DE10340846A1 - Transistor-Anordnung zum Verringern von Rauschen, integrierter Schaltkreis und Verfahren zum Verringern des Rauschens von Feldeffekttransistoren - Google Patents

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Abstract

Die Transistor-Anordnung zum Verringern von Rauschen enthält einen ersten und einen zweiten Feldeffekttransistor, von denen jeder einen ersten und einen zweiten Source-/Drain-Anschluss aufweist und einen Steuer-Anschluss zum Anlegen eines ersten oder zweiten Signals aufweist. Die Transistor-Anordnung ist derart eingerichtet, dass alternierend an den Steuer-Anschluss des ersten Feldeffekttransistors das erste Signal und simultan an den Steuer-Anschluss des zweiten Feldeffekttransistors das zweite Signal anlegbar ist bzw. an den Steuer-Anschluss des ersten Feldeffekttransistors das zweite Signal und simultan an den Steuer-Anschluss des zweiten Feldeffekttransistors das erste Signal anlegbar ist.
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