JPH0232585B2 - - Google Patents
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- JPH0232585B2 JPH0232585B2 JP56022065A JP2206581A JPH0232585B2 JP H0232585 B2 JPH0232585 B2 JP H0232585B2 JP 56022065 A JP56022065 A JP 56022065A JP 2206581 A JP2206581 A JP 2206581A JP H0232585 B2 JPH0232585 B2 JP H0232585B2
- Authority
- JP
- Japan
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- transistor
- transistors
- collector
- bases
- collectors
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D1/00—Demodulation of amplitude-modulated oscillations
- H03D1/14—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles
- H03D1/18—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles of semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレベル検出回路に関し、奇数次高調波
出力成分の発生が少なく、温度変動に対して安定
で、かつ、容易に高レベル検出効率が得られるレ
ベル検出回路を提供することを目的とするもので
ある。
出力成分の発生が少なく、温度変動に対して安定
で、かつ、容易に高レベル検出効率が得られるレ
ベル検出回路を提供することを目的とするもので
ある。
以下、本発明について実施例の図面と共に説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例を示すもので、
PNPトランジスタQ2，Q3のベースには直流バイ
アス抵抗R1，R2とダイオード接続した温度補償
用PNPトランジスタQ1によつて一定の直流バイ
アス電圧が加えられている。NPNトランジスタ
Q4はそのベースを抵抗R5を介してそのコレクタ
に接続してダイオード接続されていて、その
NPNトランジスタQ4のコレクタはトランジスタ
Q2のコレクタに接続されている。NPNトランジ
スタQ5，Q6のベースは、それぞれバイアス抵抗
R6，R7を介してトランジスタQ4のコレクタから
ベースバイアス電流が供給され、それぞれのコレ
クタはトランジスタQ3のコレクタに共通接続さ
れている。トランジスタQ4，Q5，Q6のエミツタ
は接地されている。トランジスタQ1，Q2，Q3の
エミツタはそれぞれ抵抗R1，R3，R4を介して電
源Vccに接続されている。端子１，２は互いに逆
極性の交流信号Vinの入力端子で、互いに逆極性
の交流信号Vinは直流阻止コンデンサC2，C3を介
してトランジスタQ5，Q6のベースに印加され、
それぞれのベース、エミツタ間で整流され、トラ
ンジスタQ3，Q5，Q6のコレクタに接続された出
力端子３から互いに逆極性の交流信号Vinに対応
した直流電圧が取り出される。C1は出力端子３
と接地間に接続されたコンデンサである。トラン
ジスタQ3はトランジスタQ5，Q6の負荷でもあり、
非常に高い直流インピーダンスを有するので、ト
ランジスタQ5，Q6の直流利得を極めて高くする
ことができる。
PNPトランジスタQ2，Q3のベースには直流バイ
アス抵抗R1，R2とダイオード接続した温度補償
用PNPトランジスタQ1によつて一定の直流バイ
アス電圧が加えられている。NPNトランジスタ
Q4はそのベースを抵抗R5を介してそのコレクタ
に接続してダイオード接続されていて、その
NPNトランジスタQ4のコレクタはトランジスタ
Q2のコレクタに接続されている。NPNトランジ
スタQ5，Q6のベースは、それぞれバイアス抵抗
R6，R7を介してトランジスタQ4のコレクタから
ベースバイアス電流が供給され、それぞれのコレ
クタはトランジスタQ3のコレクタに共通接続さ
れている。トランジスタQ4，Q5，Q6のエミツタ
は接地されている。トランジスタQ1，Q2，Q3の
エミツタはそれぞれ抵抗R1，R3，R4を介して電
源Vccに接続されている。端子１，２は互いに逆
極性の交流信号Vinの入力端子で、互いに逆極性
の交流信号Vinは直流阻止コンデンサC2，C3を介
してトランジスタQ5，Q6のベースに印加され、
それぞれのベース、エミツタ間で整流され、トラ
ンジスタQ3，Q5，Q6のコレクタに接続された出
力端子３から互いに逆極性の交流信号Vinに対応
した直流電圧が取り出される。C1は出力端子３
と接地間に接続されたコンデンサである。トラン
ジスタQ3はトランジスタQ5，Q6の負荷でもあり、
非常に高い直流インピーダンスを有するので、ト
ランジスタQ5，Q6の直流利得を極めて高くする
ことができる。
ところで、トランジスタQ2，Q3は同一の特性
を有し、また、トランジスタQ4，Q5，Q6も同一
の特性を有するようにしてあり、もし抵抗R3，
R4の抵抗値が相等しければ、トランジスタQ2，
Q3，Q4，Q5，Q6のコレクタ電流はほとんど等し
くなる。この実施例では抵抗値R3と抵抗値R4の
関係は R3＞R4 に設定してあり、互いに逆極性の交流信号Vinが
無い状態ではトランジスタQ3のエミツタ電流は、
コレクタ電流よりはるかに大きくなる。すなわち
トランジスタQ3は飽和状態にある。したがつて、
出力端子３の電位はトランジスタQ3のエミツタ
電位にほぼ等しい。この回路状態は、R1＝R2＝
R3＝零〔Ω〕として、ダイオード接続したトラ
ンジスタQ1とトランジスタQ2，Q3でカレントミ
ラーに構成して、カレントミラーの原理からトラ
ンジスタQ3のエミツタ面積をトランジスタQ1，
Q2のエミツタ面積より大きくすることによつて
も実現できる。いま、互いに逆極性の交流信号
Vinが増加すると、トランジスタQ5，Q6のコレク
タ電流が増加し、その結果、飽和していたトラン
ジスタQ3のコレクタ電流が増加し、トランジス
タQ3は能動領域で動作するようになり、出力端
子３の電位は降下し、十分大きな前記交流信号
Vinに対しては、出力端子はほぼ接地電位まで達
する。
を有し、また、トランジスタQ4，Q5，Q6も同一
の特性を有するようにしてあり、もし抵抗R3，
R4の抵抗値が相等しければ、トランジスタQ2，
Q3，Q4，Q5，Q6のコレクタ電流はほとんど等し
くなる。この実施例では抵抗値R3と抵抗値R4の
関係は R3＞R4 に設定してあり、互いに逆極性の交流信号Vinが
無い状態ではトランジスタQ3のエミツタ電流は、
コレクタ電流よりはるかに大きくなる。すなわち
トランジスタQ3は飽和状態にある。したがつて、
出力端子３の電位はトランジスタQ3のエミツタ
電位にほぼ等しい。この回路状態は、R1＝R2＝
R3＝零〔Ω〕として、ダイオード接続したトラ
ンジスタQ1とトランジスタQ2，Q3でカレントミ
ラーに構成して、カレントミラーの原理からトラ
ンジスタQ3のエミツタ面積をトランジスタQ1，
Q2のエミツタ面積より大きくすることによつて
も実現できる。いま、互いに逆極性の交流信号
Vinが増加すると、トランジスタQ5，Q6のコレク
タ電流が増加し、その結果、飽和していたトラン
ジスタQ3のコレクタ電流が増加し、トランジス
タQ3は能動領域で動作するようになり、出力端
子３の電位は降下し、十分大きな前記交流信号
Vinに対しては、出力端子はほぼ接地電位まで達
する。
第２図は前記交流信号Vinと出力電位の関係図
である。
である。
本実施例によれば、前記のように高利得のレベ
ル検出が可能となり、さらに、端子１と端子２の
間に互いに逆極性の交流信号Vinを印加すれば、
トランジスタQ3のコレクタには、トランジスタ
Q5とQ6のコレクタ電流の和が流れるので、それ
ぞれのコレクタ電流に含まれる奇数次の高調波は
打ち消され、出力端子３には直流成分と偶数次の
高調波成分だけが現われ、ひずみの少ないレベル
検出出力が得られ、しかも、レベル検出効率が高
くなる。このことは、前記交流信号Vinに複数の
入力信号が含まれている場合、相互変調ひずみが
少なくなり非常に効果的である。なお、第１図に
示すトランジスタQ5，Q6のコレクタ電流は、ト
ランジスタQ4により、カレントミラーの原理で
定められており、この原理による駆動方法を逸脱
しない範囲で適宜他の回路構成素子の選択などが
可能であることは言うまでもない。
ル検出が可能となり、さらに、端子１と端子２の
間に互いに逆極性の交流信号Vinを印加すれば、
トランジスタQ3のコレクタには、トランジスタ
Q5とQ6のコレクタ電流の和が流れるので、それ
ぞれのコレクタ電流に含まれる奇数次の高調波は
打ち消され、出力端子３には直流成分と偶数次の
高調波成分だけが現われ、ひずみの少ないレベル
検出出力が得られ、しかも、レベル検出効率が高
くなる。このことは、前記交流信号Vinに複数の
入力信号が含まれている場合、相互変調ひずみが
少なくなり非常に効果的である。なお、第１図に
示すトランジスタQ5，Q6のコレクタ電流は、ト
ランジスタQ4により、カレントミラーの原理で
定められており、この原理による駆動方法を逸脱
しない範囲で適宜他の回路構成素子の選択などが
可能であることは言うまでもない。
以上のように本発明によれば、奇数次高調波出
力成分の発生が少なく、温度変動に対して安定
で、かつ高レベルの検出効果が得られる利点を有
するものである。
力成分の発生が少なく、温度変動に対して安定
で、かつ高レベルの検出効果が得られる利点を有
するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２
図はその特性説明図である。 Vcc……直流電源、Vin……互いに逆極性の交
流信号、Q1〜Q3……PNPトランジスタ、Q4〜Q6
……NPNトランジスタ、R1〜R7……抵抗、C1〜
C3……コンデンサ。
図はその特性説明図である。 Vcc……直流電源、Vin……互いに逆極性の交
流信号、Q1〜Q3……PNPトランジスタ、Q4〜Q6
……NPNトランジスタ、R1〜R7……抵抗、C1〜
C3……コンデンサ。
Claims (1)
- １ 互いのベースを共通接続した第１および第２
トランジスタと、コレクタとベースを抵抗を介し
て接続した上記第１および第２トランジスタとは
逆極性の第３トランジスタと、互いのコレクタを
共通接続した上記第３トランジスタとは同極性の
第４および第５トランジスタと、上記第１および
第２トランジスタのベースに直流バイアスを供給
するための直流バイアス回路を具備し、上記第１
トランジスタのコレクタと第３トランジスタのコ
レクタを接続し、さらに上記第４および第５トラ
ンジスタのベースを抵抗を介してそれぞれ上記第
３トランジスタのコレクタに接続し、上記第１お
よび第２トランジスタのエミツタは抵抗を介して
それぞれ電源端子へ接続し、上記第３、第４およ
び第５トランジスタのエミツタは直接、あるいは
抵抗を介して接地し、上記第２トランジスタのコ
レクタと上記第４および第５トランジスタのコレ
クタを共通接続し、上記第４および第５トランジ
スタのそれぞれのベースに互いに逆極性の交流信
号を印加し、その共通接続したコレクタからレベ
ル検出出力を取り出すように構成したことを特徴
とするレベル検出回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56022065A JPS57135370A (en) | 1981-02-16 | 1981-02-16 | Level detecting circuit |
| US06/348,311 US4513209A (en) | 1981-02-16 | 1982-02-11 | Level detector |
| DE3205286A DE3205286C2 (de) | 1981-02-16 | 1982-02-15 | Demodulator für ein amplitudenmoduliertes Signal |
| GB8204304A GB2095937B (en) | 1981-02-16 | 1982-02-15 | Level detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56022065A JPS57135370A (en) | 1981-02-16 | 1981-02-16 | Level detecting circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57135370A JPS57135370A (en) | 1982-08-20 |
| JPH0232585B2 true JPH0232585B2 (ja) | 1990-07-20 |
Family
ID=12072490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56022065A Granted JPS57135370A (en) | 1981-02-16 | 1981-02-16 | Level detecting circuit |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4513209A (ja) |
| JP (1) | JPS57135370A (ja) |
| DE (1) | DE3205286C2 (ja) |
| GB (1) | GB2095937B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3201867C2 (de) * | 1982-01-22 | 1986-06-05 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Demodulator für amplitudenmodulierte Schwingungen |
| GB2145890B (en) * | 1983-09-01 | 1987-05-20 | Plessey Co Plc | Signal strength detector |
| US5111070A (en) * | 1991-01-18 | 1992-05-05 | Allen-Bradley Company, Inc. | DC input circuit with controlled leakage current |
| DE4122029C1 (ja) * | 1991-07-03 | 1992-11-26 | Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising, De | |
| US5270591A (en) * | 1992-02-28 | 1993-12-14 | Xerox Corporation | Content addressable memory architecture and circuits |
| US5448770A (en) * | 1993-04-05 | 1995-09-05 | Motorola, Inc. | Temperature-coefficient controlled radio frequency signal detecting circuitry |
| JP2001526873A (ja) * | 1998-02-26 | 2001-12-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 交流振幅依存形標識の発生装置 |
| US6819184B2 (en) * | 2002-11-06 | 2004-11-16 | Cree Microwave, Inc. | RF transistor amplifier linearity using suppressed third order transconductance |
| US7187914B2 (en) * | 2004-04-09 | 2007-03-06 | Broadcom Corporation | Rectifiers and rectifying methods for use in telecommunications devices |
| JP4689591B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2011-05-25 | 三菱電機株式会社 | 検波回路 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3290520A (en) * | 1965-01-26 | 1966-12-06 | Rca Corp | Circuit for detecting amplitude threshold with means to keep threshold constant |
| NL7508771A (nl) * | 1975-07-23 | 1977-01-25 | Philips Nv | Gelijkrichtschakeling. |
| US4187537A (en) * | 1978-12-21 | 1980-02-05 | Zenith Radio Corporation | Full-wave rectifier |
| JPS5720033A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-02 | Toshiba Corp | Electronic circuit |
| US4336586A (en) * | 1980-12-29 | 1982-06-22 | Motorola, Inc. | Linear full wave rectifier circuit |
-
1981
- 1981-02-16 JP JP56022065A patent/JPS57135370A/ja active Granted
-
1982
- 1982-02-11 US US06/348,311 patent/US4513209A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-02-15 GB GB8204304A patent/GB2095937B/en not_active Expired
- 1982-02-15 DE DE3205286A patent/DE3205286C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3205286C2 (de) | 1986-03-27 |
| JPS57135370A (en) | 1982-08-20 |
| DE3205286A1 (de) | 1982-10-07 |
| US4513209A (en) | 1985-04-23 |
| GB2095937A (en) | 1982-10-06 |
| GB2095937B (en) | 1984-09-19 |
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