JPH0321078Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0321078Y2 JPH0321078Y2 JP5313984U JP5313984U JPH0321078Y2 JP H0321078 Y2 JPH0321078 Y2 JP H0321078Y2 JP 5313984 U JP5313984 U JP 5313984U JP 5313984 U JP5313984 U JP 5313984U JP H0321078 Y2 JPH0321078 Y2 JP H0321078Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- capacitor
- pin diode
- frequency transistor
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
この考案は高周波信号をしや断する高周波スイ
ツチに関する。 従来、高周波スイツチとしては、高周波リレー
や第１図に示すような回路構成の高周波スイツチ
が使用されている。これは入力端子２と出力端子
４との間に、コンデンサ６，８、PINダイオード
１０、コンデンサ１２を直列に接続すると共に、
コンデンサ８、PINダイオード１０とに並列に
PINダイオード１４，１６を直列に接続し、さら
にこのPINダイオード１４とPINダイオード１６
との接続点を、コンデンサ１８を介して接地した
ものである。 そして、コンデンサ６，８とPINダイオード１
４との接続点を抵抗２０を介して電源端子３４
（＋Ｖ）に接続してある。また２２は切換スイツ
チで、この切換スイツチ２２の接点２６は、チヨ
ークコイル２８を介してコンデンサ８とPINダイ
オード１０との接続点に接続すると共にコンデン
サ３０を介して接地してある。 また切換スイツチ２２の腕３２は、電源端子３
４に接続してあり、PINダイオード１０，１６と
コンデンサ１２との接続点は、抵抗３６を介して
接地してある。 このように構成した高周波スイツチは、切換ス
イツチ２２を解放状態としたときは、抵抗２０を
介してPINダイオード１４，１６、抵抗３６に電
流が流れ、PINダイオード１４，１６が導通状態
となる。 したがつて、入力端子２はコンデンサ６、PIN
ダイオード１４、コンデンサ１８を介して接地さ
れたことになり、出力端子４もコンデンサ１２、
PINダイオード１６、コンデンサ１８を介して接
地されたことになるので、入力端子２から入力さ
れる高周波信号は、出力端子４から出力されるこ
とはない。すなわちこの高周波スイツチは、しや
断状態である。 また切換スイツチ２２を閉成状態としたとき
は、チヨークコイル２８を介してPINダイオード
１０、抵抗３６に電流が流れ、PINダイオード１
０が導通状態となり、PINダイオード１４，１６
にはほとんど電流が流れなくなる。 したがつて入力端子２から入力される高周波信
号は、コンデンサ６，８、PINダイオード１０、
コンデンサ１２を通過して出力端子４から出力さ
れる。すなわちこの高周波スイツチは、導通状態
となる。 しかしこの高周波スイツチでは、比較的高価な
PINダイオードを３本も使用しているので、製造
コストが高くなるという欠点がある。 またしや断状態であつても、第２図に示すよう
に90MHzから770MHzの間では最大−40dB程度の
減衰量しかなく、しかも周波数が高くなるにつれ
て、減衰量が低下し、出力端子４から漏洩する高
周波信号のレベルが上昇するという欠点もある。
さらに同図に示すように導通状態であるときも、
数dBの通過損失が生じる。 また高周波リレーでは、しや断状態であるとき
は、入力された高周波信号が出力端子から漏洩す
ることが非常に少ないが、第１図に示す高周波ス
イツチに比べて形状が大きくきわめてコストが高
いという欠点がある。 この考案は、このような欠点を解消した高周波
スイツチを提供しようとするものである。 以下、この考案を図示の実施例に基づいて説明
する。 第３図はこの考案の第１の実施例で、同図にお
いて、４０は入力端子で、この入力端子４０には
抵抗４１の一端が接続されており、この抵抗４１
の他端は並列に接続したチヨークコイル４２、コ
ンデンサ４４を介して接地されると共に、PINダ
イオード４６例えば1SV８０のカソード側に接続
されている。このPINダイオード４６のアノード
側は、NPN型の高周波トランジスタ４８、例え
ば2SC２０２６のエミツタに接続され、この高周
波トランジスタ４８のコレクタはコンデンサ５０
を介して接地されると共にPINダイオード５２の
カソード側に接続されている。 PINダイオード５２のアノード側は、コンデン
サ５８を介して出力端子５４に接続され、この出
力端子５４はコンデンサ５６を介して接地してあ
る。 また、高周波トランジスタ４８のベースは、コ
ンデンサ６０を介して接地されると共に、直列に
接続した抵抗６２，６４を介して電源端子６６に
接続されている。この抵抗６２と抵抗６４との接
続点は、コンデンサ６８を介して接地されると共
に、抵抗７０を介してPINダイオード５２のアノ
ードとコンデンサ５８との接続点に接続されてい
る。 このように構成した高周波スイツチの、各コン
デンサ及び各抵抗の容量及び抵抗値を下表に示
す。
ツチに関する。 従来、高周波スイツチとしては、高周波リレー
や第１図に示すような回路構成の高周波スイツチ
が使用されている。これは入力端子２と出力端子
４との間に、コンデンサ６，８、PINダイオード
１０、コンデンサ１２を直列に接続すると共に、
コンデンサ８、PINダイオード１０とに並列に
PINダイオード１４，１６を直列に接続し、さら
にこのPINダイオード１４とPINダイオード１６
との接続点を、コンデンサ１８を介して接地した
ものである。 そして、コンデンサ６，８とPINダイオード１
４との接続点を抵抗２０を介して電源端子３４
（＋Ｖ）に接続してある。また２２は切換スイツ
チで、この切換スイツチ２２の接点２６は、チヨ
ークコイル２８を介してコンデンサ８とPINダイ
オード１０との接続点に接続すると共にコンデン
サ３０を介して接地してある。 また切換スイツチ２２の腕３２は、電源端子３
４に接続してあり、PINダイオード１０，１６と
コンデンサ１２との接続点は、抵抗３６を介して
接地してある。 このように構成した高周波スイツチは、切換ス
イツチ２２を解放状態としたときは、抵抗２０を
介してPINダイオード１４，１６、抵抗３６に電
流が流れ、PINダイオード１４，１６が導通状態
となる。 したがつて、入力端子２はコンデンサ６、PIN
ダイオード１４、コンデンサ１８を介して接地さ
れたことになり、出力端子４もコンデンサ１２、
PINダイオード１６、コンデンサ１８を介して接
地されたことになるので、入力端子２から入力さ
れる高周波信号は、出力端子４から出力されるこ
とはない。すなわちこの高周波スイツチは、しや
断状態である。 また切換スイツチ２２を閉成状態としたとき
は、チヨークコイル２８を介してPINダイオード
１０、抵抗３６に電流が流れ、PINダイオード１
０が導通状態となり、PINダイオード１４，１６
にはほとんど電流が流れなくなる。 したがつて入力端子２から入力される高周波信
号は、コンデンサ６，８、PINダイオード１０、
コンデンサ１２を通過して出力端子４から出力さ
れる。すなわちこの高周波スイツチは、導通状態
となる。 しかしこの高周波スイツチでは、比較的高価な
PINダイオードを３本も使用しているので、製造
コストが高くなるという欠点がある。 またしや断状態であつても、第２図に示すよう
に90MHzから770MHzの間では最大−40dB程度の
減衰量しかなく、しかも周波数が高くなるにつれ
て、減衰量が低下し、出力端子４から漏洩する高
周波信号のレベルが上昇するという欠点もある。
さらに同図に示すように導通状態であるときも、
数dBの通過損失が生じる。 また高周波リレーでは、しや断状態であるとき
は、入力された高周波信号が出力端子から漏洩す
ることが非常に少ないが、第１図に示す高周波ス
イツチに比べて形状が大きくきわめてコストが高
いという欠点がある。 この考案は、このような欠点を解消した高周波
スイツチを提供しようとするものである。 以下、この考案を図示の実施例に基づいて説明
する。 第３図はこの考案の第１の実施例で、同図にお
いて、４０は入力端子で、この入力端子４０には
抵抗４１の一端が接続されており、この抵抗４１
の他端は並列に接続したチヨークコイル４２、コ
ンデンサ４４を介して接地されると共に、PINダ
イオード４６例えば1SV８０のカソード側に接続
されている。このPINダイオード４６のアノード
側は、NPN型の高周波トランジスタ４８、例え
ば2SC２０２６のエミツタに接続され、この高周
波トランジスタ４８のコレクタはコンデンサ５０
を介して接地されると共にPINダイオード５２の
カソード側に接続されている。 PINダイオード５２のアノード側は、コンデン
サ５８を介して出力端子５４に接続され、この出
力端子５４はコンデンサ５６を介して接地してあ
る。 また、高周波トランジスタ４８のベースは、コ
ンデンサ６０を介して接地されると共に、直列に
接続した抵抗６２，６４を介して電源端子６６に
接続されている。この抵抗６２と抵抗６４との接
続点は、コンデンサ６８を介して接地されると共
に、抵抗７０を介してPINダイオード５２のアノ
ードとコンデンサ５８との接続点に接続されてい
る。 このように構成した高周波スイツチの、各コン
デンサ及び各抵抗の容量及び抵抗値を下表に示
す。
【表】
このように構成した高周波スイツチは、電源端
子６６に＋12〔Ｖ〕を印加すると、PINダイオー
ド４６，５２が導通状態、高周波型トランジスタ
４８が作動状態となるので、この高周波スイツチ
は導通状態となり、入力端子４０から入力された
高周波信号は、抵抗４１、PINダイオード４６を
通つて高周波トランジスタ４８に入力され、僅か
に増幅された後、PINダイオード５２、コンデン
サ５８を通つて出力端子５４から送出される。こ
のときの高周波スイツチの通過損失は、第４図に
示すように従来の高周波スイツチの通過損失に比
べて小さい。 また、電源端子６６を開放もしくは接地する
と、PINダイオード４６，５２は非導通状態、高
周波トランジスタ４８は非作動状態となるので、
この高周波スイツチはしや断状態となり、入力端
子４０から入力された高周波信号は、その周波数
が90MHzから770MHzの間では、第４図に示すよ
うに−70dBから−55dB程度の減衰を受けるの
で、出力端子５４から高周波信号がほとんど漏洩
することがない。 しかも高周波トランジスタ４８の単価は、PIN
ダイオード４６，５２の単価とほぼ等しいので、
従来の高周波スイツチ回路と同程度の製造コスト
で製造できる。 第５図はこの考案の第２の実施例で、第１の実
施例におけるPINダイオード４６，５２にそれぞ
れ直列にPINダイオード７０，７２を追加し、コ
ンデンサ６０にコンデンサ７４と抵抗７６とを並
列に接続すると共に、抵抗４１，６４、コンデン
サ４４，５０，５６を省略したものである。 このように構成すると、PINダイオードを４本
使用しているので製造コストは上昇するが、第１
の実施例に比べて、しや断状態における減衰量が
より大きくなる。 なお上記実施例では、NPN型の高周波トラン
ジスタ４８を使用したが、PNP型のトランジス
タを使用してもよい。
子６６に＋12〔Ｖ〕を印加すると、PINダイオー
ド４６，５２が導通状態、高周波型トランジスタ
４８が作動状態となるので、この高周波スイツチ
は導通状態となり、入力端子４０から入力された
高周波信号は、抵抗４１、PINダイオード４６を
通つて高周波トランジスタ４８に入力され、僅か
に増幅された後、PINダイオード５２、コンデン
サ５８を通つて出力端子５４から送出される。こ
のときの高周波スイツチの通過損失は、第４図に
示すように従来の高周波スイツチの通過損失に比
べて小さい。 また、電源端子６６を開放もしくは接地する
と、PINダイオード４６，５２は非導通状態、高
周波トランジスタ４８は非作動状態となるので、
この高周波スイツチはしや断状態となり、入力端
子４０から入力された高周波信号は、その周波数
が90MHzから770MHzの間では、第４図に示すよ
うに−70dBから−55dB程度の減衰を受けるの
で、出力端子５４から高周波信号がほとんど漏洩
することがない。 しかも高周波トランジスタ４８の単価は、PIN
ダイオード４６，５２の単価とほぼ等しいので、
従来の高周波スイツチ回路と同程度の製造コスト
で製造できる。 第５図はこの考案の第２の実施例で、第１の実
施例におけるPINダイオード４６，５２にそれぞ
れ直列にPINダイオード７０，７２を追加し、コ
ンデンサ６０にコンデンサ７４と抵抗７６とを並
列に接続すると共に、抵抗４１，６４、コンデン
サ４４，５０，５６を省略したものである。 このように構成すると、PINダイオードを４本
使用しているので製造コストは上昇するが、第１
の実施例に比べて、しや断状態における減衰量が
より大きくなる。 なお上記実施例では、NPN型の高周波トラン
ジスタ４８を使用したが、PNP型のトランジス
タを使用してもよい。
第１図は従来の高周波スイツチの回路図、第２
図は従来の高周波スイツチの周波数特性図、第３
図はこの考案の第１の実施例の回路図、第４図は
同実施例の周波数特性図、第５図はこの考案の第
２の実施例の回路図である。 ４０……入力端子、４２……チヨークコイル、
４６，５２，７０，７２……PINダイオード、４
８……高周波トランジスタ、５４……出力端子、
６０，７４……コンデンサ、６２，６４，７０，
７６……抵抗、６６……電源端子。
図は従来の高周波スイツチの周波数特性図、第３
図はこの考案の第１の実施例の回路図、第４図は
同実施例の周波数特性図、第５図はこの考案の第
２の実施例の回路図である。 ４０……入力端子、４２……チヨークコイル、
４６，５２，７０，７２……PINダイオード、４
８……高周波トランジスタ、５４……出力端子、
６０，７４……コンデンサ、６２，６４，７０，
７６……抵抗、６６……電源端子。
Claims (1)
- 高周波信号が入力される入力端子と接地電位点
との間に接続されたチヨークコイルと、上記入力
端子と高周波トランジスタのエミツタとの間に接
続された少なくとも１個のPINダイオードと、上
記高周波トランジスタのコレクタと出力端子との
間に接続された少なくとも１個のPINダイオード
と、上記高周波トランジスタのベースと上記接地
電位点との間に接続されたコンデンサと、上記高
周波トランジスタのベース及びコレクタにそれぞ
れ抵抗を介して接続され上記高周波トランジスタ
を付勢する電流が供給されている状態と供給され
ていない状態とに切換えられる電源端子とからな
る高周波スイツチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5313984U JPS60167432U (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 高周波スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5313984U JPS60167432U (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 高周波スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167432U JPS60167432U (ja) | 1985-11-07 |
| JPH0321078Y2 true JPH0321078Y2 (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=30573719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5313984U Granted JPS60167432U (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 高周波スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60167432U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2578854B2 (ja) * | 1987-12-22 | 1997-02-05 | 松下電器産業株式会社 | 受信回路 |
-
1984
- 1984-04-10 JP JP5313984U patent/JPS60167432U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60167432U (ja) | 1985-11-07 |
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