JPH0232066A - 液晶化合物 - Google Patents
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- JPH0232066A JPH0232066A JP63179933A JP17993388A JPH0232066A JP H0232066 A JPH0232066 A JP H0232066A JP 63179933 A JP63179933 A JP 63179933A JP 17993388 A JP17993388 A JP 17993388A JP H0232066 A JPH0232066 A JP H0232066A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は液晶化合物就中強誘電性液晶材料にブレン1
−(てその性能改善を行なうことができる新規な液晶化
合物を提供するものであり、従って。
−(てその性能改善を行なうことができる新規な液晶化
合物を提供するものであり、従って。
液晶材料の電気光学的性能を利用した表示素子に使用さ
れるものである。
れるものである。
(従来の技術)
液晶材料を使用した表示素子において、TN型液晶が使
用されているが、応答速度に限界があり、表示素子の使
用範囲にも自ずから限界を生じている1強誘電性液晶が
見つけだされて以来、電界変化に対する応答速度が格段
に速いので、注目を集め、その実用化が盛んに試みられ
ている。しかじなが゛ら、メモリー性の持続、コントラ
ストの向上の点において十分満足す入き物となっていな
い。
用されているが、応答速度に限界があり、表示素子の使
用範囲にも自ずから限界を生じている1強誘電性液晶が
見つけだされて以来、電界変化に対する応答速度が格段
に速いので、注目を集め、その実用化が盛んに試みられ
ている。しかじなが゛ら、メモリー性の持続、コントラ
ストの向上の点において十分満足す入き物となっていな
い。
自発分極の大きい液晶化合物を配合して応答時間を短く
することが試みられているけれども数百マイクロセカン
ドの応答時間であり、必ずしも満足本発明は強誘電性液
晶材料にブレンドし、そのSmC相の上限温度を更に高
温側に拡げ、コーン角を大きくし、低周波ACスタビラ
イズを可能にすることかできる性能を持っている新規な
液晶化合九る。即ち。
することが試みられているけれども数百マイクロセカン
ドの応答時間であり、必ずしも満足本発明は強誘電性液
晶材料にブレンドし、そのSmC相の上限温度を更に高
温側に拡げ、コーン角を大きくし、低周波ACスタビラ
イズを可能にすることかできる性能を持っている新規な
液晶化合九る。即ち。
子を示す)
子を示す)
で示される化合物とを反応させる。ここにおいて反応は
、エチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジクロロエタン、トリクロロエタン、ジメチルホル
ムアミド、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキサン
、酢酸エチルなど適宜?8媒中N、N−ジシクロへキシ
ルカルボジイミド、塩化チオニル、三塩化燐など縮合剤
の存在で行なわれる。若しくは式(1)で示される化合
物の反応性誘導体例えば酸ハライド、N−ベンゾイルイ
ミダゾール、炭酸モノエステルとの混合酸無水物などを
使って行なわれる。
、エチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジクロロエタン、トリクロロエタン、ジメチルホル
ムアミド、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキサン
、酢酸エチルなど適宜?8媒中N、N−ジシクロへキシ
ルカルボジイミド、塩化チオニル、三塩化燐など縮合剤
の存在で行なわれる。若しくは式(1)で示される化合
物の反応性誘導体例えば酸ハライド、N−ベンゾイルイ
ミダゾール、炭酸モノエステルとの混合酸無水物などを
使って行なわれる。
かくて式
なりて水素原子又はフッ素原子を示す。ただし、X工、
X2が同時に水素原子であることはない)で示される本
発明目的化合物が得られる6得られた化合物は、これを
強誘電性カイラルスメクチック液晶材料にブレンドする
と、当該液晶材料にコレステリック相を持たせ、それに
よってコーン角の拡大に寄与し、ひいてはコントラスト
の改善につながる。更に、ACスタビライズにおける周
波数を小さくできるとともにSmC相の上限温度を更に
上方へ拡大できるという性能を持ち合わせている。
X2が同時に水素原子であることはない)で示される本
発明目的化合物が得られる6得られた化合物は、これを
強誘電性カイラルスメクチック液晶材料にブレンドする
と、当該液晶材料にコレステリック相を持たせ、それに
よってコーン角の拡大に寄与し、ひいてはコントラスト
の改善につながる。更に、ACスタビライズにおける周
波数を小さくできるとともにSmC相の上限温度を更に
上方へ拡大できるという性能を持ち合わせている。
原料として使用される式(1)で示される化合物は次の
ようにして造られる。
ようにして造られる。
又式(n)で示される化合物は次のようにして造られる
。
。
(式中?4.X工は前記と同し)
を記述する。これによって本発明によって達成された効
果も明らかにされる。
果も明らかにされる。
実施例1
4−(5−n−オクチル−2−ピリミジニル)フェニル
3′−フルオロ−4′−へブチルオキシ安息香酸エステ
ルの合成: 3−フルオロ−4−ヘプチルオキシ安息香酸1゜6に、
5−n−オクチル−2−(4−ヒドロキシフェニル)ピ
リミジン1.78g、エーテル30ITI 、1をフラ
スコ二人れ、N、N−ジシクロヘキシルレジ力ルポジイ
ミド1.29g、4−ジメチルアミノピリジン76mg
を加え室温で一昼夜反応した。反応生成物を酢酸エチル
で抽出した。有機層を水洗、・乾燥したのち、減圧濃縮
した。得られた生成物をシリカゲルグロマトグラフィー
、再結晶により精製して連記化合物を得た。畳量2,2
gシュ゛’(4wし′ IRスペクトルv (cm’) : 174
0.1り一邸 (1;20,1590,1520,1285.9358
.54.s、2H,6,81〜8.50.m。
3′−フルオロ−4′−へブチルオキシ安息香酸エステ
ルの合成: 3−フルオロ−4−ヘプチルオキシ安息香酸1゜6に、
5−n−オクチル−2−(4−ヒドロキシフェニル)ピ
リミジン1.78g、エーテル30ITI 、1をフラ
スコ二人れ、N、N−ジシクロヘキシルレジ力ルポジイ
ミド1.29g、4−ジメチルアミノピリジン76mg
を加え室温で一昼夜反応した。反応生成物を酢酸エチル
で抽出した。有機層を水洗、・乾燥したのち、減圧濃縮
した。得られた生成物をシリカゲルグロマトグラフィー
、再結晶により精製して連記化合物を得た。畳量2,2
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7F(,4,07,t、2H,2,60,t、2H。
0、 6−2. 1.m、 28H
転移温度:Pc
実施例2
3−フルオロ−4−(5−n−オクチル−2−ピリミジ
ニル)フェニル4n−へブチルオキシ安息香酸エステル
の合成: 4−n−へブチルオキシ安息香酸1゜56g、5−n−
オクチル−(2−ヒドロキシ−3−フルオロフェニル)
ピリミジン2g、N、N−ジシクロヘキシルジカルボジ
イミド1.36g、4−ジメチルアミノピリジン80
m gを使って酢酸エチル中で、実施例】−と同様に処
理して連記化合物を得た。畳量2g IRスペクト/L’v”:l−”’(crrT’)81
742,1悄へX′ 615.1595,1,555,1530,1255.
1170 8.63. s、 2H,6,91〜8. 39.
m。
ニル)フェニル4n−へブチルオキシ安息香酸エステル
の合成: 4−n−へブチルオキシ安息香酸1゜56g、5−n−
オクチル−(2−ヒドロキシ−3−フルオロフェニル)
ピリミジン2g、N、N−ジシクロヘキシルジカルボジ
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m gを使って酢酸エチル中で、実施例】−と同様に処
理して連記化合物を得た。畳量2g IRスペクト/L’v”:l−”’(crrT’)81
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1170 8.63. s、 2H,6,91〜8. 39.
m。
7)I、4.04. t、 2I(、2,62,t
、 2H。
、 2H。
0、 62〜2. 06.m、 28H転移温度:0
0 ’、3.: l、・色例;3 3−フルオロ−4−(5−n−オクチル−ピリミーへブ
チルオキシ安息香酸エステルの合成:3−フルオロ−4
−n−へブチルオキシ安息香酸1.68g、5−n−オ
クチル−(2−ヒドロキシ−3−フルオロフェニル)ピ
リミジン2g、N。
0 ’、3.: l、・色例;3 3−フルオロ−4−(5−n−オクチル−ピリミーへブ
チルオキシ安息香酸エステルの合成:3−フルオロ−4
−n−へブチルオキシ安息香酸1.68g、5−n−オ
クチル−(2−ヒドロキシ−3−フルオロフェニル)ピ
リミジン2g、N。
N−ジシクロヘキシルジ力ルポジイミド1.36に、4
−ジメチルアミノピリジン80 m gを使って酢酸エ
チル中で、実施例1と同様に処理して連記化合物を得た
。畳量1.8g 丁Rスペクトルジアジ”−”’ (erg’) :
1742. 1t’wtaシに 620.1590,1295,1265,113実施例
1から3で得た化合物をカイラルスメクチック液晶材料
(組成物A)にブレンドしたときの性能を別表に示す。
−ジメチルアミノピリジン80 m gを使って酢酸エ
チル中で、実施例1と同様に処理して連記化合物を得た
。畳量1.8g 丁Rスペクトルジアジ”−”’ (erg’) :
1742. 1t’wtaシに 620.1590,1295,1265,113実施例
1から3で得た化合物をカイラルスメクチック液晶材料
(組成物A)にブレンドしたときの性能を別表に示す。
表から明らかなように、本発明による化合物を用いるこ
とにより、S、C相の上限温度の拡大、コーン角の拡大
、およびACスタビライズ周波散を小さくできる効果が
ある。
とにより、S、C相の上限温度の拡大、コーン角の拡大
、およびACスタビライズ周波散を小さくできる効果が
ある。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (R_1、R_2はアルキル基、X_1、X_2は同一
又は異なりて水素原子又はフッ素原子を示す。ただし、
X_1、X_2が同時に水素原子であることはない)で
示される液晶化合物
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63179933A JP2696175B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 液晶化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63179933A JP2696175B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 液晶化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0232066A true JPH0232066A (ja) | 1990-02-01 |
JP2696175B2 JP2696175B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=16074472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63179933A Expired - Fee Related JP2696175B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 液晶化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2696175B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109097066A (zh) * | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 江苏和成显示科技有限公司 | 近晶相液晶组合物及其在液晶显示器件中应用 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62502893A (ja) * | 1985-05-24 | 1987-11-19 | ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト | 窒素含有複素環式エステル化合物 |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63179933A patent/JP2696175B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62502893A (ja) * | 1985-05-24 | 1987-11-19 | ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト | 窒素含有複素環式エステル化合物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109097066A (zh) * | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 江苏和成显示科技有限公司 | 近晶相液晶组合物及其在液晶显示器件中应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2696175B2 (ja) | 1998-01-14 |
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