JPH0246751A - ろう付きリードフレーム - Google Patents
ろう付きリードフレームInfo
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- JPH0246751A JPH0246751A JP19847088A JP19847088A JPH0246751A JP H0246751 A JPH0246751 A JP H0246751A JP 19847088 A JP19847088 A JP 19847088A JP 19847088 A JP19847088 A JP 19847088A JP H0246751 A JPH0246751 A JP H0246751A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、フラットパッケージ用ろう付きリードフレー
ムの改良に関する。
ムの改良に関する。
(従来の技術)
従来、フラットパッケージ用ろう付きリードフレームを
作るには、Fe−Ni合金より成るリードフレームのピ
ンの先端にアルミナ治具を用いてテープ状、チップ、小
片、球等のA g −Cu28wt%(BAg−8)の
ろう材を配して電気炉にて炉中ろう付けしていた。
作るには、Fe−Ni合金より成るリードフレームのピ
ンの先端にアルミナ治具を用いてテープ状、チップ、小
片、球等のA g −Cu28wt%(BAg−8)の
ろう材を配して電気炉にて炉中ろう付けしていた。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、最近のフラットパッケージの小型化によりリ
ードフレームのピンの間隔が狭くなり、上記のろう付き
リードフレームの製造方法では、ろう材がブリッジ(短
絡)を作り、導通する不良品が作られたり、必要部以外
にろう材が広がって、接合強度が弱くなっていた。これ
はろう流れが良すぎて所要部位でろう材が不足するから
である。
ードフレームのピンの間隔が狭くなり、上記のろう付き
リードフレームの製造方法では、ろう材がブリッジ(短
絡)を作り、導通する不良品が作られたり、必要部以外
にろう材が広がって、接合強度が弱くなっていた。これ
はろう流れが良すぎて所要部位でろう材が不足するから
である。
この為、ろう流れの安定したA g −Cu 15wt
%のろう材を使っていた。しかし、このろう材はろう付
は温度を前記のA g −Cu28wt%のろう材のろ
う付は温度780℃よりも約70℃以上高くしていた為
、Fe−Ni合金のリードフレームが軟化したり、Cu
がリードフレームのFe−Ni中に拡散し、脆化が起こ
り、折れ易くなったりした。またリードフレームのめっ
き(Niめっき又はAuめっき)にむらが発生し、耐蝕
性が低下するという問題があった。
%のろう材を使っていた。しかし、このろう材はろう付
は温度を前記のA g −Cu28wt%のろう材のろ
う付は温度780℃よりも約70℃以上高くしていた為
、Fe−Ni合金のリードフレームが軟化したり、Cu
がリードフレームのFe−Ni中に拡散し、脆化が起こ
り、折れ易くなったりした。またリードフレームのめっ
き(Niめっき又はAuめっき)にむらが発生し、耐蝕
性が低下するという問題があった。
そこで本発明は、融点が低く、Fe−Ni合金のリード
フレームを脆化せず、適度のろう流れで接合強度が安定
し、しかもリードフレームの耐蝕性を低下させることの
ないろう材を備えたフラットパッケージ用ろう付きリー
ドフレームを提供しようとするものである。
フレームを脆化せず、適度のろう流れで接合強度が安定
し、しかもリードフレームの耐蝕性を低下させることの
ないろう材を備えたフラットパッケージ用ろう付きリー
ドフレームを提供しようとするものである。
(課題を解決するための手段)
上記課題を解決するための本発明のフラットパッケージ
用ろう付きリードフレームの1つは、リードフレームの
ピンの先端に、AuにIn15〜30wt%又はGe5
〜20wt%が添加されて成るろう材が取付けられてい
ることを特徴とするものである。
用ろう付きリードフレームの1つは、リードフレームの
ピンの先端に、AuにIn15〜30wt%又はGe5
〜20wt%が添加されて成るろう材が取付けられてい
ることを特徴とするものである。
このフラットパッケージ用ろう付きリードフレームに於
いて、ピンの先端のろう材を、AuにIn15〜30w
t%又はGe5〜20wt%が添加されているろう材と
した理由は、Auは耐蝕性を維持させ且つFe−Ni合
金のリードフレームとなじませ、ろう流れ及びろう材の
加工性を維持させる為である。In5Geはろう材の融
点を下げ、ろう付は性を向上させ、またFe−Ni合金
のリードフレームを脆化させない為である。I n 1
5wt%未満、Ge5wt%未満では融点を下げる効果
が少なく、In30wt%、G e 20wt%を超え
ると加工性が悪くなり、液相と固相の差−が大きくなり
、溶は別れが生じてろう材として不適である。
いて、ピンの先端のろう材を、AuにIn15〜30w
t%又はGe5〜20wt%が添加されているろう材と
した理由は、Auは耐蝕性を維持させ且つFe−Ni合
金のリードフレームとなじませ、ろう流れ及びろう材の
加工性を維持させる為である。In5Geはろう材の融
点を下げ、ろう付は性を向上させ、またFe−Ni合金
のリードフレームを脆化させない為である。I n 1
5wt%未満、Ge5wt%未満では融点を下げる効果
が少なく、In30wt%、G e 20wt%を超え
ると加工性が悪くなり、液相と固相の差−が大きくなり
、溶は別れが生じてろう材として不適である。
本発明のフラットパッケージ用ろう付きリードフレーム
の他の1つは、リードフレームのピンの先端に、Agに
Cu 10〜40wt%とI n 1〜20wt%又は
Sn1〜40wt%とが添加されて成るろう材が取付け
られていることを特徴とするものである。
の他の1つは、リードフレームのピンの先端に、Agに
Cu 10〜40wt%とI n 1〜20wt%又は
Sn1〜40wt%とが添加されて成るろう材が取付け
られていることを特徴とするものである。
このフラットパッケージ用ろう付きリードフレームに於
いて、ピンの先端のろう材を、AgにCu10〜401
Ilt%とI n 1〜20wt%又はS n 1〜4
0wt%とが添加されているろう材とした理由は、Ag
は耐蝕性を維持させ且つFe−Ni合金のリードフレー
ムをなじませ、ろう流れ及びろう材の加工性を維持させ
る為である。Cuはろう付は強度を向上させる為である
。In、Snはろう材の融点を下げ、ろう付は性を向上
させ、またFe−Ni合金のリードフレームを脆化させ
ない為である。Cu10wt%未満ではろう付は強度が
向上せず、40w t%を超えるとFe−Ni合金のリ
ードフレームに対してCuが拡散し、脆化が生じ、また
融点が高くなる。In1wt%未満、Sn1wt%未満
ではAg−Cuに対する融点を下げる効果が少なく、I
n20wt%、5n4ht%を超えると加工性が悪くな
り、液相と固相の差が大きくなり、溶は別れが生じてろ
う材として不適である。
いて、ピンの先端のろう材を、AgにCu10〜401
Ilt%とI n 1〜20wt%又はS n 1〜4
0wt%とが添加されているろう材とした理由は、Ag
は耐蝕性を維持させ且つFe−Ni合金のリードフレー
ムをなじませ、ろう流れ及びろう材の加工性を維持させ
る為である。Cuはろう付は強度を向上させる為である
。In、Snはろう材の融点を下げ、ろう付は性を向上
させ、またFe−Ni合金のリードフレームを脆化させ
ない為である。Cu10wt%未満ではろう付は強度が
向上せず、40w t%を超えるとFe−Ni合金のリ
ードフレームに対してCuが拡散し、脆化が生じ、また
融点が高くなる。In1wt%未満、Sn1wt%未満
ではAg−Cuに対する融点を下げる効果が少なく、I
n20wt%、5n4ht%を超えると加工性が悪くな
り、液相と固相の差が大きくなり、溶は別れが生じてろ
う材として不適である。
本発明のフラットパッケージ用ろう付きリードフレーム
のさらに他の1つは、リードフレームのピンの先端に、
AgにA u 20〜50wt%とGe10〜20wt
%又は5n20〜40w t%とが添加されて成るろう
材が取付けられていることを特徴とするものである。
のさらに他の1つは、リードフレームのピンの先端に、
AgにA u 20〜50wt%とGe10〜20wt
%又は5n20〜40w t%とが添加されて成るろう
材が取付けられていることを特徴とするものである。
このフラットパッケージ用ろう付きリードフレームに於
いて、ピンの先端のろう材を、AgにA、u20〜50
wt%とGe10〜20wt%t%又はS n 20〜
40wt%とが添加されているろう材とした理由は、A
gは耐蝕性を維持させ且つFe−Ni合金のリードフレ
ームとなじませ、ろう流れ及びろう材の加工性を維持さ
せる為である。AuはFe−Ni合金のリードフレーム
を脆化させない元素として添加し、ろう付は強度を安定
させる為である。Ge、Snはろう材の融点を下げ、ろ
う付は性を向上させる為である。Au20wt%未満で
はろう付は強度の安定化に寄与できず、50wt%を超
えると材料コストが高くなるばかりで、ろう付は強度が
より安定化することもない。G e 10wt%未満、
S n 20wt%未満ではAg−Auに対し融点を下
げ、ろう付は性を向上させることができず、G e 2
0wt%、Sn40wt%を超えると加工性が悪くなり
、液相と固相の差が大きくなり、溶は別れが生じてろう
材として不適である。
いて、ピンの先端のろう材を、AgにA、u20〜50
wt%とGe10〜20wt%t%又はS n 20〜
40wt%とが添加されているろう材とした理由は、A
gは耐蝕性を維持させ且つFe−Ni合金のリードフレ
ームとなじませ、ろう流れ及びろう材の加工性を維持さ
せる為である。AuはFe−Ni合金のリードフレーム
を脆化させない元素として添加し、ろう付は強度を安定
させる為である。Ge、Snはろう材の融点を下げ、ろ
う付は性を向上させる為である。Au20wt%未満で
はろう付は強度の安定化に寄与できず、50wt%を超
えると材料コストが高くなるばかりで、ろう付は強度が
より安定化することもない。G e 10wt%未満、
S n 20wt%未満ではAg−Auに対し融点を下
げ、ろう付は性を向上させることができず、G e 2
0wt%、Sn40wt%を超えると加工性が悪くなり
、液相と固相の差が大きくなり、溶は別れが生じてろう
材として不適である。
(作用)
上記の如く構成された各フラットパッケージ用ろう付き
リードフレームは、ピンの先端に取付けられたろう材の
融点が低いので、そのろう材の取付は時Fe−Ni合金
のリードフレームが軟化せず、またろう材中の元素(C
u等)の拡散によるFe−Ni合金のリードフレームの
脆化も起こらず、適度のろう流れでFe−Ni合金のリ
ードフレームのピンに対して接合されて接合強度が高く
安定し、ピン間隔が狭くともブリッジ(短28)を作る
ことがないものである。またリードフレームのめっき(
Niめっき又はAuめっき)にむらが生ぜず、耐蝕性が
向上するものである。
リードフレームは、ピンの先端に取付けられたろう材の
融点が低いので、そのろう材の取付は時Fe−Ni合金
のリードフレームが軟化せず、またろう材中の元素(C
u等)の拡散によるFe−Ni合金のリードフレームの
脆化も起こらず、適度のろう流れでFe−Ni合金のリ
ードフレームのピンに対して接合されて接合強度が高く
安定し、ピン間隔が狭くともブリッジ(短28)を作る
ことがないものである。またリードフレームのめっき(
Niめっき又はAuめっき)にむらが生ぜず、耐蝕性が
向上するものである。
(実施例)
本発明のフラットパッケージ用ろう付きリードフレーム
の実施例を従来例と共に説明する。
の実施例を従来例と共に説明する。
下記の表の左欄に示す成分組成の球径0.5mmの球状
ろう材を、第1図に示す如く方形のフラットパッケージ
用リードフレーム1の各辺の中間に0.7mm間隔に設
けられた厚さ9mm、幅0.3ml11のピン2の先端
に、第2図に示す如くリードフレーム1上に配した上面
開口径1.0fflffi、下面開口径0.6mmのろ
う材製入孔3を有するアルミナ治具4のろう材製入孔3
にて球状ろう材5を配し、該球状ろう材5を不活性ガス
(窒素ガス)雰囲気のもとてレーザー照射により溶融し
、第3図に示す如く各ピン2の先端に接合した。
ろう材を、第1図に示す如く方形のフラットパッケージ
用リードフレーム1の各辺の中間に0.7mm間隔に設
けられた厚さ9mm、幅0.3ml11のピン2の先端
に、第2図に示す如くリードフレーム1上に配した上面
開口径1.0fflffi、下面開口径0.6mmのろ
う材製入孔3を有するアルミナ治具4のろう材製入孔3
にて球状ろう材5を配し、該球状ろう材5を不活性ガス
(窒素ガス)雰囲気のもとてレーザー照射により溶融し
、第3図に示す如く各ピン2の先端に接合した。
こうして得た実施例及び従来例のフラットパッケージ用
ろう付きリードフレームの各100個のろう材の接合強
度、ピンの折れの有無、ろう材のブリッジの有無、リー
ドフレームのめっきむらの有無等を調べた処、下記の表
の右欄に示すような結果を得た。
ろう付きリードフレームの各100個のろう材の接合強
度、ピンの折れの有無、ろう材のブリッジの有無、リー
ドフレームのめっきむらの有無等を調べた処、下記の表
の右欄に示すような結果を得た。
(以下余白)
上記の表で明らかなように従来例1のフラットパッケー
ジ用ろう付きリードフレームは、ろう材の接合強度が弱
くばらつきが大きく不安定であり、またろう材のブリッ
ジが100個中21個も生じ、従来例2のフラットパッ
ケージ用ろう付きリードフレームはピンの折れが100
個中14個も生じ、またリードフレームのめっきむらは
100個中24個も生じたのに対し、実施例1〜21の
各フラットパッケージ用ろう付きリードフレームは、ろ
う材の接合強度が高くばらつきが小さく安定していて、
しかもピンの折れ、ろう材のブリッジ、リードフレーム
のめっきむら等は皆無であることが判る。
ジ用ろう付きリードフレームは、ろう材の接合強度が弱
くばらつきが大きく不安定であり、またろう材のブリッ
ジが100個中21個も生じ、従来例2のフラットパッ
ケージ用ろう付きリードフレームはピンの折れが100
個中14個も生じ、またリードフレームのめっきむらは
100個中24個も生じたのに対し、実施例1〜21の
各フラットパッケージ用ろう付きリードフレームは、ろ
う材の接合強度が高くばらつきが小さく安定していて、
しかもピンの折れ、ろう材のブリッジ、リードフレーム
のめっきむら等は皆無であることが判る。
尚、本発明のフラットパッケージ用ろう付きリードフレ
ームの上記実施例の製造時、球状ろう材5を酸化防止の
為、不活性ガス(窒素ガス)雰囲気のもとでレーザー照
射に溶融し、ピン2の先端に接合したが、レーザー照射
作業は若干の還元性雰囲気のもとで行っても良いもので
ある。また球状ろう材5の溶融接合はレーザー照射に限
らず、電気炉中で行っても良いものである。さらにろう
材は球状に限らず、円柱、チップ、小片、角片でも良く
、場合によってはペーストろうでも良いものである。
ームの上記実施例の製造時、球状ろう材5を酸化防止の
為、不活性ガス(窒素ガス)雰囲気のもとでレーザー照
射に溶融し、ピン2の先端に接合したが、レーザー照射
作業は若干の還元性雰囲気のもとで行っても良いもので
ある。また球状ろう材5の溶融接合はレーザー照射に限
らず、電気炉中で行っても良いものである。さらにろう
材は球状に限らず、円柱、チップ、小片、角片でも良く
、場合によってはペーストろうでも良いものである。
(発明の効果)
以上の説明で判るように本発明のフラットパッケージ用
ろう付きリードフレームは、ピンの先端に取付けられた
ろう材の融点が低いので、リードフレームは軟化してお
らず、またろう材中の元素(Cu等)の拡散によるFe
−Ni合金のリードフレームの脆化が起こっていないの
で、ピンが折れることがない。また適度のろう流れでF
e−Ni合金のリードフレームのピンに接合されている
ので、ろう材の接合強度が高く、安定していて、ピン間
隔が狭くともろう材のブリッジが生じない。
ろう付きリードフレームは、ピンの先端に取付けられた
ろう材の融点が低いので、リードフレームは軟化してお
らず、またろう材中の元素(Cu等)の拡散によるFe
−Ni合金のリードフレームの脆化が起こっていないの
で、ピンが折れることがない。また適度のろう流れでF
e−Ni合金のリードフレームのピンに接合されている
ので、ろう材の接合強度が高く、安定していて、ピン間
隔が狭くともろう材のブリッジが生じない。
またリードフレームのめっき(Niめっき又はAuめっ
き)にむらが生じていないので、耐蝕性に優れる。
き)にむらが生じていないので、耐蝕性に優れる。
第1図乃至第3図は本発明のフラットパッケージ用ろう
付きリードフレームを作る工程を示す図である。
付きリードフレームを作る工程を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、リードフレームのピンの先端に、AuにIn15〜
30wt%又はGe5〜20wt%が添加されて成るろ
う材が取付けられていることを特徴とするフラットパッ
ケージ用ろう付きリードフレーム。 2、リードフレームのピンの先端に、AgにCu10〜
40wt%とIn1〜20wt%又はSn1〜40wt
%とが添加されて成るろう材が取付けられていることを
特徴とするフラットパッケージ用ろう付きリードフレー
ム。 3、リードフレームのピンの先端に、AgにAu20〜
50wt%とGe10〜20wt%又はSn20〜40
wt%とが添加されて成るろう材が取付けられているこ
とを特徴とするフラットパッケージ用ろう付きリードフ
レーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63198470A JP2670098B2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | ろう付きリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63198470A JP2670098B2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | ろう付きリードフレーム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0246751A true JPH0246751A (ja) | 1990-02-16 |
JP2670098B2 JP2670098B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=16391644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63198470A Expired - Fee Related JP2670098B2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | ろう付きリードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2670098B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03280458A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-11 | Kyocera Corp | リード付き電子部品 |
JPH06120401A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
EP3219432A4 (en) * | 2014-11-11 | 2018-05-23 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Au-sn-ag solder alloy and solder material, electronic component sealed using said solder alloy or solder material, and mounted-electronic component device |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015131340A (ja) | 2013-12-10 | 2015-07-23 | 住友金属鉱山株式会社 | Au−Sn−Ag系はんだ合金並びにこのAu−Sn−Ag系はんだ合金を用いて封止された電子部品及び電子部品搭載装置 |
JP2016068123A (ja) | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 住友金属鉱山株式会社 | Au−Sn−Ag系はんだ合金及びこれを用いて封止若しくは接合された電子機器並びに該電子機器を搭載した電子装置 |
Citations (3)
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JPS60136390A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | 株式会社日立製作所 | セラミツクモジユ−ル |
JPS60138991A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | 田中貴金属工業株式会社 | リ−ド端子用ろう材付帯材 |
JPS62224956A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リ−ドフレ−ム及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP63198470A patent/JP2670098B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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JPH03280458A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-11 | Kyocera Corp | リード付き電子部品 |
JPH06120401A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
EP3219432A4 (en) * | 2014-11-11 | 2018-05-23 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Au-sn-ag solder alloy and solder material, electronic component sealed using said solder alloy or solder material, and mounted-electronic component device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP2670098B2 (ja) | 1997-10-29 |
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