JPH0741159Y2 - 気密封止型セラミックパッケージ - Google Patents
気密封止型セラミックパッケージInfo
- Publication number
- JPH0741159Y2 JPH0741159Y2 JP1988132232U JP13223288U JPH0741159Y2 JP H0741159 Y2 JPH0741159 Y2 JP H0741159Y2 JP 1988132232 U JP1988132232 U JP 1988132232U JP 13223288 U JP13223288 U JP 13223288U JP H0741159 Y2 JPH0741159 Y2 JP H0741159Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- hermetically sealed
- layer
- cap
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
- B65D81/00—Containers, packaging elements, or packages, for contents presenting particular transport or storage problems, or adapted to be used for non-packaging purposes after removal of contents
- B65D81/34—Containers, packaging elements, or packages, for contents presenting particular transport or storage problems, or adapted to be used for non-packaging purposes after removal of contents for packaging foodstuffs or other articles intended to be cooked or heated within the package
- B65D81/3446—Containers, packaging elements, or packages, for contents presenting particular transport or storage problems, or adapted to be used for non-packaging purposes after removal of contents for packaging foodstuffs or other articles intended to be cooked or heated within the package specially adapted to be heated by microwaves
- B65D81/3453—Rigid containers, e.g. trays, bottles, boxes, cups
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
- Y10T428/131—Glass, ceramic, or sintered, fused, fired, or calcined metal oxide or metal carbide containing [e.g., porcelain, brick, cement, etc.]
- Y10T428/1317—Multilayer [continuous layer]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、気密封止型セラミックパッケージに関する。
本考案は、特に高周波帯で使用するパッケージに有用で
あり、マイクロ波素子、高耐圧素子及び高信頼度を必要
とする素子等の各種素子に利用される。
本考案は、特に高周波帯で使用するパッケージに有用で
あり、マイクロ波素子、高耐圧素子及び高信頼度を必要
とする素子等の各種素子に利用される。
従来のセラミックとしてアルミナを用いたアルミナパッ
ケージの場合にはAuSnローを用いてシールしている。こ
のAuSnシールを使う理由は、後工程でパッケージから出
ているリード金具の接続にSnPbのハンダ（以下、ハンダ
という場合SnPbを示す。）を使用するため、ハンダの融
点より高い融点のロー材を使う場合があるためである。
しかしベースにおいてCuメタライズを用いる場合には、
このCuメタライズとAuSnロー材とが合金化をして、メタ
ライズがロー材にとけこむのでシールが不十分となる問
題があった。従ってCuメタライズを用いた低温焼成セラ
ミックの場合には、従来においてハンダシールしか方法
がなく、このハンダシールを用いる後工程においてハン
ダの溶解等を生じるという問題があり、パッケージとし
ての使用範囲が限られていた。
ケージの場合にはAuSnローを用いてシールしている。こ
のAuSnシールを使う理由は、後工程でパッケージから出
ているリード金具の接続にSnPbのハンダ（以下、ハンダ
という場合SnPbを示す。）を使用するため、ハンダの融
点より高い融点のロー材を使う場合があるためである。
しかしベースにおいてCuメタライズを用いる場合には、
このCuメタライズとAuSnロー材とが合金化をして、メタ
ライズがロー材にとけこむのでシールが不十分となる問
題があった。従ってCuメタライズを用いた低温焼成セラ
ミックの場合には、従来においてハンダシールしか方法
がなく、このハンダシールを用いる後工程においてハン
ダの溶解等を生じるという問題があり、パッケージとし
ての使用範囲が限られていた。
本考案は、上記問題点に鑑みて成されたものであり、ア
ルミナパッケージと同様の工程でチップの搭載及びキャ
ップシールができるため汎用性がありシール性に優れ、
更に低誘電率及びシリコンに近似した熱膨張率を具備す
る高性能のパッケージを提供することを目的とする。
ルミナパッケージと同様の工程でチップの搭載及びキャ
ップシールができるため汎用性がありシール性に優れ、
更に低誘電率及びシリコンに近似した熱膨張率を具備す
る高性能のパッケージを提供することを目的とする。
本考案の気密封止型セラミックパッケージは、低温焼成
セラミックスからなり、セラミックパッケージベースを
用い、このベース及びキャップの表面上に、各々Cuメタ
ライズ層、下地層及び上地層を形成し、この両上地層表
面同志をAuSnからなる接合層を介して接合して気密封止
したことを特徴とする。
セラミックスからなり、セラミックパッケージベースを
用い、このベース及びキャップの表面上に、各々Cuメタ
ライズ層、下地層及び上地層を形成し、この両上地層表
面同志をAuSnからなる接合層を介して接合して気密封止
したことを特徴とする。
上記ベース及び上記キャップは低温焼成セラミックスか
らなる。上記低温焼成セラミックスとしては、800〜110
0℃で焼成できる他のもの全てにも適用できる。
らなる。上記低温焼成セラミックスとしては、800〜110
0℃で焼成できる他のもの全てにも適用できる。
上記「Cu系金属」とは、Cu単独又はCuを主成分（約40重
量％以上を含む）とする合金を意味する。上記Cuメタラ
イズ層等は「接合後に気密封止できるように」形成さ
れ、即ち、例えばベースの凹部の周辺であってこのベー
スの表面上にドーナツ状に、並びにこれに対応するキャ
ップの表面部に同様にドーナツ状に形成される。ここで
ドーナツ状とは円形のみならず四角その他の形状であっ
てもよい。また、本パッケージとしては、チップキャリ
ヤ、サーディップ型、ピングレッドアレー型、フラット
型等の各パッケージの全てに適用できる。
量％以上を含む）とする合金を意味する。上記Cuメタラ
イズ層等は「接合後に気密封止できるように」形成さ
れ、即ち、例えばベースの凹部の周辺であってこのベー
スの表面上にドーナツ状に、並びにこれに対応するキャ
ップの表面部に同様にドーナツ状に形成される。ここで
ドーナツ状とは円形のみならず四角その他の形状であっ
てもよい。また、本パッケージとしては、チップキャリ
ヤ、サーディップ型、ピングレッドアレー型、フラット
型等の各パッケージの全てに適用できる。
本セラミックパッケージにおいては、Cuメタライズ層、
この上にCu又はAuと合金化しない金属からなる下地層、
この上にAuからなる上地層を形成して、更にこの上地層
の表面同志をAuSnからなる接合層を介して接合してい
る。従ってCuメタライズがAuSnと合金化することが防止
されるのでCuメタライズがロー材に溶け込むこともな
い。また、ベースのセラミックとして低温焼成セラミッ
クを用い、これが低誘電率及びシリコンに近似した熱膨
張率を示すので、セラミックパッケージとして高性能の
ものである。
この上にCu又はAuと合金化しない金属からなる下地層、
この上にAuからなる上地層を形成して、更にこの上地層
の表面同志をAuSnからなる接合層を介して接合してい
る。従ってCuメタライズがAuSnと合金化することが防止
されるのでCuメタライズがロー材に溶け込むこともな
い。また、ベースのセラミックとして低温焼成セラミッ
クを用い、これが低誘電率及びシリコンに近似した熱膨
張率を示すので、セラミックパッケージとして高性能の
ものである。
上記の作用を有するので、本セラミックパッケージは気
密性に優れる。特に、所定の熱衝撃試験後においても、
３×10-8std（スタンダード）CC/秒以下の優れた気密性
を示し、気密性が劣化しないことを示す。従来の銅メタ
ライズを用いた低温焼成セラミックの場合にはハンダし
か使用できなかったが、ハンダよりも高温のAuSnを用い
ることができるので、後工程でのハンダ付が安全確実に
実施でき、このハンダ付を実施しても、従来のように、
接合層に悪影響を与えることもない。従って本パッケー
ジは、従来のアルミナパッケージと同様の工程でチップ
の搭載、キャップシールができるため、極めて汎用性の
あるパッケージとすることができる。
密性に優れる。特に、所定の熱衝撃試験後においても、
３×10-8std（スタンダード）CC/秒以下の優れた気密性
を示し、気密性が劣化しないことを示す。従来の銅メタ
ライズを用いた低温焼成セラミックの場合にはハンダし
か使用できなかったが、ハンダよりも高温のAuSnを用い
ることができるので、後工程でのハンダ付が安全確実に
実施でき、このハンダ付を実施しても、従来のように、
接合層に悪影響を与えることもない。従って本パッケー
ジは、従来のアルミナパッケージと同様の工程でチップ
の搭載、キャップシールができるため、極めて汎用性の
あるパッケージとすることができる。
以下、実施例により本考案を具体的に説明する。本実施
例のセラミックパッケージの要部拡大断面図を第１図、
その全体断面図を第２図、そのキャップの接合面側から
見たキャップの説明図を第３図、ベースの接合面側から
見たベースの平面図を第４図に示す。
例のセラミックパッケージの要部拡大断面図を第１図、
その全体断面図を第２図、そのキャップの接合面側から
見たキャップの説明図を第３図、ベースの接合面側から
見たベースの平面図を第４図に示す。
このセラミックパッケージは、セラミックパッケージベ
ース１と、このベース１上に順次形成されてCuメタライ
ズ層31、下地層32及び上地層33と、このベース１上に接
合されるキャップ２と、このキャップふ上に順次形成さ
れるCuメタライズ層41、下地層42及び上地層43と、この
両上地層33、43表面同志を接合する接合層５と、からな
る。そしてこのベース１は中央に横断面正方形の凹部を
有し、この凹部の外周辺であってベース１の表面上に四
角形のドーナツ状に銅メタライズ層等が形成されてい
る。そしてキャップ２はベース１の上地層33と対応する
ようにキャップ２の表面外周辺部に同形状の下地層等が
形成されている。そしてベース１のほぼ中央部には直径
約1.0mmの空気抜け孔部６が形成されている。そしてこ
のベース１及びキャップ２は表に 示すように、所定量のZnO、MgO、Al2O3、SiO2、B2O3、P
2O5及びZrO2のうちの少なくとも前者５つから構成さ
れ、焼結体である結晶化ガラスからなる。このベース１
において、四角ドーナツ状のCuメタライズ層31がその表
面に、並びに導体層（図示せず）がセラミック体の内部
にCuにより形成され、膜厚はいずれも約10μｍである。
内部側導体（図示せず）は導体層間を接続し、Cu単独又
はCu−Pd（Cu80重量％、Pd20重量％）からなる。表面側
導体（図示せず）は導体層と電極層を接続する。これら
の導体はセラミック体のスルーホール内にほぼ密に充填
されており、ほぼ気密構造となっている。尚、キャップ
２の表面には四角いドーナツ状のCuメタライズ層41が形
成されている。
ース１と、このベース１上に順次形成されてCuメタライ
ズ層31、下地層32及び上地層33と、このベース１上に接
合されるキャップ２と、このキャップふ上に順次形成さ
れるCuメタライズ層41、下地層42及び上地層43と、この
両上地層33、43表面同志を接合する接合層５と、からな
る。そしてこのベース１は中央に横断面正方形の凹部を
有し、この凹部の外周辺であってベース１の表面上に四
角形のドーナツ状に銅メタライズ層等が形成されてい
る。そしてキャップ２はベース１の上地層33と対応する
ようにキャップ２の表面外周辺部に同形状の下地層等が
形成されている。そしてベース１のほぼ中央部には直径
約1.0mmの空気抜け孔部６が形成されている。そしてこ
のベース１及びキャップ２は表に 示すように、所定量のZnO、MgO、Al2O3、SiO2、B2O3、P
2O5及びZrO2のうちの少なくとも前者５つから構成さ
れ、焼結体である結晶化ガラスからなる。このベース１
において、四角ドーナツ状のCuメタライズ層31がその表
面に、並びに導体層（図示せず）がセラミック体の内部
にCuにより形成され、膜厚はいずれも約10μｍである。
内部側導体（図示せず）は導体層間を接続し、Cu単独又
はCu−Pd（Cu80重量％、Pd20重量％）からなる。表面側
導体（図示せず）は導体層と電極層を接続する。これら
の導体はセラミック体のスルーホール内にほぼ密に充填
されており、ほぼ気密構造となっている。尚、キャップ
２の表面には四角いドーナツ状のCuメタライズ層41が形
成されている。
下地層32、42はニッケルメッキ層からなり約２μｍであ
る。上地層33、43としては金メッキ層からなる約２μｍ
である。このメッキ層の形成としては電解メッキ又は無
電解メッキのどちらで形成してもよい。そして接合層５
はAuSnからなり、その膜厚は約50μｍである。
る。上地層33、43としては金メッキ層からなる約２μｍ
である。このメッキ層の形成としては電解メッキ又は無
電解メッキのどちらで形成してもよい。そして接合層５
はAuSnからなり、その膜厚は約50μｍである。
上記セラミックパッケージは、以下のようにして製作さ
れた。
れた。
（１）グリーンシートの製作 焼成後の酸化物組成成分が表に示す割合になるように、
配合原料であるZnO、MgCO3、Al(OH)3、SiO2、H3BO3、H3
PO4の所定種類の所定量を秤量し、ライカイ機にて混合
し、白金ルツボ又はアルミナ質ルツボにて1400〜1500℃
の適当な温度で溶融し、この融液を水中へ投入し、急冷
してガラス化し、その後アルミナ製ボールミルで粉砕し
てフリット（ガラス粉末）を得た。この粉末の粒径は約
２〜３μｍである。
配合原料であるZnO、MgCO3、Al(OH)3、SiO2、H3BO3、H3
PO4の所定種類の所定量を秤量し、ライカイ機にて混合
し、白金ルツボ又はアルミナ質ルツボにて1400〜1500℃
の適当な温度で溶融し、この融液を水中へ投入し、急冷
してガラス化し、その後アルミナ製ボールミルで粉砕し
てフリット（ガラス粉末）を得た。この粉末の粒径は約
２〜３μｍである。
この粉末とポリビニルブチラールと可塑剤（ジエチレン
グリコール等）とを用いて常法に従ってドクターブレー
ド法により厚さ約0.6mmのグリーンシートを製作した。
グリコール等）とを用いて常法に従ってドクターブレー
ド法により厚さ約0.6mmのグリーンシートを製作した。
なお、このグリーンシートを用いた結晶化ガラス製セラ
ミック体の物性を以下のようにして測定した。上記の各
グリーンシートを100℃／時間の昇温速度で、表に示す9
50℃の温度まで加熱し、次いで同温度で２時間焼成し、
その後200℃／時間の冷却速度で冷却し、焼結体を得、
その熱膨張係数等の物性を測定してその結果を表に示し
た。
ミック体の物性を以下のようにして測定した。上記の各
グリーンシートを100℃／時間の昇温速度で、表に示す9
50℃の温度まで加熱し、次いで同温度で２時間焼成し、
その後200℃／時間の冷却速度で冷却し、焼結体を得、
その熱膨張係数等の物性を測定してその結果を表に示し
た。
（２）ベース及びキャップの製作 上記各試験例組成のグリーンシートの３枚を用意し、各
シートの所定の位置にパンチングで孔をあけ、スルーホ
ールを形成する。その後、各層のスルーホール内へCu又
はCu−Pdメタライズを充填する。
シートの所定の位置にパンチングで孔をあけ、スルーホ
ールを形成する。その後、各層のスルーホール内へCu又
はCu−Pdメタライズを充填する。
最上層に配置されるグリーンシート表面にPtメタライズ
を用いてPtメタライズ層（焼結後、電極層になる）を、
他のグリーンシート表面にCuメタライズを用いて焼結後
の導体層となるCu層を印刷して形成する。同時に焼結後
のシール用のCuメタライズ層となるCu層も所定位置に形
成する。印刷は全てスクリーン印刷を行う。尚、このCu
メタライズの組成及び原料粉末径は以下の通りである。
を用いてPtメタライズ層（焼結後、電極層になる）を、
他のグリーンシート表面にCuメタライズを用いて焼結後
の導体層となるCu層を印刷して形成する。同時に焼結後
のシール用のCuメタライズ層となるCu層も所定位置に形
成する。印刷は全てスクリーン印刷を行う。尚、このCu
メタライズの組成及び原料粉末径は以下の通りである。
CuO;70重量部（以下、部という、粉末径1.5μｍ）、Cu;
5部（0.8μｍ）、10部（3.2μｍ）、15部（15μｍ）、M
n02;7部（３μｍ）、TiO2;4部（1.5μｍ）、樹脂;5部、
溶剤；適量部。
5部（0.8μｍ）、10部（3.2μｍ）、15部（15μｍ）、M
n02;7部（３μｍ）、TiO2;4部（1.5μｍ）、樹脂;5部、
溶剤；適量部。
印刷の終わった各層のシートを所定の順序で重ねて加熱
し、加圧して一体化する。そして所定の形状に切断し、
外径寸法を揃えて製品形状とする。その後、大気中約30
0℃、約５時間でセラミックシート及び各メタライズ層
等に含まれる樹脂等の有機質成分を飛散、除去させる。
仮焼後、大気中600〜750℃、約１時間で残存カーボンを
消失させる。
し、加圧して一体化する。そして所定の形状に切断し、
外径寸法を揃えて製品形状とする。その後、大気中約30
0℃、約５時間でセラミックシート及び各メタライズ層
等に含まれる樹脂等の有機質成分を飛散、除去させる。
仮焼後、大気中600〜750℃、約１時間で残存カーボンを
消失させる。
次いで、アンモニア分解ガス雰囲気中、350〜750℃でCu
OをCuに還元する。そして中性雰囲気中、900〜1100℃、
約１時間でメタライズ及びセラミックを一体的に焼結し
て、所定のシール用のCuメタライズ層31をもつベース１
を製作する。上記と同様にして所定形状のキャップ２を
製作する。
OをCuに還元する。そして中性雰囲気中、900〜1100℃、
約１時間でメタライズ及びセラミックを一体的に焼結し
て、所定のシール用のCuメタライズ層31をもつベース１
を製作する。上記と同様にして所定形状のキャップ２を
製作する。
（３）パッケージの製作 上記所定形状のベース１及びキャップ２の各表面に下地
層32、42としてニッケルメッキを上地層33、43として金
メッキを実施して所定膜厚のメッキ層とする。この場合
電解メッキでも無電解メッキのどちらでもよい。次いで
キャップ１とベース２をAuSnロー材を用い、接合層５を
介して両者接合して気密封止した。このようにして気密
封止型セラミックパッケージを製作した。
層32、42としてニッケルメッキを上地層33、43として金
メッキを実施して所定膜厚のメッキ層とする。この場合
電解メッキでも無電解メッキのどちらでもよい。次いで
キャップ１とベース２をAuSnロー材を用い、接合層５を
介して両者接合して気密封止した。このようにして気密
封止型セラミックパッケージを製作した。
尚このシールは分解ガス雰囲気中又は窒素ガス雰囲気中
で350℃にて行った。そしてシールの終わったものをベ
ース１の中心に形成された空気抜き孔６から空気を抜
き、外部からヘリウムガスを噴射して気密性を、ヘリウ
ムリークディテクター法により調べた。次に同一サンプ
ルを各々の条件にて熱衝撃試験を行い気密性の劣化がな
いことも確認した。熱衝撃試験の条件として、条件Ａは
０℃〜100℃を15サイクル、条件Ｂは−55℃〜125℃の15
サイクル、条件Ｃは−65℃〜150℃の100サイクルを続け
て行い、これらの条件終了後に気密性の劣化がないこと
を確認した。この場合気密性は３×10-8std（スタンダ
ード）CC/秒以下を合格とし、何れも合格であった。
で350℃にて行った。そしてシールの終わったものをベ
ース１の中心に形成された空気抜き孔６から空気を抜
き、外部からヘリウムガスを噴射して気密性を、ヘリウ
ムリークディテクター法により調べた。次に同一サンプ
ルを各々の条件にて熱衝撃試験を行い気密性の劣化がな
いことも確認した。熱衝撃試験の条件として、条件Ａは
０℃〜100℃を15サイクル、条件Ｂは−55℃〜125℃の15
サイクル、条件Ｃは−65℃〜150℃の100サイクルを続け
て行い、これらの条件終了後に気密性の劣化がないこと
を確認した。この場合気密性は３×10-8std（スタンダ
ード）CC/秒以下を合格とし、何れも合格であった。
（４）実施例の効果 本実施例においては銅メタライズ層及び接合層としての
AuSn層をもつとともに、下地層としてニッケルメッキ層
ももつので、この下地層によりCuメタライズがAuSn又は
Auと合金化することが防止され、そのためシール性が極
めて良い。
AuSn層をもつとともに、下地層としてニッケルメッキ層
ももつので、この下地層によりCuメタライズがAuSn又は
Auと合金化することが防止され、そのためシール性が極
めて良い。
本パッケージのセラミック本体は、所定の結晶化ガラス
からなるので、（１）焼成、冷却するのみで容易に結晶
化できること、（２）熱膨張係数はアルミナより小さく
シリコン半導体チップに近似していること、（３）アル
ミナの誘電率（ε＝９）よりも低誘導率であること、
（４）950℃の低温で焼結できること、（５）緻密体が
得られ破壊強度も高いこと、の特徴をもつので、セラミ
ックパッケージとして極めて優れたものである。更に、
本パッケージでは、導体がCu又はCu/Pdからなるので、
安価であるとともに、低抵抗のため電気特性にも優れ
る。
からなるので、（１）焼成、冷却するのみで容易に結晶
化できること、（２）熱膨張係数はアルミナより小さく
シリコン半導体チップに近似していること、（３）アル
ミナの誘電率（ε＝９）よりも低誘導率であること、
（４）950℃の低温で焼結できること、（５）緻密体が
得られ破壊強度も高いこと、の特徴をもつので、セラミ
ックパッケージとして極めて優れたものである。更に、
本パッケージでは、導体がCu又はCu/Pdからなるので、
安価であるとともに、低抵抗のため電気特性にも優れ
る。
なお、本考案においては、上記具体的実施例に示すもの
に限られず、目的、用途に応じて本考案の範囲内で種々
変更した実施例とすることができる。本考案の下地層と
しては、銅メタライズ又は金メタライズと合金化しない
ものであればよく、Pdメッキでも良いし他の金属メッキ
であってもよい。
に限られず、目的、用途に応じて本考案の範囲内で種々
変更した実施例とすることができる。本考案の下地層と
しては、銅メタライズ又は金メタライズと合金化しない
ものであればよく、Pdメッキでも良いし他の金属メッキ
であってもよい。
第１図は実施例に係わるパッケージの接合状態を示す要
部拡大断面図、第２図は実施例においてベースにキャッ
プを接合せんとする状態を示す説明断面図、第３図は実
施例で用いるキャップの接合面側から見た平面図、第４
図は実施例で用いるベースの接合面から見た平面図であ
る。 1;セラミックパッケージベース、2;セラミックキャッ
プ、31、41;Cuメタライズ層、32、42;下地層、33、43;
上地層、5;接合層。
部拡大断面図、第２図は実施例においてベースにキャッ
プを接合せんとする状態を示す説明断面図、第３図は実
施例で用いるキャップの接合面側から見た平面図、第４
図は実施例で用いるベースの接合面から見た平面図であ
る。 1;セラミックパッケージベース、2;セラミックキャッ
プ、31、41;Cuメタライズ層、32、42;下地層、33、43;
上地層、5;接合層。
Claims (1)
- 【請求項１】セラミックパッケージベース上に接合層を
介してセラミックキャップが気密封止された気密封止型
セラミックパッケージにおいて、 上記ベース及び上記セラミックキャップは低温焼成セラ
ミックからなり、該ベースおよび上記キャップの表面上
に順次、Cu系金属からなるCuメタライズ層、Cu又はAuと
合金化しない金属からなる下地層及びAuからなる上地層
を、接合後に気密封止できるように形成し、両該上地層
表面同志をAuSn（金錫合金）からなる接合層を介して接
合して気密封止したものであり、 上記封止の気密性は３×10-8std（スタンダード）CC/秒
以下であることを特徴とする気密封止型セラミックパッ
ケージ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988132232U JPH0741159Y2 (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 気密封止型セラミックパッケージ |
| US07/415,777 US4941582A (en) | 1988-10-07 | 1989-10-02 | Hermetically sealed ceramic package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988132232U JPH0741159Y2 (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 気密封止型セラミックパッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252444U JPH0252444U (ja) | 1990-04-16 |
| JPH0741159Y2 true JPH0741159Y2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=15076461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988132232U Expired - Fee Related JPH0741159Y2 (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 気密封止型セラミックパッケージ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4941582A (ja) |
| JP (1) | JPH0741159Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120915A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Tokuriki Honten Co Ltd | 封止材料 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5045639A (en) * | 1990-08-21 | 1991-09-03 | Tong Hsing Electronic Industries Ltd. | Pin grid array package |
| US5235139A (en) * | 1990-09-12 | 1993-08-10 | Macdermid, Incorprated | Method for fabricating printed circuits |
| JP2002083535A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Sony Corp | 密封容器およびその製造方法ならびに表示装置 |
| GB2372473B (en) * | 2001-02-24 | 2003-04-16 | Marconi Caswell Ltd | A method of soldering |
| JP4285753B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2009-06-24 | 田中貴金属工業株式会社 | ハーメチックシールカバー及びその製造方法 |
| WO2008105258A1 (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-04 | Neomax Materials Co., Ltd. | 気密封止用キャップ、電子部品収納用パッケージおよび電子部品収納用パッケージの製造方法 |
| DE102010042543B4 (de) * | 2010-06-30 | 2017-06-29 | Vectron International Gmbh | Metallisierung für Hohlraumgehäuse und nicht-magnetisches hermetisch dichtes Hohlraumgehäuse |
| JP2013140874A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス、セラミック基板、製造方法、及び圧電発振器 |
| CN115425938A (zh) * | 2022-09-28 | 2022-12-02 | 天通瑞宏科技有限公司 | 高可靠性csp封装方法和声表面波滤波器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63178548A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品用パツケ−ジとその製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2228703A1 (de) * | 1972-06-13 | 1974-01-10 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen einer vorgegebenen lotschichtstaerke bei der fertigung von halbleiterbauelementen |
| US4261476A (en) * | 1976-12-06 | 1981-04-14 | Mcgraw-Edison Company | Joint for envelope of vacuum type electrical device |
| US4350744A (en) * | 1980-12-12 | 1982-09-21 | United Technologies Corporation | Metallic solder composite bonding |
| US4634638A (en) * | 1981-12-17 | 1987-01-06 | International Business Machines Corporation | High melting point copper-gold-tin brazing alloy for chip carriers |
| US4587144A (en) * | 1982-05-13 | 1986-05-06 | Hillel Kellerman | Low loss, compression, hermetic glass-to-metal-seal and method |
| US4608592A (en) * | 1982-07-09 | 1986-08-26 | Nec Corporation | Semiconductor device provided with a package for a semiconductor element having a plurality of electrodes to be applied with substantially same voltage |
| JPS59232693A (ja) * | 1983-06-17 | 1984-12-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミツクと金属等との接合用クラツドろう材及びこれを用いたセラミツクと金属等との複合体 |
| US4649085A (en) * | 1984-08-29 | 1987-03-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Cryogenic glass-to-metal seal |
| US4599277A (en) * | 1984-10-09 | 1986-07-08 | International Business Machines Corp. | Control of the sintering of powdered metals |
| US4835593A (en) * | 1986-05-07 | 1989-05-30 | International Business Machines Corporation | Multilayer thin film metallurgy for pin brazing |
| US4716082A (en) * | 1986-10-28 | 1987-12-29 | Isotronics, Inc. | Duplex glass preforms for hermetic glass-to-metal sealing |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP1988132232U patent/JPH0741159Y2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-10-02 US US07/415,777 patent/US4941582A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63178548A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品用パツケ−ジとその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120915A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Tokuriki Honten Co Ltd | 封止材料 |
| JP4636849B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2011-02-23 | 株式会社徳力本店 | 封止材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4941582A (en) | 1990-07-17 |
| JPH0252444U (ja) | 1990-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4356047A (en) | Method of making ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip | |
| US4821151A (en) | Hermetically sealed package | |
| JPH0741159Y2 (ja) | 気密封止型セラミックパッケージ | |
| JPS6031102B2 (ja) | 集積回路パツケージおよびその製作方法 | |
| US5945735A (en) | Hermetic sealing of a substrate of high thermal conductivity using an interposer of low thermal conductivity | |
| US4592794A (en) | Glass bonding method | |
| US6037193A (en) | Hermetic sealing of a substrate of high thermal conductivity using an interposer of low thermal conductivity | |
| US4515898A (en) | Glass bonding means and method | |
| US3748544A (en) | Laminated ceramic high-frequency semiconductor package | |
| US4800421A (en) | Glass bonding means and method | |
| JP3426827B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US20240006267A1 (en) | Hermetic Package Cooling Using Silver Tubes with Getter Absorption Material | |
| JP3695706B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2572092Y2 (ja) | 半導体素子パッケージ | |
| US5003131A (en) | Connection structure between ceramic body and outer terminal | |
| JPH08186195A (ja) | 電子部品用パッケージ | |
| JP4593841B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP2631397B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| US5011734A (en) | Ceramic substrate | |
| JP2753890B2 (ja) | メタライズ金属層を有する窒化アルミニウム質焼結体 | |
| JP3323043B2 (ja) | 配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造 | |
| KR101725074B1 (ko) | 세라믹 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP3934811B2 (ja) | 高熱膨張ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、配線基板ならびにその実装構造 | |
| JP3792612B2 (ja) | 圧電振動子用容器および圧電振動子 | |
| JP3193275B2 (ja) | 配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |