JPS5845693B2 - ゾウケイセイホウホウ - Google Patents

ゾウケイセイホウホウ

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JPS5845693B2
JPS5845693B2 JP50132206A JP13220675A JPS5845693B2 JP S5845693 B2 JPS5845693 B2 JP S5845693B2 JP 50132206 A JP50132206 A JP 50132206A JP 13220675 A JP13220675 A JP 13220675A JP S5845693 B2 JPS5845693 B2 JP S5845693B2
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JP
Japan
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electron beam
resist
radiation
substrate
film
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Expired
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JP50132206A
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English (en)
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JPS5184640A (ja
Inventor
エム モリユー ウエイン
ギプステイン エドワード
ユー ニード サード オマー
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International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
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Publication date
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Publication of JPS5184640A publication Critical patent/JPS5184640A/ja
Publication of JPS5845693B2 publication Critical patent/JPS5845693B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/143—Electron beam

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Graft Or Block Polymers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子ビーム・レジストに関する。
さらに具体的には、基板上に成るセルローズ誘導体の薄
膜を形成する事によって得られるポジのレジストに関す
る。
ポジの重合電子ビーム・レジストは従来公知である。
この様な従来技法は米国特許第３５３５１３７号に十分
に開示されている。
この特許はレジスト材料の製法及び用法について十分に
論議している。
この特許に説明されている如く代表的なプロセスは適当
な高分子を溶媒中に溶解する事によって開始される。
次いで高分子薄膜が溶解された高分子の一滴を基板表面
上にスピニングし、これを乾燥する如きプロセスによっ
て基板上に形成される。
高分子薄膜は次いで焼結され、薄膜の付着及び取扱い上
の特性が改良される。
次の工程は５乃至３０キロボルトの範囲の電子ビーム放
射に高分子薄膜の選択部分を露らす事を含む。
この放射は高分子の結合を切断する。
切断の結果として、放射に露出された高分子薄膜の部分
は、非露光部分を依然基板に付着したまま残して、現像
剤を適用する事により選択的に除去され得る。
望まれるならば、残りの高分子薄膜はアンダカットを除
去するために焼結され得る。
これに続いて、望まれるならば露出された下地の基板は
適当な食刻剤で食刻され得る。
特にポジの電子ビーム・レジストとして成功した従来の
材料はポリ（メタクリル酸メチル）及び成るポリ（オレ
フィン・スルホン）を含む。
しかしながら、レジストとして働く必要な性質のすべて
を同時に所有する材料は比較的少ない。
材料は食刻溶液に対し、化学的に耐性があり、電子放射
の下に劣化するものでなければならない。
材料は基板に薄膜として付着し得、薄膜はひび割れしな
いものでなければならない。
従来、電子ビーム・レジストの形成中にセルローズを使
用する試みがなされた。
しかしながら、関知する限り、この様な試みは常に不成
功であった。
本発明に従い、電子ビームのホジのレジストは置換分を
含ませる事によって可溶性にされたセルローズ誘導体を
使用する事によって形成される。
可溶性にするための適当な置換基は、例えば、ニトロ基
、酢酸塩もしくはブチレートの如きエステル基及びメト
キシ基の如きエーテル基を含む。
電子ビーム写真食刻技法を光写真食刻技法と比較するな
らば、スループットにおいてより速い電子ビーム・レジ
ストが必要とされる。
これ等の材料の薄膜は有機溶剤から被覆され、１００℃
で乾燥され、２５ＫＶ電子ビームにＩ Ｘ １０−クー
ロン／ｃｒＩＦの減少した投与量で露らされた。
現像後の初期厚さ対最終厚さの最小溶解度比２．０がレ
ジスト感度の最小規準として使用された。
、薄膜は０．５ミクロンの線の食刻中２酸化ケイ素に良
好な付着を示した。
比較として、米国特許第３５３５１３７号のレジスト材
料としてポリ・メタクリル酸メチルを使用した場合は１
００ＸＩＯ−’クーロン／（１’７７ｆの最小投与量を
必要とする。
本発明に従い得られた結果が次の実施例で示されている
。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 窒素を１０．５％乃至１２％含むニトロセルローズ
    より戊るフィルムを基板上に形成し、５乃至３０ＫＶの
    強さの電子ビームの予定のパターンの放射に上記フィル
    ムを露らし、上記フィルムのうち上記放射に露された部
    分を溶剤により除去することを含む像形成方法。
JP50132206A 1974-12-20 1975-11-05 ゾウケイセイホウホウ Expired JPS5845693B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/534,542 US3985915A (en) 1974-12-20 1974-12-20 Use of nitrocellulose containing 10.5 to 12% nitrogen as electron beam positive resists

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5184640A JPS5184640A (ja) 1976-07-24
JPS5845693B2 true JPS5845693B2 (ja) 1983-10-12

Family

ID=24130514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50132206A Expired JPS5845693B2 (ja) 1974-12-20 1975-11-05 ゾウケイセイホウホウ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3985915A (ja)
JP (1) JPS5845693B2 (ja)
DE (1) DE2553519A1 (ja)
FR (1) FR2295466A1 (ja)
GB (1) GB1476289A (ja)

Families Citing this family (7)

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Family Cites Families (1)

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Also Published As

Publication number Publication date
GB1476289A (en) 1977-06-10
DE2553519A1 (de) 1976-07-01
JPS5184640A (ja) 1976-07-24
FR2295466B1 (ja) 1981-08-21
FR2295466A1 (fr) 1976-07-16
US3985915A (en) 1976-10-12

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