JPH0267253A - エステル誘導体 - Google Patents
エステル誘導体Info
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- JPH0267253A JPH0267253A JP21675888A JP21675888A JPH0267253A JP H0267253 A JPH0267253 A JP H0267253A JP 21675888 A JP21675888 A JP 21675888A JP 21675888 A JP21675888 A JP 21675888A JP H0267253 A JPH0267253 A JP H0267253A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は新規な光学活性エステル誘導体に関するもので
あり、詳しくは液晶化合物又は液晶組成物の成分として
有用な光学活性エステル誘導体に関するものである。
あり、詳しくは液晶化合物又は液晶組成物の成分として
有用な光学活性エステル誘導体に関するものである。
(従来の技術)
液晶化合物が電気光学表示装置に利用されて以来、数多
くの液晶化合物が合成され、ネマチック液晶またはネマ
チック−コレステリック液晶が、ねじれネマチックモー
ド表示素子、コレステリッターネマチック相転移現象利
用表示素子またはゲスト・ホスト効果利用表示素子など
に広く利用されている。
くの液晶化合物が合成され、ネマチック液晶またはネマ
チック−コレステリック液晶が、ねじれネマチックモー
ド表示素子、コレステリッターネマチック相転移現象利
用表示素子またはゲスト・ホスト効果利用表示素子など
に広く利用されている。
しかし、これらの表示素子の応答速度は最高でも数m5
ecのオーダーであり、この点が液晶表示素子の応用範
囲をせばめる一因となっている。
ecのオーダーであり、この点が液晶表示素子の応用範
囲をせばめる一因となっている。
最近になり強誘電性を示す液晶すなわち強誘電性液晶を
用いると、μsecオーダーの高速で応答が得られると
いうことがわかって来た。
用いると、μsecオーダーの高速で応答が得られると
いうことがわかって来た。
従来知られている強誘電性液晶の例としては、1975
年にR,B、Meyerらにより合成された4 −(4
’−n−デシルオキシベンジリデンアミノ)ケイ皮酸−
2−メチルブチルエステル(以下、DOBAMBCと記
す)が挙げられ、該DOBAMBCは、そのカイラルス
メクチックC相(以下、SmC”と記す)において強誘
電性を示すことを特徴としている(J、Physiqu
e、■L−69(1975) )。
年にR,B、Meyerらにより合成された4 −(4
’−n−デシルオキシベンジリデンアミノ)ケイ皮酸−
2−メチルブチルエステル(以下、DOBAMBCと記
す)が挙げられ、該DOBAMBCは、そのカイラルス
メクチックC相(以下、SmC”と記す)において強誘
電性を示すことを特徴としている(J、Physiqu
e、■L−69(1975) )。
1980年になりN、A、CIarkらがDOBAMB
Cを使用した薄膜セルにおいてμsecオーダーの高速
応答を見い出して以来(Appl、phys、Lett
、36 89(1980))多くの、強誘電性液晶の合
成研究がなされて来たが、現状では、 (1)室温で液晶状態であるのは勿論のこと、低温から
高温までの出来るだけ広い範囲で強誘電性液晶状態を示
すこと、 (2)水分、空気、光、熱等に対して安定であること、 (3)誘電率が高く、自発分極が太き(低粘性であるこ
と 等の物性的要求の全てを単一化合物で満たす強誘電性液
晶化合物はなく、何種類かの強誘電性液晶化合物を組み
合せた組成物として用いることによって目的を達してい
る。
Cを使用した薄膜セルにおいてμsecオーダーの高速
応答を見い出して以来(Appl、phys、Lett
、36 89(1980))多くの、強誘電性液晶の合
成研究がなされて来たが、現状では、 (1)室温で液晶状態であるのは勿論のこと、低温から
高温までの出来るだけ広い範囲で強誘電性液晶状態を示
すこと、 (2)水分、空気、光、熱等に対して安定であること、 (3)誘電率が高く、自発分極が太き(低粘性であるこ
と 等の物性的要求の全てを単一化合物で満たす強誘電性液
晶化合物はなく、何種類かの強誘電性液晶化合物を組み
合せた組成物として用いることによって目的を達してい
る。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は単独で、または他の液晶と混合して強誘電液晶
性を示すSmC”を有する新規なエステル誘導体を提供
するものである。
性を示すSmC”を有する新規なエステル誘導体を提供
するものである。
(課題を解決するための手段)
すなわち、本発明は、−数式(1)
%式%(1)
(式中、)71およびR2は炭素数2〜18のアルキル
基を示し、C0は光学活性な炭素原子を示す。)で表わ
されるエステル誘導体を要旨とするものである。
基を示し、C0は光学活性な炭素原子を示す。)で表わ
されるエステル誘導体を要旨とするものである。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明のエステル誘導体は、前記−数式(1)で表わさ
れ、式中、R′およびR2としては、炭素数2〜18の
アルキル基が挙げられ、好ましくはn−プロピル、n−
ブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、
n−オクチル、n−ノニル、n−デシル、n−ウンデシ
ル、n−ドデシル等の炭素数3〜12の直鎖状アルキル
基が挙げられる。
れ、式中、R′およびR2としては、炭素数2〜18の
アルキル基が挙げられ、好ましくはn−プロピル、n−
ブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、
n−オクチル、n−ノニル、n−デシル、n−ウンデシ
ル、n−ドデシル等の炭素数3〜12の直鎖状アルキル
基が挙げられる。
本発明のエステル誘導体は例えば、次の反応により合成
することが出来る。
することが出来る。
(V)
〔■〕
す
(n)
υ
(I[[)
υ
(III)
(IV)
(1) ””°3
(−数式(n)〜(V)中のR′およびRgは前記−数
式〔!〕におけると同意義を示す。)上記反応中(A)
および(C)の反応は例えば、ピリジン中、あるいはジ
オキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒また
はベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒中、ピ
リジン、キノリン、トリエチルアミン等のアミン系脱酸
剤または炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリ
ウム等の無機系脱酸剤の存在下で、例えば、10〜15
0℃の温度で反応することにより、実施することが出来
る。
式〔!〕におけると同意義を示す。)上記反応中(A)
および(C)の反応は例えば、ピリジン中、あるいはジ
オキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒また
はベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒中、ピ
リジン、キノリン、トリエチルアミン等のアミン系脱酸
剤または炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリ
ウム等の無機系脱酸剤の存在下で、例えば、10〜15
0℃の温度で反応することにより、実施することが出来
る。
(B)の反応は例えば、エチルエーテル、イソプロピル
エーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒中、
ブチルアミン等のアルキルアミンの存在下で5〜80°
Cの温度で反応することにより実施することが出来る。
エーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒中、
ブチルアミン等のアルキルアミンの存在下で5〜80°
Cの温度で反応することにより実施することが出来る。
本発明に係るエステル誘導体の具体例として、4−(1
−トリフルオロメチル−n−へブチルオキシカルボニル
)フェニル−4”−(n−オクチルオキシ)ビフェニル
−4−カルボキシレート及び4−(1−)リフルオロメ
チル−n−へブチルオキシカルボニル)フェニル−4’
−(n−デシルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレ
ートが挙げられる。また、上記以外の好適なエステル誘
導体としては例えば下記のようなものがある。
−トリフルオロメチル−n−へブチルオキシカルボニル
)フェニル−4”−(n−オクチルオキシ)ビフェニル
−4−カルボキシレート及び4−(1−)リフルオロメ
チル−n−へブチルオキシカルボニル)フェニル−4’
−(n−デシルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレ
ートが挙げられる。また、上記以外の好適なエステル誘
導体としては例えば下記のようなものがある。
4− (1−トリフルオロメチル−n−ドデシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’−(n −7”ロピルオキ
シ)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−トリフルオロメチル−n−ドデシルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’ −(n−ペンチルオキシ)
ビフェニル−4−カルボキシ1−4− (1−)リフル
オロメチル−n−ドデシルオキシカルボニル)フェニル
−4’ −(n−へブチルオキシ)ビフェニル−4−カ
ルボキシレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−ウンデシルオキシ
カルボニル)フェニル−4”−(n −7’チルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4− (1−)リフルオロメチル−n−ウンデシルオキ
シカルボニル)フェニル−4’−(n−ペンチルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4− (1−1−リフルオロメチル−n−ウンデシルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−へブチルオキ
シ)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−デシルオキシカル
ボニル)フェニル−4’−(n −7’チルオキシ)ビ
フェニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオ
ロメチル−n−デシルオキシカルボニル)フェニル−4
’−(n−ペンチルオキシ)ビフェニル−4−カルボキ
シレート4−(1−トリフルオロメチル−n−デシルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−へキシルオキ
シ)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−)リ
フルオロメチル−n−デシルオキシカルボニル)フェニ
ル−4’−(n−へブチルオキシ)ビフェニル−4−カ
ルボキシレート4−(1−)リフルオロメチル−n−デ
シルオキシカルボニル)フェニル−4” −(n−オク
チルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(
1−トリフルオロメチル−n−ノニルオキシカルボニル
)フェニル−4’−(n−ペンチルオキシ)ビフェニル
−4−カルボキシレート4−(1−)リフルオロメチル
−n−ノニルオキシカルボニル)フェニル−4’ −(
n−ヘキシルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト4−(1−)リフルオロメチル−n−ノニルオキシカ
ルボニル)フェニル−4”−(n−へブチルオキシ)ビ
フェニル−4−カルボキシレート4−(l−トリフルオ
ロメチル−n−オクチルオキシカルボニル)フェニル−
4’−(n−ヘキシルオキシ)ビフェニル−4−カルボ
キシレート 4−(1−トリフルオロメチル−n−オクチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’ −(n−ヘプチルオキシ)
ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−オクチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4” −(n −オクチルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−オクチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4”−(n−ノニルオキシ)ビフ
ェニル−4−カルボキシレート4−(llリフルオロメ
チル−n−オクチルオキシカルボニル)フェニル−4′
−(n−デシルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレ
ート4−(1−)リフルオロメチル−n−へプチルオキ
シカルボニル)フェニル−4’−(n−ヘプチルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−へブチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’ −(n−ドデシルオキシ)
ビフェニル−4−カルボキシレート 4− (1−)リフルオロメチル−n−へキシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’ −(n−オクチルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4− (1−)リフルオロメチル−n−へキシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’ −(n−ノニルオキシ)
ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−)リフル
オロメチル−n−へキシルオキシカルボニル)フェニル
−4′−(n−ドデシルオキシ)ビフェニル−4−カル
ボキシレート 4− (1−)リフルオロメチル−n−ペンチルオキシ
カルボニル)フェニル−4’ −(n−オクチルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−トリフルオロメチル−n−ペンチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’−(n−デシルオキシ)ビフ
ェニル−4−カルボキシレート4−(1−)リフルオロ
メチル−n−ペンチルオキシカルボニル)フェニル−4
’−(n−ドデシルオキシ)ビフェニル−4−カルボキ
シレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−ブチルオキシカル
ボニル)フェニル−4”−(n−デシルオキシ)ビフェ
ニル−4−カルボキシレート4−(1−)リフルオロメ
チル−n−ブチルオキシカルボニル)フェニル−4’−
(n−ドデシルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレ
ート4−(1−)リフルオロメチル−n−プロピルオキ
シカルボニル)フェニル−4’−(n−7’シルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−)リフ
ルオロメチル−n−プロピルオキシカルボニル)フェニ
ル−4’−(n−ト’Jデシルオキシ)ビフェニル−4
−カルボキシレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−プロピルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’ −(n−ペンタデシルオキ
シ)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−1リフルオロメチル−n−ペンタデシルオキ
シカルボニル)フェニル−4’ −(n −プロピルオ
キシ)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−1−リフルオロメチル−n−ペンタデシルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−ブチルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−トリフルオロメチル−n−へブチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’ −(n−ペンタデシルオキ
シ)ビフェニル−4−カルボキシレート 本発明のエステル誘導体は、単独であっても、それらの
混合物であっても液晶化合物として用いることができ、
更には、適当な公知の液晶化合物と組み合せても使用す
ることができ、本発明のエステル誘導体を混合すること
により高温部の液晶温度範囲の広い液晶組成物を得るこ
とが出来る。
カルボニル)フェニル−4’−(n −7”ロピルオキ
シ)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−トリフルオロメチル−n−ドデシルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’ −(n−ペンチルオキシ)
ビフェニル−4−カルボキシ1−4− (1−)リフル
オロメチル−n−ドデシルオキシカルボニル)フェニル
−4’ −(n−へブチルオキシ)ビフェニル−4−カ
ルボキシレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−ウンデシルオキシ
カルボニル)フェニル−4”−(n −7’チルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4− (1−)リフルオロメチル−n−ウンデシルオキ
シカルボニル)フェニル−4’−(n−ペンチルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4− (1−1−リフルオロメチル−n−ウンデシルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−へブチルオキ
シ)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−デシルオキシカル
ボニル)フェニル−4’−(n −7’チルオキシ)ビ
フェニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオ
ロメチル−n−デシルオキシカルボニル)フェニル−4
’−(n−ペンチルオキシ)ビフェニル−4−カルボキ
シレート4−(1−トリフルオロメチル−n−デシルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−へキシルオキ
シ)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−)リ
フルオロメチル−n−デシルオキシカルボニル)フェニ
ル−4’−(n−へブチルオキシ)ビフェニル−4−カ
ルボキシレート4−(1−)リフルオロメチル−n−デ
シルオキシカルボニル)フェニル−4” −(n−オク
チルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(
1−トリフルオロメチル−n−ノニルオキシカルボニル
)フェニル−4’−(n−ペンチルオキシ)ビフェニル
−4−カルボキシレート4−(1−)リフルオロメチル
−n−ノニルオキシカルボニル)フェニル−4’ −(
n−ヘキシルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト4−(1−)リフルオロメチル−n−ノニルオキシカ
ルボニル)フェニル−4”−(n−へブチルオキシ)ビ
フェニル−4−カルボキシレート4−(l−トリフルオ
ロメチル−n−オクチルオキシカルボニル)フェニル−
4’−(n−ヘキシルオキシ)ビフェニル−4−カルボ
キシレート 4−(1−トリフルオロメチル−n−オクチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’ −(n−ヘプチルオキシ)
ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−オクチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4” −(n −オクチルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−オクチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4”−(n−ノニルオキシ)ビフ
ェニル−4−カルボキシレート4−(llリフルオロメ
チル−n−オクチルオキシカルボニル)フェニル−4′
−(n−デシルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレ
ート4−(1−)リフルオロメチル−n−へプチルオキ
シカルボニル)フェニル−4’−(n−ヘプチルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−へブチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’ −(n−ドデシルオキシ)
ビフェニル−4−カルボキシレート 4− (1−)リフルオロメチル−n−へキシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’ −(n−オクチルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4− (1−)リフルオロメチル−n−へキシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’ −(n−ノニルオキシ)
ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−)リフル
オロメチル−n−へキシルオキシカルボニル)フェニル
−4′−(n−ドデシルオキシ)ビフェニル−4−カル
ボキシレート 4− (1−)リフルオロメチル−n−ペンチルオキシ
カルボニル)フェニル−4’ −(n−オクチルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−トリフルオロメチル−n−ペンチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’−(n−デシルオキシ)ビフ
ェニル−4−カルボキシレート4−(1−)リフルオロ
メチル−n−ペンチルオキシカルボニル)フェニル−4
’−(n−ドデシルオキシ)ビフェニル−4−カルボキ
シレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−ブチルオキシカル
ボニル)フェニル−4”−(n−デシルオキシ)ビフェ
ニル−4−カルボキシレート4−(1−)リフルオロメ
チル−n−ブチルオキシカルボニル)フェニル−4’−
(n−ドデシルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレ
ート4−(1−)リフルオロメチル−n−プロピルオキ
シカルボニル)フェニル−4’−(n−7’シルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−)リフ
ルオロメチル−n−プロピルオキシカルボニル)フェニ
ル−4’−(n−ト’Jデシルオキシ)ビフェニル−4
−カルボキシレート 4−(1−)リフルオロメチル−n−プロピルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’ −(n−ペンタデシルオキ
シ)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−1リフルオロメチル−n−ペンタデシルオキ
シカルボニル)フェニル−4’ −(n −プロピルオ
キシ)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−1−リフルオロメチル−n−ペンタデシルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−ブチルオキシ
)ビフェニル−4−カルボキシレート 4−(1−トリフルオロメチル−n−へブチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’ −(n−ペンタデシルオキ
シ)ビフェニル−4−カルボキシレート 本発明のエステル誘導体は、単独であっても、それらの
混合物であっても液晶化合物として用いることができ、
更には、適当な公知の液晶化合物と組み合せても使用す
ることができ、本発明のエステル誘導体を混合すること
により高温部の液晶温度範囲の広い液晶組成物を得るこ
とが出来る。
かかる公知の液晶化合物としては、エステル系、ジエス
テル系、アゾキシ系、アゾ系、シッフ系、ピリミジン系
、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、シクロヘ
キシルシクロヘキサン系、ビシクロオクタン系、ジオキ
サン系あるいは、ベンゼン環、シクロヘキサン環より成
る多環化合物系等が挙げられる。
テル系、アゾキシ系、アゾ系、シッフ系、ピリミジン系
、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、シクロヘ
キシルシクロヘキサン系、ビシクロオクタン系、ジオキ
サン系あるいは、ベンゼン環、シクロヘキサン環より成
る多環化合物系等が挙げられる。
更に、本発明において液晶組成物を形成する場合、公知
の二色性色素、光安定化剤あるいは減粘剤等の添加剤を
併用することが出来る。
の二色性色素、光安定化剤あるいは減粘剤等の添加剤を
併用することが出来る。
(実施例)
次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
実施例1
一般式(1)においてR’ =CaH+t(n)、
R” =CJ+3(n)で表わされる化合物(4−(1
−トリフルオロメチル−n−へブチルオキシカルボニル
)フェニル−4”−(n−オクチルオキシ)ビフェニル
−4−カルボキシレート〕の合成例。
R” =CJ+3(n)で表わされる化合物(4−(1
−トリフルオロメチル−n−へブチルオキシカルボニル
)フェニル−4”−(n−オクチルオキシ)ビフェニル
−4−カルボキシレート〕の合成例。
(1) P−アセチルオキシ安息香酸1−トリフルオ
ロメチル−n−ヘプチルエステルの合成。
ロメチル−n−ヘプチルエステルの合成。
P−アセトキシ安息香酸0.88 gを塩化チオニル5
1allと共に3時間加熱還流した後、未反応の塩化チ
オニルを留去して酸塩化物を得た。
1allと共に3時間加熱還流した後、未反応の塩化チ
オニルを留去して酸塩化物を得た。
1−トリフルオロメチル−1−ヘプタツールし、撹拌し
ながら室温で、上記酸塩化物の全量をトルエン1O11
1に溶解した溶液を滴下し、50℃で3時間撹拌した後
、水100+sj!及びクロロホルム50ccを加える
0分離した有機層を6N−塩酸、5%炭酸ナトリウム水
溶液次いで水で中性になるまで洗浄する。有機層を無水
硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去後、シリカゲルカ
ラムクロマトにより精製することにより、目的の下記の
υ で表わされるP−アセチルオキシ安息香酸1−トリフル
オロメチル−n−ヘプチルエステルを0.3g得た。(
MS (m/e):346.304)IR(kBr):
2930.2855.1?40゜1600.1260.
11B0゜ 1060.825.760cffi−’(2)P−ヒド
ロキシ安息香酸l−トリフルオロメチル−n−ヘプチル
エステルの合成 T1)で得られたP−アセチルオキシ安息香酸−1−ト
リフルオロメチル−n−ヘプチルエステル0.3gとn
−ブチルアミン0.06 gをイソプロピルエーテル1
0a+Itに加えて溶解し、室温で12時間撹拌した後
、水100++ll及びクロロホルム50+++j!を
加える。分離した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去後シリカゲルカラムクロマトにより精製
することにより、目的の下記の弐 で表わされるP−ヒドロキシ安息香酸−1−トリフルオ
ロメチル−n−へブチルエステル0.25 gを得た。
ながら室温で、上記酸塩化物の全量をトルエン1O11
1に溶解した溶液を滴下し、50℃で3時間撹拌した後
、水100+sj!及びクロロホルム50ccを加える
0分離した有機層を6N−塩酸、5%炭酸ナトリウム水
溶液次いで水で中性になるまで洗浄する。有機層を無水
硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去後、シリカゲルカ
ラムクロマトにより精製することにより、目的の下記の
υ で表わされるP−アセチルオキシ安息香酸1−トリフル
オロメチル−n−ヘプチルエステルを0.3g得た。(
MS (m/e):346.304)IR(kBr):
2930.2855.1?40゜1600.1260.
11B0゜ 1060.825.760cffi−’(2)P−ヒド
ロキシ安息香酸l−トリフルオロメチル−n−ヘプチル
エステルの合成 T1)で得られたP−アセチルオキシ安息香酸−1−ト
リフルオロメチル−n−ヘプチルエステル0.3gとn
−ブチルアミン0.06 gをイソプロピルエーテル1
0a+Itに加えて溶解し、室温で12時間撹拌した後
、水100++ll及びクロロホルム50+++j!を
加える。分離した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去後シリカゲルカラムクロマトにより精製
することにより、目的の下記の弐 で表わされるP−ヒドロキシ安息香酸−1−トリフルオ
ロメチル−n−へブチルエステル0.25 gを得た。
(MS (m/e):304.13B)(3)4−(1
−)リフルオロメチル−n−へブチルオキシカルボニル
)フェニル−4’−(n−オクチルオキシ)ビフェニル
−4−カルボキシレートの合成 4′〜n−オクチルオキシビフェニル−4−カルボン酸
0.4gに塩化チオニル10ccを加え、2時間加熱還
流した後、過剰の塩化チオニルを減圧上留去し、4′−
n−オクチルオキシビフェニル−4−カルボン酸塩化物
を得た。
−)リフルオロメチル−n−へブチルオキシカルボニル
)フェニル−4’−(n−オクチルオキシ)ビフェニル
−4−カルボキシレートの合成 4′〜n−オクチルオキシビフェニル−4−カルボン酸
0.4gに塩化チオニル10ccを加え、2時間加熱還
流した後、過剰の塩化チオニルを減圧上留去し、4′−
n−オクチルオキシビフェニル−4−カルボン酸塩化物
を得た。
この塩化物全量をトルエン10ccに溶解した溶液を、
上記(2)で得られたエステル誘導体0.25g。
上記(2)で得られたエステル誘導体0.25g。
ピリジン5 tagをトルエン5 valに溶解した溶
液中に滴下する。50〜55℃で3時間撹拌した後、水
100mA!及びクロロホルム50mfを加える。
液中に滴下する。50〜55℃で3時間撹拌した後、水
100mA!及びクロロホルム50mfを加える。
分離した有機層を、6N−塩酸、次いで5%炭酸ナトリ
ウム水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。
ウム水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。
有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去後シ
リカゲルカラムクロマトにより精製することにより、目
的の下記の式 で表わされるエステル誘導体0.17 gを得た。マス
スペクトルの結果はMS (m/e): 612゜比旋
光度は〔α) +32.44”(C1,03゜クロロ
ホルム)であった。
リカゲルカラムクロマトにより精製することにより、目
的の下記の式 で表わされるエステル誘導体0.17 gを得た。マス
スペクトルの結果はMS (m/e): 612゜比旋
光度は〔α) +32.44”(C1,03゜クロロ
ホルム)であった。
この化合物の相転移温度は以下のごとくである。
(但し、Cryは結晶相、SmC’″はスメクチックC
1′相を、SmAはスメクチックA相を、I、。は等方
性液体を示す。) 実施例2 4−(1−)リフルオロメチル へブチルオキシカルボ
ニル)フェニル−4’−(n−デシルオキシ)ビフェニ
ル−4−カルボキシレートの合成4′−n−デシルオキ
シビフェニル−4−カルボン酸0.43 gに塩化チオ
ニル10ccを加え、2時間加熱還流した後、過剰の塩
化チオニルを減圧上留去し、4′−n−デシルオキシビ
フェニル−4−カルボン酸塩化物を得た。
1′相を、SmAはスメクチックA相を、I、。は等方
性液体を示す。) 実施例2 4−(1−)リフルオロメチル へブチルオキシカルボ
ニル)フェニル−4’−(n−デシルオキシ)ビフェニ
ル−4−カルボキシレートの合成4′−n−デシルオキ
シビフェニル−4−カルボン酸0.43 gに塩化チオ
ニル10ccを加え、2時間加熱還流した後、過剰の塩
化チオニルを減圧上留去し、4′−n−デシルオキシビ
フェニル−4−カルボン酸塩化物を得た。
この塩化物全景をトルエン10ccに溶解した溶液を、
上記実施例1−(2)で得られたエステル誘導体0.2
5g、ピリジン5II11をトルエン5 mlに溶解し
た溶液中に滴下する。50〜55℃で3時間撹拌した後
、水100m1及びクロロホルム50111を加える。
上記実施例1−(2)で得られたエステル誘導体0.2
5g、ピリジン5II11をトルエン5 mlに溶解し
た溶液中に滴下する。50〜55℃で3時間撹拌した後
、水100m1及びクロロホルム50111を加える。
分離した有機層を、6N−塩酸、次いで5%炭酸ナトリ
ウム水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。
ウム水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。
有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去後シ
リカゲルカラムクロマトにより精製することにより、目
的の下記の式 %式% この化合物の相転移温度は以下のごとくである。
リカゲルカラムクロマトにより精製することにより、目
的の下記の式 %式% この化合物の相転移温度は以下のごとくである。
(但し、Cryは結晶相、SmC”はスメクチックC8
相を、SmAはスメクチックA相を、■、。は等方性液
体を示す。) (発明の効果) 本発明化合物は液晶テレビ等のデイスプレィ、光プリン
ターヘッド、光フーリエ変換素子、ライトパルプ等に使
用する強誘電性液晶化合物又は組成物用成分として有用
である。また、本化合物は、光学活性物質なのでホワイ
トテーラ−型液晶表示素子、コレステリンクネマティッ
ク相転移型表示素子に有用であり、スメクチック液晶と
して熱書き込み液晶表示素子に有用である。
相を、SmAはスメクチックA相を、■、。は等方性液
体を示す。) (発明の効果) 本発明化合物は液晶テレビ等のデイスプレィ、光プリン
ターヘッド、光フーリエ変換素子、ライトパルプ等に使
用する強誘電性液晶化合物又は組成物用成分として有用
である。また、本化合物は、光学活性物質なのでホワイ
トテーラ−型液晶表示素子、コレステリンクネマティッ
ク相転移型表示素子に有用であり、スメクチック液晶と
して熱書き込み液晶表示素子に有用である。
Claims (1)
- (1)一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 (式中、R^1およびR^2は炭素数2〜18のアルキ
ル基を示し、C^*は光学活性な炭素原子を示す。)で
表わされるエステル誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21675888A JPH0267253A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | エステル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21675888A JPH0267253A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | エステル誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0267253A true JPH0267253A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16693452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21675888A Pending JPH0267253A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | エステル誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0267253A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02286644A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-26 | Showa Shell Sekiyu Kk | 液晶性化合物 |
JP2008164377A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Univ Of Fukui | 摩耗ゲージ |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP21675888A patent/JPH0267253A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02286644A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-26 | Showa Shell Sekiyu Kk | 液晶性化合物 |
JP2008164377A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Univ Of Fukui | 摩耗ゲージ |
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