JPH035441A - エステル誘導体 - Google Patents
エステル誘導体Info
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- JPH035441A JPH035441A JP1139756A JP13975689A JPH035441A JP H035441 A JPH035441 A JP H035441A JP 1139756 A JP1139756 A JP 1139756A JP 13975689 A JP13975689 A JP 13975689A JP H035441 A JPH035441 A JP H035441A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は新規な光学活性エステル誘導体に関するもので
あり、詳しくは液晶化合物又は液晶組成物の成分として
有用な光学活性エステル誘導体に関するものである。
あり、詳しくは液晶化合物又は液晶組成物の成分として
有用な光学活性エステル誘導体に関するものである。
[従来の技術]
液晶化合物が電気光学表示装置に利用されて以来、数多
くの液晶化合物が合成され、ネマチック液晶又はネマチ
ック−コレステリック液晶が、ねじれネマチックモード
表示素子、コレステリック−ネマチック相転移現象利用
表示素子又はゲスト・ホスト効果利用表示素子等に広く
利用されている。
くの液晶化合物が合成され、ネマチック液晶又はネマチ
ック−コレステリック液晶が、ねじれネマチックモード
表示素子、コレステリック−ネマチック相転移現象利用
表示素子又はゲスト・ホスト効果利用表示素子等に広く
利用されている。
しかし、これらの表示素子の応答速度は最高でも数m5
ecのオーダーであり、この点が液晶表示素子の応用範
囲をせばめる一因となっている。
ecのオーダーであり、この点が液晶表示素子の応用範
囲をせばめる一因となっている。
これに対して、強誘電性を示す液晶即ち強誘電性液晶を
用いると、μsecオーダーの高速で応答が得られると
いうことが最近になって確認された。
用いると、μsecオーダーの高速で応答が得られると
いうことが最近になって確認された。
従来知られている強誘電性液晶の例としては、1975
年にR,B、Meyerらにより合成された4−(4’
−n−デシルオキシベンジリデンアミノ)ケイ皮酸−2
−メチルブチルエステル(以下、rDOBAMBcJと
記す。)が挙げられる。DOBAMBCは、そのカイラ
ルスメクチックC相において強誘電性を示すことを特徴
としている(J、Physique、36L−69(1
975)) 。
年にR,B、Meyerらにより合成された4−(4’
−n−デシルオキシベンジリデンアミノ)ケイ皮酸−2
−メチルブチルエステル(以下、rDOBAMBcJと
記す。)が挙げられる。DOBAMBCは、そのカイラ
ルスメクチックC相において強誘電性を示すことを特徴
としている(J、Physique、36L−69(1
975)) 。
そして、1980年にN、A、C1arkらがDOBA
MBCを使用した薄膜セルにおいてμSeCオーダーの
高速応答が得られることを見出して以来(Appl、p
hys、Lett。
MBCを使用した薄膜セルにおいてμSeCオーダーの
高速応答が得られることを見出して以来(Appl、p
hys、Lett。
38 89 (1980))、多くの強話電性液晶の合
成研究がなされて来た。
成研究がなされて来た。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、現在において
■ 室温で液晶状態であるのは勿論のこと、低温から高
温までのできるだけ広い範囲で強話電性液晶状態を示す
。
温までのできるだけ広い範囲で強話電性液晶状態を示す
。
■ 水分、空気、光、熱等に対して安定である。
■ 自発分極が大きく低粘性である。
■ 応答速度が速い。
■ 駆動電圧が低い。
等の要求特性の全てを単一化合物で満たす強誘電性液晶
化合物はなく、何種類かの強誘電性液晶化合物を組み合
せた組成物として強誘電性液晶表示素子に使用すること
によって目的を達しているのが現状である。
化合物はなく、何種類かの強誘電性液晶化合物を組み合
せた組成物として強誘電性液晶表示素子に使用すること
によって目的を達しているのが現状である。
近年、トリフルオロメチル基を不斉炭素に有するエステ
ル誘導体が検討され、特開昭63−307837に記載
されている(実施例9)が、このものはモノトロピック
液晶である上に、液晶温度領域も高温であり、十分な物
性を有しているとは言えない。
ル誘導体が検討され、特開昭63−307837に記載
されている(実施例9)が、このものはモノトロピック
液晶である上に、液晶温度領域も高温であり、十分な物
性を有しているとは言えない。
本発明は上記従来の問題点を解決し、強誘電性液晶表示
素子の材料として好適な、上記■〜■の要求特性を十分
に満たす新規光学活性エステル誘導体を提供することを
目的とする。
素子の材料として好適な、上記■〜■の要求特性を十分
に満たす新規光学活性エステル誘導体を提供することを
目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明は、−数式[I]
で表わされる光学活性エステル誘導体を要旨とするもの
である。
である。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明のエステル誘導体は、前記−数式[11で表わさ
れ、[11式中、R1及びR2としては、炭素数2〜1
8のアルキル基が挙げられ、好ましくはn−プロピル、
n−ブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル、n−へブチ
ル、n−オクチル、n−ノニル、n−デシル、n−ウン
デシル、n−ドデシル等の炭素数3〜12の直鎖状アル
キル基が挙げられる。
れ、[11式中、R1及びR2としては、炭素数2〜1
8のアルキル基が挙げられ、好ましくはn−プロピル、
n−ブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル、n−へブチ
ル、n−オクチル、n−ノニル、n−デシル、n−ウン
デシル、n−ドデシル等の炭素数3〜12の直鎖状アル
キル基が挙げられる。
本発明のエステル誘導体は、例えば次の反応手順に従っ
て合成することができる。
て合成することができる。
[II夏]
[V ] [IV ](なお、一般般
式111〜[V]中のR′及びR2は前記−数式[I]
におけると同意義を示す。)上記反応中、[A]及び[
C]の反応は、例えば、ピリジン中或いはジオキサン、
テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒又はベンゼン、
トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒中において、ピリジ
ン、キノリン、トリエチルアミン等のアミン系脱酸剤又
は炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム等
の無機系脱酸剤の存在下で、10〜150℃の温度で反
応させることにより、実施することができる。
式111〜[V]中のR′及びR2は前記−数式[I]
におけると同意義を示す。)上記反応中、[A]及び[
C]の反応は、例えば、ピリジン中或いはジオキサン、
テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒又はベンゼン、
トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒中において、ピリジ
ン、キノリン、トリエチルアミン等のアミン系脱酸剤又
は炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム等
の無機系脱酸剤の存在下で、10〜150℃の温度で反
応させることにより、実施することができる。
[B]の反応は、例えば、エチルエーテル、イ[!夏!
] 「!V」 ・・・ LBJ ソブロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル
系溶媒中、ブチルアミン等のアルキルアミンの存在下で
5〜80℃の温度で反応させることにより実施すること
かできる。
] 「!V」 ・・・ LBJ ソブロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル
系溶媒中、ブチルアミン等のアルキルアミンの存在下で
5〜80℃の温度で反応させることにより実施すること
かできる。
本発明のエステル話導体の具体例として例えば以下のも
のを挙げることができる。
のを挙げることができる。
4−(1−トリフルオロメチル−n−へブチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’−(n−オクチル)ビフェニ
ル−4−カルボキシレート4− (1−1−リフルオロ
メチル−n−へブチルオキシカルボニル)フェニル−4
′−(n−デシル)ビフェニル−4−カルボキシレート
4−(1−1−リフルオロメチル−n−ドデシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’−(n−プロピル)ビフェ
ニル−4−カルボキシレート4−(1−)−リフルオロ
メチル−n−ドデシルオキシカルボニル)フェニル−4
′−(n−ペンチル)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト4−(1−トリフルオロメチル−n−ドデシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’−(n−ヘプチル)ビフェ
ニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメ
チル−n−ウンデシルオキシカルボニル)フェニル−4
’−(n−ブチル)ビフェニル−4−カルボキシレート
4−(1−トリフルオロメチル−n−ウンデシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’−(n−ペンチル)ビフェ
ニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメ
チル−n−ウンデシルオキシカルボニル)フェニル−4
”−(n−ヘプチル)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト4−(1−トリフルオロメチル−n−デシルオキシカ
ルボニル)フェニル−4′−(n−ブチル)ビフェニル
−4−カルボキシレート4−(1−)−リフルオロメチ
ル−n−デシルオキシカルボニル)フェニル−4’−(
n−ペンチル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−
(1−)−リフルオロメチル−n−デシルオキシカル
ボニル)フェニル−4”−(n−ヘキシル)ビフェニル
−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチル
−n−デシルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n
−ヘプチル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(
1−トリフルオロメチル−n−デシルオキシカルボニル
)フェニル−4’−(n−オクチル)ビフェニル−4−
カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチル−n−
ノニルオキシカルボニル)フェニル−4”−(n−ペン
チル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−ト
リフルオロメチル−n−ノニルオキシカルボニル)フェ
ニル−4′−(n−ヘキシル)ビフェニル−4−カルボ
キシレート4−(1−トリフルオロメチル−n−ノニル
オキシカルボニル)フェニル−4’−(n−ヘプチル)
ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフル
オロメチル−n−オクチルオキシカルボニル)フェニル
−4’−(n−ヘキシル)ビフェニル−4−カルボキシ
レート4−(1−トリフルオロメチル−n−オクチルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−へブチル)ビ
フェニル−4−カルボキシレート4−(1−)−リフル
オロメチル−n−オクチルオキシカルボニル)フェニル
−4’−(n−オクチル)ビフェニル−4−カルボキシ
レート4−(1−トリフルオロメチル−n−オクチルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−ノニル)ビフ
ェニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロ
メチル−n−オクチルオキシカルボニル)フェニル−4
’−(n−デシル)ビフェニル−4−カルボキシレート
4−(1−トリフルオロメチル−n−へブチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’−(n−ヘプチル)ビフェニ
ル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチ
ル−n−へブチルオキシカルボニル)フェニル−4’−
(n−ドデシル)ビフェニル−4−カルボキシレート4
−(1−)−リフルオロメチル−n−へキシルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’−(n−オクチル)ビフェニ
ル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチ
ル−n−へキシルオキシカルボニル)フェニル−4’−
(n−ノニル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−
(1−トリフルオロメチル−n−へキシルオキシカルボ
ニル)フェニル−4’−(n−ドデシル)ビフェニル−
4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチル−
n−ペンチルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n
−オクチル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(
1−1リフルオロメチル−n−ペンチルオキシカルボニ
ル)フェニル−4’−(n−デシル)ビフェニル−4−
カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチル−〇−
ペンチルオキシカルボニル)゛フェニルー4’−(n−
ドデシル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1
−トリフルオロメチル−〇−ブチルオキシカルボニル)
フェニル−4’−(n−デシル)ビフェニル−4−カル
ボキシレート4−(1−トリフルオロメチル−n−ブチ
ルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n−ドデシル
)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフ
ルオロメチル−〇−プロピルオキシカルボニル)フェニ
ル−4’−(n−デシル)ビフェニル−4−カルボキシ
レート4−(1−トリフルオロメチル−n−プロピルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−)−リゾシル
)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−)−リ
フルオロメチル−n−プロピルオキシカルボニル)フェ
ニル−4’−(n−ペンタデシル)ビフェニル−4−カ
ルボン酸塩−ト4−(1−トリフルオロメチル−n−ペ
ンタデシルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n−
プロピル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1
−トリフルオロメチル−n−ペンタデシルオキシカルボ
ニル)フェニル−4’−(n−ブチル)ビフェニル−4
−カルボキシレート4−(1−)−リフルオロメチル−
n−へブチルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n
−ペンタデシル)ビフェニル−4−カルボキシレートこ
のような本発明のエステルお導体は、単独であっても、
それらの混合物であっても液晶化合物として用いること
ができる。
ルボニル)フェニル−4’−(n−オクチル)ビフェニ
ル−4−カルボキシレート4− (1−1−リフルオロ
メチル−n−へブチルオキシカルボニル)フェニル−4
′−(n−デシル)ビフェニル−4−カルボキシレート
4−(1−1−リフルオロメチル−n−ドデシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’−(n−プロピル)ビフェ
ニル−4−カルボキシレート4−(1−)−リフルオロ
メチル−n−ドデシルオキシカルボニル)フェニル−4
′−(n−ペンチル)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト4−(1−トリフルオロメチル−n−ドデシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’−(n−ヘプチル)ビフェ
ニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメ
チル−n−ウンデシルオキシカルボニル)フェニル−4
’−(n−ブチル)ビフェニル−4−カルボキシレート
4−(1−トリフルオロメチル−n−ウンデシルオキシ
カルボニル)フェニル−4’−(n−ペンチル)ビフェ
ニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメ
チル−n−ウンデシルオキシカルボニル)フェニル−4
”−(n−ヘプチル)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト4−(1−トリフルオロメチル−n−デシルオキシカ
ルボニル)フェニル−4′−(n−ブチル)ビフェニル
−4−カルボキシレート4−(1−)−リフルオロメチ
ル−n−デシルオキシカルボニル)フェニル−4’−(
n−ペンチル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−
(1−)−リフルオロメチル−n−デシルオキシカル
ボニル)フェニル−4”−(n−ヘキシル)ビフェニル
−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチル
−n−デシルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n
−ヘプチル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(
1−トリフルオロメチル−n−デシルオキシカルボニル
)フェニル−4’−(n−オクチル)ビフェニル−4−
カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチル−n−
ノニルオキシカルボニル)フェニル−4”−(n−ペン
チル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−ト
リフルオロメチル−n−ノニルオキシカルボニル)フェ
ニル−4′−(n−ヘキシル)ビフェニル−4−カルボ
キシレート4−(1−トリフルオロメチル−n−ノニル
オキシカルボニル)フェニル−4’−(n−ヘプチル)
ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフル
オロメチル−n−オクチルオキシカルボニル)フェニル
−4’−(n−ヘキシル)ビフェニル−4−カルボキシ
レート4−(1−トリフルオロメチル−n−オクチルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−へブチル)ビ
フェニル−4−カルボキシレート4−(1−)−リフル
オロメチル−n−オクチルオキシカルボニル)フェニル
−4’−(n−オクチル)ビフェニル−4−カルボキシ
レート4−(1−トリフルオロメチル−n−オクチルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−ノニル)ビフ
ェニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロ
メチル−n−オクチルオキシカルボニル)フェニル−4
’−(n−デシル)ビフェニル−4−カルボキシレート
4−(1−トリフルオロメチル−n−へブチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’−(n−ヘプチル)ビフェニ
ル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチ
ル−n−へブチルオキシカルボニル)フェニル−4’−
(n−ドデシル)ビフェニル−4−カルボキシレート4
−(1−)−リフルオロメチル−n−へキシルオキシカ
ルボニル)フェニル−4’−(n−オクチル)ビフェニ
ル−4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチ
ル−n−へキシルオキシカルボニル)フェニル−4’−
(n−ノニル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−
(1−トリフルオロメチル−n−へキシルオキシカルボ
ニル)フェニル−4’−(n−ドデシル)ビフェニル−
4−カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチル−
n−ペンチルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n
−オクチル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(
1−1リフルオロメチル−n−ペンチルオキシカルボニ
ル)フェニル−4’−(n−デシル)ビフェニル−4−
カルボキシレート4−(1−トリフルオロメチル−〇−
ペンチルオキシカルボニル)゛フェニルー4’−(n−
ドデシル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1
−トリフルオロメチル−〇−ブチルオキシカルボニル)
フェニル−4’−(n−デシル)ビフェニル−4−カル
ボキシレート4−(1−トリフルオロメチル−n−ブチ
ルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n−ドデシル
)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−トリフ
ルオロメチル−〇−プロピルオキシカルボニル)フェニ
ル−4’−(n−デシル)ビフェニル−4−カルボキシ
レート4−(1−トリフルオロメチル−n−プロピルオ
キシカルボニル)フェニル−4’−(n−)−リゾシル
)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1−)−リ
フルオロメチル−n−プロピルオキシカルボニル)フェ
ニル−4’−(n−ペンタデシル)ビフェニル−4−カ
ルボン酸塩−ト4−(1−トリフルオロメチル−n−ペ
ンタデシルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n−
プロピル)ビフェニル−4−カルボキシレート4−(1
−トリフルオロメチル−n−ペンタデシルオキシカルボ
ニル)フェニル−4’−(n−ブチル)ビフェニル−4
−カルボキシレート4−(1−)−リフルオロメチル−
n−へブチルオキシカルボニル)フェニル−4’−(n
−ペンタデシル)ビフェニル−4−カルボキシレートこ
のような本発明のエステルお導体は、単独であっても、
それらの混合物であっても液晶化合物として用いること
ができる。
また、本発明のエステル誘導体は、適当な公知の液晶化
合物と組み合せて使用することもでき、本発明のエステ
ル誘導体を混合使用することにより高温部の液晶温度範
囲の広い液晶組成物を得ることができる。かかる公知の
液晶化合物としては、エステル系、ジエステル系、アゾ
キシ系、アゾ系、シッフ系、ピリミジン系、ビフェニル
系、フェニルシクロヘキサン系、シクロへキシルシクロ
ヘキサン系、ビシクロオクタン系、ジオキサン系或いは
、ベンゼン環、シクロヘキサン環よりなる多環化合物系
等が挙げられる。
合物と組み合せて使用することもでき、本発明のエステ
ル誘導体を混合使用することにより高温部の液晶温度範
囲の広い液晶組成物を得ることができる。かかる公知の
液晶化合物としては、エステル系、ジエステル系、アゾ
キシ系、アゾ系、シッフ系、ピリミジン系、ビフェニル
系、フェニルシクロヘキサン系、シクロへキシルシクロ
ヘキサン系、ビシクロオクタン系、ジオキサン系或いは
、ベンゼン環、シクロヘキサン環よりなる多環化合物系
等が挙げられる。
更に、本発明のエステル誘導体により液晶組成物を形成
する場合、公知の二色性色素、光安定化剤或いは減粘剤
等の添加剤を併用することもできる。
する場合、公知の二色性色素、光安定化剤或いは減粘剤
等の添加剤を併用することもできる。
[作用]
前記−数式[11で表わされるエステル誘導体によれば
、強誘電性液晶の要求特性を十分に満足する化合物が提
供される。
、強誘電性液晶の要求特性を十分に満足する化合物が提
供される。
[実施例]
次に、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが
、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の実施例に
限定されるものではない。
、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の実施例に
限定されるものではない。
実施例1
4−(1−トリフルオロメチル−n−へブチルオキシカ
ルボニル)フェニル−4”−(n−オクチル)ビフェニ
ル−4−カルボキシレート(−数式[1]においてR’
=(a H+y(n)、R2=CaH+5(n)で表
わされる化合物)の合成4′−n−オクチルビフェニル
−4−カルボン酸0.31gに塩化チオニル10ccを
加え、2時間加熱還流した後、過剰の塩化チオニルを減
圧下留去して、4’−n−オクチルオキシビフェニル−
4−カルボン酸塩化物を得た。
ルボニル)フェニル−4”−(n−オクチル)ビフェニ
ル−4−カルボキシレート(−数式[1]においてR’
=(a H+y(n)、R2=CaH+5(n)で表
わされる化合物)の合成4′−n−オクチルビフェニル
−4−カルボン酸0.31gに塩化チオニル10ccを
加え、2時間加熱還流した後、過剰の塩化チオニルを減
圧下留去して、4’−n−オクチルオキシビフェニル−
4−カルボン酸塩化物を得た。
この塩化物全量をトルエン1.OCCに溶解した溶液を
、p−ヒドロキシ安息香酸(1−トリフルオロメチルへ
ブチル)エステル([α]二4 +48.45’″ (
cl、31.クロロホルム))0.2g、ピリジン5m
1をトルエン5mflに溶解した溶液中に滴下した。5
0〜55℃で3時間攪拌した後、水100mJ2及びク
ロロポルム50mjZを加えた。
、p−ヒドロキシ安息香酸(1−トリフルオロメチルへ
ブチル)エステル([α]二4 +48.45’″ (
cl、31.クロロホルム))0.2g、ピリジン5m
1をトルエン5mflに溶解した溶液中に滴下した。5
0〜55℃で3時間攪拌した後、水100mJ2及びク
ロロポルム50mjZを加えた。
分離した有機層を、6N塩酸、次いで飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗した。
リウム水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗した。
有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去後シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製すること
により、目的の下記式 で表わされる4−(1−トリフルオロメチル−n−へブ
チルオキシカルボニル)フェニル−4′(n−オクチル
)ビフェニル−4−カルボキシレート0.11gを得た
。
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製すること
により、目的の下記式 で表わされる4−(1−トリフルオロメチル−n−へブ
チルオキシカルボニル)フェニル−4′(n−オクチル
)ビフェニル−4−カルボキシレート0.11gを得た
。
このエステル誘導体の分析結果は下記の通りであった。
[α] み2+30.94′″
(c 0.68.クロロホルム)
MS (m/z)+ 596 (M” )IR(kBr
):2900,1740.16101270、 119
0. 1081 08O770’ また、このエステル誘導体は以下のような相転υを示し
た。
):2900,1740.16101270、 119
0. 1081 08O770’ また、このエステル誘導体は以下のような相転υを示し
た。
(但し、Cryは結晶相、sIは結晶に近いスメクチッ
ク相、Sc”はスメクチックC1相、sAはスメクチッ
クA相を、Isoは等方性液体を示す。) 実施例2 4−(1−トリフルオロメチル へブチルオキシカルボ
ニル)フェニル−4’−(n−デシル)ビフェニル−4
−カルボキシレート(−数式%式% CaH+3(n)で表わされる化合物)の合成4’−n
−デシルビフェニル−4−カルボン酸0.29gに塩化
チオニル10ccを加え、2時間加熱還流した後、過剰
の塩化チオニルを減圧下留去し、4”−n−デシルビフ
ェニル−4−カルボン酸塩化物を得た。
ク相、Sc”はスメクチックC1相、sAはスメクチッ
クA相を、Isoは等方性液体を示す。) 実施例2 4−(1−トリフルオロメチル へブチルオキシカルボ
ニル)フェニル−4’−(n−デシル)ビフェニル−4
−カルボキシレート(−数式%式% CaH+3(n)で表わされる化合物)の合成4’−n
−デシルビフェニル−4−カルボン酸0.29gに塩化
チオニル10ccを加え、2時間加熱還流した後、過剰
の塩化チオニルを減圧下留去し、4”−n−デシルビフ
ェニル−4−カルボン酸塩化物を得た。
この塩化物全量をトルエン10ccに溶解した溶液を、
上記実施例1で使用したp−ヒドロキシ安息香酸(1−
トリフルオロメチルへブチル)エステル0.22g、ピ
リジン5mj2をトルエン5ml1に溶解した溶液中に
滴下した。50〜55℃で8時間攪拌した後、水100
mJ2及びクロロホルム50m1を加えた。
上記実施例1で使用したp−ヒドロキシ安息香酸(1−
トリフルオロメチルへブチル)エステル0.22g、ピ
リジン5mj2をトルエン5ml1に溶解した溶液中に
滴下した。50〜55℃で8時間攪拌した後、水100
mJ2及びクロロホルム50m1を加えた。
分離した有機層を、6N塩酸、次いで飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗した。
リウム水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗した。
有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去後シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製すること
により、目的の下記式 で表わされる4−(1−トリフルオロメチル へブチル
オキシカルボニル)フェニル−4′−(n−デシル)ビ
フェニル−4−カルボキシレート0.12gを得た。
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製すること
により、目的の下記式 で表わされる4−(1−トリフルオロメチル へブチル
オキシカルボニル)フェニル−4′−(n−デシル)ビ
フェニル−4−カルボキシレート0.12gを得た。
このエステル誘導体の分析結果は下記の通りであった。
[α]:”+27.30@
(c 0.50.クロロホルム)
MS (m/z): 624 (M” )IR(kBr
):2900,1740,16101270.1170
.1081 08O770’ また、このエステル誘導体は以下のような相転移を示し
た。
):2900,1740,16101270.1170
.1081 08O770’ また、このエステル誘導体は以下のような相転移を示し
た。
(但し、Cryは結晶相、Slは結晶に近いスメクチッ
ク相、Sc″はスメクチックC1相、SAはスメクチッ
クA相を、Isoは等方性液体を示す。) [発明の効果] 本発明で提供されるエステル誘導体は、強誘電性液晶表
示素子材料に要求される前記■〜■の特性を満たすもの
でありて、液晶テレビ等のデイスプレィ、光プリンター
ヘッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等に使用す
る強訪電性液晶化合物又は組成物用成分として極めて有
用である。
ク相、Sc″はスメクチックC1相、SAはスメクチッ
クA相を、Isoは等方性液体を示す。) [発明の効果] 本発明で提供されるエステル誘導体は、強誘電性液晶表
示素子材料に要求される前記■〜■の特性を満たすもの
でありて、液晶テレビ等のデイスプレィ、光プリンター
ヘッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等に使用す
る強訪電性液晶化合物又は組成物用成分として極めて有
用である。
Claims (1)
- (1)一般式[ I ] ▲数式、化学式、表等があります▼・・・[ I ] 〔式中、R^1及びR^2は、炭素数2〜18のアルキ
ル基を示し、C^■は不斉炭素原子を示す。〕 で表わされる光学活性エステル誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1139756A JPH035441A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | エステル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1139756A JPH035441A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | エステル誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH035441A true JPH035441A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15252657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1139756A Pending JPH035441A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | エステル誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH035441A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5716545A (en) * | 1995-12-28 | 1998-02-10 | Nippon Soken, Inc. | Antiferroelectric liquid crystal composition |
US6129859A (en) * | 1996-07-25 | 2000-10-10 | Nippon Soken, Inc. | Antiferroelectric liquid crystal composition |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1139756A patent/JPH035441A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5716545A (en) * | 1995-12-28 | 1998-02-10 | Nippon Soken, Inc. | Antiferroelectric liquid crystal composition |
US6129859A (en) * | 1996-07-25 | 2000-10-10 | Nippon Soken, Inc. | Antiferroelectric liquid crystal composition |
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