JPS5992532A - ポジテイブ型レジストの製造方法 - Google Patents

ポジテイブ型レジストの製造方法

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Publication number
JPS5992532A
JPS5992532A JP58112987A JP11298783A JPS5992532A JP S5992532 A JPS5992532 A JP S5992532A JP 58112987 A JP58112987 A JP 58112987A JP 11298783 A JP11298783 A JP 11298783A JP S5992532 A JPS5992532 A JP S5992532A
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JP
Japan
Prior art keywords
positive type
self
type resist
producing positive
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58112987A
Other languages
English (en)
Inventor
ヒロシ・イト−
カ−ルトン・グラント・ウイルソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS5992532A publication Critical patent/JPS5992532A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、自己現像型（５ｅｌｆ　　ｄｅｖ’ｅｌｏｐ
ｉｎｇ）のポジティブ型リングラフィ・レジストの製造
方法に係る。この系は、基板に達する迄、自己現像され
、後に現像処理を施される必要がない。
〔従来技術〕
米国特許第２６８５１１号明細書は、リングラフィに於
てエフシマ・レーザの放射を用いることについて記載し
ているが、本発明の方法に於て用いられている材料につ
いては何ら言及していない。
更に、上記明細書に於て言及されている材料のいずれを
用いても、自己現像は不可能である。
従来、ポリアセタールは、例えば米国特許第３９４０５
０７号、第４１０８８３９号、第３９１５７０４号、第
３９１５７０６号、第３９１７４８３号及び第３９８４
２５３号の明細書に記載されている如く、記録媒体とし
て用いられている。
しかしながら、それらの従来技術は、ポリアセタールを
エフシマ・レーザの放射とともに用いることについては
何ら記載していない。
〔本発明の概要〕
本発明の方法に従って、エフシマ・レーザの放射にさら
されたポリアセタールを用いることによシ、自己現像型
のポジティブ型リングラフィ・レジストが得られる。本
発明の方法によって、レジスト膜は、加熱、プラズマ食
刻又は溶剤による現像の如き処理を更に必要とせずに１
基板に達する迄完全に現像される。この極めて有利な結
果を得るためには、レジスト材料がポリアセメールであ
り且つ放射がエフシマ・レーザの放射であることが必要
である。末端基を導入すること（ｅｎｄｃａｐｐｉｎｇ
）によシ安定化されている、熱力学的に不安定なポリア
セタールは、高強度のエフシマ・レーザの放射にさらさ
れたとき、単量体に解重合して、自己現像型のポジティ
ブ型レジストを与えるものと仮定される。この作用は、
エフシマ・レーザ露元系に特有なものである。広範囲の
他の材料がエフシマ・レーザに対してさらされても、自
己現像を生じない。又、末端基を有するポリフタルアル
デヒドが低エネルギ密度の水銀灯の放射にさらされても
、自己現像を生じない。
自己（乾燥又は蒸発）現像型レジスト、即ち溶剤を用い
た現像処理を更に施される必要のない材料が、従来長い
間求められている。半導体技術分野全体におけるその様
な材料に対する関心は、それらがよシ高い生産量及び収
率を与える可能性を有することによるものである。よシ
高い収率は、処理工程を減少させることと、その様な材
料が高真空状態の下で露光、現像及びパターンの転写（
（３） 食刻、イオン注入又は付着）を行うことを可能にして、
雰囲気の汚染物、空気中の粒状物及び現像方法による欠
陥を減少させることとの両方によって達成される。本発
明による方法は、その様な系を達成する。
本発明の方法に於て用いられるポリアセタールは、増感
剤を何ら必要とせずに、有用である。その系は又、露光
されていないレジストが種々の像転写方法に対して安定
であるという利点を更に有している。
本発明の方法に於て有用なポリアセタールは、フタルア
ルデヒド及びＯ−ホルミルフェニルアセトアルデヒドの
如き芳香族ジアルデヒド、アルキルアルデヒド、ハロゲ
ン化アルキルアルデヒド、及びそれらの共重合体から形
成されたものを含む。
最も好ましいポリアセタールは、アセチル末端基を有す
る、重合されたフタルアルデヒドから形成されたもので
ある。
（４） 〔実施例〕 次に示す実施例は、単に本発明を方法を説明するために
示されたものであり、それらに限定されることはない。
ポリフタルアルデヒドが、高真空状態の下で任意の重合
開始剤を用いた陰イオンの反応機構により合成されて、
アセチル末端基を導入された。分子量（Ｍ　ｗ　）は、
１．７Ｘ１０’乃至９．７Ｘ１０’の範囲であり、低分
解能（１，１〜１．８）を有した。
それらの重合体は１７５℃に対して熱的に安定であった
。それよりも高い温度に於ては、熱重量分析（ＴＧＡ）
は、解重合及び蒸発による、極めて急峻な重量損失を示
した。
本発明の方法の典型的な１例に於ては、アセチル末端基
を有するフタルアルデヒドから形成された重合体の如き
ポリアセタールが、２０ｗ／ｖ％の溶液を形成する様に
シクロヘキサノン中に溶解され、厚さ１μｍの膜を形成
する様に２００　Ｏｒｐｍで３０秒間シリコン・ウェハ
上に回転被覆され、（５） そして１００℃で３０分間プリベーキングされた。
それらの膜が、各々６６ｍＪ／ｃｒｎ２のエネルギ密度
を有する、４０．６０及び８０個のパルスのＫｒＦエク
シマ・レーザの放射（２４９ｎｍ）に対してパターン・
マスクを経てされされた。パルス間隔は１００Ｈｚであ
った。各露光は１秒で完了された。それらのレジスト膜
は、加熱、プラズマ食刻及び溶剤による現像の如き処理
を更に必要とせずに、上記露光により基板に達する迄完
全に自己現像された。自己現像されたレジスト・パター
ンの光学顕微鏡写真及び走査電子顕微鏡写真は、それら
の像の質及び解像力が優れておシ、露光されていない領
域が何ら変化していないことを示した。
出願　人　インターナショカル・ビジネス・マシニング
・コ〒ボレークタン（６）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ポリアセタールの選択された部分にエフシマ・レーザ放
    射を照射することを含む、ポジティブ型レジストの製造
    方法。
JP58112987A 1982-11-18 1983-06-24 ポジテイブ型レジストの製造方法 Pending JPS5992532A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US44249582A 1982-11-18 1982-11-18
US442495 1982-11-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5992532A true JPS5992532A (ja) 1984-05-28

Family

ID=23757000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58112987A Pending JPS5992532A (ja) 1982-11-18 1983-06-24 ポジテイブ型レジストの製造方法

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP0111655A1 (ja)
JP (1) JPS5992532A (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
EP0111655A1 (en) 1984-06-27

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