JPH0358957A - エステル誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は新規な光学活性エステル誘導体に関するもので
あり、詳しくは液晶組成物の成分を合成する際に有用な
光学活性含フツ素エステル誘導体に関するものである。

（従来の技術） 液晶化合物が電気光学表示装置に利用されて以来、数多
（の液晶化合物が合成され、ネマチック液晶またはネマ
チンクーコレステリンク液晶が、ねじれネマチックモー
ド表示素子、コレステリック−ネマチック相転移現象利
用表示素子またはゲスト・ホスト効果利用表示素子など
に広く利用されている。

しかし、これらの表示素子の応答速度は最高でも数ｍ５
ｅｃのオーダーであり、この点が液晶表示素子の応用範
囲をせばめる一因となっている。

最近になり強誘電性を示す液晶すなわち強誘電性液晶を
用いると、μｓｅｃオーダーの高速で応答が得られると
いうことがわかって来た。

従来知られている強誘電性液晶の例としては、１９７５
年にＲ，Ｂ、Ｍｅｙｅｒらにより合成された４（４’−
ｎ−デシルオキシベンジリデンアミノ）ケイ皮酸−２−
メチルブチルエステル（以下、ＤＯＢＡＭＢＣと記す）
が挙げられ、該ＤＯＢＡＭＢＣは、そのカイラルスメク
チックＣ相（以下、Ｓ　ｍ　Ｃ”と記す）において強誘
電性を示すことを特徴としている（Ｊ、Ｐｈｙｓｉｑｕ
ｅ、３６　　Ｌ−６９（１９７５））。

１９８０年になりＮ、Ａ、Ｃ１ａｒｋらがＤＯＢＡＭＢ
Ｃを使用した薄膜セルにおいてμｓｅｃオーダーの高速
応答を見い出して以来（Ａｐｐｌ。

ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、３６　８９　（１９８０））多く
の、強誘電性液晶の合成研究がなされて来たが、現状で
は、 ＋１）　　室温で液晶状態であるのは勿論のこと、低温
から高温までの出来るだけ広い範囲で強誘電性液晶状態
を示すこと、 （２）　　水分、空気、光、熱等に対して安定であるこ
と、 （３）　　自発分極が大きく低粘性であること、（４）
応答速度の速いこと、 （５）　　駆動電圧の低いこと 等の物性的要求の全てを単一化合物で満たす強誘電性液
晶化合物はなく、何種類かの強誘電性液晶化合物を組み
合せた組成物として用いることによって目的を達してい
る。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、かかる要求を満たす液晶組成物を与える化合
物を合成する際に有用な化合物を提供することをその目
的とするものである。

（課題を解決するための手段） 本発明は、一般式（１） 〔式中、Ｒは炭素数２〜１８のアルキル基、−Ｃｎｚ　
ＣＨｚ　ＯＲ’　　−ｃＨｇ　ＣＨ２ｃＨｚ　ＯＲ’ま
たは−ＣＨ２−ＣＯＯＲ’　　（Ｒ’は炭素数１〜１８
のアルキル基を示す。）を示し、Ｘは低級アルキル基ま
たはハロゲン原子を示し、ｎは０または１を示し、ｃ”
は不斉炭素原子を示す。〕で表わされる光学活性エステ
ル誘導体を要旨とするものである。

以下に本発明の詳細な説明する。

本発明のエステル誘導体は、前記一般式〔１〕で表わさ
れ、Ｒとしては、直鎖または分岐鎖状の炭素数２〜１８
のアルキル基が挙げられ、好ましくは、炭素数３〜１２
のアルキル基が挙げられる。

その代表的なものは、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、５ｅ
ｃ−ブチル基、１ｓｏ−ブチル基、ｎ−ペンチル、ｎ−
ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、
ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−ペン
タデシル等のアルキル基が挙げられる。

このほかＲとしては−ＣＨｘ　ＧＨｚ　ＯＲ’ＣＨｚ　
ＣＨｚ　ＣＨｚ　ＯＲ’　　　ＣＨ２Ｃ０ＯＲ’が挙げ
られ、式中、Ｒ′としては、直鎖または分岐鎖状の炭素
数１〜１８のアルキル基が挙げられ、好ましくは、炭素
数１〜１２のアルキル基が挙げられる。その代表的なも
のはメチル基及びＲがアルキル基である時の具体例とし
て挙げた各種のアルキル基が挙げられる。

Ｘの低級アルキル基としてはメチル基、エチル基等が、
又ハロゲン原子としては、フッ素、塩素原子等が挙げら
れる。

本発明のエステル誘導体は例えば次の反応により合成す
ることが出来る。

（Ｉ［［） （ｍ） （１） （一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）中のＲ，Ｘまたはｎは前
記一般式（１）におけると同意義を示す。）上記反応中
（Ａ）の反応は例えば、ピリジン中、あるいはジオキサ
ン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒またはベン
ゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒中、ピリジン
、キノリン、トリエチルアミン、トリエチレンジアミン
等のアミン系脱酸剤または炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、重炭酸ナトリウム等の無機系脱酸剤の存在下で、例
えば、１０℃〜１５０℃の温度で反応することにより、
実施することが出来る。

ＣＢ）の脱アセチル化反応は、例えば、エチルエーテル
、イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のエー
テル系溶媒中、５〜８０℃の温度で、ｎ−ブチルアミン
、ベンジルアミン等のアルキルアミンまたはアラルキル
アミンで処理することにより実施出来る。

本発明の代表的なエステル誘導体は次の通りである。

３−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチルプロピルエステル ３−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチルへブチルエステル ３−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチルドデシルエステル ３−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸ｌ−トリフルオロ
メチル−３′−プロポキシプロビルエステル ３−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチル−４′−ブトキシブチルエステル３−クロロ−４
−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロメチル−２′−
エトキシカルボニルエチルエステル ２−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチルペンチルエステル ２−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチルオクチルエステル ２−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチルデシルエステル ２−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチル−３１−ブトキシプロピルエステル２−クロロ−
４−ヒドロキシ安息香酸１−）リフルオロメチル−４′
−デシルオキシブチルエステル ２−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチル−２′−メトキシカルボニルエチルエステル ３−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオ
ロメチルヘキシルエステル ３−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオ
ロメチルノニルエステル ３−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオ
ロメチルドデシルエステル ３−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオ
ロメチル−３′−ペンチルオキシプロピルエステル ３−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオ
ロメチル−４′−エトキシブチルエステル３−フルオロ
−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロメチル−２
１−エトキシカルボニルエチルエステル ２−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオ
ロメチルヘプチルエステル ２−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオ
ロメチルノニルエステル ２−フルオロ−４−ヒドロキシ安息８１１−）ＩＪフル
オロメチルドデシルエステル ２−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオ
ロメチル−３′−エトキシプロピルエステル ２−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−　ｔ−ＩＪ
フルオロメチル−３′−へキシルオキシプロピルエステ
ル ２−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオ
ロメチル−４′−プロポキシブチルエステル ２−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香Ｍｌ−）リフルオ
ロメチル−２′−オクチルオキシカルボニルエチルエス
テル ３−メチル−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチルノニルエステル ３−メチル−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチルドデシルエステル ３−メチル−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチルテトラデシルエステル ３−メチル−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチル−３′−ノニルオキシプロピルエステル ３−メチル−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチル−４′−ブトキシブチルエステル３−メチル−４
−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロメチル−２′−
プロポキシカルボニルエチルエステル ２−メチル−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチルオクチルエステル ２−メチル−４−ヒドロキシ安息香酸１−）リフルオロ
メチルデシルエステル ２−メチル−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチルペンタデシルエステル ２−メチル−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチル−３１−デシルオキシプロビルエステル ２−メチル−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチル−４′−プロポキシブチルエステル２−メチル−
４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロメチル−２′
−へキシルオキシカルボニルエチルエステル ３−フルオロ−４−ヒドロキシビフェニル−４′カルボ
ン酸１−トリフルオロメチルノニルエステル ３−フルオロ−４−ヒドロキシビフェニル−４′カルボ
ン酸１−トリフルオロメチルドデシルエステル ３−フルオロ−４−ヒドロキシビフェニル−４′カルボ
ン酸１−トリフルオロメチルトリデシルエステル ３−フルオロ−４−ヒドロキシビフェニル−４′カルボ
ン酸１−トリフルオロメチル−３′−へブチルオキシプ
ロピルエステル ３−フルオロ−４−ヒドロキシビフェニル−４′カルボ
ン酸１−トリフルオロメチル−４′−プロポキシブチル
エステル ３−フルオロ−４−ヒドロキシビフェニル−４′カルボ
ン酸１−トリフルオロメチル−２′−ブトキシカルボニ
ルエチルエステル ３−クロロ−４−ヒドロキシビフェニル−４′カルボン
酸１−トリフルオロメチルオクチルエステル ３−クロロ−４−ヒドロキシビフェニル−４′カルボン
酸１−トリフルオロメチルデシルエステル ３−クロロ−４−ヒドロキシビフェニル−４′カルボン
酸１−トリフルオロメチルヘキサデシルエステル ３−クロロ−４−ヒドロキシビフェニル−４′カルボン
酸１−トリフルオロメチル−３′−オクチルオキシプロ
ピルエステル ３−クロロ−４−ヒドロキシビフェニル−４′カルボン
酸１−トリフルオロメチル−４′−へブチルオキシブチ
ルエステル ３−クロロ−４−ヒドロキシビフェニル−４′カルボン
酸１−トリフルオロメチル−２′−ペンチルオキシカル
ボニルエチルエステル 本発明のエステル誘導体は、液晶組成物の成分として有
用な化合物の中間体、特に、強誘電性液晶組成物の成分
として有用な化合物の中間体として重要であり、例えば
、前記一般弐（１）で示される本発明のエステル誘導体
から下記（Ｃ）の反応により、強誘電性液晶組成物の成
分として極めて有用な一般式（Ｖ）で示される光学活性
含フツ素エステル誘導体を合成することができる。

（Ｉ） （Ｖ） （一般式（ＩＶ）及び（Ｖ）におけるＲ１は炭素数２〜
１８のアルキル基又はアルコキシ基を示す。）上記の〔
Ｃ〕の反応は前記（Ａ）の反応と同様な条件で実施する
ことが出来る。

〔実施例〕

次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明は、その要旨を超えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。

実施例１ 一般式（１）においてＲ＝　Ｃ６Ｈ＋３（ｎ）　、Ｘ　
＝３−Ｃ１，ｎ＝ｏで表わされる化合物〔３−クロロ−
４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロメチルヘプチ
ルエステル〕の合成 （１）３−クロロ−４−アセトキシ安息香酸１−トリフ
ルオロメチルヘプチルエステルの合成３−クロロ−４−
アセトキシ安息香酸１．０ｇを塩化チオニル５　ｍｌと
共に３時間加熱還流した後、未反応の塩化チオニルを留
去して、酸塩化物を得た。

１−トリフルオロメチル−１−ヘプタツール（〔α）ｎ
　　　　１６．５　　（Ｃ１，５１５、メタノール））
０、８６　ｇおよびトリエチレンジアミン１．０ｇをト
ルエン１０ｍ６に溶解し、攪拌しながら室温で、上記酸
塩化物の全量をトルエン４０＋ｎｊ２に溶解した溶液を
滴下し２５°Ｃで３時間攪拌した後、水１００ｍ１及び
クロロホルム５Ｑｃｃを加える。分離した有機層を６Ｎ
−塩酸、５％炭酸ナトリウム水溶液次いで水で中性にな
るまで洗浄する。

有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去後シ
リカゲルカラムクロマトにより精製することにより、目
的の下記の式 で表わされる３−クロロ−４−アセトキシ安息香酸１−
トリフルオロメチルへブチルエステル０．５２ｇを得た
。

ＩＲ（ＮａＣ１：２９５０．２８８０．１７９０．１？
５０，１６１０゜ １５００、　１３８０．　１２６ ０、　１１９０．　１１２０ａｎ−’ （２）３−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸１−トリフ
ルオロメチルヘプチルエステルの合成（１１で得られた
３−クロロ−４−アセトキシ安息香酸１−トリフルオロ
メチルへブチルエステル０゜５ｇ５ｎ−ブチルアミン０
．３ｇをイソプロピルエーテル１０ｎ＋ｊ！に加えて溶
解し、室温で１２時間攪拌した後、水１００ｎｌ及びク
ロロホルム５０ＩＩＩａを加える。分離した有機層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去後シリカゲル
カラムクロマトにより精製することにより、下記の式で
表わされる本発明のエステル誘導体、３−クロロ−４−
ヒドロキシ安息香酸１−トリフルオロメチルへブチルエ
ステル０．４５　ｇを得た。

物性値 〔α）　Ｄ　−３７，５９”　　（Ｃ０，９９、クロロ
ホルム）ＩＲ（ＮａＣＡ）　　：３４３０．　２９５０
．　２８７０、　１７４０．　１６００．　１ ５００、　１２８０．　１１８０ １１２０１−篤 元素分析値（％）　　Ｃ：５３．２１　　Ｈ：５．３０
Ｃ＋ｓＨ＋ｓＣＩ！Ｆ３０３としテノ計算値（％）Ｃ：
５３．１９　　　Ｈ：５゜３５ 実施例２〜８ 実施例１において光学活性１−トリフルオロメチル−１
−ヘプタツールを使用する代りに種々の１−トリフルオ
ロメチルアルコール誘導体（一般式（ｎ）においてＲ＝
アルキル基）を使用し、他は実施例１の方法で反応を行
い、目的の一般式（Ｉ）で表わされる光学活性エステル
誘導体を合成した。

元素分析値を下記の第１表に示す。

実施例９〜１７ 実施例１において光学活性１−トリフルオロメチル−１
−ヘプタツールを使用する代りに種々の１−トリフルオ
ロメチルアルコール誘導体（−形式（ＩＩ）においてＲ
＝　　ＣＨｚ　Ｇ　Ｈｚ　’ＯＲ’または−ＣＲ２ＣＲ
２ＣＲ２０Ｒ皿　（Ｒ１＝アルキルを使用し、他は実施
例１の方法で反応を行い、目的の一般式ＣＩ）で表わさ
れる光学活性エステル誘導体を合成した。

元素分析値を下記の第２表に示す。

実施例１７〜２４ 実施例１において光学活性１−トリフルオロメチル−１
−ヘプタツールを使用する代りに種々の１−トリフルオ
ロメチルアルコール誘導体（−形式（ｎ）においてＲ＝
−ＣＨｚ　ＣＯＯＲ’　　（Ｒ＝アルキル））を使用し
、他は実施例１の方法で反応を行い、目的の一般式（１
）で表わされる光学活性エステル誘導体を合成した。

元素分析値を下記の第３表に示す。

（発明の効果） 本発明化合物は液晶テレビ等のデイスプレィ、光プリン
ターヘッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等に使
用する強誘電性液晶化合物もしくは組成物用成分の合成
中間体として有用である。

また、本化合物は、光学活性物質なのでホワイトテーラ
−型液晶表示素子、コレステリンクネマチック相転移型
表示素子、スメクチック液晶を使用する熱書き込み液晶
表示素子等の液晶表示素子に使用する液晶化合物の合成
中間体として有用である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 〔式中、Ｒは炭素数２〜１８のアルキル基、−ＣＨ＿２
   ＣＨ＿２ＯＲ＾１、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＯＲ＾
   １または−ＣＨ＿２−ＣＯＯＲ＾１（Ｒ＾１は炭素数１
   〜１８のアルキル基を示す。）を示し、Ｘは低級アルキ
   ル基またはハロゲン原子を示し、ｎは０または１を示し
   、Ｃ＾≠は不斉炭素原子を示す。〕で表わされる光学活
   性エステル誘導体。