JPH035441A - エステル誘導体 - Google Patents

エステル誘導体

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JPH035441A
JPH035441A JP1139756A JP13975689A JPH035441A JP H035441 A JPH035441 A JP H035441A JP 1139756 A JP1139756 A JP 1139756A JP 13975689 A JP13975689 A JP 13975689A JP H035441 A JPH035441 A JP H035441A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
biphenyl
carboxylate
phenyl
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1139756A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Ozawa
鉄男 尾澤
Chiyoko Fukahori
深堀 ちよ子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Kasei Corp
Original Assignee
Mitsubishi Kasei Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Kasei Corp filed Critical Mitsubishi Kasei Corp
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Publication of JPH035441A publication Critical patent/JPH035441A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は新規な光学活性エステル誘導体に関するもので
あり、詳しくは液晶化合物又は液晶組成物の成分として
有用な光学活性エステル誘導体に関するものである。
[従来の技術] 液晶化合物が電気光学表示装置に利用されて以来、数多
くの液晶化合物が合成され、ネマチック液晶又はネマチ
ック−コレステリック液晶が、ねじれネマチックモード
表示素子、コレステリック−ネマチック相転移現象利用
表示素子又はゲスト・ホスト効果利用表示素子等に広く
利用されている。
しかし、これらの表示素子の応答速度は最高でも数m5
ecのオーダーであり、この点が液晶表示素子の応用範
囲をせばめる一因となっている。
これに対して、強誘電性を示す液晶即ち強誘電性液晶を
用いると、μsecオーダーの高速で応答が得られると
いうことが最近になって確認された。
従来知られている強誘電性液晶の例としては、1975
年にR,B、Meyerらにより合成された4−(4’
−n−デシルオキシベンジリデンアミノ)ケイ皮酸−2
−メチルブチルエステル(以下、rDOBAMBcJと
記す。)が挙げられる。DOBAMBCは、そのカイラ
ルスメクチックC相において強誘電性を示すことを特徴
としている(J、Physique、36L−69(1
975))  。
そして、1980年にN、A、C1arkらがDOBA
MBCを使用した薄膜セルにおいてμSeCオーダーの
高速応答が得られることを見出して以来(Appl、p
hys、Lett。
38 89 (1980))、多くの強話電性液晶の合
成研究がなされて来た。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、現在において ■ 室温で液晶状態であるのは勿論のこと、低温から高
温までのできるだけ広い範囲で強話電性液晶状態を示す
■ 水分、空気、光、熱等に対して安定である。
■ 自発分極が大きく低粘性である。
■ 応答速度が速い。
■ 駆動電圧が低い。
等の要求特性の全てを単一化合物で満たす強誘電性液晶
化合物はなく、何種類かの強誘電性液晶化合物を組み合
せた組成物として強誘電性液晶表示素子に使用すること
によって目的を達しているのが現状である。
近年、トリフルオロメチル基を不斉炭素に有するエステ
ル誘導体が検討され、特開昭63−307837に記載
されている(実施例9)が、このものはモノトロピック
液晶である上に、液晶温度領域も高温であり、十分な物
性を有しているとは言えない。
本発明は上記従来の問題点を解決し、強誘電性液晶表示
素子の材料として好適な、上記■〜■の要求特性を十分
に満たす新規光学活性エステル誘導体を提供することを
目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明は、−数式[I] で表わされる光学活性エステル誘導体を要旨とするもの
である。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明のエステル誘導体は、前記−数式[11で表わさ
れ、[11式中、R1及びR2としては、炭素数2〜1
8のアルキル基が挙げられ、好ましくはn−プロピル、
n−ブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル、n−へブチ
ル、n−オクチル、n−ノニル、n−デシル、n−ウン
デシル、n−ドデシル等の炭素数3〜12の直鎖状アル
キル基が挙げられる。
本発明のエステル誘導体は、例えば次の反応手順に従っ
て合成することができる。
[II夏] [V ]         [IV ](なお、一般般
式111〜[V]中のR′及びR2は前記−数式[I]
におけると同意義を示す。)上記反応中、[A]及び[
C]の反応は、例えば、ピリジン中或いはジオキサン、
テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒又はベンゼン、
トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒中において、ピリジ
ン、キノリン、トリエチルアミン等のアミン系脱酸剤又
は炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム等
の無機系脱酸剤の存在下で、10〜150℃の温度で反
応させることにより、実施することができる。
[B]の反応は、例えば、エチルエーテル、イ[!夏!
] 「!V」 ・・・ LBJ ソブロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル
系溶媒中、ブチルアミン等のアルキルアミンの存在下で
5〜80℃の温度で反応させることにより実施すること
かできる。
本発明のエステル話導体の具体例として例えば以下のも
のを挙げることができる。
4−(1−トリフルオロメチル−n−へブチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’−(n−オクチル)ビフェニ
ル−4−カルボキシレート4− (1−1−リフルオロ
メチル−n−へブチルオキシカルボニル)フェニル−4
′−(n−デシル)ビフェニル−4−カルボキシレート
4−(1−1−リフルオロメチル−n−ドデシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’−(n−プロピル)ビフェ
ニル−4−カルボキシレート4−(1−)−リフルオロ
メチル−n−ドデシルオキシカルボニル)フェニル−4
′−(n−ペンチル)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト4−(1−トリフルオロメチル−n−ドデシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’−(n−ヘプチル)ビフェ
ニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメ
チル−n−ウンデシルオキシカルボニル)フェニル−4
’−(n−ブチル)ビフェニル−4−カルボキシレート
4−(1−トリフルオロメチル−n−ウンデシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’−(n−ペンチル)ビフェ
ニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメ
チル−n−ウンデシルオキシカルボニル)フェニル−4
”−(n−ヘプチル)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト4−(1−トリフルオロメチル−n−デシルオキシカ
ルボニル)フェニル−4′−(n−ブチル)ビフェニル
−4−カルボキシレート4−(1−)−リフルオロメチ
ル−n−デシルオキシカルボニル)フェニル−4’−(
n−ペンチル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−
 (1−)−リフルオロメチル−n−デシルオキシカル
ボニル)フェニル−4”−(n−ヘキシル)ビフェニル
−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチル
−n−デシルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n
−ヘプチル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(
1−トリフルオロメチル−n−デシルオキシカルボニル
)フェニル−4’−(n−オクチル)ビフェニル−4−
カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチル−n−
ノニルオキシカルボニル)フェニル−4”−(n−ペン
チル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−ト
リフルオロメチル−n−ノニルオキシカルボニル)フェ
ニル−4′−(n−ヘキシル)ビフェニル−4−カルボ
キシレート4−(1−トリフルオロメチル−n−ノニル
オキシカルボニル)フェニル−4’−(n−ヘプチル)
ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフル
オロメチル−n−オクチルオキシカルボニル)フェニル
−4’−(n−ヘキシル)ビフェニル−4−カルボキシ
レート4−(1−トリフルオロメチル−n−オクチルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−へブチル)ビ
フェニル−4−カルボキシレート4−(1−)−リフル
オロメチル−n−オクチルオキシカルボニル)フェニル
−4’−(n−オクチル)ビフェニル−4−カルボキシ
レート4−(1−トリフルオロメチル−n−オクチルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−ノニル)ビフ
ェニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロ
メチル−n−オクチルオキシカルボニル)フェニル−4
’−(n−デシル)ビフェニル−4−カルボキシレート
4−(1−トリフルオロメチル−n−へブチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’−(n−ヘプチル)ビフェニ
ル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチ
ル−n−へブチルオキシカルボニル)フェニル−4’−
(n−ドデシル)ビフェニル−4−カルボキシレート4
−(1−)−リフルオロメチル−n−へキシルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’−(n−オクチル)ビフェニ
ル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチ
ル−n−へキシルオキシカルボニル)フェニル−4’−
(n−ノニル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−
(1−トリフルオロメチル−n−へキシルオキシカルボ
ニル)フェニル−4’−(n−ドデシル)ビフェニル−
4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチル−
n−ペンチルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n
−オクチル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(
1−1リフルオロメチル−n−ペンチルオキシカルボニ
ル)フェニル−4’−(n−デシル)ビフェニル−4−
カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチル−〇−
ペンチルオキシカルボニル)゛フェニルー4’−(n−
ドデシル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1
−トリフルオロメチル−〇−ブチルオキシカルボニル)
フェニル−4’−(n−デシル)ビフェニル−4−カル
ボキシレート4−(1−トリフルオロメチル−n−ブチ
ルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n−ドデシル
)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフ
ルオロメチル−〇−プロピルオキシカルボニル)フェニ
ル−4’−(n−デシル)ビフェニル−4−カルボキシ
レート4−(1−トリフルオロメチル−n−プロピルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−)−リゾシル
)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−)−リ
フルオロメチル−n−プロピルオキシカルボニル)フェ
ニル−4’−(n−ペンタデシル)ビフェニル−4−カ
ルボン酸塩−ト4−(1−トリフルオロメチル−n−ペ
ンタデシルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n−
プロピル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1
−トリフルオロメチル−n−ペンタデシルオキシカルボ
ニル)フェニル−4’−(n−ブチル)ビフェニル−4
−カルボキシレート4−(1−)−リフルオロメチル−
n−へブチルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n
−ペンタデシル)ビフェニル−4−カルボキシレートこ
のような本発明のエステルお導体は、単独であっても、
それらの混合物であっても液晶化合物として用いること
ができる。
また、本発明のエステル誘導体は、適当な公知の液晶化
合物と組み合せて使用することもでき、本発明のエステ
ル誘導体を混合使用することにより高温部の液晶温度範
囲の広い液晶組成物を得ることができる。かかる公知の
液晶化合物としては、エステル系、ジエステル系、アゾ
キシ系、アゾ系、シッフ系、ピリミジン系、ビフェニル
系、フェニルシクロヘキサン系、シクロへキシルシクロ
ヘキサン系、ビシクロオクタン系、ジオキサン系或いは
、ベンゼン環、シクロヘキサン環よりなる多環化合物系
等が挙げられる。
更に、本発明のエステル誘導体により液晶組成物を形成
する場合、公知の二色性色素、光安定化剤或いは減粘剤
等の添加剤を併用することもできる。
[作用] 前記−数式[11で表わされるエステル誘導体によれば
、強誘電性液晶の要求特性を十分に満足する化合物が提
供される。
[実施例] 次に、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが
、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の実施例に
限定されるものではない。
実施例1 4−(1−トリフルオロメチル−n−へブチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4”−(n−オクチル)ビフェニ
ル−4−カルボキシレート(−数式[1]においてR’
 =(a H+y(n)、R2=CaH+5(n)で表
わされる化合物)の合成4′−n−オクチルビフェニル
−4−カルボン酸0.31gに塩化チオニル10ccを
加え、2時間加熱還流した後、過剰の塩化チオニルを減
圧下留去して、4’−n−オクチルオキシビフェニル−
4−カルボン酸塩化物を得た。
この塩化物全量をトルエン1.OCCに溶解した溶液を
、p−ヒドロキシ安息香酸(1−トリフルオロメチルへ
ブチル)エステル([α]二4 +48.45’″ (
cl、31.クロロホルム))0.2g、ピリジン5m
1をトルエン5mflに溶解した溶液中に滴下した。5
0〜55℃で3時間攪拌した後、水100mJ2及びク
ロロポルム50mjZを加えた。
分離した有機層を、6N塩酸、次いで飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗した。
有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去後シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製すること
により、目的の下記式 で表わされる4−(1−トリフルオロメチル−n−へブ
チルオキシカルボニル)フェニル−4′(n−オクチル
)ビフェニル−4−カルボキシレート0.11gを得た
このエステル誘導体の分析結果は下記の通りであった。
[α] み2+30.94′″ (c  0.68.クロロホルム) MS (m/z)+ 596 (M” )IR(kBr
):2900,1740.16101270、 119
0. 1081 08O770’ また、このエステル誘導体は以下のような相転υを示し
た。
(但し、Cryは結晶相、sIは結晶に近いスメクチッ
ク相、Sc”はスメクチックC1相、sAはスメクチッ
クA相を、Isoは等方性液体を示す。) 実施例2 4−(1−トリフルオロメチル へブチルオキシカルボ
ニル)フェニル−4’−(n−デシル)ビフェニル−4
−カルボキシレート(−数式%式% CaH+3(n)で表わされる化合物)の合成4’−n
−デシルビフェニル−4−カルボン酸0.29gに塩化
チオニル10ccを加え、2時間加熱還流した後、過剰
の塩化チオニルを減圧下留去し、4”−n−デシルビフ
ェニル−4−カルボン酸塩化物を得た。
この塩化物全量をトルエン10ccに溶解した溶液を、
上記実施例1で使用したp−ヒドロキシ安息香酸(1−
トリフルオロメチルへブチル)エステル0.22g、ピ
リジン5mj2をトルエン5ml1に溶解した溶液中に
滴下した。50〜55℃で8時間攪拌した後、水100
mJ2及びクロロホルム50m1を加えた。
分離した有機層を、6N塩酸、次いで飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗した。
有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去後シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製すること
により、目的の下記式 で表わされる4−(1−トリフルオロメチル へブチル
オキシカルボニル)フェニル−4′−(n−デシル)ビ
フェニル−4−カルボキシレート0.12gを得た。
このエステル誘導体の分析結果は下記の通りであった。
[α]:”+27.30@ (c  0.50.クロロホルム) MS (m/z): 624 (M” )IR(kBr
):2900,1740,16101270.1170
.1081 08O770’ また、このエステル誘導体は以下のような相転移を示し
た。
(但し、Cryは結晶相、Slは結晶に近いスメクチッ
ク相、Sc″はスメクチックC1相、SAはスメクチッ
クA相を、Isoは等方性液体を示す。) [発明の効果] 本発明で提供されるエステル誘導体は、強誘電性液晶表
示素子材料に要求される前記■〜■の特性を満たすもの
でありて、液晶テレビ等のデイスプレィ、光プリンター
ヘッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等に使用す
る強訪電性液晶化合物又は組成物用成分として極めて有
用である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式[ I ] ▲数式、化学式、表等があります▼・・・[ I ] 〔式中、R^1及びR^2は、炭素数2〜18のアルキ
    ル基を示し、C^■は不斉炭素原子を示す。〕 で表わされる光学活性エステル誘導体。
JP1139756A 1989-06-01 1989-06-01 エステル誘導体 Pending JPH035441A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1139756A JPH035441A (ja) 1989-06-01 1989-06-01 エステル誘導体

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JP1139756A JPH035441A (ja) 1989-06-01 1989-06-01 エステル誘導体

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JPH035441A true JPH035441A (ja) 1991-01-11

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ID=15252657

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JP1139756A Pending JPH035441A (ja) 1989-06-01 1989-06-01 エステル誘導体

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JP (1) JPH035441A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5716545A (en) * 1995-12-28 1998-02-10 Nippon Soken, Inc. Antiferroelectric liquid crystal composition
US6129859A (en) * 1996-07-25 2000-10-10 Nippon Soken, Inc. Antiferroelectric liquid crystal composition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5716545A (en) * 1995-12-28 1998-02-10 Nippon Soken, Inc. Antiferroelectric liquid crystal composition
US6129859A (en) * 1996-07-25 2000-10-10 Nippon Soken, Inc. Antiferroelectric liquid crystal composition

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