JPS5912051B2 - 受信機 - Google Patents
受信機Info
- Publication number
- JPS5912051B2 JPS5912051B2 JP4303075A JP4303075A JPS5912051B2 JP S5912051 B2 JPS5912051 B2 JP S5912051B2 JP 4303075 A JP4303075 A JP 4303075A JP 4303075 A JP4303075 A JP 4303075A JP S5912051 B2 JPS5912051 B2 JP S5912051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- intermediate frequency
- bias voltage
- variable capacitance
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
ＡＭ受信機として第１図に示すような構成が考えられる
。
。
すなわち、アンテナ１よりの受信信号が、同調回路２に
供給されて所望の周波数の信号が取り出され、この取り
出された信号が、ミキサ回路３に供給されると共に、局
孔一発振回路４よりその共振回路５によつて定まる所定
の周波数の局部発振信号がミキサ回路３に供給されて同
調回路２よりの信号は周波数変換される。そしてミキサ
回路３の出力信号が、セラミックフィルタ６に供給され
て中間周波信号が取り出され、この中間周波信号がアン
プＴにより増幅されてからコンデンサ８を通じてトラン
ジスタ９に供給され、これにてその中間周波信号はＡＭ
検波され、そのエミッタに検波信号が取り出される。こ
の場合、図の鎖線で囲んだ部分、すなわちミキサ回路３
、局部発振回路４、アンプＴ、トランジスタ９は、１つ
のＩＣＶｃＩＣ化できるが、コンデンサ８はＩＣ化でき
ず、外付けとしなければならない。
供給されて所望の周波数の信号が取り出され、この取り
出された信号が、ミキサ回路３に供給されると共に、局
孔一発振回路４よりその共振回路５によつて定まる所定
の周波数の局部発振信号がミキサ回路３に供給されて同
調回路２よりの信号は周波数変換される。そしてミキサ
回路３の出力信号が、セラミックフィルタ６に供給され
て中間周波信号が取り出され、この中間周波信号がアン
プＴにより増幅されてからコンデンサ８を通じてトラン
ジスタ９に供給され、これにてその中間周波信号はＡＭ
検波され、そのエミッタに検波信号が取り出される。こ
の場合、図の鎖線で囲んだ部分、すなわちミキサ回路３
、局部発振回路４、アンプＴ、トランジスタ９は、１つ
のＩＣＶｃＩＣ化できるが、コンデンサ８はＩＣ化でき
ず、外付けとしなければならない。
しかしこのコンデンサ８は、単なる直流カット用のカッ
プリングコンデンサであり、そのようなコンデンサ８を
外付けしたのでは、ＩＣに外付け部品が増えたり、ある
いは外部接続ピンが増えたりしてＩＣ化の効果が少なく
なつてしまう。本発明は、このような点にかんがみ、こ
のコンデンサ８を省略してＩＣ化の効果を高めようとす
るものである。このため本発明においては、コンデンサ
８に代えて可変容量ダイオードを使用すると共に、これ
Ｊ をコンデンサとして働かせるための逆バイアス電圧
を与えるようにしたもので、以下その一例について説明
しよう。
プリングコンデンサであり、そのようなコンデンサ８を
外付けしたのでは、ＩＣに外付け部品が増えたり、ある
いは外部接続ピンが増えたりしてＩＣ化の効果が少なく
なつてしまう。本発明は、このような点にかんがみ、こ
のコンデンサ８を省略してＩＣ化の効果を高めようとす
るものである。このため本発明においては、コンデンサ
８に代えて可変容量ダイオードを使用すると共に、これ
Ｊ をコンデンサとして働かせるための逆バイアス電圧
を与えるようにしたもので、以下その一例について説明
しよう。
第２図の例においては、中間周波アンプＴは、増幅素子
即ちトランジスタ２１及び２２よりなる； 差動アンプ
１１とトランジスタ２６、２７よりなる差動アンプ１２
とカレントミラー回路１３、１４とにより構成される。
即ちトランジスタ２１及び２２よりなる； 差動アンプ
１１とトランジスタ２６、２７よりなる差動アンプ１２
とカレントミラー回路１３、１４とにより構成される。
すなわち、トランジスタ２１，２２のエミツタが定電流
源用のトランジスタ２３のコレクタに接続され、そのエ
ミツタが接地端子３５に接続され、トランジスタ２１，
２２のコレクタに抵抗器４１，４２が接続され、トラン
ジスタ２２のベースが入力端子３１に接続されて差動ア
ンプ１１が構成される。また抵抗器４１，４２がトラン
ジスタ２４のコレクタに接続されると共に、そのベース
とトランジスタ２５のベースとに接続され、トランジス
タ２４，２５のエミツタが端子３３に接続されてカレン
トミラー回路１３が構成される。
源用のトランジスタ２３のコレクタに接続され、そのエ
ミツタが接地端子３５に接続され、トランジスタ２１，
２２のコレクタに抵抗器４１，４２が接続され、トラン
ジスタ２２のベースが入力端子３１に接続されて差動ア
ンプ１１が構成される。また抵抗器４１，４２がトラン
ジスタ２４のコレクタに接続されると共に、そのベース
とトランジスタ２５のベースとに接続され、トランジス
タ２４，２５のエミツタが端子３３に接続されてカレン
トミラー回路１３が構成される。
そしてトランジスタ２５のコレクタがトランジスタ２６
，２７のエミツタに接続され、トランジスタ２６，２７
のベースがトランジスタ２２，２１のコレクタにそれぞ
れ接続されて差動アンプ１２が構成される。さらにトラ
ンジスタ２６，２７のコレクタがトランジスタ２８，２
９のコレクタにそれぞれ接続されると共に、トランジス
タ２８のコレクタがそのベースに接続され、トランジス
タ２８，２９のエミツタが端子３５に接続されてカレン
トミラー回路１４が構成される。またトランジスタ２７
のコレクタが、抵抗器４３，４４を通じてトランジスタ
２２のベースに接続されると共に、抵抗器４３と４４と
の接続へが端子３２に接続され、端子３２はバイパスコ
ンデンサ５１を通じて接地される。さらに検波回路１５
がトランジスタ６１，６２により構成される。
，２７のエミツタに接続され、トランジスタ２６，２７
のベースがトランジスタ２２，２１のコレクタにそれぞ
れ接続されて差動アンプ１２が構成される。さらにトラ
ンジスタ２６，２７のコレクタがトランジスタ２８，２
９のコレクタにそれぞれ接続されると共に、トランジス
タ２８のコレクタがそのベースに接続され、トランジス
タ２８，２９のエミツタが端子３５に接続されてカレン
トミラー回路１４が構成される。またトランジスタ２７
のコレクタが、抵抗器４３，４４を通じてトランジスタ
２２のベースに接続されると共に、抵抗器４３と４４と
の接続へが端子３２に接続され、端子３２はバイパスコ
ンデンサ５１を通じて接地される。さらに検波回路１５
がトランジスタ６１，６２により構成される。
すなわち、トランジスタ６１，６２がダーリントン接続
され、そのコレクタが端子３３に接続され、トランジス
タ６２のエミツタが出力端子３４に接続されると共に、
抵抗器４５４５を通じて端子３５に接続される。そして
トランジスタ２７のコレクタと、トランジスタ６１のベ
ースとの間に、町変容量ダイオード７１が接続される。
され、そのコレクタが端子３３に接続され、トランジス
タ６２のエミツタが出力端子３４に接続されると共に、
抵抗器４５４５を通じて端子３５に接続される。そして
トランジスタ２７のコレクタと、トランジスタ６１のベ
ースとの間に、町変容量ダイオード７１が接続される。
なおこの場合、町変容量ダイオード７１は、例えばコレ
クタとエミツタとが共通接続されたときのベース・コレ
クタ及びエミツタ間容量を使用できる。
クタとエミツタとが共通接続されたときのベース・コレ
クタ及びエミツタ間容量を使用できる。
更に端子３３と３５との間に、バイアス回路１６が構成
されている。
されている。
これは第２図よりも明らかなように、抵抗器４６とダイ
オード８１〜８６とが直列に接続されて構成されている
もので、ダイオード８１〜８６はダイオード接続された
トラフンジスタを使用することができる。
オード８１〜８６とが直列に接続されて構成されている
もので、ダイオード８１〜８６はダイオード接続された
トラフンジスタを使用することができる。
そして抵抗器４６とダイオード８１との接続点に得られ
る電圧（便宜上Ｖ１とする）を第１のバイアス電圧とし
、ダイオード８３と８４との接続点に得られる電圧（同
Ｖ２とする）を第２のバイアス電圧とし、ダイオード８
５と８６との接続点に得られる電圧（同Ｖ３とする）を
第３のバイアス電圧とするとき、Ｖ１〉Ｖ２〉Ｖ３の関
係を有し、第１のバイアス電圧Ｖ１が得られる接続点が
、抵抗器４７を通じて可変容量ダイオード７１のカソー
ド側即ちトランジスタ６１のベースに接続され、第２の
バイアス電圧Ｖ２が得られる接続点が、トランジスタ２
１のベースに接続され、第３のバイアス電圧Ｖ３が得ら
れる接続点が、トランジスタ２３のベースに接続される
。
る電圧（便宜上Ｖ１とする）を第１のバイアス電圧とし
、ダイオード８３と８４との接続点に得られる電圧（同
Ｖ２とする）を第２のバイアス電圧とし、ダイオード８
５と８６との接続点に得られる電圧（同Ｖ３とする）を
第３のバイアス電圧とするとき、Ｖ１〉Ｖ２〉Ｖ３の関
係を有し、第１のバイアス電圧Ｖ１が得られる接続点が
、抵抗器４７を通じて可変容量ダイオード７１のカソー
ド側即ちトランジスタ６１のベースに接続され、第２の
バイアス電圧Ｖ２が得られる接続点が、トランジスタ２
１のベースに接続され、第３のバイアス電圧Ｖ３が得ら
れる接続点が、トランジスタ２３のベースに接続される
。
このような構成によれば、フイルタ６より端子３１を通
じてトランジスタ２２のベースに中間周波信号が供給さ
れ、この中間周波信号は、差動アンプ１１，１２により
順次増幅されてトランジスタ２７のコレクタに取り出さ
れる。
じてトランジスタ２２のベースに中間周波信号が供給さ
れ、この中間周波信号は、差動アンプ１１，１２により
順次増幅されてトランジスタ２７のコレクタに取り出さ
れる。
そしてこの場合、トランジスタ２７のコレクタから抵抗
器４３，４４を通じて前段である増幅素子としてのトラ
ンジスタ２２のベースに負帰還がかかるが、抵抗器４３
と４４との接続点がコンデンサ５１を通じて交流的にバ
イパスされているので、トランジスタ２７のコレクタか
らトランジスタ２２への負帰還は直流負帰還となり、安
定化される。従つてトランジスタ２７のコレクタ電位は
、トランジスタ２２のベース電位で決まる。そしてこの
トランジスタ２２のベース電位はトランジスタ２１のベ
ース電位で決まるので、町変容量ダイオード７１のアノ
ード電位は、ダイオード８３と８４との接続点の電位で
決まる。また町変容量ダイオード７１のカソード亀位は
、抵抗器４６とダイオード８１との接続点の電位で決ま
る。従つて抵抗器４６とダイオード８１との接続点の電
位と、ダイオード８３と８４との接続点との電位とによ
り町変容量ダイオード７１は逆バイアスされ、接合容量
が得られる。
器４３，４４を通じて前段である増幅素子としてのトラ
ンジスタ２２のベースに負帰還がかかるが、抵抗器４３
と４４との接続点がコンデンサ５１を通じて交流的にバ
イパスされているので、トランジスタ２７のコレクタか
らトランジスタ２２への負帰還は直流負帰還となり、安
定化される。従つてトランジスタ２７のコレクタ電位は
、トランジスタ２２のベース電位で決まる。そしてこの
トランジスタ２２のベース電位はトランジスタ２１のベ
ース電位で決まるので、町変容量ダイオード７１のアノ
ード電位は、ダイオード８３と８４との接続点の電位で
決まる。また町変容量ダイオード７１のカソード亀位は
、抵抗器４６とダイオード８１との接続点の電位で決ま
る。従つて抵抗器４６とダイオード８１との接続点の電
位と、ダイオード８３と８４との接続点との電位とによ
り町変容量ダイオード７１は逆バイアスされ、接合容量
が得られる。
従つてトランジスタ２７のコレクタに得られた中間周波
信号は、その可変容量ダイオード７１の接合容量を通じ
てトランジスタ６１，６２に供給される。そしてこの中
間周波信号！ま、トランジスタ６１，６２によりトラン
ジスタ検波され、端子３４にその検波信号が取り出され
る。こうして端子３４に検波信号が取り出されるわけで
あるが、この場合、本発明によれば、中間周波アンプ７
よりの中間周波信号を可変容量ダイオード７１を通じて
検波回路１５に供給することによりカツプリングコンデ
ンサ８を必要としないので、ＩＣ化が容易である。
信号は、その可変容量ダイオード７１の接合容量を通じ
てトランジスタ６１，６２に供給される。そしてこの中
間周波信号！ま、トランジスタ６１，６２によりトラン
ジスタ検波され、端子３４にその検波信号が取り出され
る。こうして端子３４に検波信号が取り出されるわけで
あるが、この場合、本発明によれば、中間周波アンプ７
よりの中間周波信号を可変容量ダイオード７１を通じて
検波回路１５に供給することによりカツプリングコンデ
ンサ８を必要としないので、ＩＣ化が容易である。
またこの為のピンが不要であり、外付けコンデンサが不
要なので、コストダウンなどＩＣ化の効果が大きい。さ
らに抵抗器４７は、可変容量ダイオード７１に逆バイア
ス電圧を供給すると共に、トランジスタ６１にベースバ
イアス電流を供給するが、トランジスタ６１にはトラン
ジスタ６２がダーリントン接続されているので、抵抗器
４７の値を大きくでき、従つて可変容量ダイオード７１
の容量が小さくても支障がない。またこれにより町変容
量ダイオード７１には十分な逆バイアス電圧を供給でき
るので、大信号時に、可変容量ダイオード７１が順バイ
アスされることがない。第３図の例においては、可変容
量ダイオード７１とトランジスタ６１のベースとの間に
、可変容量ダイオード７１とは逆極性に可変容量ダイオ
ード７２が直列接続され、可変容量ダイオード７１と７
２との接続点に抵抗器４７が接続されると共に、トラン
ジスタ６１のベースが抵抗器４８を通じてダイオード８
３と８４との接続点に接続される。
要なので、コストダウンなどＩＣ化の効果が大きい。さ
らに抵抗器４７は、可変容量ダイオード７１に逆バイア
ス電圧を供給すると共に、トランジスタ６１にベースバ
イアス電流を供給するが、トランジスタ６１にはトラン
ジスタ６２がダーリントン接続されているので、抵抗器
４７の値を大きくでき、従つて可変容量ダイオード７１
の容量が小さくても支障がない。またこれにより町変容
量ダイオード７１には十分な逆バイアス電圧を供給でき
るので、大信号時に、可変容量ダイオード７１が順バイ
アスされることがない。第３図の例においては、可変容
量ダイオード７１とトランジスタ６１のベースとの間に
、可変容量ダイオード７１とは逆極性に可変容量ダイオ
ード７２が直列接続され、可変容量ダイオード７１と７
２との接続点に抵抗器４７が接続されると共に、トラン
ジスタ６１のベースが抵抗器４８を通じてダイオード８
３と８４との接続点に接続される。
従つて可変容量ダイオード７１，７２は、共に逆バイア
スされるので、トランジスタ２７のコレクタに得られた
中間周波信号は、可変容量ダイオード７１の接合容量と
可変容量ダイオード７２との接合容量とを通じて検波回
路１５のトランジスタ６１のベースに供給される。
スされるので、トランジスタ２７のコレクタに得られた
中間周波信号は、可変容量ダイオード７１の接合容量と
可変容量ダイオード７２との接合容量とを通じて検波回
路１５のトランジスタ６１のベースに供給される。
そしてこの場合、可変容量ダイオード７１の電圧対容量
の特性の非直線性が、可変容量ダイオード７２の電圧対
容量の特性の非直線性により相殺されるので、可変容量
ダイオード７１の特性の非直線性によりトランジスタ６
１のベースに供給される中間周波信号が歪むおそれが少
ない。
の特性の非直線性が、可変容量ダイオード７２の電圧対
容量の特性の非直線性により相殺されるので、可変容量
ダイオード７１の特性の非直線性によりトランジスタ６
１のベースに供給される中間周波信号が歪むおそれが少
ない。
第１図は受信機の一例の系統図、第２図及び第３図はそ
れぞれ本発明の一例の接続図である。 ７１，７２は可変容量ダイオードである。
れぞれ本発明の一例の接続図である。 ７１，７２は可変容量ダイオードである。
Claims (1)
- １ 中間周波信号が供給されると共に、この中間周波信
号が取り出される信号出力端の直流電位を、バイアス電
圧により変更できると共に、上記信号出力端の直流電位
を帰還ループを通じて前段の増幅素子に直流的に負帰還
してなり、且つ直結結合されてなる中間周波アンプと、
検波回路と、上記中間周波アンプの出力端と上記検波回
路との間に接続されて上記中間周波アンプよりの中間周
波信号を上記検波回路に供給するようになされた可変容
量ダイオードと、バイアス回路と、このバイアス回路よ
りの第１のバイアス電圧を、上記可変容量ダイオードの
上記検波回路側の電極に供給するバイアス路とを有し、
上記バイアス回路より第２のバイアス電圧を上記中間周
波アンプにバイアス電圧として供給してその信号出力端
の直流電位を決定し、この直流電位と上記第１のバイア
ス電圧とにより上記可変容量ダイオードに逆バイアス電
圧を与えるようにした受信機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4303075A JPS5912051B2 (ja) | 1975-04-09 | 1975-04-09 | 受信機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4303075A JPS5912051B2 (ja) | 1975-04-09 | 1975-04-09 | 受信機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51117814A JPS51117814A (en) | 1976-10-16 |
| JPS5912051B2 true JPS5912051B2 (ja) | 1984-03-21 |
Family
ID=12652534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4303075A Expired JPS5912051B2 (ja) | 1975-04-09 | 1975-04-09 | 受信機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5912051B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100646628B1 (ko) * | 2005-03-21 | 2006-11-23 | 주식회사 포스코 | 용손이 방지된 침적노즐을 이용한 연연주 방법 |
-
1975
- 1975-04-09 JP JP4303075A patent/JPS5912051B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51117814A (en) | 1976-10-16 |
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