JPS63170339A - アルキルシクロヘキシル安息香酸フエニルエステル誘導体 - Google Patents
アルキルシクロヘキシル安息香酸フエニルエステル誘導体Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、新規な液晶化合物を提供するものである１
本発明によって提供される液晶化合物は、強誘電性カイ
ラルスメクチック液晶化合物であって、それ自体で又は
他の液晶化合物とブレンドして、電気光学的効果を利用
した液晶表示装置、オプティカルシャッター等、電気光
学装置の作成に使用されるものである。
本発明によって提供される液晶化合物は、強誘電性カイ
ラルスメクチック液晶化合物であって、それ自体で又は
他の液晶化合物とブレンドして、電気光学的効果を利用
した液晶表示装置、オプティカルシャッター等、電気光
学装置の作成に使用されるものである。
（従来の技術）
液晶化合物として数多く知られているものに、ネマチッ
ク液晶と呼ばれているものがある。このものは、現在、
液晶表示装置に使用されているものの主流をなしている
けれども、表示の大容量化に対しては限界に近づいてい
ると言われている。
ク液晶と呼ばれているものがある。このものは、現在、
液晶表示装置に使用されているものの主流をなしている
けれども、表示の大容量化に対しては限界に近づいてい
ると言われている。
強誘電性液晶は、高速応答性とメモリ性を持っているた
め、次世代の液晶として注Ｌ１を集め、盛んに研究され
ている。その中に、（Ｓ）−２−メチルブチルｐ−（ｐ
−ｎ−デシロキシベンジリデンアミノ）シンナメート（
ＤＯＢＡＭｆ１３Ｇ）がよく知られた化合物としである
。しかし、この化合物は、液晶性を示す温度が６０℃以
上という高い湿度であるため、使用に際して温度的制限
を受ける。
め、次世代の液晶として注Ｌ１を集め、盛んに研究され
ている。その中に、（Ｓ）−２−メチルブチルｐ−（ｐ
−ｎ−デシロキシベンジリデンアミノ）シンナメート（
ＤＯＢＡＭｆ１３Ｇ）がよく知られた化合物としである
。しかし、この化合物は、液晶性を示す温度が６０℃以
上という高い湿度であるため、使用に際して温度的制限
を受ける。
電界応答速度の速いもの、カイラルスメクチック相を呈
する温度領域の広いものが望まれている。
する温度領域の広いものが望まれている。
室温を含む広い温度範囲で液晶性を示す強：Ａ電性カイ
ラルスメクチック液晶を得るために、化合物それ自体の
創製あるいはブレンドによる性能の改善に多くの努力が
払われている。
ラルスメクチック液晶を得るために、化合物それ自体の
創製あるいはブレンドによる性能の改善に多くの努力が
払われている。
（解決しようとする問題点）
本発明は、式（りで示され、それ自体で液晶性を示す新
規な液晶化合物を、更には、他の液晶化合物とブレンド
してＳｍＣ相の上限温度を下げることを提供するもので
ある。
規な液晶化合物を、更には、他の液晶化合物とブレンド
してＳｍＣ相の上限温度を下げることを提供するもので
ある。
（式中Ｒ工は直鎖アルキル基を１り２は鎖中に不斉炭素
原子を有する光学的に活性なアルキルノ、すを示す）（
間−′ｎ点を解決するための手段） 本発明によって提供される化合物は次のようにして造ら
れる。即ち、式（■り （式中、Ｒ工は前記と同じ）で示される化合物又はその
反応性誘導体と式（Ｉｌｌ） （式中、Ｉり２は前記と同じ）で示される化合物とを適
宜溶媒中１反応させることによって造られる。
原子を有する光学的に活性なアルキルノ、すを示す）（
間−′ｎ点を解決するための手段） 本発明によって提供される化合物は次のようにして造ら
れる。即ち、式（■り （式中、Ｒ工は前記と同じ）で示される化合物又はその
反応性誘導体と式（Ｉｌｌ） （式中、Ｉり２は前記と同じ）で示される化合物とを適
宜溶媒中１反応させることによって造られる。
ここにおいて用いられる式（ＩＩ）で示される原料化合
物における置換基Ｒ１としてはペンチル、ヘキシル、ヘ
プチル、オクチル、ノニル、デシルなどの直鎖アルキル
基が挙げられ、一方、式（ｎｒ ）で示されろ化合物に
おける置換基Ｒ２としては（Ｓ）（又は（Ｒ））−２−
メチルブチル、（Ｓ）（又は（Ｒ））−３−メチルペン
チル、（Ｓ）（又は（Ｒ）） −４−メチルヘキシル、
（Ｓ）（又は（Ｒ））−５−メチルヘプチル、（Ｓ）（
又は（Ｒ））−６−メチルオクチル、（Ｓ）（又は（ｒ
＜））−７−メチルノニルなどが挙げられる。
物における置換基Ｒ１としてはペンチル、ヘキシル、ヘ
プチル、オクチル、ノニル、デシルなどの直鎖アルキル
基が挙げられ、一方、式（ｎｒ ）で示されろ化合物に
おける置換基Ｒ２としては（Ｓ）（又は（Ｒ））−２−
メチルブチル、（Ｓ）（又は（Ｒ））−３−メチルペン
チル、（Ｓ）（又は（Ｒ）） −４−メチルヘキシル、
（Ｓ）（又は（Ｒ））−５−メチルヘプチル、（Ｓ）（
又は（Ｒ））−６−メチルオクチル、（Ｓ）（又は（ｒ
＜））−７−メチルノニルなどが挙げられる。
反応に用いられろ溶媒は、例えば、酢酸エチル、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、エチルエーテル。
ン、トルエン、キシレン、エチルエーテル。
イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ヘキサンなどである。
ン、ヘキサンなどである。
縮合剤として、ジシクロへキシルカルボジイミド、オキ
シ塩化婿、塩化チオニルなどを用いると良い。
シ塩化婿、塩化チオニルなどを用いると良い。
反応性誘導体を使用する場合における反応性誘導体とし
ては、酸クロライドなどの酸ハライド、Ｎ−カルボニル
イミダゾール、炭酸モノエステルとの混合酸免（水物、
■）−二トロフェニルエステルなどが挙げられろ。
ては、酸クロライドなどの酸ハライド、Ｎ−カルボニル
イミダゾール、炭酸モノエステルとの混合酸免（水物、
■）−二トロフェニルエステルなどが挙げられろ。
以下実施例を記述して本発明を具体的に説明する。
実施例１
（Ｓ）−／Ｉ−（２−メチルブ１−キシ）フェニル４’
−（／１“−１１−へブチルシクロヘキシル）安息香酸
エステル １．７ｇ （０，００５６モル）の４−（４−ｔ＋−へ
ブチルシクロヘキシル）安息香酸、１．１ｇ（０，００
５７モル）の（Ｓ）−４−（２メチルブ１−キシ）７ｚ
／ ／Ｌ／、１．２ｇ （０，００５７モル）のＮ、
Ｎ−ジシクロへキシルカルボジイミド及び４−ジメチル
アミノピリジン０．１ｇを３０ ｍ ｌの酢酸エチル中
１０時間室温で攪拌した。
−（／１“−１１−へブチルシクロヘキシル）安息香酸
エステル １．７ｇ （０，００５６モル）の４−（４−ｔ＋−へ
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５７モル）の（Ｓ）−４−（２メチルブ１−キシ）７ｚ
／ ／Ｌ／、１．２ｇ （０，００５７モル）のＮ、
Ｎ−ジシクロへキシルカルボジイミド及び４−ジメチル
アミノピリジン０．１ｇを３０ ｍ ｌの酢酸エチル中
１０時間室温で攪拌した。
反応１ｆシを氷水に注ぎ、塩酸酸性として、酢酸エチル
で抽出した。水洗、乾燥、濃縮し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーとエチルアルコールによる再結晶とを
行って１．１ｇの題記化合物を得た。
で抽出した。水洗、乾燥、濃縮し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーとエチルアルコールによる再結晶とを
行って１．１ｇの題記化合物を得た。
ｃαＴ’ｐ’＝ ＋：３．５１１ （Ｃ＝２．１． Ｃ
ＨＣｌ、）ＩＲツヤ−誠’１７３５，１４６５，１２０
０．１’ＨＮＭＲ（６０ＭＨｚ 、 ＣＤＣｌｉ）δｐ
ｐｍ：０．４７〜２．１５ （ｍ、 ３４Ｈ）３
．７２ （ｄ、２Ｈ） ６．９３ （ｄ、４Ｈ ７，２８（ｄ、２Ｈ） ８．０３ （ｄ、２Ｈ） 得られた化合物をピリミジン系カイラルスメクチック液
晶化合物にブレンドしたところＳｍＣ相の下限Ｃｒｔを
下げる働きをした。
ＨＣｌ、）ＩＲツヤ−誠’１７３５，１４６５，１２０
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．７２ （ｄ、２Ｈ） ６．９３ （ｄ、４Ｈ ７，２８（ｄ、２Ｈ） ８．０３ （ｄ、２Ｈ） 得られた化合物をピリミジン系カイラルスメクチック液
晶化合物にブレンドしたところＳｍＣ相の下限Ｃｒｔを
下げる働きをした。
この化合物の相転移温度は下記の如くである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＿１は直鎖アルキル基をＲ＿２は鎖中に不斉炭
素原子を有する光学的に活性なアルキル基を示す）で示
される化合物
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP300287A JPH0737418B2 (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | アルキルシクロヘキシル安息香酸フエニルエステル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP300287A JPH0737418B2 (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | アルキルシクロヘキシル安息香酸フエニルエステル誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63170339A true JPS63170339A (ja) | 1988-07-14 |
| JPH0737418B2 JPH0737418B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=11545155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP300287A Expired - Fee Related JPH0737418B2 (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | アルキルシクロヘキシル安息香酸フエニルエステル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737418B2 (ja) |
-
1987
- 1987-01-09 JP JP300287A patent/JPH0737418B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0737418B2 (ja) | 1995-04-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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