JPH0424647Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案はAM検波回路に関する。

〔考案の概要〕

この考案は、AM検波回路において、トランジ
スタにより検波を行い、その検波出力を別のトラ
ンジスタにより増幅して検波用のトランジスタに
負帰還することにより、直線性や歪み特性などの
諸特性を改善するようにしたものである。

〔従来の技術〕

AM検波回路には、第２図に示すように、中間
周波アンプ１からの中間周波信号Siをダイオード
Daにより検波するダイオード検波回路や、第３
図に示すように信号SiをトランジスタQaにより
検波するトランジスタ検波回路などがある。

〔考案が解決しようとする問題点〕

ところが、これらの検波回路では、素子Da，
Qaの電流−電圧特性が指数関数なので、検波出
力に歪みが発生してしまう。

そこで、一般には、信号Siのレベルを大きく、
例えば1V程度として素子Da，Qaの非直線性を無
視できるようにしている。そして、この場合、例
えば3Vの電池で働くようなラジオ受信機では、
その減電圧特性を考慮すると、ICから直接大き
なレベルの信号Siを得ることはできないので、中
間周波トランスTaにより信号Siを必要なレベル
にまで昇圧して素子DaあるいはQaに供給してい
る。

しかし、このようにすると、中間周波トランス
TaがICに対して外付けとなるので、IC化のメリ
ツトが小さくなつてしまう。また、大きなレベル
の信号Siを扱う中間周波トランスTa及び検波回
路がICに外付けされるので、これらの回路から
中間周波成分がリークしてアンテナ回路などに飛
び込み、この結果、発振やビート妨害などを生じ
てしまう。

この考案は、これらの問題点を一掃しようとす
るものである。

〔問題点を解決するための手段〕

この考案によるAM検波回路は、次のような構
成を採つている。即ち、ベースに中間周波信号が
供給される第１のトランジスタQ₁（又は及びQ₂）
のエミツタが第１の抵抗器R₁を通じて直流電源
の一方の出力端T₁に接続され、そのコレクタが
第２及び第３の抵抗器R₂，R₃の直列回路を通じ
て直流電源の他方の出力端（接地）に接続され
て、第１のトランジスタQ₁（又は及びQ₂）にカツ
トオフバイアス乃至カツトオフに近いバイアスが
与えられる。

第１のトランジスタQ₁（又は及びQ₂）とは逆極
性の第２のトランジスタQ₃のベースが第１のト
ランジスタQ₁（及び又はQ₂）のコレクタに接続さ
れ、第２のトランジスタQ₃のコレクタが第１の
トランジスタQ₁（又は及びQ₂）のエミツタに接続
され、第２のトランジスタQ₃のエミツタが第２
及び第３の抵抗器R₂，R₃の接続中点に接続され
ると共に、第１のコンデンサC₁を通じて直流電
源の一方の出力端T₁に接続される。

第２のトランジスタQ₃と同極性でこれと共同
してカレントミラー回路を構成する第３のトラン
ジスタQ₄のベースが第１のトランジスタQ₁（又は
及びQ₂）のコレクタに接続され、第３のトラン
ジスタQ₄のエミツタが第４の抵抗器R₄を通じて
直流電源の他方の出力端（接地）に接続され、第
３のトランジスタQ₄のコレクタが第２のコンデ
ンサC₂を通じて直流電源の他方の出力端（接地）
に接続されると共に、そのコレクタが第２のコン
デンサC₂と共同してローパスフイルタを構成す
る第５の抵抗器R₅を通じて、直流電源の一方の
出力端T₁と同極性の直流電圧の出力端子T₂に接
続される。

そして、第３のトランジスタQ₄のコレクタよ
り中間周波信号の検波出力が得られる。

〔作用〕

この考案によれば、中間周波信号が検波用のト
ランジスタQ₁（Q₂又は及び）により検波（平均値
検波）され、その検波出力がトランジスタQ₁（Q₂
又は及び）とは逆極性のトランジスタQ₃により
増幅されてトランジスタQ₁（Q₂又は及び）に負帰
還されるので、検波出力の歪みを十分に小さくで
きる。実験によれば、中間周波信号のレベルが
0.1〜0.2Vでも十分に歪みの少ない検波出力を得
ることができた。

また、トランジスタQ₁〜Q₃はカツトオフバイ
アスまたはカツトオフに近いバイアスなので、信
号±Siが特に小さいときには、トランジスタQ₁
〜Q₃の高周波特性が変化するが、コンデンサC₁
によりトランジスタQ₁〜Q₃のループゲインが大
きくなり、従つて、信号±Siのレベルが特に小さ
いときでも歪みが十分に小さくなる。さらに、コ
ンデンサC₂だけでなく、コンデンサC₁によつて
もキヤリア成分の除去が行われる。

更に、トランジスタQ₃のエミツタ及び直流電
源の一方の出力端T₁間に接続された第１のコン
デンサC₁によつて、第２及び第３のトランジス
タQ₃，Q₄と第３及び第４の抵抗器R₃，R₄から成
るカレントミラー回路のキヤリア周波数に対する
利得が低減せしめられるので、第２のコンデンサ
C₂及び第５の抵抗器R₅から成るローパスフイル
タと相俟つて、キヤリアリツプル成分が除去され
るため、検波出力へのキヤリアリークを低減する
ことができる。

しかも、中間周波信号±Siのレベルは小さいま
までよいので、この信号±Siがアンテナ回路など
に飛び込むことがなく、安定で良好な受信特性を
実現できる。さらに、信号±Siのレベルが小さい
ので、電源電圧Vccは低くても良く、従つて、電
源が電池であつても問題なく動作する。

また、中間周波アンプ１と直結できると共に、
外付け部品も不要なので、IC化が容易であると
共に、そのメリツトが大きい。

〔実施例〕

第１図において、中間周波アンプ１は等価回路
によつて示され、このアンプ１からは互いに逆相
で、かつ、電源電圧Vccに対して所定のバイアス
電圧E₁を有する中間周波信号±Siが取り出され
る。そして、これら信号±SiがトランジスタQ₁，
Q₂のベースに供給され、これらのエミツタが共
通の抵抗器R₁を通じて電源端子T₁に接続され、
そのコレクタが互いに接続されると共に、抵抗器
R₂，R₃の直列回路を通じて接地される。

また、トランジスタQ₁，Q₂と逆極性のトラン
ジスタQ₃が設けられ、そのベースがトランジス
タQ₁，Q₂のコレクタに接続され、トランジスタ
Q₃のエミツタが抵抗器R₂，R₃の接続中点に接続
されると共に、コンデンサC₁を通じて端子T₁に
接続され、そのコレクタがトランジスタQ₁，Q₂
のエミツタに接続される。さらに、トランジスタ
Q₃と同特性のトランジスタQ₄が設けられ、その
ベースがトランジスタQ₃のベースに接続され、
トランジスタQ₄のエミツタが抵抗器R₄を通じて
接地され、そのコレクタが抵抗器R₅を通じて直
流電源E₂に接続されると共に、出力端子T₂に接
続され、端子T₂と接地との間に、キヤリア成分
除去用のコンデンサC₂が接続される。

なお、この場合、抵抗器R₁，R₂によりトラン
ジスタQ₁〜Q₃はほぼカツトオフバイアス（数
μA）とされる。またR₃＝R₄とされてトランジス
タQ₄はトランジスタQ₃と同じ動作点とされる。

このような構成によれば、アンプ１からの中間
周波信号±Siは、トランジスタQ₁，Q₂により両
波整流され、そのコレクタに検波出力が得られ、
この検波出力がトランジスタQ₃によつて増幅さ
れると共に、このコレクタ出力がトランジスタ
Q₁，Q₂のエミツタに100％負帰還される。従つ
て、トランジスタQ₁，Q₂のコレクタに得られる
検波出力は、トランジスタQ₁，Q₂の非直線性に
起因する歪みが大幅に減少した検波出力となる。

そして、このとき、トランジスタQ₄はトラン
ジスタQ₃と等しい動作点とされているので、ト
ランジスタQ₄のコレクタ電流はトランジスタQ₃
のコレクタ電流に等しくなり、そのトランジスタ
Q₄のコレクタ電流が抵抗器R₃を流れる。従つて、
端子T₂に検波出力電圧が得られると共に、この
検波出力電圧においては歪みが大幅に減少してい
ることになる。

なお、信号±Siのピーク値をe_pとすれば、端子
T₂の出力電圧e_pは、 e_p＝2e_p／π・R₅／R₁ となるので、抵抗器R₁，R₅により検波感度を
任意に設定できる。実験によれば、信号±Siのレ
ベルが0.1〜0.2Vでも十分に歪みの少ない検波出
力を得ることができた。

また、トランジスタQ₁〜Q₃にはカツトオフバ
イアスまたはカツトオフに近いバイアスが与えら
れているので、信号±Siが特に小さいときには、
トランジスタQ₁〜Q₃の高周波特性が変化するが、
コンデンサC₁によりトランジスタQ₁〜Q₃のルー
プゲインが大きくなり、従つて、信号±Siのレベ
ルが特に小さいときでも歪みが十分に小さくな
る。さらに、コンデンサC₂だけでなく、コンデ
ンサC₁によつてもキヤリア成分の除去が行われ
る。

しかも、中間周波信号±Siのレベルは小さいま
までよいので、その信号±Siがアンテナ回路など
に飛び込むことがなく、安定で良好な受信特性を
実現できる。さらに、信号±Siのレベルが小さい
ので、電源電圧Vccは低くてもよく、従つて、電
源が電池であつても問題なく動作する。

また、中間周波アンプ１と直結できると共に、
外付け部品も不要なので、IC化が容易であると
共に、そのメリツトが大きい。

なお、上述においては、トランジスタQ₁，Q₂
により両波整流を行つたが、一方のトランジスタ
による半波整流でもよい。

〔考案の効果〕

この考案によれば、中間周波信号がトランジス
タにより検波され、この検波出力が検波用トラン
ジスタとは逆極性のトランジスタにより増幅され
て検波用のトランジスタに負帰還されるので、検
波出力の歪みを十分に小さくできる。実験によれ
ば、中間周波信号のレベルが0.1〜０，2Vでも十
分に歪みの少ない検波出力を得ることができた。

また、トランジスタQ₁〜Q₃にはカツトオフバ
イアスまたはカツトオフに近いバイアスが与えら
れているので、信号±Siが特に小さいときには、
トランジスタQ₁〜Q₃の高周波特性が変化するが、
コンデンサC₁によりトランジスタQ₁〜Q₃のルー
プゲインが大きくなり、従つて、信号±Siのレベ
ルが特に小さいときでも歪みが十分に小さくな
る。さらに、コンデンサC₂だけでなく、コンデ
ンサC₁によつてもキヤリア成分の除去が行われ
る。

更に、トランジスタQ₃のエミツタ及び直流電
源の一方の出力端T₁間に接続された第１のコン
デンサC₁によつて、第２及び第３のトランジス
タQ₃，Q₄と第３及び第４の抵抗器R₃，R₄から成
るカレントミラー回路のキヤリア周波数に対する
利得が低減せしめられるので、第２のコンデンサ
C₂及び第５の抵抗器R₅から成るローパスフイル
タと相俟つて、キヤリアリツプル成分が除去され
るため、検波出力へのキヤリアリークを低減する
ことができる。

しかも、中間周波信号±Siのレベルは小さいま
までよいので、この信号±Siがアンテナ回路など
に飛び込むことがなく、安定で良好な受信特性を
実現できる。さらに、信号±Siのレベルが小さい
ので、電源電圧Vccは低くてもよく、従つて、電
源が電池であつても問題なく動作する。

また、中間周波アンプ１と直結できると共に、
外付け部品も不要なので、IC化が容易であると
共に、そのメリツトが大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一例の接続図、第２図、第
３図はそれぞれ従来例を示す接続図である。 １は中間周波アンプ、Q₁〜Q₄はそれぞれトラ
ンジスタ、R₁〜R₅はそれぞれ抵抗器、C₁及びC₂
はコンデンサ、T₁は電源端子である。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 ベ−スに中間周波信号が供給される第１のトラ
   ンジスタのエミツタが第１の抵抗器を通じて直流
   電源の一方の出力端に接続され、そのコレクタが
   第２及び第３の抵抗器の直列回路を通じて上記直
   流電源の他方の出力端に接続されて、上記第１の
   トランジスタにカツトオフバイアス乃至カツトオ
   フに近いバイアスが与えられ、 上記第１のトランジスタとは逆極性の第２のト
   ランジスタのベースが上記第１のトランジスタの
   コレクタに接続され、上記第２のトランジスタの
   コレクタが上記第１のトランジスタのエミツタに
   接続され、上記第２のトランジスタのエミツタが
   上記第１及び第２の抵抗器の接続中点に接続され
   ると共に、第１のコンデンサを通じて上記直流電
   源の上記一方の出力端に接続され、 上記第２のトランジスタと同極性でこれと共同
   してカレントミラー回路を構成する第３のトラン
   ジスタのベースが上記第１のトランジスタのコレ
   クタに接続され、上記第３のトランジスタのエミ
   ツタが第４の抵抗器を通じて上記直流電源の他方
   の出力端に接続され、上記第３のトランジスタの
   コレクタが第２のコンデンサを通じて上記直流電
   源の他方の出力端に接続されると共に、そのコレ
   クタが上記第２のコンデンサと共同してローパス
   フイルタを構成する第５の抵抗器を通じて、上記
   直流電源の一方の出力端と同極性の直流電圧の出
   力端子に接続されて成り、 上記第３のトランジスタのコレクタより上記中
   間周波信号の検波出力が得られるようにして成る
   AM検波回路。