JP3086086B2 - 回路端子へのリードピンの接合方法 - Google Patents
回路端子へのリードピンの接合方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品組立時におい
て回路端子へリードピンを接合する際の接合方法に関す
る。
て回路端子へリードピンを接合する際の接合方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の回路端子へのリードピンの接
合は、一般に、ろう付け法により行われているが、この
ろう付け法においては、Ａｕ−Ｓｎ系のろう材を使用す
るものが用いられており、特に、Ａｕが７９．５〜８
０．０％、残部Ｓｎのろう材（融点約２８０℃）を用い
た接合方法が用いられている。
合は、一般に、ろう付け法により行われているが、この
ろう付け法においては、Ａｕ−Ｓｎ系のろう材を使用す
るものが用いられており、特に、Ａｕが７９．５〜８
０．０％、残部Ｓｎのろう材（融点約２８０℃）を用い
た接合方法が用いられている。
【０００３】しかしながら、この従来の接合法において
は、例えば図５に示すように、接合後のリードピンの高
さに不揃いが生じることがある。
は、例えば図５に示すように、接合後のリードピンの高
さに不揃いが生じることがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、回路
端子に接合時のリードピンの高さに不揃いが生じないよ
うな接合方法を提供することを目的とする。
端子に接合時のリードピンの高さに不揃いが生じないよ
うな接合方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、リードピ
ンの高さに不揃いが生じる原因について、検討を行っ
た。その結果、この原因が従来のろう材による接合方法
においては、溶融、凝固後のろう材中にＡｕリッチ晶が
生じる点にあることを見出した。つまり、上記図５の場
合においては、セラミックス基板７の回路端子８とリー
ドピン１との間のろう材２中にＡｕリッチ晶３が表れる
ために、ろう付け後リードピン１の高さに不揃いが生じ
るのである。
ンの高さに不揃いが生じる原因について、検討を行っ
た。その結果、この原因が従来のろう材による接合方法
においては、溶融、凝固後のろう材中にＡｕリッチ晶が
生じる点にあることを見出した。つまり、上記図５の場
合においては、セラミックス基板７の回路端子８とリー
ドピン１との間のろう材２中にＡｕリッチ晶３が表れる
ために、ろう付け後リードピン１の高さに不揃いが生じ
るのである。
【０００６】本発明者らは、鋭意研究の結果、特定の組
成のろう材を用いて接合することでこのＡｕリッチ晶を
生じさせることなく、高さを揃えてリードピンを接合で
きることを見出した。即ち、本願請求項１記載の発明
は、ろう材によりリードピンを回路端子へ接合する方法
において、前記ろう材としてＡｕ７８％以上７９．５％
未満、残部Ｓｎよりなるものを用い、ろう材を前記リー
ドピンの接合面に円弧状に取付けて接合する回路端子へ
のリードピンの接合方法である。
成のろう材を用いて接合することでこのＡｕリッチ晶を
生じさせることなく、高さを揃えてリードピンを接合で
きることを見出した。即ち、本願請求項１記載の発明
は、ろう材によりリードピンを回路端子へ接合する方法
において、前記ろう材としてＡｕ７８％以上７９．５％
未満、残部Ｓｎよりなるものを用い、ろう材を前記リー
ドピンの接合面に円弧状に取付けて接合する回路端子へ
のリードピンの接合方法である。
【０００７】本発明のように、使用するろう材につい
て、Ａｕの組成を７８％以上７９．５％未満と狭い範囲
に限定するのは、７９．５％以上とするとＡｕリッチ晶
が多く生じるからであり、７８％未満ではＳｎリッチ晶
の影響が出ることによる。そして、本発明によれば、凝
固時のろう材の組織を殆どＡｕ、Ｓｎの共晶組織とする
ことができ、接合されるリードピンの高さの不揃いの要
因となるＡｕリッチ晶を生じさせることがないため、接
合後のリードピンの高さをそろえることが可能となる。
この場合、僅かにＳｎリッチ晶が現出するが、このＳｎ
リッチ晶は微細である為、リードピンのろう付け時高さ
が不揃いとなることがない。
て、Ａｕの組成を７８％以上７９．５％未満と狭い範囲
に限定するのは、７９．５％以上とするとＡｕリッチ晶
が多く生じるからであり、７８％未満ではＳｎリッチ晶
の影響が出ることによる。そして、本発明によれば、凝
固時のろう材の組織を殆どＡｕ、Ｓｎの共晶組織とする
ことができ、接合されるリードピンの高さの不揃いの要
因となるＡｕリッチ晶を生じさせることがないため、接
合後のリードピンの高さをそろえることが可能となる。
この場合、僅かにＳｎリッチ晶が現出するが、このＳｎ
リッチ晶は微細である為、リードピンのろう付け時高さ
が不揃いとなることがない。
【０００８】一方、請求項２記載の発明は、リードピン
又は回路基板の少なくともいずれかに金メッキを施し、
ろう材としてＡｕ７８％以上７９％以下、残部Ｓｎより
なるろう材を用いて接合する請求項１記載の回路端子へ
のリードピンの接合方法である。
又は回路基板の少なくともいずれかに金メッキを施し、
ろう材としてＡｕ７８％以上７９％以下、残部Ｓｎより
なるろう材を用いて接合する請求項１記載の回路端子へ
のリードピンの接合方法である。
【０００９】このように基板又はリードピンにＡｕメッ
キを施し、ろう材の組成を更に限定することの意義は、
基板又はリードピンにＡｕメッキを施すことで、ろう流
れを良好とし、基板の信頼性を向上させることができる
というところにある。そして、ろう材の組成をＡｕ７８
％以上７９％以下とすることで、僅かに生じるＳｎリッ
チ晶にこのメッキ層中のＡｕを拡散させてろう材の組織
をＡｕＳｎ共晶組織としリードピンの高さを揃えること
ができる。
キを施し、ろう材の組成を更に限定することの意義は、
基板又はリードピンにＡｕメッキを施すことで、ろう流
れを良好とし、基板の信頼性を向上させることができる
というところにある。そして、ろう材の組成をＡｕ７８
％以上７９％以下とすることで、僅かに生じるＳｎリッ
チ晶にこのメッキ層中のＡｕを拡散させてろう材の組織
をＡｕＳｎ共晶組織としリードピンの高さを揃えること
ができる。
【００１０】従って、請求項２記載の発明によれば、リ
ードピン接合時のろう流れを良好にすると共に、リード
ピンの高さを揃えた状態で接合することができる。
ードピン接合時のろう流れを良好にすると共に、リード
ピンの高さを揃えた状態で接合することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面と
共に説明する。
共に説明する。
【００１２】第１実施形態：図１に示すように頭部径
０．７ｍｍ、頭部厚０．１５ｍｍの長さ６．０ｍｍ、外
径０．３５ｍｍの銅合金よりなるリードピン１の頭部４
の上面に、Ａｕ７９．０％、Ｓｎ２１％よりなるろう材
５を高さ０．３ｍｍに円弧状に取付けた。そして、この
リードピン１を１００本、図４に示すようにセラミック
ス基板７上のＡｕ／Ｎｉ／Ｍｏの回路端子８にろう付け
て接合した。
０．７ｍｍ、頭部厚０．１５ｍｍの長さ６．０ｍｍ、外
径０．３５ｍｍの銅合金よりなるリードピン１の頭部４
の上面に、Ａｕ７９．０％、Ｓｎ２１％よりなるろう材
５を高さ０．３ｍｍに円弧状に取付けた。そして、この
リードピン１を１００本、図４に示すようにセラミック
ス基板７上のＡｕ／Ｎｉ／Ｍｏの回路端子８にろう付け
て接合した。
【００１３】第２実施形態：第１実施形態と同一寸法、
同一材質のリードピン１の外表面に図２に示すようにＡ
ｕメッキを１μｍ施し、そのリードピン１の頭部４の上
面に、Ａｕ７８．５％、Ｓｎ２１．５％よりなるろう材
５’を高さ０．３ｍｍで円弧状に取付け、このリードピ
ンを第１実施形態と同様、１００本、図４に示すように
回路端子８に接合した。
同一材質のリードピン１の外表面に図２に示すようにＡ
ｕメッキを１μｍ施し、そのリードピン１の頭部４の上
面に、Ａｕ７８．５％、Ｓｎ２１．５％よりなるろう材
５’を高さ０．３ｍｍで円弧状に取付け、このリードピ
ンを第１実施形態と同様、１００本、図４に示すように
回路端子８に接合した。
【００１４】従来例：従来例として、図３に示すように
実施例と同一寸法、同一材質のリードピン１の頭部４上
面に、Ａｕ８０％、Ｓｎ２０％よりなるろう材２が高さ
０．２８ｍｍで円弧状に取付け、第１、第２実施形態と
同様に回路に接合した。
実施例と同一寸法、同一材質のリードピン１の頭部４上
面に、Ａｕ８０％、Ｓｎ２０％よりなるろう材２が高さ
０．２８ｍｍで円弧状に取付け、第１、第２実施形態と
同様に回路に接合した。
【００１５】以上の第１、第２実施形態、及び、従来例
によりリードピンを接合した回路端子につき、リードピ
ンの高さを測定し、品質の確認を行った。この検討は、
公差リードピン１の高さ±０．１ｍｍの範囲内であれば
良品とし、それ以外を不良品として判断している。
によりリードピンを接合した回路端子につき、リードピ
ンの高さを測定し、品質の確認を行った。この検討は、
公差リードピン１の高さ±０．１ｍｍの範囲内であれば
良品とし、それ以外を不良品として判断している。
【００１６】その結果、第１、第２実施形態においては
全て良品であったが、従来例に於いては接合した１００
本中５本が不良品であると判断された。
全て良品であったが、従来例に於いては接合した１００
本中５本が不良品であると判断された。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リードピンのろう付け時Ａｕリッチ晶が殆んど表れず、
Ａｕ−Ｓｎ共晶となり、僅かにＳｎリッチ晶が表れても
このＳｎリッチ晶は微細である為、リードピンは高さが
不揃いとなることがなく、均一な高さで接合することが
できる。
リードピンのろう付け時Ａｕリッチ晶が殆んど表れず、
Ａｕ−Ｓｎ共晶となり、僅かにＳｎリッチ晶が表れても
このＳｎリッチ晶は微細である為、リードピンは高さが
不揃いとなることがなく、均一な高さで接合することが
できる。
【図１】第１実施形態のリードピンの接合方法における
リードピンを示す図である。
リードピンを示す図である。
【図２】第２実施形態のリードピンの接合方法における
金メッキを施したリードピンを示す図である。
金メッキを施したリードピンを示す図である。
【図３】従来の方法により接合されるリードピンの状態
を示す図である。
を示す図である。
【図４】第１、第２実施形態の方法でリードピンをセラ
ミックス基板の回路端子にろう付けした状態を示す図で
ある。
ミックス基板の回路端子にろう付けした状態を示す図で
ある。
【図５】従来の方法でリードピンをセラミックス基板の
回路端子へろう付けした場合を示す図である。
回路端子へろう付けした場合を示す図である。
【符号の説明】 １ リードピン ４ 頭部 ５、５′ ろう材 ６ Ａｕメッキ ７ セラミックス基板 ８ 回路端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 35/30 310 H01L 23/50
Claims (2)
- 【請求項１】 ろう材によりリードピンを回路端子へ接
合する方法において、 前記ろう材としてＡｕ７８％以上７９．５％未満、残部
Ｓｎよりなるものを用い、ろう材を前記リードピンの接
合面に円弧状に取付けて接合する回路端子へのリードピ
ンの接合方法。 - 【請求項２】 ろう材としてＡｕ７８％以上７９％以
下、残部Ｓｎよりなるものを用い、更に、リードピン又
は回路端子の少なくともいずれかに金メッキを施した後
接合する請求項１記載の回路端子へのリードピンの接合
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04306046A JP3086086B2 (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 回路端子へのリードピンの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04306046A JP3086086B2 (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 回路端子へのリードピンの接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06126485A JPH06126485A (ja) | 1994-05-10 |
| JP3086086B2 true JP3086086B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=17952409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04306046A Expired - Fee Related JP3086086B2 (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 回路端子へのリードピンの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3086086B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002043141A1 (fr) * | 2000-11-27 | 2002-05-30 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Procede de scellement hermetique de pieces electroniques |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19730118B4 (de) | 1997-07-14 | 2006-01-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Chip-Substrat-Verbindung |
| JP4769469B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2011-09-07 | 田中貴金属工業株式会社 | Ａｕ−Ｓｎ系ろう材による接合方法 |
| EP1591191B1 (en) * | 2004-02-20 | 2008-04-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Joining method by Au-Sn brazing material, its thickness being i.a. dependent on the Sn-content |
| JP4560830B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-10-13 | 三菱マテリアル株式会社 | はんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末 |
| JP5906811B2 (ja) * | 2012-02-29 | 2016-04-20 | 沖電気工業株式会社 | パッケージ、及び電力増幅器 |
-
1992
- 1992-10-19 JP JP04306046A patent/JP3086086B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002043141A1 (fr) * | 2000-11-27 | 2002-05-30 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Procede de scellement hermetique de pieces electroniques |
| US6691911B2 (en) | 2000-11-27 | 2004-02-17 | Tanaka Kikinzoku Kogky K.K. | Method for hermetic sealing of electronic parts |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06126485A (ja) | 1994-05-10 |
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