JPS58161405A - 周波数変換回路装置 - Google Patents

周波数変換回路装置

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Publication number
JPS58161405A
JPS58161405A JP57044321A JP4432182A JPS58161405A JP S58161405 A JPS58161405 A JP S58161405A JP 57044321 A JP57044321 A JP 57044321A JP 4432182 A JP4432182 A JP 4432182A JP S58161405 A JPS58161405 A JP S58161405A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
base
collector
voltage
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP57044321A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuneo Okubo
大久保 常男
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS58161405A publication Critical patent/JPS58161405A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14Balanced arrangements
    • H03D7/1425Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1433Balanced arrangements with transistors using bipolar transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14Balanced arrangements
    • H03D7/1425Balanced arrangements with transistors
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    • H03D7/00Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14Balanced arrangements
    • H03D7/1425Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1491Arrangements to linearise a transconductance stage of a mixer arrangement
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D2200/00Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
    • H03D2200/0041Functional aspects of demodulators
    • H03D2200/0043Bias and operating point
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D2200/00Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
    • H03D2200/0041Functional aspects of demodulators
    • H03D2200/0084Lowering the supply voltage and saving power

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はラジオ受信機等に用いる周波数変換回路装置に
係り、大入力信号に対して歪が少く低電圧まで動作し、
集積回路化しやすい周波数変換回路装置を提供すること
を目的とするものである。
以下、本発明について実施例の口面と共に説明する。第
1図は本発明の一実施例を示し、入力端子1にはアンテ
ナからの入力信号が加えられ、高周波増幅回路2で高周
波増幅して端子3に高周波信号を出力する。この高周波
信号は同調用コイル5とコンデンサ4でなる同調回路で
同調し、コンデンサ6を介して周波数変換用トランジス
タ7゜8の一方のトランジスタ7のベースに加えられる
一方、局部発掘用トランジスタ2oのコレクタに発振周
波数を決定する同調用コイル24とコンデンサ25でな
る同調回路を接続し、このトランジスタ2oのコレクタ
とエミッタ間にコンデンサ23を接続し、又エミッタと
アース間にコンデンサ22を接続して局部発振回路を構
成している。そして、このトランジスタ20のエミッタ
を抵抗12を介してトランジスタ1oのベースに接続し
、トランジスタ20で発生した局部発振信号をトランジ
スタ1oのベースに加えている。このトランジスタ10
に加えられた局部発振信号はトランジスタ1゜のコレク
タを介してトランジスタ7.8のエミッタに加えられ、
前記トランジスタ7のべ一°スに加えられた高周波信号
と混合される。そして、トランジスタア、8はトランジ
スタ7のコレクタより中間周波トランス27に中間周波
数信号を取り出す周波数変換動作を行う。尚、トランジ
スタ7のコレクタより中間周波数信号を取り出したが、
トランジスタ8のコレクタに中間周波トランスを接続し
、トランジスタ7のコレクタを十B(電源)に接続し、
トランジスタ8のコレクタより中間周波信号を取り出す
ことも可能である。
また、トランジスタ1g、16.17とダイオード14
.13と抵抗15.19は安定化した電圧発生回路を構
成している。抵抗16は電源(十B)をオンしたときの
起動用抵抗であり、高抵抗である。したがって、電源が
オンに々ると抵抗15によりダイオード13.14に電
流が流れる。このときダイオード13.14にはわずか
な電流が流れ、ダイオード14.13に電圧が現われト
ランジスタ18に電流が流れ、さらにカレントミラー回
路のコレクタとベースを接続したダイオード動作のトラ
ンジスタ17とトランジスタ16に電流が流れる。この
電流は次第に大きくなり、抵抗19によって決定される
。ダイオード13,14の電圧降下はトランジスタ18
0ペースエミツタ間の電位差と抵抗19の電圧降下の和
となり、ダイオード14の電圧降下とトランジスタ18
のベースエミッタ間の電圧がほぼ同一のため、ダイオー
ド13の電圧降下と抵抗19の電圧降下がほぼ同じとな
る。ダイオード13の電圧降下は電流が変ってもあ1り
電圧が変化せず約0,7 Vである。
そのため、抵抗19を700Ωにすると抵抗19に電流
は1mAになる。すると、トランジスタ18にも1mA
の電流が流れ、トランジスタ1了、16はカレントミラ
ー回路であるため、トランジスタ17の電流と同じ電流
がトランジスタ16のコレクタにも流れ、ダイオード1
3.14にも約1mAの電流が流れるように安定動作す
る。そのため、電源電圧か6V位から2V位までの間で
はほとんど電流が変化することな(1mA位の電流が流
れ、そして、1.5V位になってダイオード13゜14
の電流が少くなってもダイオード13.14)a 、 
b点とアースの間の電圧はあまり変らない。
即ち、a、b点に安定化された電圧を得ることができる
。この安定化されたa点の電圧(約1.4V)をトラン
ジスタ20のベースに加え、エミッタの抵抗21によっ
て局部発振用トランジスタ2oの電流を設定できる。そ
して、トランジスタ20のエミッタとアース間の電圧は
1.4 V −V B E (0,70)Ho、7Vな
る。そのため、抵抗12を介して局部発振信号をトラン
ジスタ10のベースに加えると共にベースバイヤス電圧
を加えることができる。
しかも、このバイヤス電圧はトランジスタ1oのベース
とエミッタ間の電位とほぼ同一のため、トランジスタ1
oは良好に動作する。一方、a点の電圧はトランジスタ
8のベースにバイヤス電圧として加え、抵抗9を介して
トランジスタ7のベースにもバイヤス電圧として加えて
いる。そのため、トランジスタ7 、8 、20は電源
か約1.5〜1.8V位までの任意電圧まで動作する。
一方、電源が4〜6vと高い場合にはトランジスタ7.
8゜2oのベースとコレクタ間の電圧は十B−(約1.
4V)であるから、大きな入力信号が入ってもコレクタ
側に歪の少い出力信号を取り出すことができる。
ところで、このような構成において、トランジスタ8,
20のベースは交流的にアースすると利得が多く得られ
ることから十B電源にベースを接続し、ベースとコレク
タとを同電位で使用するものが多く、集積回路化したと
きに端子数を少ぐするために十B電源の端子と共用して
いる。しかし、このような場合にはコレクタに大きな出
力を取り出すことが出来ないと同時に歪の大きい信号と
なる欠点があった。これに対し、本実施例ではダイオー
ド13.14が交流的に低インピーダンスであす、トラ
ンジスタ8,2oのベースのインピーダンスを小さくし
ているため、大きな出力を歪なく取り出すことができる
。捷た抵抗12は局部発振回路と周波数変換回路の相互
干渉を少くするためのものであるが、この抵抗17を省
略してトランジスタ20のエミッタとトランジスタ10
のベースを直結しても動作させることは可能である。
また、トランジスタ1oのベースに加える信号を少ぐし
たいときは抵抗11を安定化された電圧のb点とトラン
ジスタ100ベースとの間に接続するとよい。このよう
に構成しても、抵抗12と11で分割され、しかも、b
点の電圧とトランジスタ20のエミッタがほぼ同一電圧
であるため、バイアス電圧もほぼ同一で動作するもので
ある。
一方、コンデンサ6の値が大きな値で中間周波信号に対
してインピーダンスの低いもの(例えば0.01μF)
を用いると、同調コイル5は入力信号に対しては同調さ
れたインピーダンスで高いが、中間周波信号(例えば1
0.7MHz )に対しては低いインピーダンスである
ため、トランジスタ7の内部容量や中間周波増幅回路2
8からの帰還信号が加わりに〈〈なり、安定に動作しや
すい。このようにして、点線30で囲まれる回路は集積
回路化し壕すい回路とすることができるものである。嘩
ナオ、同調コイル6とコンデンサ4でなる同調回路の入
力側には高周波増幅回路2を省略して第2図に示すよう
にアンテナ31からの信号を直接加えても動作するもの
である。
また、局部発振回路は第2図に示すように局部発振用ト
ランジスタ20のベースからエミッタに■還するものを
用いても同じように動作するものである。この場合、ト
ランジスタ200ベースは8点より抵抗23を介してバ
イヤスし、コレクタは十B電源に接続し、ベースはコン
デンサ32で直流カットして同調コイル24とコンデン
サネ6に接続し、コンデンサ22.23でエミッタに帰
トランンスタ2.0には有効でないが、トランジスタ8
のベースには有効に動作している。
以上、詳述したよに本発明によれば、低電圧まで動作し
、歪の少い出力信号を得やすく、集積回路化しやすい利
点を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の周波数変換回路装置の一実施例を示す
回路図、第2図は同装置の他の実施例を示す回路図であ
る。 1・・・・・・高周波増幅回路、7,8,10・・・・
・・周波数変換用トランジスタ、20・・・・・・局部
発振用トランジスタ、4・・・・・・入力信号同調用コ
ンデンサ、5・・・・・・入力信号同調用コイル、2斗
・・・・・・、・・局部発振用コイル、26・・・・・
・局部発振用コンデンサ、27・・・・・・中間周波ト
ランス、28・・・・・・中間周波増幅器。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エミッタが互に接続された周波数変換用の第1、
    第2のトランジスタと、この第1.第2のトランジスタ
    のエミッタにコレクタを接続した第3のトランジスタと
    、局部発振用の第4のトランジスタを有し、上記第4の
    トランジスタのベースおよび上記第1.第2のトランジ
    スタのベースを安定化され2個のダイオード又は2個の
    トランジスタのベースエミッタ間の接触電位差を用いて
    ノ(イヤス・じ、上記第4のトランジスタのエミッタよ
    り上記第3のトランジスタのベースに局部発振信号を加
    え、上記第1.第2のトランジスタの一方のベースに入
    力信号を加え、上記第1.第2のトランジスタの一方の
    コレクタより中間周波数信号を取り出すように構成して
    なる周波数変換回路装置。
  2. (2)第4のトランジスタのエミッタを第1抵抗をを 介して第3のトランジスタベースに接続すると共にダイ
    オードの一個分の電位より第2の抵抗を介して第3のト
    ランジスタのベースにバイヤスを与えるように構成した
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の周波数変
    換回路装置。 号に対してインピーダンスが高くなるように設定したア
    ンテナ同調回路を挿入したことを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の周波数変換回路装置。
JP57044321A 1982-03-18 1982-03-18 周波数変換回路装置 Pending JPS58161405A (ja)

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JPS58161405A true JPS58161405A (ja) 1983-09-26

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ID=12688221

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JP57044321A Pending JPS58161405A (ja) 1982-03-18 1982-03-18 周波数変換回路装置

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JP (1) JPS58161405A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07122939A (ja) * 1993-10-27 1995-05-12 Nec Corp 周波数逓倍・ミキサ回路
JPH08154019A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Nec Corp ミキサ回路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07122939A (ja) * 1993-10-27 1995-05-12 Nec Corp 周波数逓倍・ミキサ回路
JPH08154019A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Nec Corp ミキサ回路

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