JPH0234984A - プリント回路基板の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000009545 invasion Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- JVICFMRAVNKDOE-UHFFFAOYSA-M ethyl violet Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(CC)CC)=C1C=CC(=[N+](CC)CC)C=C1 JVICFMRAVNKDOE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- WBHQBSYUUJJSRZ-UHFFFAOYSA-M sodium bisulfate Chemical compound [Na+].OS([O-])(=O)=O WBHQBSYUUJJSRZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910000342 sodium bisulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZGHFDIIVVIFNPS-UHFFFAOYSA-N 3-Methyl-3-buten-2-one Chemical compound CC(=C)C(C)=O ZGHFDIIVVIFNPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEXXLIKDYGCVGJ-UHFFFAOYSA-N butyl 8-(3-octyloxiran-2-yl)octanoate Chemical compound CCCCCCCCC1OC1CCCCCCCC(=O)OCCCC FEXXLIKDYGCVGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- DAJSVUQLFFJUSX-UHFFFAOYSA-M sodium;dodecane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCS([O-])(=O)=O DAJSVUQLFFJUSX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- LCPUCXXYIYXLJY-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,4,4,4-hexafluorobutyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(F)(F)C(F)CC(F)(F)F LCPUCXXYIYXLJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQDDDLREQHQBRR-UHFFFAOYSA-N 1-cyanoethyl prop-2-enoate Chemical compound N#CC(C)OC(=O)C=C CQDDDLREQHQBRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUGNCEABJSRDPG-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trichloroethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(Cl)(Cl)Cl IUGNCEABJSRDPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)F QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 3,7-bis(dimethylamino)phenothiazin-5-ium Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101500021165 Aplysia californica Myomodulin-A Proteins 0.000 description 1
- 241000272470 Circus Species 0.000 description 1
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000002659 electrodeposit Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- SNWQUNCRDLUDEX-UHFFFAOYSA-N inden-1-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=CC2=C1 SNWQUNCRDLUDEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWJZTPWDQYFQPQ-UHFFFAOYSA-N methyl 2-chloroprop-2-enoate Chemical compound COC(=O)C(Cl)=C AWJZTPWDQYFQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012424 soybean oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000003549 soybean oil Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Chemical group 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBDKQYKMCICBOF-UHFFFAOYSA-N thiazoline Chemical compound C1CN=CS1 CBDKQYKMCICBOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/0094—Filling or covering plated through-holes or blind plated vias, e.g. for masking or for mechanical reinforcement
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
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- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
- Y10T29/49165—Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度配線パターンを有するプリント回路基
板を、短期間に、動車よく製造する方法に関するもので
ある。
板を、短期間に、動車よく製造する方法に関するもので
ある。
従来プリント回路基板は、銅張り積層板に必要に応じて
穴明け、スルーホールめっきによって。
穴明け、スルーホールめっきによって。
スルーホールを形成した後2回路部分をエツチングレジ
ストで保護し9回路不要部分をエツチングによって除去
する方法で製造されてきた。回路パターンが高密度化す
るにつれ、エツチングレジストパターンは、写真製版を
用いて形成されるようKなった。この場合、使用される
エツチングレジストは、活性光照射部分が溶剤不溶とな
るネガ型フォトレジストである。ネガ型フォトレジスト
は。
ストで保護し9回路不要部分をエツチングによって除去
する方法で製造されてきた。回路パターンが高密度化す
るにつれ、エツチングレジストパターンは、写真製版を
用いて形成されるようKなった。この場合、使用される
エツチングレジストは、活性光照射部分が溶剤不溶とな
るネガ型フォトレジストである。ネガ型フォトレジスト
は。
溶剤可溶成分が、活性光のエネルギーによって架橋反応
をおこし溶剤不溶となるものであるため。
をおこし溶剤不溶となるものであるため。
架橋され溶剤不溶となった部分も溶剤に膨潤しやすく、
高密度パターンを形成するためのエツチングレジストパ
ターン形成時には問題を生じる。また、ネガ型レジスト
の場合、ゴミやマスクの汚れ。
高密度パターンを形成するためのエツチングレジストパ
ターン形成時には問題を生じる。また、ネガ型レジスト
の場合、ゴミやマスクの汚れ。
傷等の存在によシ、その部分が来島光となり現像され、
ついでエツチングされるため、断線を生じる。また、ス
ルーホール内には、活性光線が照射されに〈〈、同様に
、断線を生じる。これに対してポジ型レジストでは2元
来溶媒不溶のものを活性光の作用により可溶化させるも
のであるため。
ついでエツチングされるため、断線を生じる。また、ス
ルーホール内には、活性光線が照射されに〈〈、同様に
、断線を生じる。これに対してポジ型レジストでは2元
来溶媒不溶のものを活性光の作用により可溶化させるも
のであるため。
現像溶媒によって膨潤することがなく、微細パターン形
成に有利である。また、ゴミや汚れ、傷等の存在により
来島光となっても、その部分はエツチング残りとなるた
め、もう−度その部分だけをエツチングすることKよっ
て、修正可能であシ。
成に有利である。また、ゴミや汚れ、傷等の存在により
来島光となっても、その部分はエツチング残りとなるた
め、もう−度その部分だけをエツチングすることKよっ
て、修正可能であシ。
スルーホール内に活性光線が照射されなくても問題は生
じない。
じない。
また、写真製版を行うためには、エツチングレジストパ
ターンと逆パターンのネガマスクを予め製作しておく必
要が有り、プリント回路基板の製造効率を低め、納期を
遅らせる原因の一つとなっている。
ターンと逆パターンのネガマスクを予め製作しておく必
要が有り、プリント回路基板の製造効率を低め、納期を
遅らせる原因の一つとなっている。
現在、プリント回路基板製造用にポジ型フォトレジスト
を用いた例は9例えば刊行物(Pr1ntedCirc
uit World Convention iii
、 TechnicalPaper 、 23 (
19114) 、 Pr1nted C1rcuit
WorldConvention iv、 62(
1987)、 日経ニューマテリアル 1987年1
月5日、1o−11) に示されている。
を用いた例は9例えば刊行物(Pr1ntedCirc
uit World Convention iii
、 TechnicalPaper 、 23 (
19114) 、 Pr1nted C1rcuit
WorldConvention iv、 62(
1987)、 日経ニューマテリアル 1987年1
月5日、1o−11) に示されている。
また、レーザー光を走査することによってパターン形成
を行う方法は9例えば刊行物(ElectriOniC
8,32(11)、 17−19(1986)、 E
lectronPack Prod 25(6)* 6
4−68 (1985)、 Pr1ntedCircu
it World Convention iv、 T
echnicalPaper、 22 (1987))
に示されている。
を行う方法は9例えば刊行物(ElectriOniC
8,32(11)、 17−19(1986)、 E
lectronPack Prod 25(6)* 6
4−68 (1985)、 Pr1ntedCircu
it World Convention iv、 T
echnicalPaper、 22 (1987))
に示されている。
また、活性光線として電子線およびエキシマレーザ−を
プリント回路基板製造においてフォトレジストa光の際
の光源として使用した例は9例えば刊行物(レーザー科
学研究、 /%8. 11D1986)。
プリント回路基板製造においてフォトレジストa光の際
の光源として使用した例は9例えば刊行物(レーザー科
学研究、 /%8. 11D1986)。
日経マイクロデバイス1988年2月号、1tS)に示
されている。
されている。
従来のポジ型レジストを用いた場合には、ネガマスクが
必要であり、また上記レーザー光をパターン形成に使用
したものは、用いられているレジストは、ネガ型である
ため、高密度配線パターンを有するプリント回路基板を
短期間に製造する目的には向かない。また、これらのネ
ガ型もしくはポジ型レジストは9通常光に感光するため
、安全光下で作業する必要があり9%別に設備投資が必
要である上、安全光は黄色もしくは赤色であるため9作
業者への負担を増大している。
必要であり、また上記レーザー光をパターン形成に使用
したものは、用いられているレジストは、ネガ型である
ため、高密度配線パターンを有するプリント回路基板を
短期間に製造する目的には向かない。また、これらのネ
ガ型もしくはポジ型レジストは9通常光に感光するため
、安全光下で作業する必要があり9%別に設備投資が必
要である上、安全光は黄色もしくは赤色であるため9作
業者への負担を増大している。
一方、電子線およびエキシマレーザ−をフオトレジス)
B光の際の光源として用いた場合、電子線は、現在塗料
の硬化や半導体製造用のフォトレジスト無光に多く使わ
れている有用な活性光線の一つであり、ビニル系ポリマ
ーの主鎖を切断し。
B光の際の光源として用いた場合、電子線は、現在塗料
の硬化や半導体製造用のフォトレジスト無光に多く使わ
れている有用な活性光線の一つであり、ビニル系ポリマ
ーの主鎖を切断し。
該ポリマーをポジ型レジストとするのに十分なエネルギ
ーを有する。また、走査して光線を照射できるという利
点も有する。エキシマレーザ−も。
ーを有する。また、走査して光線を照射できるという利
点も有する。エキシマレーザ−も。
ビニル系ポリマーの主鎖を切断するのに十分なエネルギ
ーを有する光源の一つであシ、ショットごとに基板全景
せたステージを移動させることにより、走査して露光す
ることが可能である、また。
ーを有する光源の一つであシ、ショットごとに基板全景
せたステージを移動させることにより、走査して露光す
ることが可能である、また。
これらの活性光線は、短波長であるため、これらの光に
感光する感光材料は9通常光下で取り扱うことができ葛
。しかし0両者をプリント回路基板製造においてフォト
レジスト露光の際の光源として使用した上記従来例に用
いたレジストはネガ型であり、微細パターン形成には向
かないという問題点があった。
感光する感光材料は9通常光下で取り扱うことができ葛
。しかし0両者をプリント回路基板製造においてフォト
レジスト露光の際の光源として使用した上記従来例に用
いたレジストはネガ型であり、微細パターン形成には向
かないという問題点があった。
本発明はかかる課題を解決するためになされたもので、
スルーホールがあっても、均一かつ確実に、短期間に高
密度配線パターンを有するプリント回路基板の製造方法
を得ることを目的とする。
スルーホールがあっても、均一かつ確実に、短期間に高
密度配線パターンを有するプリント回路基板の製造方法
を得ることを目的とする。
本発明のプリント回路基板の製造方法は、銅張り積層板
にポジ型レジストを電着で付着させる工程、このレジス
トに活性光線を照射することによって、レジストパター
ンを形成する工程、およびこのレジストパターンをエツ
チングレジストとしてエツチングを行い、導体回路パタ
ーンを形成する工程を施すものである。
にポジ型レジストを電着で付着させる工程、このレジス
トに活性光線を照射することによって、レジストパター
ンを形成する工程、およびこのレジストパターンをエツ
チングレジストとしてエツチングを行い、導体回路パタ
ーンを形成する工程を施すものである。
本発明の別の発明のプリント回路基板の製造方法は、フ
ィルムにポジ型レジスト層を塗布形成し。
ィルムにポジ型レジスト層を塗布形成し。
このフィルムをポジ型レジスト層金銅張り積層板側にし
て熱圧着する工程、上記レジストに活性光線を照射する
工程、上記フィルムを剥離する工程。
て熱圧着する工程、上記レジストに活性光線を照射する
工程、上記フィルムを剥離する工程。
照射されたレジストを除去してレジストパターンを形成
する工程、およびこのレジストパターンをエツチングレ
ジストとしてエツチングを行い、導体回路パターンを形
成する工程を施すものである。
する工程、およびこのレジストパターンをエツチングレ
ジストとしてエツチングを行い、導体回路パターンを形
成する工程を施すものである。
本発明において、ポジ型レジストを電着により銅張り積
層板に付着させることにより、スルーホール内壁はレジ
ストで完全にコーティングされ。
層板に付着させることにより、スルーホール内壁はレジ
ストで完全にコーティングされ。
スルーホールへのレジストの不完全な浸入が起こラス、
スルーホールがあっても所期目的を達成できる。
スルーホールがあっても所期目的を達成できる。
また1本発明の別の発明において、フィルム上にあらか
じめポジ型レジスト層を形成し、このフィルムをポジ型
レジスト層を銅侭シ積層板側にして熱圧着することKよ
り、レジストはスルーホール孔上下を覆う(テンティン
グ)ことにより、スルーホールがあっても所期目的を達
成できる。
じめポジ型レジスト層を形成し、このフィルムをポジ型
レジスト層を銅侭シ積層板側にして熱圧着することKよ
り、レジストはスルーホール孔上下を覆う(テンティン
グ)ことにより、スルーホールがあっても所期目的を達
成できる。
以下2本発明の実施例のプリント回路基板の製造法につ
いて説明する。
いて説明する。
ガラス・エポキシ積層板、ガラス・ポリイミド積層板0
紙フェノール基板のような、プリント回路基板製造に多
く使われている銅張シ積層板に。
紙フェノール基板のような、プリント回路基板製造に多
く使われている銅張シ積層板に。
必要に応じてドリリング、パンチング等の方法を用いて
、穴明けを行い、無電解めっきや電気めっきによって上
下面の電気的導通孔(スルーホール)を形成し、この基
板に、ポジ型レジスト’を付着させる方法としては、ス
ピンコード、ローラーコート、デイプコート、バーコー
ドのような一般的な塗布方法ではなく9例えばポリエチ
レン、ポリエチレンテレフタレート、ホリビニルアルコ
ールのような透明フィルム上に、あらかじめポジ型レジ
スト溶液を塗布、乾燥してポジ型レジスト層を設け、ポ
ジ型レジスト層を銅張シ積層板側にして熱圧着する方法
(ドライフィルムのラミネート)や。
、穴明けを行い、無電解めっきや電気めっきによって上
下面の電気的導通孔(スルーホール)を形成し、この基
板に、ポジ型レジスト’を付着させる方法としては、ス
ピンコード、ローラーコート、デイプコート、バーコー
ドのような一般的な塗布方法ではなく9例えばポリエチ
レン、ポリエチレンテレフタレート、ホリビニルアルコ
ールのような透明フィルム上に、あらかじめポジ型レジ
スト溶液を塗布、乾燥してポジ型レジスト層を設け、ポ
ジ型レジスト層を銅張シ積層板側にして熱圧着する方法
(ドライフィルムのラミネート)や。
レジスト樹脂を水溶化あるいは水分散化して、電着塗装
する方法があげられる。これらの方法では。
する方法があげられる。これらの方法では。
液状のレジスト塗布の際に起こるスルーホールへのレジ
ストの不完全な浸入が起こらない。すなわち、ドライフ
ィルムのラミネートでは、レジストはスルーホール孔上
下を覆う(テンティング)。
ストの不完全な浸入が起こらない。すなわち、ドライフ
ィルムのラミネートでは、レジストはスルーホール孔上
下を覆う(テンティング)。
また、電着の場合、スルーホール内壁はレジストで完全
にコーティングされる。本発明において使用されるポジ
型レジストとしては、活性光照射によって主鎖切断が生
じるビニル系ポリマーがあげられる。このようなポリマ
ーの具体的な例としては、メチルメタクリレート(MM
A ) 、 ブチルメタクリレート、アクリル酸、メ
タクリル酸、アクリロトリル、メタクリ口ニトリル、メ
チルメタクリ口ニトリル、インブチレン、スチレン、α
−メチルスチレン、メチルイソプロペニルケトン、アク
リルアミド、メタクリルアミド、α−シアノエチルアク
リレート、3−オキシイミノ−2−フタノンメタクリレ
ート、インデノン、p−メトキシフェニルイソプロペニ
ルケトン、ヘキサフルオロブチルメタクリレート、ジメ
チルテトラフルオロプロピルメチルメタクリレート、ト
リクロロエチルメタクリレート、トリフルオロエチルメ
タクリレート、メチル−a−クロロアクリレート、エチ
ル−a−シアノアクリレート、エチル−a−カルボキシ
アミドアクレート、トリフルオロエチル−a−クロロア
クリレート、酢酸ビニル等のビニルモノマーの重合体ま
たは、これらのモノマーの共!合体およびブテン−1と
二酸化硫黄の共重合体(ポリブテン−1−スルホン、P
BS)があげられる。この中で特に望ましいものとして
は、フィルムとしての平滑性を有し、1.1.1−トリ
クロロエタンを主成分とする溶媒またはアルカリ水溶液
で現像可能であり、過流安、塩化第二鉄等のエツチング
液に耐え、最終的に剥離可能なものとして。
にコーティングされる。本発明において使用されるポジ
型レジストとしては、活性光照射によって主鎖切断が生
じるビニル系ポリマーがあげられる。このようなポリマ
ーの具体的な例としては、メチルメタクリレート(MM
A ) 、 ブチルメタクリレート、アクリル酸、メ
タクリル酸、アクリロトリル、メタクリ口ニトリル、メ
チルメタクリ口ニトリル、インブチレン、スチレン、α
−メチルスチレン、メチルイソプロペニルケトン、アク
リルアミド、メタクリルアミド、α−シアノエチルアク
リレート、3−オキシイミノ−2−フタノンメタクリレ
ート、インデノン、p−メトキシフェニルイソプロペニ
ルケトン、ヘキサフルオロブチルメタクリレート、ジメ
チルテトラフルオロプロピルメチルメタクリレート、ト
リクロロエチルメタクリレート、トリフルオロエチルメ
タクリレート、メチル−a−クロロアクリレート、エチ
ル−a−シアノアクリレート、エチル−a−カルボキシ
アミドアクレート、トリフルオロエチル−a−クロロア
クリレート、酢酸ビニル等のビニルモノマーの重合体ま
たは、これらのモノマーの共!合体およびブテン−1と
二酸化硫黄の共重合体(ポリブテン−1−スルホン、P
BS)があげられる。この中で特に望ましいものとして
は、フィルムとしての平滑性を有し、1.1.1−トリ
クロロエタンを主成分とする溶媒またはアルカリ水溶液
で現像可能であり、過流安、塩化第二鉄等のエツチング
液に耐え、最終的に剥離可能なものとして。
ビニル系ポリマーで2分子fi 5000から100万
のものがあげられる。ビニル系ポリマーの分子量が50
00より小ζい場合は平滑な塗膜を得ることが困難であ
り、また、100万以上の場合は、現像性。
のものがあげられる。ビニル系ポリマーの分子量が50
00より小ζい場合は平滑な塗膜を得ることが困難であ
り、また、100万以上の場合は、現像性。
剥離性に問題を生じる。
ナフトキノンジアジド系レジストは、紫外光または深紫
外光に感光するポジ型レジストとしてよく知られている
が9M子線およびエキシマ−レーザーの作用によっても
ポジ型レジストになり得る。
外光に感光するポジ型レジストとしてよく知られている
が9M子線およびエキシマ−レーザーの作用によっても
ポジ型レジストになり得る。
これらのポジ型レジストには、基板銅箔との密着性を向
上させるために、窒素、硫黄などのへテロ原子を含む化
合物や、良好なフィルム状態とするための可塑剤9着色
剤等を添加することが望ましい。
上させるために、窒素、硫黄などのへテロ原子を含む化
合物や、良好なフィルム状態とするための可塑剤9着色
剤等を添加することが望ましい。
上述のへテロ原子を含む化合物としては、ベンゾチアゾ
ール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、イミ
ダシリン、チアゾリン、およびこれらの誘導体があげら
れる。可塑剤としては、フタル酸エステル類、脂肪酸エ
ステル類、エポキシ化大豆油、燐酸エステル類等があげ
られる。着色剤としては、エチルバイオレット、クリス
タルバイオレット、メチレンブルーなどの有機染料、
フタロシアニンクリーン等の有機顔料があげられる。
ール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、イミ
ダシリン、チアゾリン、およびこれらの誘導体があげら
れる。可塑剤としては、フタル酸エステル類、脂肪酸エ
ステル類、エポキシ化大豆油、燐酸エステル類等があげ
られる。着色剤としては、エチルバイオレット、クリス
タルバイオレット、メチレンブルーなどの有機染料、
フタロシアニンクリーン等の有機顔料があげられる。
次にこれらのポジ型レジストを付着させた基板K。
電子線またはエキシマレーザ−をデジタイズされたプリ
ント基板の導体パターンのデータに基づいて走査して照
射し9回路不要部分のレジストを溶媒可溶の状態にした
。エキシマレーザ−光の波長領域としては、 200
−400 nm、望ましくは25〇−350nmがあげ
られ、特に好ましいものとしては。
ント基板の導体パターンのデータに基づいて走査して照
射し9回路不要部分のレジストを溶媒可溶の状態にした
。エキシマレーザ−光の波長領域としては、 200
−400 nm、望ましくは25〇−350nmがあげ
られ、特に好ましいものとしては。
XeC1,XeF、 KrF v−ザーがあげられる。
ツイテ。
1、1.1− )リクロロエタン系の溶剤またはアルカ
リ水溶液をスプレーすることによって現像処理を行い、
レジストパターンを形成した。このレジストパターンを
エツチングレジストとしてエツチング処理を行い、この
後レジストを剥離して、導体回路パターンを形成した。
リ水溶液をスプレーすることによって現像処理を行い、
レジストパターンを形成した。このレジストパターンを
エツチングレジストとしてエツチング処理を行い、この
後レジストを剥離して、導体回路パターンを形成した。
なお、ドライフィルムを用いた場合は、活性光線の照射
前または後に、フィルムを剥離する必要がある。
前または後に、フィルムを剥離する必要がある。
次に0本発明を実施例により具体的に説明する。
ここに示す実施例は実施態様を示すものであり。
本発明はこれらによって限定されるものではない、実施
例1゜ (1)基板の穴明け、スルーホールめっき厚さ50ミク
ロンの銅箔を両面に張った厚さ1ミリのガラス・エポキ
シ積層板に、ス・ルーホール。
例1゜ (1)基板の穴明け、スルーホールめっき厚さ50ミク
ロンの銅箔を両面に張った厚さ1ミリのガラス・エポキ
シ積層板に、ス・ルーホール。
部品大川の穴明けを行い、全体にめっき核を付与した後
、無電解めっき1M気めっきを行って、穴内に25ミク
ロンの銅を析出させた。
、無電解めっき1M気めっきを行って、穴内に25ミク
ロンの銅を析出させた。
(21ドライフィルムの製作
平均分子量約100万のポリメチルメタクリレート(P
MMA ) I 00部とジオクチルフタレート10部
をメチルエチルケトン(MEK)50部に溶解した。
MMA ) I 00部とジオクチルフタレート10部
をメチルエチルケトン(MEK)50部に溶解した。
該溶液を、厚さ25ミクロンのポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上に塗布し、常温で20分。
ートフィルム上に塗布し、常温で20分。
70℃で10分、100℃で5分乾燥させて、 厚さ1
0ミクロンのフィルム状物を得た。
0ミクロンのフィルム状物を得た。
(31ドライフィルムのラミネート
該フイルムヲ80℃に予熱した上述の積層板の両面に、
80tの熱ロールを用いて圧着した。この後、レジスト
層上のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した
。
80tの熱ロールを用いて圧着した。この後、レジスト
層上のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した
。
(41レジストパターン形成
該基板に、W子線を配線パターンに基づいて照射し、1
.1.1−)リクロロエタンで現像して、レジストパタ
ーンを形成した。
.1.1−)リクロロエタンで現像して、レジストパタ
ーンを形成した。
(5)導体回路形成
該レジストパターンをエツチングレジストとして、35
から40℃の塩化第二鉄エッチャントを。
から40℃の塩化第二鉄エッチャントを。
1、sm/dで60から90秒スプレーして、 エツチ
ングを行い、メチレンクロライドによシ、レジスト剥離
を行って導体回路幅が80ミクロンの配線パターンを形
成した。
ングを行い、メチレンクロライドによシ、レジスト剥離
を行って導体回路幅が80ミクロンの配線パターンを形
成した。
実施例2
(1) 水分散電着塗料の合成
380fの脱イオン水Kffl素ガスによって酸素パー
ジを行った後,0gのアクリロニトリル、 20fの
インブチレン、20Fのエチルアクリレート。
ジを行った後,0gのアクリロニトリル、 20fの
インブチレン、20Fのエチルアクリレート。
5fのメタクリルアミドと、1Fのラウリルスルホン酸
ナトリウムを加えて、70℃に加熱した。
ナトリウムを加えて、70℃に加熱した。
この中に、0.31の過硫酸力Jラム、019の硫酸水
素ナトリウム2011の脱イオン水に溶解して加え、?
Orで3時間反応させ、水分散電着塗料を得た。
素ナトリウム2011の脱イオン水に溶解して加え、?
Orで3時間反応させ、水分散電着塗料を得た。
(2) レジストの電着
上記の塗料を用いて、実施例1の(1)と同様の方法で
スルーホールを形成したガラス・エポキシ積層板をアノ
ードとして,0から100vで1から3分間電着を行い
、80でで30分乾燥し、10ミクロンのレジスト塗膜
を得た。
スルーホールを形成したガラス・エポキシ積層板をアノ
ードとして,0から100vで1から3分間電着を行い
、80でで30分乾燥し、10ミクロンのレジスト塗膜
を得た。
(31このレジスト塗膜に、実施例1の(41と同様の
方法で、レジストパターンを形成し、実施例1の(5)
と同様の方法でエツチング、レジス[1111行って、
導体回路幅50ミクロンの配線パターンを形成した。
方法で、レジストパターンを形成し、実施例1の(5)
と同様の方法でエツチング、レジス[1111行って、
導体回路幅50ミクロンの配線パターンを形成した。
実施例ふ
(1)水分散電着塗料の合成
3801の脱イオン水に、窒素ガスをバブリングし、溶
存酸素を除いた。この中に、 10 fのエチルア
クリレート、1Fのメタクリル酸、IFのラウリルスル
ホン酸ナトリウムを加え、70度に加熱した。この中に
、10fの脱イオン水に溶解した過硫酸カリウム0.1
F、硫酸水素ナトリウム0.03fを加えた。70℃で
30分反応後、03Fの過硫酸カリウム、0.IFの硫
酸水素ナトリウムを加え。
存酸素を除いた。この中に、 10 fのエチルア
クリレート、1Fのメタクリル酸、IFのラウリルスル
ホン酸ナトリウムを加え、70度に加熱した。この中に
、10fの脱イオン水に溶解した過硫酸カリウム0.1
F、硫酸水素ナトリウム0.03fを加えた。70℃で
30分反応後、03Fの過硫酸カリウム、0.IFの硫
酸水素ナトリウムを加え。
ついで50gのアクリロニトリル、301のインブチレ
ン、4ダのメタクリル酸を、30分かけて滴下し、65
℃で4時間反応させて、水分数回1着塗料を得た。
ン、4ダのメタクリル酸を、30分かけて滴下し、65
℃で4時間反応させて、水分数回1着塗料を得た。
(2)上記の塗料を用いて、実施例2の(2)と同様の
方法で、80ミクロンの回路パターン幅を有するプリン
ト回路基板を作成した。
方法で、80ミクロンの回路パターン幅を有するプリン
ト回路基板を作成した。
実施例4゜
(1) ドライフィルムの製作
平均分子820万のメタクリル酸メチル/メタクリル′
#110/2の共重合体100部とエポキシステアリン
酸ブチル15部をMEK50部に溶解した。
#110/2の共重合体100部とエポキシステアリン
酸ブチル15部をMEK50部に溶解した。
この溶液を用いて、実施例1の(2)と同様の方法で。
厚さ15ミクロンのフィルム状物を得た。
(2) ドライフィルムのラミネート
実施例1の+11と同様の方法で穴明け、スルーホール
めっきを行ったガラス・エポキシ積層板を80℃に予熱
し、100℃のロールを用いて上述のドライフィルムを
ラミネートした。
めっきを行ったガラス・エポキシ積層板を80℃に予熱
し、100℃のロールを用いて上述のドライフィルムを
ラミネートした。
(31レジストの露光、現像
上述の、ドライフィルムをラミネートした基板に、 K
rFレーザーを照射全エネルギーが 7Qs+m/iに
なるように照射後、2%のKOH水溶液で現像処理を行
った。
rFレーザーを照射全エネルギーが 7Qs+m/iに
なるように照射後、2%のKOH水溶液で現像処理を行
った。
(4)銅箔のエツチング、レジストの剥離以上のように
してレジストパターンを形成した基板を、実施例1の(
5)と同様の方法でエツチングを行い、ついで塩化メチ
レンを用いてレジスタ剥離することによって1幅50ミ
クロンの導体回路パターンを形成した。
してレジストパターンを形成した基板を、実施例1の(
5)と同様の方法でエツチングを行い、ついで塩化メチ
レンを用いてレジスタ剥離することによって1幅50ミ
クロンの導体回路パターンを形成した。
実施例5゜
(1) レジストの電着
実施例2の(1)で合成した水分散電着塗料を用いて、
実施例2の(2)と同様の方法で、実施例1の+11と
同様の方法で製作した基板上に、レジストを付着させた
。
実施例2の(2)と同様の方法で、実施例1の+11と
同様の方法で製作した基板上に、レジストを付着させた
。
(2) このレジスト上に、 XeFレーザーを全照射
エネルギーが、30mJ/dとなるように照射した。
エネルギーが、30mJ/dとなるように照射した。
ついで、1.11−トリクロロエタンをスプレーして現
像を行った後、エツチング、レジスタ剥離を行って9幅
70ミクロンの配線パターンを形成した。
像を行った後、エツチング、レジスタ剥離を行って9幅
70ミクロンの配線パターンを形成した。
実施例&
(1) ドライフィルムの作成
市販のナフトキノンジアジド系レジスト(商品名A21
350.シラプレー社製)をPETフィルム上に乾燥後
の厚さが5ミクロンになるように塗布。
350.シラプレー社製)をPETフィルム上に乾燥後
の厚さが5ミクロンになるように塗布。
乾燥を行いドライフィルムとした。
(2) ドライフィルムのラミネート該ドライフィル
ムを実施例1の+11と同様にして作成したスルーホー
ルを有する基板上に100t:の熱ロールを用いてラミ
ネートした。
ムを実施例1の+11と同様にして作成したスルーホー
ルを有する基板上に100t:の熱ロールを用いてラミ
ネートした。
13+ レジストパターン形成
該基板にPETフィルム剥離後、W子線を配線パターン
に基づいて照射し、テトラメチルアンモニウム水溶液を
用いて現像処理を行った。
に基づいて照射し、テトラメチルアンモニウム水溶液を
用いて現像処理を行った。
(41導体回路形成
該レジストパターンをエツチングレジストとして実施例
1の(5)と同様の方法をもちいてエツチングを行い、
導体回路パターンを形成した。
1の(5)と同様の方法をもちいてエツチングを行い、
導体回路パターンを形成した。
実施例7゜
fi+ ドライフィルムの作成
ポリブテン−1−スルホン100部とエポキシステアリ
ン酸ブチル5部、エチルバイオレット0.5部を2−メ
トキシエチルアセテート100部に溶解した。この溶液
を用いて、実施例1の(21と同様の操作を行い、厚さ
5ミクロンのフィルム状物t=?4だ。
ン酸ブチル5部、エチルバイオレット0.5部を2−メ
トキシエチルアセテート100部に溶解した。この溶液
を用いて、実施例1の(21と同様の操作を行い、厚さ
5ミクロンのフィルム状物t=?4だ。
(2: ドライフィルムのラミネート実施例1の(1
)と同様にして作成したスルーホール付き基板を80℃
に予熱後、上記(1)で得たフィルム状物を80℃でラ
ミネートした、 (31パターン形成 上述のドライフィルムをラミネートした基板に。
)と同様にして作成したスルーホール付き基板を80℃
に予熱後、上記(1)で得たフィルム状物を80℃でラ
ミネートした、 (31パターン形成 上述のドライフィルムをラミネートした基板に。
支持体フィルムを剥離した後、電子線を配線パターンに
基づいて照射し9次いで1.1.1− )ジクロロエタ
ンをスプレーして現像処理を行い、レジストパターンを
形成した。
基づいて照射し9次いで1.1.1− )ジクロロエタ
ンをスプレーして現像処理を行い、レジストパターンを
形成した。
(41銅箔のエツチング、レジストの剥離以上のように
して形成したレジストパターンをエツチングレジストと
してエツチングを行い、ジクロロメタンによってレジス
トを剥離して2幅30ミクロンの配線パターンを形成し
た。
して形成したレジストパターンをエツチングレジストと
してエツチングを行い、ジクロロメタンによってレジス
トを剥離して2幅30ミクロンの配線パターンを形成し
た。
比較例1゜
市販ネガ型エツチング用ドライフィルムレジストを、実
施例1の11)と同様の方法で製作したスルーホール付
き基板にラミネートし、ネガマスクを介して紫外光を照
射し、ついで、現像処理を行って、導体回路幅が10ミ
クロンとなるレジストパターンを形成した。該レジスト
パターンには2部分的に、現像時のレジストの膨潤に起
因する。レジストパターンのはがれが見られた。
施例1の11)と同様の方法で製作したスルーホール付
き基板にラミネートし、ネガマスクを介して紫外光を照
射し、ついで、現像処理を行って、導体回路幅が10ミ
クロンとなるレジストパターンを形成した。該レジスト
パターンには2部分的に、現像時のレジストの膨潤に起
因する。レジストパターンのはがれが見られた。
比較例λ
市販のネガ型液状エツチング用フォトレジストを、実施
例1の11)と同様に製作した基板上に全面にロールコ
ータ−を用いて塗布した。乾燥後、ネガマスクを介して
紫外光を照射し、現像処理を行って、レジストパターン
を形成した。このレジストパターンをエツチングレジス
トとして、エツチングを行ったところ、レジストのスル
ーホールへの入り込みが不完全であるため、および、ス
ルーホール内のレジストに紫外光が不完全に照射された
ために、スルーホール内がレジストで完全にマスキング
されていなかったことに起因する。スルーホールの断線
が生じた。
例1の11)と同様に製作した基板上に全面にロールコ
ータ−を用いて塗布した。乾燥後、ネガマスクを介して
紫外光を照射し、現像処理を行って、レジストパターン
を形成した。このレジストパターンをエツチングレジス
トとして、エツチングを行ったところ、レジストのスル
ーホールへの入り込みが不完全であるため、および、ス
ルーホール内のレジストに紫外光が不完全に照射された
ために、スルーホール内がレジストで完全にマスキング
されていなかったことに起因する。スルーホールの断線
が生じた。
以上述べたように、ネガ型レジストを用いた場合、高密
度パターンが形成不可能なことは、明らかである。また
、ネガマスクを介して光照射する場合は、ネガマスクを
製作するために時間を要するため、プリント回路基板の
製作に要する時間を長くすることは明らかである。
度パターンが形成不可能なことは、明らかである。また
、ネガマスクを介して光照射する場合は、ネガマスクを
製作するために時間を要するため、プリント回路基板の
製作に要する時間を長くすることは明らかである。
以上説明したとおり9本発明は、銅張り積層板にポジ型
レジストを電着で付着させる工程、このレジストに活性
光線を照射することによって、レジストパターンを形成
する工程、およびこのレジストパターンをエツチングレ
ジストとしてエツチングを行い、導体回路パターンを形
成する工程を施すことKより、スルーホールがあっても
、均一かつ確実に、短時間に高密度配線パターンを有す
るプリント回路基板の製造方法を得ることができる。
レジストを電着で付着させる工程、このレジストに活性
光線を照射することによって、レジストパターンを形成
する工程、およびこのレジストパターンをエツチングレ
ジストとしてエツチングを行い、導体回路パターンを形
成する工程を施すことKより、スルーホールがあっても
、均一かつ確実に、短時間に高密度配線パターンを有す
るプリント回路基板の製造方法を得ることができる。
また9本発明の別の発明は、フィルムにポジ型レジスト
層を塗布形成し、このフィルムをポジ型レジスト層を銅
張シ積層板側にして熱圧着する工程、上記レジストに活
性光線を照射する工程、上記フィルムを剥離する工程、
照射されたレジストを除去してレジストパターンを形成
する工程、およびこのレジストパターンをエツチングレ
ジストとしてエツチングを行い、導体回路パターンを形
成する工程を施すことにより、均一かつ確実に。
層を塗布形成し、このフィルムをポジ型レジスト層を銅
張シ積層板側にして熱圧着する工程、上記レジストに活
性光線を照射する工程、上記フィルムを剥離する工程、
照射されたレジストを除去してレジストパターンを形成
する工程、およびこのレジストパターンをエツチングレ
ジストとしてエツチングを行い、導体回路パターンを形
成する工程を施すことにより、均一かつ確実に。
短期間に高密度配線パターンを有するプリント回路基板
の製造方法を得ることができる。
の製造方法を得ることができる。
Claims (2)
- (1)銅張り積層板にポジ型レジストを電着で付着させ
る工程,このレジストに活性光線を照射することによつ
て,レジストパターンを形成する工程,およびこのレジ
ストパターンをエッチングレジストとしてエッチングを
行い,導体回路パターンを形成する工程を施すプリント
回路基板の製造方法。 - (2)フィルムにポジ型レジスト層を塗布形成し,この
フィルムをポジ型レジスト層を銅張り積層板側にして熱
圧着する工程,上記レジストに活性光線を照射する工程
,上記フィルムを剥離する工程,照射されたレジストを
除去してレジストパターンを形成する工程,およびこの
レジストパターンをエッチングレジストとしてエッチン
グを行い,導体回路パターンを形成する工程を施すプリ
ント回路基板の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63207716A JPH0234984A (ja) | 1988-04-13 | 1988-08-22 | プリント回路基板の製造方法 |
US07/335,827 US4983252A (en) | 1988-04-13 | 1989-04-10 | Process for producing printed circuit board |
KR1019890004719A KR910009483B1 (ko) | 1988-04-13 | 1989-04-10 | 프린트회로기판의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9060988 | 1988-04-13 | ||
JP63-90609 | 1988-04-13 | ||
JP63207716A JPH0234984A (ja) | 1988-04-13 | 1988-08-22 | プリント回路基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0234984A true JPH0234984A (ja) | 1990-02-05 |
Family
ID=26432072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63207716A Pending JPH0234984A (ja) | 1988-04-13 | 1988-08-22 | プリント回路基板の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4983252A (ja) |
JP (1) | JPH0234984A (ja) |
KR (1) | KR910009483B1 (ja) |
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