JPS58107295A - ろう合金 - Google Patents

ろう合金

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JPS58107295A
JPS58107295A JP57182222A JP18222282A JPS58107295A JP S58107295 A JPS58107295 A JP S58107295A JP 57182222 A JP57182222 A JP 57182222A JP 18222282 A JP18222282 A JP 18222282A JP S58107295 A JPS58107295 A JP S58107295A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の５＋、′、／′ｒ！１な説明 本発明の分野 本発明は電子システム中のチップを支持する基板への入
出力電気接続ピン及び他の構成素子の接着に係り、更に
具体的に云えば、チップの連続的再加熱と適合する方法
によりチップを支持する基板及びそのピンの電子回路相
互接続を行うために有用な接着用合金に係る。
本発明の目的 □ 本発明の目的は、基板に又は基板自体が接着されている
表面に接続されているピンとの間の接着を乱すことなく
基板上に於けるチップの経済的な付着又は交換を可能に
する合金を提供することである０換言すると、本発明の
目的は、チップを基板上に保持するはんだ接続部を融解
させるために必要な温度に加熱されても構造体が何ら影
響を受けない様な融点を有している、ピン等を基板にそ
して基板をその支持体に接着するための合金を提供する
ことである。更に、本発明の目的は、その様な結果を得
るために更に金を用いるよりも経済的なろうを提供する
ことである。
多層セラミック基板の如き電子チップを支持する基板に
素子をろう付けするには、再加工即ち基板上のチップの
除去及び交換に於てチップを支持する鉛−錫はんだポー
ルを加熱するために必要とされる高温でも強さを保つろ
う材又ははんだ材を用いることが必要である。この問題
に対する１つの一般的解決方法は、ろう付は後の融点が
当初の融点の２８０“Ｃよりも高くなる金−錫ろうを用
いることである。
従来に於て、回路接続ピンは再加工の加熱中に傾いて整
合状態を失う傾向があり、又多数の再加工サイクルによ
り７ランジの封正に問題が生じているので、本発明に於
ては、ろう材に銅（これは、ろう材中の合金の高融点β
相の量を増大させて、接着後の融点を上昇させる）及び
ニッケル、パラジウム又は他の第■族の金属（これは、
錫を融解物から引出すこと又は錫のゲッタリングにより
金及び銅１の錫に１対ゴる見かけの比率を１増、犬さ；
せてＡ’ｃｒ−８ｎ合金のβ相の形成を増進させること
により、冷却後に又ろう材の凝縮後にさえもろう接合部
の融点を上昇させる傾向がある）をろう材に加えること
によって、ろう合金がろう付は中に修正される。
先行技術 米国特許第３６４８３５　’７号の明細書は、コパール
及びガラスのハウジングとコパール合金（Ｎｉ１Ｆｅ、
Ｃｏ）のカバーとを、共融性金−錫ろうを用℃・て相互
に気密封止することについて開示している。この米国特
許明細書は、「相互に封止される（５） べきハウジングとカバーとの端部周辺の間にろう材のプ
リフォームを・・・・・・」配置することによって、そ
の様なパッケージが封止されていることを記載している
。更に、相互にろう付けされるべき部品が「封止装置中
に配置されそして・・・・・・ろう材をカバー及びハウ
ジングへ融着せしめるに充分な温度に加熱される。残念
ながら、この様にして封止されたパッケージには、かな
りの部分に不完全な気密封止が生じる。空隙を含むこと
により封止部に漏洩が生じるだけでなく、ろう材を融解
させて封止部を形成するために必要とされる温度は上記
パッケージに含まれている超小型電子装置を損傷させる
に充分であり得る。」と記載している。
この米国特許明細書に於ける方法は、Ａｕ−８ｎ（８０
：２０）のプリフォームをハウジングの７ランジと該ハ
ウジング上にはまるカバーのかみ合い表面との両方に被
覆することである。この様にして、両側のろう材のプリ
フォームは、超小型電子装置への損傷が減少される様に
少しの熱しか必要とせずにろう材が融解する低温に於て
、相互に（４） 接合され得る。しかしながら、コバール合金はＡｕ：Ｓ
ｎろう材とよく反応しないので、始めにコバール合金の
表面が金めつきによって被覆される。
それから、めっきされたハウジング及びカバーにプリフ
ォームがろう付けされた。予め錫をめっきした場合には
、コパールのめつきされた表面から金が溶ける程迄、ろ
う材の融点を上昇させるという欠点を生じた。この米国
特許明細書に於ける技術の目的は、平衡状態で金をろう
材中に溶かし込むことになる４００°Ｃの温度ではなく
、約３３０“Ｃ迄低く融点を保つことであった。そのよ
り低い温度の使用は、平衡状態に於て、めっきされた金
の一部のみが［ろう材中に溶は込む」様にする０本発明
に於て、接着用合金に於て金の代りに銅を用いることに
よって、同様な利点が得られ、更に材料として銅はコス
トがより低いのでコストの点で相当に有利であることが
解った。
通常、当技術分野に於ては、パラジウムの薄膜を有する
コバール合金より成るピンと、モリブデンの薄膜上に付
着されたニッケル・パッドとが接合される。用いられる
ろう材はＡｕ−８ｎのろう合金である。上記Ｐｄ層は、
超小型電子回路の製造に於て通常予測される１０回のろ
う再流動のうち約４回の再流動の後に溶けてしまう。そ
の結果、コバール合金のピン及び下のバットからＮｉ　
　がろう中に浸出する問題が生じる。その様な浸出は好
ましくない付着を生じて、装置全体を不良なものＫして
しまう◇従って、ろうが再融解され、その結果不純物が
ろう中に導入されて、コバール合金との界面が弱くなる
ためＶｃｆＪＩ品を破壊することなく、上記再流動に於
てろうを反復的に再加熱し得ることが切望されている。
ＩＢＭ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　
Ｂｕｌｌｅｔｉｎ。
第２１巻、第８号、第３１１８頁（１９７９年１月刊）
に於けるＡｊｎｓｌｉｅ　等による［Ａ　ｕ　／、Ｓ　
ｎ　／Ａｇ　　Ｂｒａｚｅ　　Ａ１１ｏｙＪと題する論
文は、Ｂｅ−Ｃｕ接触ピン又はコパール（Ｎｊ％Ｃｏ％
Ｆ＠）のピンの電子パッケージ用のろう合金（６７Ａｕ
／ｂについて記載している。どちらの場合にも、元素周
期律表の第１Ｂ族の金＃（Ｃｕ）又は第■族の金属（Ｎ
ｉ、　Ｆｅ、　Ｃｏ　）がＢｅ−Ｃｕピン又はコバール
・ピン中に含まれているが、それらは本発明によって得
られる効果を達成し得ない０更に％６７Ａｌｌ対１５Ｓ
ｎの比率の上記合金は、低融点による合金のろう付けの
後に、より融点の高いろう接合部の形成を可能にする、
低い共融点を有する８　０／２０の比率の合金とは異な
る。従って、ここで必要とされるものとは逆の温度効果
が生じる。しかしながら、上記合金中の１８％のＡｇは
、形成される合金の融点を上昇させる第１Ｂ族金属であ
るので、金の代替物として働く。更に、合金成分として
のＡｇはＣｕよりも高価である。
本発明の要旨 本発明によれば、部品が略共融のＡｕ：Ｓｎ及びＣｕの
ろうを用いて低温で相互に接着され、そして処理中にそ
の融点が共融点よりも相当に高く上昇される。これは、
超小型電子回路上での再流動に於て、ろう付けされたピ
ンの傾斜、ろうの強度の低下、及び相互にろう付けされ
るべき部品間の（７） 本発明による金属ろう合金によるろう付けに於ては、金
−錫及び銅のろうによって第１表面が第２表面に接合さ
れるが、上記ろうの融点は、ろう付は中に、反復的に再
流動されるろうの当初の融点よりも相当に高い温度迄上
昇され、上記ろうにより形成されたろう接合部は再流動
サイクルによって何ら影響されない。これは、ろう中の
銅及びβ相の量を増加させることによって達成され、そ
の結果ろう中に於けるＡｕ−８ｎ合金の比率が低下する
に従って融点が著しく上昇する〇 好ましくは、本発明の合金によるろう付けに於ては、金
−錫ろうによって第１表面が第２表面にろう付けされる
が、上記金−錫ろうとともに銅の源及び第■族金属の源
をそれらがろう付は中に上記第１及び第２表面に接触す
る様に用いてろうが形成され、そのろう付は中に上記ろ
うの融点は反復的に再流動される上記ろうの当初の融点
よりも相当に高い温度迄上昇され、上記ろうにより形成
されたろう接合部は再流動サイクル冗よって何ら（８） 影響されない。これは、ろう中のβ相の量を増加させる
ことによって達成され、その結果ろう中に於けるＡｕ−
８ｎ合金の比率が低下するに従って融点が著しく上昇す
る。
本発明は、チップを支持する基板へのピンのろう付け、
又は、チップを支持する基板を支持するためそして気密
封止されたチップ・パッケージング装置に於ける締め具
を設けるために用いられるフランジへの基板のろう付け
に係る。
本発明によるろうは構成素子相互間の電子パッケージン
グに適しており、形成されたろう接合部はろう付は処理
に於て用℃・られた当初のろう合金の融点よりも相当に
高い融点を示す。この特徴は、ろう付は処理が後続の製
造処理の行われるべき温度よりも通常低い融点を有する
ろう接合部を生じる場合に、特に重要である。その１例
は、ニッケルめっきされた多層セラミック構造体をＡｕ
−２０重量％Ｓｎのろう合金（１乃至２回の′５５０°
Ｃによるチップ接着処理前の融点は２８０°Ｃ）を用い
て４００”Ｃでろう付けする場合である。問題は、ろう
接合部が５５０°Ｃに於て部分的に融解し、次に示す幾
つかの点を含む望ましくない多くの結果な伴うことであ
る。
１、接合された部材間に相対的移動が生じる。
２、　ろう接合部からＳｎがニッケルめっきされた表面
へ拡散してＮｉ−８ｎ金属間化合物を形成し、従って良
好な付着に不可欠である未反応のニッケルの表面が枯渇
する・ ３、Ａｕ−８ｎのフィレットが、錫の外方拡散によりそ
して３６０°ＣＫ於てろうのフィレットの液相が除かれ
ることにより、崩壊及び歪曲し、それとともに強度及び
Ｉ１０ピンの場合には側面の支持が失われる〇 本発明は、相互にろう付けされるべき表面の一方又は両
方に、例えば電気めっき、無電気めっき、真空付着、又
はシルク・スクリーニングの如き任意の適当な手段によ
って、厚い銅層又は銅を豊富に含む層（厚さ０．００２
５乃至０．０５ｍｍ）を付着することを含む。
本発明の原理は、Ａｕ−８ｎの状態図に関連して理解さ
れ、又相互にろう付けされる表面を厚い金の層でめっき
する本出願人による特願昭５６−１８５６２７号の明細
書に記載の技術に関連して理解され得る。
Ａｕ−２０重量％Ｓｎのろう合金は、室温に冷却された
とき、もろいＡｕ／Ｓｎ化合物と延性のある１富に金を
含むβ相との２つの相より成る。その合金は２８０°Ｃ
の融点を有する。その合金に於ける金の含有量の増加は
、室温に於て存在するＡｕ−８ｎの量を減少させ、又液
相線温度を上昇させる。・従って、例えば３５０°Ｃに
再加熱されたとき、その合金は部分的にしか融解しない
。上記基本的合金に充分な金が加えられた場合、例えば
Ａ、ｕ−１０Ｓｎの組成になる迄充分に加えられた場合
には、３５０°Ｃに於てその合金は全く融解せず、室温
に於て構造体中にはもろいＡｕ−８ｎ相が何ら存在しな
い。従って、相互にろう付けされている表面の一方又は
両方に厚い金の層を設けることによって、（１１） それらの望ましい結果を得ることが可能であり、又ろう
付は温度に於て液状ろう合金の表面と金の表面との間に
生じる固体−液体間の反応により従来中じている望まし
くない結果を減少又は除去することが可能である。その
結果、当初のろう合金よりも相当に高い融点を有するろ
う接合部が得られる。
本発明に於ては、上記の厚い金の層の代りに、銅層又は
銅を豊富に含む層、或は銅部材又は銅を豊富に含む部材
が用いられる。上述の望ましいβ相中の金の仕りに銅が
部分的に用いられて、上記結果を達成するだめの安価で
比較的簡単な代替物が得られる。本発明に於ては、（１
）接合部を形成しそしてフィレットの範囲を設定するだ
めに標準的ろう付は温度（例えば４００℃）でろう付け
され、（２）成る程度の銅の吸捏をそれに付随する部分
的凝固とともに生ぜしめる様に充分に長い間上記温度に
保たれ、（３）十配銅吸収反応が流出（ゝピンの□上昇
″）を生じる恐れなくより完全に生じ得る様に上記温度
が上昇（例えば４２５乃至４７５℃に）され、（４）室
温迄冷却される。
（１２） 第１図は、通常厚さ約３乃至４μｍのニッケル層１２で
保護されているモリブデンＬバッド１１を支持している
多層セラミック基板１０を示している。ニッケル層１２
上には、厚さ約０．００２乃至０．０２５ｍの比較的厚
い銅層１３が設けられている。銅層１６は、Ｓｎゲッタ
リング金属の源として働く、Ｆｅ、　Ｃｏ、旧、Ｒｕ、
　Ｒｈ、　Ｐｄ、　Ｏｓ、Ｉｒ又はｐｔの如き第■族金
属の厚さ１．２５μｍ迄の極めて薄い層１４で被覆され
ている。この例では、ゲッタリング金属層１４はニッケ
ルである０次にＡｌ１−５ｎ（ｓｏ：２ｏ）ろう組成よ
り成るろうのフィレット１５が上記各層の頂部に配置さ
れているＯこの場合、フィレットは細い金属条片である
。フィレット１５の上方には、薄いニッケル層１７で被
覆されたコバール合金の基部１６より成る通常のピン（
又は、Ｃｕを基材とするビン）１９が配置されている。
Ａｕ−８ｎフイレツト１５は共融（８０：２０）合金に
於けるその液相点である約２８０°Ｃ以上に加熱される
と融解し、温度が約３９０乃至４０５°Ｃ（公称５９５
°Ｃ）に上昇すると、銅層１３が第■族金属層１４、例
えばニッケル層、の一部とともにＡｕ：Ｓｎろう融解物
中に少くとも部分的に融は込む。合金中の金及び銅は、
融解物が冷却した後により高い融点を有するより高い液
相線温度の合金を形成する傾向がある。融解物中のニッ
ケルは融解物中のＡｕ−Ｓｎ合金との反応から錫を引き
出してゲッタリングを行い、それによってＡｕ−Ｓｎ合
金中で組合せに使用できる錫の量を減らす傾向がある。
その効果は、Ａｕ−Ｓｎ合金中の金及び銅の比率を効果
的により大きくし、それによって金及び銅を豊富に含む
β相の形成を促進することである。その結果書られるろ
う接合部は極めて強く、その融点は極めて高くて、その
後の６５０乃至６６０°Ｃの温度範囲に於けるｐｂ−８
ｎ（９５：５）のはんだボールの再流動によっても従来
の如きろう接合部の融解は生じなくなる。
第２図では、銅層１６′及びニッケルの如き第■族金属
のゲッタリング金属層１４′がプリフォームにより基板
１０に接合されるべきピン１９上に被覆されている。層
１３′及び１４′の厚さは層１３及び１４と略同−であ
ることが好ましい。その他の点では、この実施例は第１
図の場合と同一である。銅及び例えばニッケルは、Ｍｏ
−Ｎｉバッドの頂部に配置され、又はピン１９の表面上
に配置され得ることが特徴である。いずれの場合でも、
ろう材が融解するときに１銅及びニッケルがろう融解物
中に導入される。
第３図では、ピン１９がニッケル又は他の第■族金属よ
りなる厚さ約１．２５μｍ又はそれ以下の薄い層１４’
で被覆されたＣｕの基部２６によって置き換えられてい
る。Ｃｕの基部は、Ａｕ−８ｎ融解物中にＣｕを加える
ための銅金属の源として働くＯ従って、第２図の場合と
同様に、ろうの融解相中のろうへの２つの付加物の源は
、Ｃｕの基部２６のスタッド上の金属である。
第４図では、ピンは第３図の場合と同じであるが、更に
銅及び第■族の金属がフィレットへその溶融相中に上下
から与えられる様に、第１図のニッケル層１４及び銅層
１３がフィレットの底部に加えられている〇 （１５） ル合金の基部１６と薄いニッケル層１７とより成るコバ
ールのピン（又はＣｕを基材とスルピン）１９が銅層１
３′及びニッケル層１４’とともに用いられ、更に銅層
１３及びニッケル層１４がフィレットの底部に於て第１
図の場合と同様な層１２で被覆されたバッド１１上に設
けられている。この場合も、銅層１３．１５′並びにＮ
ｉ、Ｐｄ等の第■族のゲッタリング金属層１４．１４’
からそれらの金属が、融解したろう合金のフィレット１
５に充分に供給される。
第６図では、第１図又は第３図の型のピン１９が、例え
ば１乃至１５重量％のＮｉを含む如き、銅を豊富に含む
Ｃｕ　−Ｎ　ｉ合金より成る、銅及びゲッタリング金属
（第■族）のプリフォーム２０を包含する様に修正され
た、典型的なＡｕ：Ｓｎろうのフィレット１５上に配置
されている。ピン１９及びバッド１１上の層１２の上の
余分のニッケル及び銅又は等価物の層は、除かれる必要
はないが、除かれてもよい。
（１６） 第７図の実施例は、プリフォーム２０がゲッタリング金
属層２２で被覆された銅層２１のプリフォーム２３によ
って置換えられている点を除いて、第６図の実施例と本
質的に同じである。この場合のゲッタリング金属層は、
第１図の層１４と同様に、極めて薄い。
第８図の実施例は、プリフォーム２３中の銅層２１がＮ
ｉ又は等価物のゲッタリング金属層２２でめっきされて
いる点を除いて、第７図の実施例と実質的に同じである
。
前述の如く融解しにくくなる理由は以下の通りである。
１、　基板上に支持されたチップのはんだボールの（ろ
う付は後の）最初の再流動によって、加えられたＣｕと
Ａｕ−８ｎ合金との固体状態反応が生じ、より高い融点
を有するβ相のＡｕ　：Ｃｕ　：Ｓｎ合金が形成される
。連続的再流動により、合金内で更に反応が生じてβ相
が形成され、それによって通常のＡｕ−８ｎろうフィレ
ット１５の場合に生じた如き劣化を生じない強い接合部
が得られろ。
２、　フランジのろう付けでは、もろさのずっと少ない
Ｎ　ｉ　−８ｎ金属間化合物が界面で形成される０更に
、このプロセスはピン１９のシャンクに沿ってろう金属
が上昇することを防ぐ。ろうの硬化は、金属の分散沈殿
物を形成する少量のＰｄ又はＮｉの如き第■族金属を特
に再流動温度で合金を硬化させるＳｎに加えることによ
って実現される。これは又、β相Ａｕ−８ｎ合金の量を
かなりの程度迄増加させることによって、融点を上昇さ
せる。
第９図は、はんだポール３８により１００個のチップ５
０を支持しており、矩形のフランジ３２にろう付けされ
ている基板１０を示している０フランジの低い表面３３
が基板１００周辺上のろうのフィレット３１により基板
を支持している。基板１０の下にピン１９が配置されて
いる０７ランジ５２は、その頂部に延びる高い表面３４
を有している。高い表面３４は又、フランジ３２の周辺
部を形成し、低い表面３３はフランジ３２の内側フレー
ムを形成している。
第１０図は、ニッケル層！＋７で被覆されたＭＯ境界層
３６を有する基板１０を示している・層３７は、ろうの
フィレット３１により７ランジの低い表面３３にろう付
けされている。１組の電気接続ビン１９が基板１０の底
部にろう付けされているＯ第１１図は、ろうのフィレッ
ト′５１内のプリフォーム５９を示している。プリフォ
ーム３９は、銅−ニッケル合金又はその等価物より成る
。ろうのフィレット５１は、通常のＡｕ−８ｎ（８０：
２０）ろう材より成る。
第１２図は、第１１図のプリフォームを修正したものを
示しており、このプリフォームは１対の約０．０００６
ｊＥＩｌ迄のニッケル又は等価物（第Ｗ族金属）の薄い
層４１でめっきされた銅のスラブ４０より成る。
本発明の合金を形成するための代替的方法は、最初のＡ
ｕ−８ｎ　（８０：　２０　）合金中に少量の銅を加え
ることである。例えば、金の代替物として１乃至２重量
％迄のＣｕが適当である。
（１９） 第１５図は、ピンの端接合接着強さくｐｉｎ　ｐｕｌｌ
ｓｔｒｅｎｇｔｈ）のテスト結果を５５０°Ｃの熱サイ
クルの数の関数として示している。上方の曲線は直径約
０．９４　ｍｓのＢｅＣｕより成るピンに関するもので
あり、下方の曲線はＡｕ−８ｎ（８０：２０）ろう材を
有する直径約０．７１ｍ１のＢｅＣｕよりなるピンに関
するものである。
第１４図は、第１０図乃至第１２図の配置を修正したも
のを示している。チップを支持している基板１１０は、
銅の如き薄い層（又は、金或はパラジウムの代替物の層
）１１４で被覆された薄いニッケル層より成るパッド１
１５を底面に有している０プリフオーム１２０は、５層
から成っており、上部及び底部には略共融のＡｕ−８ｎ
から成るより厚い層１２１及び１２５を有し、プリフォ
ーム１２０の中心には前述の如くろうの融点を上昇させ
る金属の源を供給する銅、Ａｕ−Ｃｕ、　Ａｕ、　Ａｇ
。
Ｐｄ等の如き金層の薄い層１２２を有している。
フランジ１５２は、好ましくは銅、代替的にはＡｕ、Ａ
ｇ或はＰｄである第１Ｂ族金属を少くとも（２０） 含む金属、又はそれらの金属と前述の如きＮｉ等の第■
族金属との組合せより成る層１３４で被覆されたコバー
ル合金より成る。層１３４の組成物の例としては、Ｃｕ
、　ＡｕＣｕＮｉｕ、　ＣｕＮｉ、　ＡｕＣｕＮｉ等が
ある。
プリフォーム１２０は約０．２８乃至０．”、ＯＮの厚
さを有する。基板は約２．５乃至５ｇの厚さを有し、７
ランジ１３２は約０．６期の厚さを有している。上記ろ
うが加熱されたとき、前述の結果と極めて同様な結果が
得られ、合金中に更に加えられた第１Ｂ族及び第■族の
金属は上記のＡｕ−８ｎ（８０：２０）の共融点よりも
高く融点を上昇させて、本発明に於ける種類の合金より
成る接合部を形成する・構造体全体のコストを下げるた
めに、第１Ｂ族金属として銅が用いられることが好まし
い。
【図面の簡単な説明】
第１図はコネクタ・ピンを支持している多層セラミック
基板の一部を示す図、第２図乃至第８図は異なる第１Ｂ
族及び第■族金属の配置又は異なるピン材料により第１
図の構造を修正したものを示す図、第９図は第１図乃至
第８図に示したピンを下面に有して７ランジ上に装着さ
れ、多数の半導体チップを上面に支持している第１図乃
至第８図の基板を一部断面により示す斜視図、第１０図
はフランジ及びピンと基板との間のろう接合部を示して
いる、第９図に示した断面の拡大正面図、第１１図及び
第１２図は第１０図の構造の変形例を示す図、第１３図
はろう付は後に加熱された３５０°Ｃによる熱サイクル
の数の関数としてピンの端接合接着強さを示すグラフ、
第１４図は第１０図乃至第１２図のろう接合部の変形例
を示す図であるっ１０・・・・多層セラミック基板、１
１・・・・モリブデン・パッド、１２．１７１．１７・
・・・ニッケル層、１３ｖ　１３’、２１・・・・銅層
、　１４．１４’、２２．４１・・・・Ｓｎゲッタリン
グ金属層（第１族金属層）１５．５１”Ａｕ−８ｎろう
のフィレット、１６・・・・コバール合金の基部、１９
・・・・ピン、２０．２．１５．３９・・・・Ｃｕ及び
ゲッタリング金属のプリフォーム、２６・・・・Ｃｕの
基部、３０・・・・チップ、３２・・・・７ランジ、５
６・・・・モリブデン境界層、６８・・・・はんだボー
ル、４０・・・・銅のスラブ。 出願人　　インターカンヨカル・ビジネス・マン二Ｘズ
・コーポレーション代理人　弁理士　　岡　　　１）　
　次　　　生（外１名） （２６） ｑ ＦＩＧ、　　８ −４５０− ヘ −１５ トー−→ Ｌ 第１頁の続き ０発　明　者　ウィリアム・ジョセフ・キング・ジュニ
ア アメリカ合衆国ニューヨーク州 ポーキプシー・マウンテン・ビ ュー・ロード７番地 ０発　明　者　ポール・バリー・パーマティアアメリカ
合衆国ニューヨーク州 ヮッピンジャーズ・ホールズ・ モントフオード・ロード４０番地 ０発　明　者　ジョン・フランシス・サリヴアン アメリカ合衆国ノースカロライ ナ州うレー・ナンバー５０８ヒル スボロウ・ストリー）　１６０１番地 ４５１−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. より高い融点を有する合金を得るために銅を加えられて
    いることを特徴とする、金と錫との共融混合物を含む金
    属ろう合金。
JP57182222A 1981-12-17 1982-10-19 ろう合金 Expired JPS592595B2 (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
US331717 1981-12-17
US06/331,717 US4634638A (en) 1981-12-17 1981-12-17 High melting point copper-gold-tin brazing alloy for chip carriers

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JPS58107295A true JPS58107295A (ja) 1983-06-25
JPS592595B2 JPS592595B2 (ja) 1984-01-19

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DE (1) DE3277174D1 (ja)

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