL)가 발진기(10)으로부터 카운터(11)에 인가되며, 이 카운턴(11)의 출력을 디코우드하는 디코우더(12)의 출력(D0)(D1)…(Dn-1)(Dn)이, 애널로그스위치(8a)(8b)…(8f)(8g)에 제어신호로서 입력된다. 그리고, 이 제어신호에 의해서 복수의 애널로그스위치의 어느 1개가 온되고, 온이 된 애널로그스위치가 접속된 분압점의 전압이, 출력 신호전압(Vo)으로서 신호출력단자(2)에 나타난다.
또, 애널로그스위치(8a)(8b)…(8f)(8g)는, 일반적으로, 제2도에 표시한 바와 같이, 제1 및 제2의 전극이 각각 공통접속된 P형 및 N형의 트랜지스터(13) 및 (14)로 구성되는 전송게이트(15)를 가지고 있으며, 각각의 공통전극이 입력단(16) 및 출력단(17)에 접속되어 있다. 그리고, N형 및 P형 트랜지스터(14) 및 (13)의 각 게이트에는, 제어신호(D) 및 그 반전신호가 인가되어, 전송게이트(15)의 온오프제어가 행해진다.
그러나, 신호감쇠기의 복수의 애널로그스위치가운데, 애널로그스위치(8g)는, 입력단이 저항분압회로(7)를 개재함이 없이 직접 바이어스 입력단자(6)에 접속되어 있으며, 전자볼륨에 적용한 경우에는, 크로스토오크를 작게하기 위해서, 이 애널로그스위치(8g)의 온저항을 작게하지 않으면 안된다. 따라서, 애널로그스위치(8g)를 구성하는 P형 및 N형 트랜지스터(13) 및 (14)의 사이즈를 크게하지 않으면 안되지만, 트랜지스터의 사이즈를 크게하면, 게이트소오스용량 및 게이트·드레인용량도 커져버리기 때문에, 애널로그스위치의 절환시에는, 게이트의 전압변화가 이들 용량을 개재해서 출력에 새어들어가, 절환노이즈가 출력축에 나타나버린다는 결점이 있었다.
본 발명은 상기의 결점을 감안하여 신호감쇠기에 포함되는 애널로그 스위치회로의 전송게이트에 이 전송 게이트보다 사이즈가 작은 전송게이트를 병렬접속하므로서, 절환노이즈를 극력감소시켜, 애널로그신호를 왜곡없이 출력단자에 전송하는 신규한 애널로그스위치회로를 제공하는 것이다.
제3도는 본 발명에 의한 애널로그스위치회로의 실시예를 표시하는 회로도로서, (15)는 제1 및 제2의 전극이 각각 공통접속되어, 공통전극이 각각 입력단자(16) 및 출력단자(17)에 접속된 P형 및 N형 트랜지스터(13) 및 (14)로 구성되는 전송게이트이며, 출력단자(17) 및 입력단자(16)에는, 제2도와 마찬가지로, 부하(1) 및 부하보다 저임피어던스의 입력신호원(3)이 접속된다. (18)은 제1 및 제2의 전극이 각각 공통접속된 P형 및 N형 트랜지스터(19) 및 (20)으로 구성되어, 전송게이트(15)보다 사이즈가 작은 전송게이트이고, 이 전송게이트(18)가 전송게이트(15)에 병렬로 접속되어 있다. 또, 제3도에 있어서, (21)은 제어신호(D)를 입력하는 제어단자, (22) 및 (23)은 지연회로, (24)는 OR게이트(21) 및 (26)은 인버어터이다.
여기서, 제어신호(D)가 "L"에서 "H"가 되면, 전송게이트(15)의 N형 및 P형 트랜지스터(14) 및 (13)의 게이트에는, 제어신호(D)가 지연된 신호(D1) 및 그 반전신호가 인가되어 있으므로, 전송게이트(5)는 즉시에 온되지 않으나. 병렬접속된 전송게이트(18)의 N형 및 P형 트랜지스터(20) 및 (19)의 게이트에는, OR게이트(24)를 개재해서 제어신호(D)가 즉석에서 인가되기 때문에, 전송게이트(18)는 곧 온된다. 이 온인때는, 전손게이트(18)의 사이즈가 작기때문에, 작은 절환노이즈밖에 발생하지 않는다. 그리고, 그뒤, 지연신호(D1)가 "H"가 되어서, 전송게이트(15)가 온할때, 큰 절환노이즈가 발생하지만, 앞서 병렬로 접속된 전송게이트(18)가 온되어 있으며. 더우기, 출력단자(17)에 접속된 부하(1)에 비해, 입력신호원(3)쪽이 임피이던스이므로, 발생된 절환노이즈는 병렬로 접속된 전송게이트(18)를 개재해서, 입력측에 흡수되어 버려서, 부하(1) 측에는 절환노이즈가 전혀 나타나지 않는다.
또, 제어신호(D)가 "H"에서 "L"가 되면, 지연회로(22)의 지연시간 경과후, 먼저, 신호(D1)가 "L"이 되고, 전송게이트(15)가 오프될려고 한다. 그러나, 이때, 지연신호(D2)는 아직 "H"이고, OR게이트(24)의 출력(G)도 "H"이므로, 전송게이트(18)는 온상태에 있다. 이때문에, 전송게이트(15)가 오프될때, 커다란 절환노이즈가 발생하지만, 온때와 마찬가지로, 이 절환노이즈는 병렬로 접속된 전송게이트(18)를 개재해서 입력측에 흡수되어 버려서, 부하(1)축에는 나타나지 않는다. 그후, 지연신호(D2)가 "L"이 되기 때문에, 전송게이트(18)도 오프가 된다. 이와 같이, 온때에도 오프때도 절환노이즈는 부하(1)축에 거의 나타나지 않는다.
다음에, 전송게이트를 구성하는 P형 및 N형 트랜지스터의 게이트를 정전류로 제어하는 경우의 실시예에 대해서, 제4도를 참조하면서 설명한다.
제4도에 있어서, 입력신호원(3)으로부터의 애널로그신호를 부하(1)로 전송하기 위한 전송게이트(15)에는 제3도의 실시예와 마찬가지로, 이 전송게이트(15)보다 사이즈가 작은 전송게이트(18)가, 병렬로 접속되어 있다. 또, 제4도에 있어서, (27)(28)(29)(30)은 정전류원, (31),(32)(33)(34)는 한쌍의 P형 및 N형 트랜지스터로 구성되며, 제어신호(D)에 따라서 전송게이트(15) 및 (18)를 구성하는 P형 및 N형 트랜지스터의 게이트를 정전류원으로 절환접속하기 위한 절환스위치, (35)는 지연회로, (36)은 OR게이트, (37) 및(38)은 인버어터이다. 또, 이하의 설명에 있어서는, 모든 정전류는 동일한 것으로 한다.
여기서, 제어신호(D)가 "L"에서 "H"로 되면, 절환스위치의 N형 트랜지스터(39)(40) 및 P형 트랜지스터(41)(42)가 온되므로, 전송게이트(15)이 P형 N형 트랜지스터(13) 및 (14)의 각 게이트는, 각각, 정전류원(27) 및 (28)에 접속되며, 또, 병렬로 접속된 전송게이트(18)의 P형 N형 트랜지스터(19) 및 (20)의 각 게이트는, 각각, 정전류원(29) 및 (30)에 접속된다. 이때문에, 게이트와 기판과의 용량, 즉 게이트용량(C1P)및 (C1N)와 (C2P) 및 (C2N)은, 각각, 충전이 개시된다. 그러나, 전송게이트(18)는 전송게이트(15)보다 사이즈가 작기 때문에, 게이트용량(C2P) 및 (C2N)은, 각각(C1P) 및 (1N)보다 용량이 작고, 따라서 사이즈가 작은 전송게이트(18)가 전송게이트(15)보다 먼저 온한다. 이때문에, 제3도의 실시예와 마찬가지로, 온때의 절환노이즈는 전송게이트(18)를 개재해서 입력축에 흡수되어 버리고, 부하(1)축에는 나타나지 않는다.
또, 제어신호(D)가 "H"에서 "L"이 되면, 절환스위치으 P형 및 N형 트랜지스터(36) 및(37)은, 즉시 온되고, 전송게이트(15)의 P형 및 N형 트랜지스터(13) 및 (14)의 각 게이트는, 각각, 정전류원(28) 및 (27)에 접속되면, 게이트용량(C1P) 및 (C1N)는 축적된 전하는 방전되기 시작한다. 그러나, 제어신호(D)가 "H"에서 "L"이 되어도, 지연회로(35)의 지연신호(D1)는 아직 "H"이고, OR게이트(36)이 출력(G)도 "H"이므로, 전송게이트(18)는 온상태 그대로이다. 이때문에, 방전이 진행되어 전송게이트(15)가 오프할때, 커다란 절환노이즈가 발생하나, 온때와 마찬가지로 이 절환노이즈는, 병렬로 접속된 전송게이트(18)를 개재해서 입력축에 흡수되어 버리고, 부하(1)축에는 나타나지 않는다. 그후, 지연신호(D1)가 "L"이 되기 때무에, OR게이트(36)의 출력(G)도 "L"이 되고, 전송게이트(18)를 거성하는 P형 및 N형 트랜지스터(19) 및 (20)의 게이트는, 절환스위치의 P형 및 N형 트랜지스터(45) 및 (46)를 개제해서, 정전류원(30) 및 (29)에 각각 접속된다. 그리고, 게이트용량 (C2P) 및 (C2N)에 축적된 전하가 방전되어, 전송게이트(18)는 오프된다.
또한, 제4도의 실시예에서는, 전송게이트(15) 및 (18)을 구성하는 게이트에 급준하게 변화하는 구형상의 전압이 가해지지 않고, 게이트전압이 원활하게 변화하므로, 보다 절환노이즈방지에 효과가 있다. 또, 제4도의 실시예에 있어서, 각 정전류원의 정전류치는 반드시 동일하게 할 필요는 없고, 예를들면, 전송게이트(15)와 (18)의 사이즈비율이 10:1이고, 정전류원(27)과 (29)의 전류비 및 (28)과 (30)의 전류비를 사이즈비와 대략 같게 10:1로 했을 경우에는, 도면중, (A)점과 (B)점간에, 다시, 지연회로를 삽입하면 된다.
제5도는, 본 발명에 의한 애널로그스위치회로가 포함되어 있는 신호감쇠기의 일실시예를 표시한 블록도이며, 제1도와 동일구성에는 동일번호를 붙이고 있다.
본 발명의 신호감쇠기에 있어서는, 제5도에 표시한 바와같이, 복수의 에널로그스위치가운데, 입력단이 직접 바이어스단자(6)에 접속되어 잇는 애널로그스위치(8g)에, 이 애널로그스위치(8g)에, 이 애널로그스위치(8g)보다 사이즈가 작은 애널로그스위치(18)를 병렬로 접속하고 있다. 그리고, 애널로그스위치(8a)(8b)…(8f)에는 제1도와 마찬가지로 디코우더(12)의출력(D0)(D1)…(Dn-1)을 제어신호로서 인가하고 있으나, 애널로그스위치(8g)에는 제어신호(D1)를 지연회로(19)에 의해서 지연시킨 신호를 인가하고, 병렬로 접속한 사이즈가 작은 애널로그스위치에(18)는 신호(Dn)를 인가하고 있다. 여기서, 애널로그스위치(8g)는, 다른 애널로그스위치(8a)(8b)…(8f)보다 사이즈가 큰 것으로 한다.
그래서, 제어신호(D0(D1)…(Dn-1)(Dn)가 "00……01"로 변화했다고 하면, 애널로그스위치(8g)에는 제어신호(Dn)의 지연신호가 인가되어 있기 때문에, 즉시에는 온되지 않고, 먼저, 작은 애널로그스위치(18)가 온한다. 이 온때에는, 애널로그스위치(18)의 사이즈가 작기때문에, 작은 절환노이즈밖에 발생하지 않는다. 그리고, 그뒤, 지연신호가 “1″이 되어서, 애널로그스위치(8g)가 온할때, 커다란 절환노이즈가 발생하지만, 먼저 작은 애널로그스위치(18)가 온되어 있고, 더우기 신호출력단자(2)에 접속된 부하(1)에 비해서, 바이어스회로(4)쪽이 저임피이던스이므로, 발생한 절환노이즈는 병렬로 접속한 작은 애널로그 스위치(18)를 개재서 바이어스회로(4)측에 바이패스되어 버려서, 부하(1)측에는 절환노이즈가 거의 나타나지 않는다. 이와같이 해서, 애널로그스위치(18)의 온때의 절환노이즈를 거의 출력측에 나타나지 않도록 할 수 있다.
또, 제어신호(D0)(D1)…(Dn-1)(Dn)가 "00……01"에서 "00……10"로 변화하면, 병렬로 접속된 애널로그스위치(18)는 애널로그스위치(8g)보다 먼저 오프하지만 애널로그스위치(8g)가 오프하기 전에, 앞단의 애널로그스위치(8f)가 온하므로, 애널로그 스위치(8g)의 오프때의 절환노이즈는, 앞단의 애널로그스위치(8f)를 게재해서 바이어스회로(4)축으로 바이패스되어버려, 역시, 출력측에는 거의 절환노이즈가 나타나지 않게 된다.
본 발명에 의한 애널로그스위치회로는, 상기와 같이, 신호감쇠기에 포함되어 애널로그스위치의 절환노이즈를 감소시킬 수 있고, 따라서, 애널로그 신호를 왜곡없이 전송하는 일이 가능해짐과 동시에 전자볼륨에 적용했을 경우에는, 입력단이 직접 바이어스입력단자에 접속되는 애너로그스위치로서, 사이즈가 큰 즉, 온저항이 작은 애널로그스위치를 사용할 수 있게 되어, 크로스토오크를 극력 억제할 수 있다. 또한, 실험결과에 의하면, 절환노이즈는 수 10분이 1정도로 감소시키는 것이 가능해진다.

Claims (2)

  1. 출력단자에 부하가 접속되어, 입력단자에 상기 부하보다 저임피이던스의 입력신호원이 접속되는 제1의 애널로그스위치에, 이 제1애널로그스위치보다 사이즈가 작은 제2의 애널로그스위치를 병렬로 접속하여, 상기 제1의 애널로그스위치를 온시키는데 앞서서, 제2의 애널로그스위치를 온시키도록 한 것을 특징으로 하는 애널로그스위치회로.
  2. 제1항에 있어서, 부하가 접속되는 신호출력단자와, 상기 부하보다 저임피이던스의 애널로그입력신호원 및 바이어스입력신호원에 각각 접속되는 신호입력단자 및 바이어스입력단자와, 복수의 직렬접속저항으로 구성된 상기 신호입력단자와 바이어스입력단자 사이에 접속된 저항분압회로와, 입력단자가 각각 상기 저항분압회로의 각 저항의 일단에 접속되어 출력단자가 공통으로 상기 신호출력단자에 접속된 복수의 애널로그스위치를 가진 신호감쇠기에 포함된 상기 애널로그 스위치회로의 제1의 애널로그스위치는, 상기 복수의 애널로그 스위치 입력단자가 직접 바이어스입력단자에 접속된 애널로그 스위치인 것을 특징으로 하는 애널로그 스위치회로.
KR1019830004042A 1982-09-13 1983-08-30 애널로그스위치회로 KR860001485B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57160028A JPS5949018A (ja) 1982-09-13 1982-09-13 アナログスイツチ回路
JP160026 1982-09-13
JP160028 1982-09-13
JP57-160028 1982-09-13
JP57-160026 1982-09-13
JP16002682A JPS5949009A (ja) 1982-09-13 1982-09-13 信号減衰器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR840006111A KR840006111A (ko) 1984-11-21
KR860001485B1 true KR860001485B1 (ko) 1986-09-26

Family

ID=26486641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019830004042A KR860001485B1 (ko) 1982-09-13 1983-08-30 애널로그스위치회로

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4611135A (ko)
KR (1) KR860001485B1 (ko)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4845446A (en) * 1985-04-12 1989-07-04 Ii Morrow, Inc. Dynamically variable attenuator
US4918401A (en) * 1985-09-30 1990-04-17 Siemens Aktiengesellschaft Step adjustable distributed amplifier network structure
EP0252999B1 (de) * 1986-07-09 1992-04-22 Deutsche ITT Industries GmbH Getaktete CMOS-Schaltung mit mindestens einem CMOS-Schalter
US5144154A (en) * 1990-05-21 1992-09-01 Keithley Instruments, Inc. Range changing using N and P channel FETS
US5111072A (en) * 1990-08-29 1992-05-05 Ncr Corporation Sample-and-hold switch with low on resistance and reduced charge injection
JP3132064B2 (ja) * 1991-08-02 2001-02-05 株式会社デンソー スイッチトキャパシタ回路
DE69403974T2 (de) * 1993-02-25 1997-10-16 At & T Corp In einem grossen Bereich arbeitende veränderbare Verzögerungsleitung und Ringoszillator
US5430408A (en) * 1993-03-08 1995-07-04 Texas Instruments Incorporated Transmission gate circuit
US5563540A (en) * 1993-09-17 1996-10-08 International Business Machines Corporation Electronic switch having programmable means to reduce noise coupling
US5424653A (en) * 1993-10-06 1995-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Gradual on output buffer circuit including a reverse turn-off apparatus
JP3238562B2 (ja) * 1994-03-03 2001-12-17 株式会社東芝 半導体集積回路
US5534815A (en) * 1994-07-29 1996-07-09 Hewlett-Packard Company Switching circuit for signal sampling with reduced residual charge effects
TW293208B (ko) * 1995-04-17 1996-12-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd
JPH09140126A (ja) * 1995-05-30 1997-05-27 Linear Technol Corp 適応スイッチ回路、適応出力回路、制御回路およびスイッチング電圧レギュレータを動作させる方法
JPH0936722A (ja) * 1995-07-14 1997-02-07 Sgs Thomson Microelettronica Spa 論理ゲートのアレイをソフト駆動するための方法及び装置、及びスイッチングの歪みの抑制方法
EP0753940B1 (en) * 1995-07-14 2005-05-25 STMicroelectronics S.r.l. Method and device for softdriving an array of logic gates
JPH09134970A (ja) * 1995-09-08 1997-05-20 Sharp Corp サンプリング回路および画像表示装置
JP3437719B2 (ja) * 1996-07-24 2003-08-18 株式会社東芝 アナログ・スイッチ回路
US5831453A (en) * 1996-12-30 1998-11-03 Intel Corporation Method and apparatus for low power data transmission
US6097238A (en) 1997-01-10 2000-08-01 Xilinx, Inc. Circuit with ramp-up control and overcoming a threshold voltage loss in an NMOS transistor
US5955911A (en) * 1997-10-06 1999-09-21 Sun Microsystems, Inc. On-chip differential resistance technique with noise immunity and symmetric resistance
US6075684A (en) * 1998-03-23 2000-06-13 Electric Boat Corporation Method and arrangement for direct current circuit interruption
US6075400A (en) * 1998-08-13 2000-06-13 Pericom Semiconductor Corp. Cancellation of injected charge in a bus switch
US6492860B1 (en) * 2000-07-26 2002-12-10 Maxim Integrated Products, Inc. Low voltage CMOS analog switch
US6879190B2 (en) * 2002-04-04 2005-04-12 The Regents Of The University Of Michigan Low-power driver with energy recovery
ATE336875T1 (de) 2003-02-20 2006-09-15 Sony Ericsson Mobile Comm Ab Elektronischer treiber zum leiten eines audiosignals zu wahlweise einem von zwei lautsprechern
DE10340846A1 (de) * 2003-09-04 2005-05-04 Infineon Technologies Ag Transistor-Anordnung zum Verringern von Rauschen, integrierter Schaltkreis und Verfahren zum Verringern des Rauschens von Feldeffekttransistoren
US7663424B2 (en) * 2007-04-11 2010-02-16 Texas Instruments Incorporated Circuit and method for reducing charge injection and clock feed-through in switched capacitor circuits
US7973565B2 (en) * 2007-05-23 2011-07-05 Cyclos Semiconductor, Inc. Resonant clock and interconnect architecture for digital devices with multiple clock networks
JP2013507888A (ja) * 2009-10-12 2013-03-04 サイクロス セミコンダクター， インコーポレイテッド 共振クロックネットワークを従来モードで作動させるためのアーキテクチャ
US8818005B2 (en) * 2011-05-17 2014-08-26 Fairchild Semiconductor Corporation Capacitor controlled switch system
TWI668961B (zh) * 2018-09-12 2019-08-11 立積電子股份有限公司 具有旁通功能之控制電路
GB2597738A (en) 2020-07-31 2022-02-09 Aptiv Tech Ltd A method and switching circuit for connecting and disconnecting current to a load having inductance
US11640367B1 (en) 2021-10-12 2023-05-02 Analog Devices, Inc. Apparatus and methods for high-speed drivers

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4228367A (en) * 1978-08-07 1980-10-14 Precision Monolithics, Inc. High speed integrated switching circuit for analog signals
US4473761A (en) * 1982-04-23 1984-09-25 Motorola, Inc. Solid state transmission gate

Also Published As

Publication number Publication date
KR840006111A (ko) 1984-11-21
US4611135A (en) 1986-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR860001485B1 (ko) 애널로그스위치회로
US4441080A (en) Amplifier with controlled gain
US4806804A (en) Mosfet integrated delay line for digital signals
US4110641A (en) CMOS voltage comparator with internal hysteresis
US4473761A (en) Solid state transmission gate
KR930703685A (ko) 액정 디스플레이용 선택 라인 스캐너로 사용되는 시프트 레지스터
US4129794A (en) Electrical integrated circuit chips
US5006732A (en) Semiconductor circuit having buffer function
US20040235549A1 (en) Individually biased transistor high frequency switch
US4717845A (en) TTL compatible CMOS input circuit
US4460953A (en) Signal voltage dividing circuit
JPH08213893A (ja) 半導体集積回路
KR870003621A (ko) 무선주파수 스위치 시스템
US4520278A (en) Electronic switch
US5142241A (en) Differential input circuit
CA1206542A (en) Switched capacitor high-pass filter
JP2686332B2 (ja) 固体スイッチ
JPS5949009A (ja) 信号減衰器
EP0169021A2 (en) Solid state switch
US4215615A (en) Monolithic integrated selection circuit
KR950028313A (ko) 동상신호 출력회로, 역상신호 출력회로 및 2상신호 출력회로
KR830008602A (ko) 텔레비젼 수상기용 다중상 감소회로 장치
KR840001567Y1 (ko) 오디오 뮤팅 회로
JPH0227851B2 (ko)
JP2751387B2 (ja) Ｅｃｌ回路の入力回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020918

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term