JPH0234938A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0234938A JPH0234938A JP18499188A JP18499188A JPH0234938A JP H0234938 A JPH0234938 A JP H0234938A JP 18499188 A JP18499188 A JP 18499188A JP 18499188 A JP18499188 A JP 18499188A JP H0234938 A JPH0234938 A JP H0234938A
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Links
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Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置詳しくは、接合型電界効果トラン
ジスタ（以下、ＪＦＥＴと略す）に関する。
ジスタ（以下、ＪＦＥＴと略す）に関する。
従来の技術
近年、低周波増幅回路やアナログスイッチング回路では
、ノイズ低減のためＪＦＥＴが利用されている。第３図
は、従来のＪＦＥＴの断面を示すものである。１はソー
ス・ドレイン電極、２は熱酸化膜（Ｓｉ（ｈ）、３はＣ
ＶＤ法による酸化膜（Ｓｉ０２）、４はソース・ドレイ
ン高濃度Ｎ型不純物領域、５はゲート高濃度Ｐ型不純物
領域、６はＰ型バックゲート基板、７はＮ型チャネル領
域、８は高濃度Ｐ型分離領域である。
、ノイズ低減のためＪＦＥＴが利用されている。第３図
は、従来のＪＦＥＴの断面を示すものである。１はソー
ス・ドレイン電極、２は熱酸化膜（Ｓｉ（ｈ）、３はＣ
ＶＤ法による酸化膜（Ｓｉ０２）、４はソース・ドレイ
ン高濃度Ｎ型不純物領域、５はゲート高濃度Ｐ型不純物
領域、６はＰ型バックゲート基板、７はＮ型チャネル領
域、８は高濃度Ｐ型分離領域である。
発明が解決しようとする課題
上記従来の構成では、ゲート・ソース（ドレイン）の距
ｌＬａ５（Ｌａｏ）が小さくなったとき、静電破壊耐圧
（以下、サージ耐圧と略す）も小さくなり、素子の取り
扱い上のトラブルや、同素子を装着した電子装置の品質
トラブルが生じる。サージ耐圧を太き（するにはＬａ５
（Ｌａｏ）を太き（して、ゲート・ソース（ドレイン）
間のシリース抵抗（以下、ｒ５と略す）を大きくするの
も一方策である。しかし、これは、チップサイズ、素子
の大きさが太き（なってしまう。また別の方策として、
外付抵抗にポリシリコン抵抗や、拡散抵抗を用いること
によりサージ耐圧を大きくすることもある。これによる
と、拡散工程数が多（、複雑になるばかりでなく、抵抗
部分の面積が加わり、チップ面積も大きくなる。さらに
、Ｎ型チャネル領域の比抵抗を大きくすることによりサ
ージ耐圧を太き（することもできる。しかし、ＪＰＥＴ
の諸特性（カットオフ電圧、ゲート・ソース（ドレイン
）耐圧等）に変化をもたらす。
ｌＬａ５（Ｌａｏ）が小さくなったとき、静電破壊耐圧
（以下、サージ耐圧と略す）も小さくなり、素子の取り
扱い上のトラブルや、同素子を装着した電子装置の品質
トラブルが生じる。サージ耐圧を太き（するにはＬａ５
（Ｌａｏ）を太き（して、ゲート・ソース（ドレイン）
間のシリース抵抗（以下、ｒ５と略す）を大きくするの
も一方策である。しかし、これは、チップサイズ、素子
の大きさが太き（なってしまう。また別の方策として、
外付抵抗にポリシリコン抵抗や、拡散抵抗を用いること
によりサージ耐圧を大きくすることもある。これによる
と、拡散工程数が多（、複雑になるばかりでなく、抵抗
部分の面積が加わり、チップ面積も大きくなる。さらに
、Ｎ型チャネル領域の比抵抗を大きくすることによりサ
ージ耐圧を太き（することもできる。しかし、ＪＰＥＴ
の諸特性（カットオフ電圧、ゲート・ソース（ドレイン
）耐圧等）に変化をもたらす。
本発明の目的は、上記従来の問題点を解決するもので、
チップサイズ、諸特性を変えずにサージ耐圧の大きなＪ
ＦＥＴを提供するものである。
チップサイズ、諸特性を変えずにサージ耐圧の大きなＪ
ＦＥＴを提供するものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のＪＦＥＴは、ゲート
・ソース（ドレイン）間に厚い選択酸化膜を形成したも
のである。
・ソース（ドレイン）間に厚い選択酸化膜を形成したも
のである。
作用
この発明によってＪＦＥＴのゲート・ソース〈ドレイン
〉間に厚い酸化膜が存在するため、チップサイズ、特性
ともに変えることなく、サージ耐圧を大きくすることが
できる。
〉間に厚い酸化膜が存在するため、チップサイズ、特性
ともに変えることなく、サージ耐圧を大きくすることが
できる。
実施例
第１図は本発明実施例のＪＦＥＴの要部断面図である。
このＪＦＥＴで符号１〜８で表わした各部の構成は第３
図に示した従来例の場合と同じであり、これらに加えて
ゲート・ソース（ドレイン）間に選択酸化法による厚い
酸化膜９を形成することにより、サージ耐圧を大きくす
ることができた。
図に示した従来例の場合と同じであり、これらに加えて
ゲート・ソース（ドレイン）間に選択酸化法による厚い
酸化膜９を形成することにより、サージ耐圧を大きくす
ることができた。
第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明実施例のＪＦＥＴの製造
工程を示す工程断面図である。まず同図（ａ）のように
、９５０℃１０ａｔＩｍウェット０２雰囲気で選択酸化
（ＬＯＧＯ３）を行い、約２００μｍの厚い熱酸化膜９
を所望ゲート・ソース（ドレイン）間に形成する。この
ＬＯＧＯ３による熱酸化膜９は１μｍ以上が好適である
。次に同図（ｂ）のように、膜厚約５０００Ａの熱酸化
膜（ＳｉＯ２）２をマスクとして、ボロンイオン注入を
７ Ｘ １０１５ｃｎ＋ ”５０ＫｅＶの条件で選択的
に施して、０２およびウェット０２雰囲気中で拡散して
、高濃度Ｐ量分＋＊ａ域８を形成する。さらに同図（Ｃ
）のように、所望ゲート形成部分をフォトレジストをマ
スクとしてエツチングし、熱酸化膜２をマスクとしてボ
ロンイオン注入を５ Ｘ １０１５ｃｍ−２，５０Ｋｅ
Ｖの条件で選択的に施し、ゲート高濃度Ｐ型不純物領域
５を形成する。そして最終的には、ＣＶＤ法による酸化
膜（Ｓｉ（ｈ）３を約６０００Ａ蒸着し、これに選択的
に窓附けしたのが同図（ｄ）であり、このソース・ドレ
インコンタクト窓にリンイオン注入を５ Ｘ １０”ｃ
ｗ＋−”、５０ＫｅＶで施した後、ソース・ドレイン電
極１を形成したものが第１図示の構造である。
工程を示す工程断面図である。まず同図（ａ）のように
、９５０℃１０ａｔＩｍウェット０２雰囲気で選択酸化
（ＬＯＧＯ３）を行い、約２００μｍの厚い熱酸化膜９
を所望ゲート・ソース（ドレイン）間に形成する。この
ＬＯＧＯ３による熱酸化膜９は１μｍ以上が好適である
。次に同図（ｂ）のように、膜厚約５０００Ａの熱酸化
膜（ＳｉＯ２）２をマスクとして、ボロンイオン注入を
７ Ｘ １０１５ｃｎ＋ ”５０ＫｅＶの条件で選択的
に施して、０２およびウェット０２雰囲気中で拡散して
、高濃度Ｐ量分＋＊ａ域８を形成する。さらに同図（Ｃ
）のように、所望ゲート形成部分をフォトレジストをマ
スクとしてエツチングし、熱酸化膜２をマスクとしてボ
ロンイオン注入を５ Ｘ １０１５ｃｍ−２，５０Ｋｅ
Ｖの条件で選択的に施し、ゲート高濃度Ｐ型不純物領域
５を形成する。そして最終的には、ＣＶＤ法による酸化
膜（Ｓｉ（ｈ）３を約６０００Ａ蒸着し、これに選択的
に窓附けしたのが同図（ｄ）であり、このソース・ドレ
インコンタクト窓にリンイオン注入を５ Ｘ １０”ｃ
ｗ＋−”、５０ＫｅＶで施した後、ソース・ドレイン電
極１を形成したものが第１図示の構造である。
以上のように本実施例によれば、ゲート・ソース（ドレ
イン）間に選択的に厚い酸化膜を形成することにより、
サージ耐圧が従来よりも２００ｖ以上も大きくなった。
イン）間に選択的に厚い酸化膜を形成することにより、
サージ耐圧が従来よりも２００ｖ以上も大きくなった。
発明の効果
本発明によれば、ゲート・ソース（ドレイン）間に選択
酸化法により厚い酸化膜を形成することにより、チップ
サイズを大きくせず、且つ特性を変えずに、サージ耐量
を大きくできる。
酸化法により厚い酸化膜を形成することにより、チップ
サイズを大きくせず、且つ特性を変えずに、サージ耐量
を大きくできる。
第１図は本発明実施例のＪＦＥＴの要部断面図、第２図
は同実施例を製造する工程断面図、第３図は従来例装置
の断面図である。 １・・・・・・ソース・ドレイン電極、２・・・・・・
熱酸化膜（ＳｉＯ２＞、３・・・・・・ＣＶＤ法による
酸化膜（ＳｉＯ２）、４・・・・・・ソース・ドレイン
高濃度不純物領域、５・・・・・・ゲート高濃度Ｐ型不
純物領域、６・・・・・・Ｐ型バックゲート基板、７・
・・・・・Ｎ型チャネル領域、８・・・・・・高濃度Ｐ
型分離領域、９・・・・・・厚い選択酸化膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名１−−−ソ
ース ばしうソ室躇 ２−−一舛広Ｑ（ヒ月１ｉ：＜５ｔ０２）９−−１手（
酸ｆ乙５六ｌ；ぎろ、１５１引ζ購＋ υ 第 図
は同実施例を製造する工程断面図、第３図は従来例装置
の断面図である。 １・・・・・・ソース・ドレイン電極、２・・・・・・
熱酸化膜（ＳｉＯ２＞、３・・・・・・ＣＶＤ法による
酸化膜（ＳｉＯ２）、４・・・・・・ソース・ドレイン
高濃度不純物領域、５・・・・・・ゲート高濃度Ｐ型不
純物領域、６・・・・・・Ｐ型バックゲート基板、７・
・・・・・Ｎ型チャネル領域、８・・・・・・高濃度Ｐ
型分離領域、９・・・・・・厚い選択酸化膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名１−−−ソ
ース ばしうソ室躇 ２−−一舛広Ｑ（ヒ月１ｉ：＜５ｔ０２）９−−１手（
酸ｆ乙５六ｌ；ぎろ、１５１引ζ購＋ υ 第 図
Claims (1)
- 接合型電解効果トランジスタのゲート・ソース間、ゲー
ト・ドレイン間に厚い選択酸化膜を設けた構造をもった
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18499188A JPH0234938A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18499188A JPH0234938A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0234938A true JPH0234938A (ja) | 1990-02-05 |
Family
ID=16162881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18499188A Pending JPH0234938A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0234938A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7066492B2 (en) | 2002-02-07 | 2006-06-27 | Daihatsu Motor Co., Ltd. | Impact force relieving structure in steering device of car |
| US7781809B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-08-24 | Austriamicrosystems Ag | High voltage depletion layer field effect transistor |
| US8134182B2 (en) | 2005-12-20 | 2012-03-13 | Sony Corporation | Field-effect transistor, semiconductor device including the field-effect transistor, and method of producing semiconductor device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS533779A (en) * | 1976-06-30 | 1978-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | Production of junction type field effect transistor |
| JPS5364480A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-08 | Toshiba Corp | Field effect semiconductor device |
| JPS5658259A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-21 | Toshiba Corp | Semiconductor device and production thereof |
| JPS5756976A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | Nec Corp | Manufacture of junction type field effect transistor |
| JPS63204664A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Nec Corp | 半導体トランジスタ |
-
1988
- 1988-07-25 JP JP18499188A patent/JPH0234938A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS533779A (en) * | 1976-06-30 | 1978-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | Production of junction type field effect transistor |
| JPS5364480A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-08 | Toshiba Corp | Field effect semiconductor device |
| JPS5658259A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-21 | Toshiba Corp | Semiconductor device and production thereof |
| JPS5756976A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | Nec Corp | Manufacture of junction type field effect transistor |
| JPS63204664A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Nec Corp | 半導体トランジスタ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7066492B2 (en) | 2002-02-07 | 2006-06-27 | Daihatsu Motor Co., Ltd. | Impact force relieving structure in steering device of car |
| US7781809B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-08-24 | Austriamicrosystems Ag | High voltage depletion layer field effect transistor |
| US8134182B2 (en) | 2005-12-20 | 2012-03-13 | Sony Corporation | Field-effect transistor, semiconductor device including the field-effect transistor, and method of producing semiconductor device |
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