JPH02303178A - 狭帯域発振エキシマレーザ - Google Patents
狭帯域発振エキシマレーザInfo
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- JPH02303178A JPH02303178A JP1124898A JP12489889A JPH02303178A JP H02303178 A JPH02303178 A JP H02303178A JP 1124898 A JP1124898 A JP 1124898A JP 12489889 A JP12489889 A JP 12489889A JP H02303178 A JPH02303178 A JP H02303178A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
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- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
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- H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
- H01S3/08009—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
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- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は狭帯域発振エキシマレーザに関し、特に縮小
投影露光装置の光源に採用して好適なものである。
投影露光装置の光源に採用して好適なものである。
半導体装置製造用の縮小投影露光装置(以下ステッパー
という)の光源としてエキシマレーザの利用が注目され
ている。これはエキシマレーザの波長が短い(KrFレ
ーザの波長は約248゜4 nm)ことがら光露光の限
界を0.5μm以下に延ばせる可能性があること、同じ
解像度なら従来用いていた水銀ランプのg線やi線に比
較して焦点深度が深いこと、レンズの開口数(NA)が
小さくてすみ、露光領域を大きくできること、太きなパ
ワーが得られること等の多くの優れた利点が期待できる
からである。
という)の光源としてエキシマレーザの利用が注目され
ている。これはエキシマレーザの波長が短い(KrFレ
ーザの波長は約248゜4 nm)ことがら光露光の限
界を0.5μm以下に延ばせる可能性があること、同じ
解像度なら従来用いていた水銀ランプのg線やi線に比
較して焦点深度が深いこと、レンズの開口数(NA)が
小さくてすみ、露光領域を大きくできること、太きなパ
ワーが得られること等の多くの優れた利点が期待できる
からである。
ところで、ステッパーの光源として利用されるエキシマ
レーザとしては線幅3pm以下の狭帯化が要求され、し
かも大きな出力パワーが要求される。
レーザとしては線幅3pm以下の狭帯化が要求され、し
かも大きな出力パワーが要求される。
エキシマレーザの狭帯域化の技術としては従来インジエ
ンクションロック方式と呼ばれるものがある。このイン
ジエンクションロック方式は、オシレータ段のキャビテ
ィ内に波長選択素子(エタロン・回折格子・プリズム等
)を配置し、ピンホールによって空間モードを制限して
単一モード発振させ、このレーザ光を増幅段によって注
入同期する。この方式によると比較的大きな出力パワー
が得られるが、ミスショットがあったり、ロッキング効
率を100%とすることが困難であったり、スペクトル
純度が悪くなるという欠点がある。また、この方式の場
合その出力光はコヒーレンス性が高く、これを縮小露光
装置の光源に用いた場合はスペックル・パターンが発生
する。一般にスペックル・パターンの発生はレーザ光に
含まれる空間横モードの数に依存すると考えられている
。すなわち、レーザ光に含まれる空間横モードの数が少
ないとスペックル・パターンが発生し易くなり、並に空
間モードの数が多くなるとスペックル・パターンは発生
しにくくなることが知られている。
ンクションロック方式と呼ばれるものがある。このイン
ジエンクションロック方式は、オシレータ段のキャビテ
ィ内に波長選択素子(エタロン・回折格子・プリズム等
)を配置し、ピンホールによって空間モードを制限して
単一モード発振させ、このレーザ光を増幅段によって注
入同期する。この方式によると比較的大きな出力パワー
が得られるが、ミスショットがあったり、ロッキング効
率を100%とすることが困難であったり、スペクトル
純度が悪くなるという欠点がある。また、この方式の場
合その出力光はコヒーレンス性が高く、これを縮小露光
装置の光源に用いた場合はスペックル・パターンが発生
する。一般にスペックル・パターンの発生はレーザ光に
含まれる空間横モードの数に依存すると考えられている
。すなわち、レーザ光に含まれる空間横モードの数が少
ないとスペックル・パターンが発生し易くなり、並に空
間モードの数が多くなるとスペックル・パターンは発生
しにくくなることが知られている。
上述したインジェクションロック方式は本質的には空間
(黄モードの数を著しく減らすことによって狭帯域化を
行う技術であり、スペックル・パターンの発生が大きな
問題となるため縮小投影露光装置には採用できない。
(黄モードの数を著しく減らすことによって狭帯域化を
行う技術であり、スペックル・パターンの発生が大きな
問題となるため縮小投影露光装置には採用できない。
エキシマレーザの狭帯域化の技術として他に有望なもの
は波長選択素子であるエヤーギャップエタロンを用いた
ものがある。このエアーギャップエタロンを用いた従来
技術としてはAT&Tベル研究所によるエキシマレーザ
のフロントミラーとレーザチャンバとの間にエアーギャ
ップエタロンを配置し、エキシマレーザの狭帯域化を図
ろうとする技術が提案されている。しかし、この方式は
スペクトル線幅をあまり狭くできず、かつ、エアーギャ
ップエタロン挿入によるパワーロスが大きいという問題
があり、更に空間横モードの数もあまり多くすることが
できないという欠点がある。
は波長選択素子であるエヤーギャップエタロンを用いた
ものがある。このエアーギャップエタロンを用いた従来
技術としてはAT&Tベル研究所によるエキシマレーザ
のフロントミラーとレーザチャンバとの間にエアーギャ
ップエタロンを配置し、エキシマレーザの狭帯域化を図
ろうとする技術が提案されている。しかし、この方式は
スペクトル線幅をあまり狭くできず、かつ、エアーギャ
ップエタロン挿入によるパワーロスが大きいという問題
があり、更に空間横モードの数もあまり多くすることが
できないという欠点がある。
またエアーギャップエタロンは耐久性に問題がある。
そこで、比較的耐久性に優れたグレーティングを波長選
択素子として採用して構成したエキシマレーザが提案さ
れている。しかしながら、このグレーティングを用いた
従来の装置はグレーティングの利用の仕方に問題かあり
効率よく狭帯域化できないという問題があった。
択素子として採用して構成したエキシマレーザが提案さ
れている。しかしながら、このグレーティングを用いた
従来の装置はグレーティングの利用の仕方に問題かあり
効率よく狭帯域化できないという問題があった。
このように従来のエキシマレーザは狭帯域化、出力パワ
ー、空間横モードの数、耐久性のいずれかの点において
問題があり、これをそのままステッパーの光源として用
いることはできなかった。
ー、空間横モードの数、耐久性のいずれかの点において
問題があり、これをそのままステッパーの光源として用
いることはできなかった。
そこでこの発明は、波長選択素子としてグレーティング
を採用し、しかも効率よく狭帯域化できる狭帯域発振エ
キシマレーザを提供することを目的とする。
を採用し、しかも効率よく狭帯域化できる狭帯域発振エ
キシマレーザを提供することを目的とする。
この発明の狭帯域発振エキシマレーザにおいてはグレー
ティングを、その線引方向がレーザの放電方向と略垂直
になるように配置する。
ティングを、その線引方向がレーザの放電方向と略垂直
になるように配置する。
またグレーティングに照射される光ビームを拡大するビ
ームエキスパンダを用いる場合は、このビームエキスパ
ンダもそのビーム拡大方向がレーザの放電方向と略垂直
になるように配置する。
ームエキスパンダを用いる場合は、このビームエキスパ
ンダもそのビーム拡大方向がレーザの放電方向と略垂直
になるように配置する。
更に光共振器内にアパーチャを配置する場合はこのアパ
ーチャをレーザの放電方向に長い形状にする。
ーチャをレーザの放電方向に長い形状にする。
更に光共振器のフロントミラーをシリンドリカルミラー
を用いて構成し、この場合、シリンドリカルミラーの機
械軸をレーザの放電方向と一致(平行)させる。
を用いて構成し、この場合、シリンドリカルミラーの機
械軸をレーザの放電方向と一致(平行)させる。
エキシマレーザはそのビーム広がり角がレーザの放電方
向に垂直な方向よりもレーザの放電方向の方が大きい。
向に垂直な方向よりもレーザの放電方向の方が大きい。
そこで、グレーティングの線引方向をレーザの放電方向
と略垂直にすることにより効率よく狭帯域化することが
できる。
と略垂直にすることにより効率よく狭帯域化することが
できる。
またビームエキスパンダのビーム拡大方向をレーザの放
電方向と略垂直にすることによっても狭帯域化の効率は
向上する。
電方向と略垂直にすることによっても狭帯域化の効率は
向上する。
更に光共振器内に配置されたアパーチャの形状をレーザ
の放電方向に長い形状にすることによって狭帯域化の効
率は向上する。
の放電方向に長い形状にすることによって狭帯域化の効
率は向上する。
更に、光共振器のフロントミラーをシリンドリカルミラ
ーから構成し、このシリンドルカルミラーの機械軸をレ
ーザの放電方向と一致させることによって更に狭帯域化
の効率は向上する。
ーから構成し、このシリンドルカルミラーの機械軸をレ
ーザの放電方向と一致させることによって更に狭帯域化
の効率は向上する。
以下、この発明に係わる狭帯域発振エキシマレーザの実
施例を添付図面を参照して詳細に説明する。
施例を添付図面を参照して詳細に説明する。
第1図はこの発明に係わる狭帯域発振エキシマレーザの
一実施例を示したもので、第1図(a>はその側面図、
第1図(b)はその正面図を示している。第1図(a)
および第1図(b)において、この実施例の狭帯域発振
エキシマレーザはフロントミラー10とレーザチャンバ
20とリアミラーとして機能するグレーティング30か
ら構成され、いわゆるリトロ−配置をとっている。レー
ザチャンバ20内にはレーザガスとしてKrF等が封入
され、このレーザガスを放電励起するための電t!!2
3.24が設けられ、更にこのレーザチャンバ20には
発振レーザ光を通すウィンドウ21.22が設けられて
いる。
一実施例を示したもので、第1図(a>はその側面図、
第1図(b)はその正面図を示している。第1図(a)
および第1図(b)において、この実施例の狭帯域発振
エキシマレーザはフロントミラー10とレーザチャンバ
20とリアミラーとして機能するグレーティング30か
ら構成され、いわゆるリトロ−配置をとっている。レー
ザチャンバ20内にはレーザガスとしてKrF等が封入
され、このレーザガスを放電励起するための電t!!2
3.24が設けられ、更にこのレーザチャンバ20には
発振レーザ光を通すウィンドウ21.22が設けられて
いる。
グレーティング30は光の回折を利用して特定波長の光
を選択するもので、一定方向に配列された多数の溝が形
成されいる。この明細書ではこの多数の溝と直角の方向
を線引方向と称している。
を選択するもので、一定方向に配列された多数の溝が形
成されいる。この明細書ではこの多数の溝と直角の方向
を線引方向と称している。
グレーティング30はこの線引方向を含む平面内で入射
光に対するグレーティング30の角度θを可変させるこ
とにより特定の波長の光を選択することができる。すな
わち、グレーティング30は入射光に対するグレーティ
ングの角度θに対応する特定の光のみを所定の方向(こ
の場合入射光の方向)に反射させ、これによって特定の
波長の光に対する選択動作を行なう。
光に対するグレーティング30の角度θを可変させるこ
とにより特定の波長の光を選択することができる。すな
わち、グレーティング30は入射光に対するグレーティ
ングの角度θに対応する特定の光のみを所定の方向(こ
の場合入射光の方向)に反射させ、これによって特定の
波長の光に対する選択動作を行なう。
さて、この実施例ではこのグレーティング30の線引方
向がレーザチャンバ20内の電極23.24による放電
方向に対して垂直になるようにレーザチャンバ20内の
電極23.24に対するグレーティング30の配置を選
択したことを特徴としている。
向がレーザチャンバ20内の電極23.24による放電
方向に対して垂直になるようにレーザチャンバ20内の
電極23.24に対するグレーティング30の配置を選
択したことを特徴としている。
一般にレーザチャンバ20のウィンドウ22から出力さ
れるレーザビームの広がり角は電極23.24による放
電方向、すなわち電極23.24の配列方向よりもこの
放電方向に垂直な方向の方が小さい。そこでグレーティ
ング30の線引方向をこの放電方向に垂直な方向に一致
させると、グレーティング30におけるビーム広がりを
最小にすることができ、これにより効率よく狭帯域化す
ることができる。
れるレーザビームの広がり角は電極23.24による放
電方向、すなわち電極23.24の配列方向よりもこの
放電方向に垂直な方向の方が小さい。そこでグレーティ
ング30の線引方向をこの放電方向に垂直な方向に一致
させると、グレーティング30におけるビーム広がりを
最小にすることができ、これにより効率よく狭帯域化す
ることができる。
第2図(a> 、(b)はこの発明に係わる狭帯域発振
エキシマレーザの他の実施例を側面図および平面図で示
したものである。この実施例はいわゆる斜入射配置によ
って構成されたものである。なお、第2図以下の図面に
おいて第1図に示した実施例と同一の機能を果たす部分
には説明の便宜上同じ符号を付する。第2図に示した実
施例は第1図で示した実施例のグレーティング30の部
分がグレーティング31と全反射ミラー32とによって
構成される。他の部分は第1図に示したものと同一であ
る。第2図に示した実施例では全反射ミラー32がこの
狭帯域発振エキシマレーザのりャミラーとして機能し、
グレーティング31が特定の波長のレーザ光を選択する
波長選択素子として機能する。この第2図に示した実施
例においてもグレーティング31の線引方向はレーザチ
ャンバ20内の電極23.24による放電方向と垂直と
なるように電極23.24、グレーティング31、全反
射ミラー32が夫々配置される。これによりグレーティ
ング31の線引方向に照射されるレーザ光の広がりは最
小になり、グレーティング31におけるビーム塩がりを
最小にすることができるので高効率て狭帯域化すること
が可能となる。
エキシマレーザの他の実施例を側面図および平面図で示
したものである。この実施例はいわゆる斜入射配置によ
って構成されたものである。なお、第2図以下の図面に
おいて第1図に示した実施例と同一の機能を果たす部分
には説明の便宜上同じ符号を付する。第2図に示した実
施例は第1図で示した実施例のグレーティング30の部
分がグレーティング31と全反射ミラー32とによって
構成される。他の部分は第1図に示したものと同一であ
る。第2図に示した実施例では全反射ミラー32がこの
狭帯域発振エキシマレーザのりャミラーとして機能し、
グレーティング31が特定の波長のレーザ光を選択する
波長選択素子として機能する。この第2図に示した実施
例においてもグレーティング31の線引方向はレーザチ
ャンバ20内の電極23.24による放電方向と垂直と
なるように電極23.24、グレーティング31、全反
射ミラー32が夫々配置される。これによりグレーティ
ング31の線引方向に照射されるレーザ光の広がりは最
小になり、グレーティング31におけるビーム塩がりを
最小にすることができるので高効率て狭帯域化すること
が可能となる。
第3図(a) 、 (b)はレーザチャンバ20とグレ
ーティング30との間にプリズムによるビームエキスパ
ンダを挿入したこの発明の他の実施例を側面図および平
面図で示したものである。第3図において、プリズム4
1.42かレーザチャンバ20から出力されたレーザビ
ームを拡大してグレーティング31に照射させるビーム
エキスパンダを構成している。ここでグレーティング3
0の線引方向はレーザチャンバ20内の電極2B、24
による放電方向と垂直になっており、上記プリズム41
.42によるビームエキスパンダによるビーム拡大方向
(すなわちプリズムの陵線方向と垂直な方向)はグレー
ティング30の線引方向、すなわちレーザチャンバ20
内の電極23.24による放電方向と垂直な方向に一致
している。
ーティング30との間にプリズムによるビームエキスパ
ンダを挿入したこの発明の他の実施例を側面図および平
面図で示したものである。第3図において、プリズム4
1.42かレーザチャンバ20から出力されたレーザビ
ームを拡大してグレーティング31に照射させるビーム
エキスパンダを構成している。ここでグレーティング3
0の線引方向はレーザチャンバ20内の電極2B、24
による放電方向と垂直になっており、上記プリズム41
.42によるビームエキスパンダによるビーム拡大方向
(すなわちプリズムの陵線方向と垂直な方向)はグレー
ティング30の線引方向、すなわちレーザチャンバ20
内の電極23.24による放電方向と垂直な方向に一致
している。
このような構成のビームエキスパンダを用いることによ
り、グレーティング30におけるビーム塩がり角がビー
ムエキスパンダの拡大率の逆数針だけ小さくなるので狭
帯域化の効率を高めることができる。
り、グレーティング30におけるビーム塩がり角がビー
ムエキスパンダの拡大率の逆数針だけ小さくなるので狭
帯域化の効率を高めることができる。
第4図(a) 、 (b)は第3図に示した実施例のプ
リズム41.42によるビームエキスパンダの代わりに
2個のシリンドリカルレンズ43.44により構成され
たビームエキスパンダを用いたこの発明の他の実施例を
側面図および平面図で示したものである。この実施例の
場合も、グレーティング30の線引方向はレーザチャン
バ20内の電極23.24による放電方向と垂直にされ
、シリンドリカルレンズ43.44によるビームエキス
パンダのビーム拡大方向はグレーティング30の線引方
向と一致するように構成される。
リズム41.42によるビームエキスパンダの代わりに
2個のシリンドリカルレンズ43.44により構成され
たビームエキスパンダを用いたこの発明の他の実施例を
側面図および平面図で示したものである。この実施例の
場合も、グレーティング30の線引方向はレーザチャン
バ20内の電極23.24による放電方向と垂直にされ
、シリンドリカルレンズ43.44によるビームエキス
パンダのビーム拡大方向はグレーティング30の線引方
向と一致するように構成される。
第5図(a> 、 (b)は第3図に示した実施例のグ
レーティング30の代わりにグレーティング31および
全反射ミラー32を用いた斜入射配置をとるこの発明の
更に他の実施例を側面図および平面図で示したものであ
り、第6図(a) 、 (b)は第4図示した実施例の
グレーティング30の代わりにグレーティング31およ
び全反射ミラー32を用いた斜入射配置をとるこの発明
の更に他の実施例を側面図および平面図で示したもので
ある。
レーティング30の代わりにグレーティング31および
全反射ミラー32を用いた斜入射配置をとるこの発明の
更に他の実施例を側面図および平面図で示したものであ
り、第6図(a) 、 (b)は第4図示した実施例の
グレーティング30の代わりにグレーティング31およ
び全反射ミラー32を用いた斜入射配置をとるこの発明
の更に他の実施例を側面図および平面図で示したもので
ある。
第5図(a) 、 (b)に示す実施例においてグレー
ティング31の線引方向はレーザチャンバ20内の電極
23.24による放電方向と垂直にされ、プリズム41
.42によるビームエキスパンダのビーム拡大方向はグ
レーティング31の線引方向と一致するように構成され
る。
ティング31の線引方向はレーザチャンバ20内の電極
23.24による放電方向と垂直にされ、プリズム41
.42によるビームエキスパンダのビーム拡大方向はグ
レーティング31の線引方向と一致するように構成され
る。
また第6図(a) 、 (b)に示す実施例において、
グレーティング31の線引方向はレーザチャンバ20内
の電極23.24による放電方向と垂直にされ、シリン
ドリカルレンズ43.44にヨルビームエキスパンダの
ビーム拡大方向はグレーティング31の線引方向と一致
するように構成される。
グレーティング31の線引方向はレーザチャンバ20内
の電極23.24による放電方向と垂直にされ、シリン
ドリカルレンズ43.44にヨルビームエキスパンダの
ビーム拡大方向はグレーティング31の線引方向と一致
するように構成される。
第7図(a) 、 (b)に示す実施例は第1図に示し
た実施例のフロントミラー10とレーザチャンバ20と
の間にアパーチャ51を挿入し、レーザチャンバ20と
グレーティング30との間にアパーチャ52を挿入した
他の実施例を側面図および平面図で示したものである。
た実施例のフロントミラー10とレーザチャンバ20と
の間にアパーチャ51を挿入し、レーザチャンバ20と
グレーティング30との間にアパーチャ52を挿入した
他の実施例を側面図および平面図で示したものである。
ここでアパーチャ51および52はレーザチャンバ20
内の電極23.24による放電方向に長い形状となって
いる。
内の電極23.24による放電方向に長い形状となって
いる。
第8図は第7図に示す装置をフロントミラー10側から
見た図である。この場合°フロントミラー10の後にア
パーチャ51が見え、その後にレーザチャンバ20が見
える。ここでアパーチャ51の孔51aはレーザチャン
バ20内の電極23.24による放電方向に長い長方形
となっている。
見た図である。この場合°フロントミラー10の後にア
パーチャ51が見え、その後にレーザチャンバ20が見
える。ここでアパーチャ51の孔51aはレーザチャン
バ20内の電極23.24による放電方向に長い長方形
となっている。
なお、レーザチャンバ20とグレーティング30の間に
挿入されるアパーチャ52も第8図に示したアパーチャ
51と同一形状である。
挿入されるアパーチャ52も第8図に示したアパーチャ
51と同一形状である。
ところで前述したように、レーザチャンバ20から出力
されるレーザビームの広がり角は電極23.24による
放電方向よりもこの放電方向に垂直な方向の方が小さく
なっている。したがって上述した実施例のように電極2
3.24の放電方向に長い長方形のアパーチャ51.5
2を用いることによりレーザチャンバ20から出力され
るレーザ光を効率よく透過させることができ、これによ
って出力レベルのアパーチャ挿入による減衰を最小にお
さえることができる。なお、第7図に示した実施例にお
いては2箇所にアパーチャを挿入したが、これを1箇所
にすることもできる。また第2図乃至第6図に示した構
成においても第7図と同様のアパーチャを挿入すること
によって構成することもてきる。
されるレーザビームの広がり角は電極23.24による
放電方向よりもこの放電方向に垂直な方向の方が小さく
なっている。したがって上述した実施例のように電極2
3.24の放電方向に長い長方形のアパーチャ51.5
2を用いることによりレーザチャンバ20から出力され
るレーザ光を効率よく透過させることができ、これによ
って出力レベルのアパーチャ挿入による減衰を最小にお
さえることができる。なお、第7図に示した実施例にお
いては2箇所にアパーチャを挿入したが、これを1箇所
にすることもできる。また第2図乃至第6図に示した構
成においても第7図と同様のアパーチャを挿入すること
によって構成することもてきる。
なお、この場合においてもアパーチャの形状は電極の放
電方向に長い形状にされる。ただし、この形状は長方形
には限らず、例えば楕円形でもよい。またアパーチャを
挿入する箇所は2箇所に限らず1箇所でもよい、3箇所
以上でもよい。
電方向に長い形状にされる。ただし、この形状は長方形
には限らず、例えば楕円形でもよい。またアパーチャを
挿入する箇所は2箇所に限らず1箇所でもよい、3箇所
以上でもよい。
なお、第1図、第3図、第4図、第7図に示すリトロ−
配置の実施例において、グレーティング30は第9図に
示すようなニジエールグレーティングを用いると好適で
ある。ニジエールグレーティングは第9図に示すように
溝の頂角かほぼ直角となっており、またブレーズ角βの
大きなものか製作可能であるため、高効率てしかも高分
解能となっている。したがって上述したリトロ−配置の
第1図、第3図、第4図、第7図に示す実施例において
グレーティング30として第9図に示すようなニジエー
ルグレーティングを用い、レーザ光の入射角および回折
角がそのプレース角を一致するようにすれば更に効率の
よい狭帯域化か可能になり、グレーティング単一段でも
充分な狭帯域化が実現できる。
配置の実施例において、グレーティング30は第9図に
示すようなニジエールグレーティングを用いると好適で
ある。ニジエールグレーティングは第9図に示すように
溝の頂角かほぼ直角となっており、またブレーズ角βの
大きなものか製作可能であるため、高効率てしかも高分
解能となっている。したがって上述したリトロ−配置の
第1図、第3図、第4図、第7図に示す実施例において
グレーティング30として第9図に示すようなニジエー
ルグレーティングを用い、レーザ光の入射角および回折
角がそのプレース角を一致するようにすれば更に効率の
よい狭帯域化か可能になり、グレーティング単一段でも
充分な狭帯域化が実現できる。
第1O図(a) 1(b)はこの発明の更に他の実施例
を側面図および平面図で示したものである。この実施例
は第1図に示した実施例のフロントミラー10をシリン
ドリカルミラー60に置換して構成されたものである。
を側面図および平面図で示したものである。この実施例
は第1図に示した実施例のフロントミラー10をシリン
ドリカルミラー60に置換して構成されたものである。
この第10図に示す実施例においてシリンドリカルミラ
ー60はその機械軸(長さ方向に沿ってミラーを2分す
る軸)をレーザチャンバ20内の電極23.24による
放電方向と一致させるようにして配置される。
ー60はその機械軸(長さ方向に沿ってミラーを2分す
る軸)をレーザチャンバ20内の電極23.24による
放電方向と一致させるようにして配置される。
またシリンドリカルミラー60の曲率半径はレーザ光の
ビームウェストがグレーティング3o上にくるように選
択される。すなわちシリンドリカルミラー60の曲率半
径をR1レーザのキャビティ長、すなわちシリンドリカ
ルミラー60とグレーティング30の回転軸までの長さ
をLとするときR−2Lの関係が成立するようにシリン
ドリカルミラー60の曲率半径を選択する。またシリン
ドリカルミラー60の機械軸とグレーティング30の回
転軸を一致させる。
ビームウェストがグレーティング3o上にくるように選
択される。すなわちシリンドリカルミラー60の曲率半
径をR1レーザのキャビティ長、すなわちシリンドリカ
ルミラー60とグレーティング30の回転軸までの長さ
をLとするときR−2Lの関係が成立するようにシリン
ドリカルミラー60の曲率半径を選択する。またシリン
ドリカルミラー60の機械軸とグレーティング30の回
転軸を一致させる。
これによって更に高効率でレーザ光の狭帯域化を行なう
ことができる。
ことができる。
なお、第2図乃至第6図に示した構成においてもフロン
トミラー10を第10図に示したようなシリンドリカル
ミラーに置換することによって同様に高効率な狭帯域化
が可能になる。
トミラー10を第10図に示したようなシリンドリカル
ミラーに置換することによって同様に高効率な狭帯域化
が可能になる。
また、第10図に示した構成において、]または複数の
アパーチャを挿入することもできる。かかる構成の1例
か第11図(a) 、 (b)に側面図および平面図に
示される。
アパーチャを挿入することもできる。かかる構成の1例
か第11図(a) 、 (b)に側面図および平面図に
示される。
第11図(a) 、(b)において、シリンドリカルミ
ラー60とレーザチャンバ20との間にはアパーチャ5
1か配置され、レーザチャンバ20とグレーティング3
0との間にはアパーチャ52が配置される。ここでアパ
ーチャ51および52は例えば第8図に示したようにレ
ーザチャンバ20内の電極23.24による放電方向に
長い形状のものである。
ラー60とレーザチャンバ20との間にはアパーチャ5
1か配置され、レーザチャンバ20とグレーティング3
0との間にはアパーチャ52が配置される。ここでアパ
ーチャ51および52は例えば第8図に示したようにレ
ーザチャンバ20内の電極23.24による放電方向に
長い形状のものである。
また、第2図乃至第6図のフロントミラー10を第10
図に示したようにシリンドリカルミラーに置換した構成
において、更に第11図に示すようなアパーチャを1個
または複数個挿入して構成してもよい。
図に示したようにシリンドリカルミラーに置換した構成
において、更に第11図に示すようなアパーチャを1個
または複数個挿入して構成してもよい。
なお、上述した実施例においてレーザチャンバ内の電極
23.24による放電方向とグレーティング30または
31の線引方向とは必ずしも正確に垂直にする必要はな
い。グレーティング30または31の線引方向が電極2
3.24による放電方向と略垂直になれば充分高効率な
波長制御が可能となる。
23.24による放電方向とグレーティング30または
31の線引方向とは必ずしも正確に垂直にする必要はな
い。グレーティング30または31の線引方向が電極2
3.24による放電方向と略垂直になれば充分高効率な
波長制御が可能となる。
また、プリズム41.42またはシリンドリカルレンズ
43.44によるビームエキスパンダのビーム拡大方向
はグレーティング30または31の線引方向と正確に一
致する必要はない。ビームエキスパンダのビーム拡大方
向がグレーティング30または31の線引方向と略一致
すれば充分な高効率の波長制御が可能となる。
43.44によるビームエキスパンダのビーム拡大方向
はグレーティング30または31の線引方向と正確に一
致する必要はない。ビームエキスパンダのビーム拡大方
向がグレーティング30または31の線引方向と略一致
すれば充分な高効率の波長制御が可能となる。
またフロントミラーとしてシリンドリカルミラー60を
用いた構成においても、シリンドリカルミラー60の機
械軸が電極23.24による放電方向と略一致し、また
シリンドリカルミラー60の曲率が式R−2Lを略満足
するように決定されかつシリンドリカルミラー60の機
械軸がグレーティングの回転軸と略一致するように構成
されれば充分な高効率が波長制御が可能となる。
用いた構成においても、シリンドリカルミラー60の機
械軸が電極23.24による放電方向と略一致し、また
シリンドリカルミラー60の曲率が式R−2Lを略満足
するように決定されかつシリンドリカルミラー60の機
械軸がグレーティングの回転軸と略一致するように構成
されれば充分な高効率が波長制御が可能となる。
以上説明したようにこの発明によれば非常に高効率で狭
帯域化かでき、しかも耐久性に優れた狭帯域発振エキシ
マレーザを提供することができる。
帯域化かでき、しかも耐久性に優れた狭帯域発振エキシ
マレーザを提供することができる。
第1図(a) 、(b)はリトコー配置をとるこの発明
の一実施例を示す側面図および平面図、第2図(a)
、(b)は斜入射配置をとるこの発明の他の実施例を示
す側面図および平面図、第3図(a) 、 (b)はプ
リズムによるビームエキスパンダを用いたりドロー配置
をとるこの発明の他の実施例を示す側面図および平面図
、第4図(a) 、(b)はシリンドリカルレンズによ
るビームエキスパンダを用いたりドロー配置をとるこの
発明の他の実施例を示す側面図および平面図、第5図(
a) 、 (b)はプリズムによるビームエキスパンダ
を用いた斜入射配置をとるこの発明の他の実施例を示す
側面図および平面図、第6図(a) 、 (b)はシリ
ンドリカルレンズによるビームエキスパンダを用いた斜
入射配置をとるこの発明の他の実施例を示す側面図およ
び平面図、第7図(a) 、 (b)はアパーチャを挿
入したこの発明の他の実施例を示す側面図および平面図
、第8図は第7図に示す実施例をフロントミラ一方向か
ら見た図、第9図はニジエールグレーティングの一例を
示す図、第10図(a) 、 (b)はフロントミラー
としてシリンドリカルミラーを用いたこの発明の他の実
施例を示す側面図および平面図、第11図(a) 、
(b)はフロントミラーとしてシリンドリカルミラーを
用い、かつアパーチャを挿入したこの発明の他の実施例
を示す側面図および平面図である。 10・・フロントミラー、20・・・レーザチャンバ、
21.22・・・ウィンド、23.24・・・電極、3
0゜31・・・・グレーティング、32・・・全反射ミ
ラー、41.42・・・プリズム、43.44・・・シ
リンドリカルレンズ、51.52・・アパーチャ、60
・シリンドリカルミラー。 第1図(a) 第1図(b) 第2図(a) 第2図(b) z4 第4図(a) 第4図(b) 第6図(a) j] 第6図(b) 埋 第7図(a) 第7図(b)
の一実施例を示す側面図および平面図、第2図(a)
、(b)は斜入射配置をとるこの発明の他の実施例を示
す側面図および平面図、第3図(a) 、 (b)はプ
リズムによるビームエキスパンダを用いたりドロー配置
をとるこの発明の他の実施例を示す側面図および平面図
、第4図(a) 、(b)はシリンドリカルレンズによ
るビームエキスパンダを用いたりドロー配置をとるこの
発明の他の実施例を示す側面図および平面図、第5図(
a) 、 (b)はプリズムによるビームエキスパンダ
を用いた斜入射配置をとるこの発明の他の実施例を示す
側面図および平面図、第6図(a) 、 (b)はシリ
ンドリカルレンズによるビームエキスパンダを用いた斜
入射配置をとるこの発明の他の実施例を示す側面図およ
び平面図、第7図(a) 、 (b)はアパーチャを挿
入したこの発明の他の実施例を示す側面図および平面図
、第8図は第7図に示す実施例をフロントミラ一方向か
ら見た図、第9図はニジエールグレーティングの一例を
示す図、第10図(a) 、 (b)はフロントミラー
としてシリンドリカルミラーを用いたこの発明の他の実
施例を示す側面図および平面図、第11図(a) 、
(b)はフロントミラーとしてシリンドリカルミラーを
用い、かつアパーチャを挿入したこの発明の他の実施例
を示す側面図および平面図である。 10・・フロントミラー、20・・・レーザチャンバ、
21.22・・・ウィンド、23.24・・・電極、3
0゜31・・・・グレーティング、32・・・全反射ミ
ラー、41.42・・・プリズム、43.44・・・シ
リンドリカルレンズ、51.52・・アパーチャ、60
・シリンドリカルミラー。 第1図(a) 第1図(b) 第2図(a) 第2図(b) z4 第4図(a) 第4図(b) 第6図(a) j] 第6図(b) 埋 第7図(a) 第7図(b)
Claims (14)
- (1)波長選択素子としてグレーティングを用いた放電
励起による狭帯域発振エキシマレーザにおいて、 前記グレーティングを、その線引方向が前記放電励起の
ための放電方向と略垂直となるように配置した狭帯域発
振エキシマレーザ。 - (2)前記グレーティングは、エシエールタイプのグレ
ーティングである請求項(1)記載の狭帯域発振エキシ
マレーザ。 - (3)波長選択素子としてグレーティングを用いるとと
もに該グレーティングへビームエキスパンダを介してレ
ーザ光を照射する放電励起による狭帯域発振エキシマレ
ーザにおいて、 前記グレーティングの線方向と前記ビームエキスパンダ
のビーム拡大方向とが前記放電励起のための放電方向と
それぞれ略垂直となるように前記グレーティングおよび
ビームエキスパンダを配置した狭帯域発振エキシマレー
ザ。 - (4)前記グレーティングは、エシエールタイプのグレ
ーティングである請求項(3)記載の狭帯域発振エキシ
マレーザ。 - (5)前記ビームエキスパンダは、プリズムを用いて構
成され、前記プリズムの稜線方向は前記放電方向と略平
行にされる請求項(3)記載の狭帯域発振エキシマレー
ザ。 - (6)前記ビームエキスパンダは、シリンドリカルレン
ズを用いて構成され、前記シリンドリカルレンズの機械
軸は前記放電方向と略平行にされる請求項(3)記載の
狭帯域発振エキシマレーザ。 - (7)波長選択素子としてグレーティングを用いるとと
もに光共振器内にアパーチャを配置した放電励起による
狭帯域発振エキシマレーザにおいて、前記グレーティン
グを、その線引方向が前記放電励起のための放電方向と
略垂直となるように配置するとともに、前記アパーチャ
を前記放電方向に長い形状とした狭帯域発振エキシマレ
ーザ。 - (8)波長選択素子としてグレーティングを用いるとと
もに該グレーティングへビームエキスパンダを介してレ
ーザ光を照射し、かつ光共振器内にアパーチャを配置し
た放電励起による狭帯域発振エキシマレーザにおいて、 前記グレーティングの線引方向と前記ビームエキスパン
ダのビーム拡大方向とが前記放電励起のための放電方向
とそれぞれ略垂直となるように前記グレーティングおよ
びビームエキスパンダを配置するとともに前記アパーチ
ャを前記放電方向に長い形状にした狭帯域発振エキシマ
レーザ。 - (9)波長選択素子としてグレーティングを用いた放電
励起による狭帯域発振エキシマレーザにおいて、 光共振器のフロントミラーとしてシリンドリカルミラー
を用い、 前記グレーティングを、その線引方向が前記放電励起の
ための放電方向と略垂直となるように配置するとともに
前記シリンドルカルミラーをその機械軸が前記放電方向
と略平行になるように配置した狭帯域発振エキシマレー
ザ。 - (10)波長選択素子としてグレーティングを用いると
ともに該グレーティングへビームエキスパンダを解して
レーザ光を照射した放電励起による狭帯域発振エキシマ
レーザにおいて、 光共振器のフロントミラーとしてシリンドリカルミラー
を用い 前記グレーティングの線引方向と前記ビームエキスパン
ダのビーム拡大方向とが前記放電励起のための放電方向
とそれぞれ略垂直となるように前記グレーティングおよ
びビームエキスパンダを配置するとともに前記シリンド
リカミラーをその機械軸が前記放電方向と略平行になる
ように配置した狭帯域発振エキシマレーザ。 - (11)波長選択素子としてグレーティングを用いると
ともに光共振器内にアパーチャを配置した放電励起によ
る狭帯域発振エキシマレーザにおいて、前記光共振器の
フロントミラーとしてシリンドリカルミラーを用い、 前記グレーティングを、その線引き方向が前記放電励起
のための放電方向と略垂直となるように配置するととも
に前記シリンドリカルミラーをその機械軸が前記放電方
向と略平行になるように配置し、更に前記アパーチャを
前記放電方向に長い形状にした狭帯域発振エキシマレー
ザ。 - (12)波長選択素子としてグレーティングを用いると
ともに該グレーティングへビームエキスパンダを介して
レーザ光を照射し、かつ光共振器内にアパーチャを配置
した放電励起による狭帯域発振エキシマレーザにおいて
、 前記光共振器のフロントミラーとしてシリンドリカルミ
ラーを用い、 前記グレーティングの線引方向と前記ビームエキスパン
ダのビーム拡大方向とが前記放電励起のための放電方向
とそれぞれ略垂直となるように前記グレーティングおよ
びビームエキスパンダを配置するとともに前記シリンド
リカルミラーをその機械軸が前記放電方向と略平行にな
るように配置し、更に前記アパーチャを前記放電方向に
長い形状にした狭帯域発振エキシマレーザ。 - (13)波長選択素子としてグレーティングを用いた放
電励起による狭帯域発振エキシマレーザにおいて、 前記グレーティングを、エシエールタイプのグレーティ
ングで構成した狭帯域発振エキシマレーザ。 - (14)前記グレーティングは、その線引方向が前記放
電励起のための放電方向と略垂直となるように配置した
請求項(13)記載の狭帯域発振エキシマレーザ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1124898A JP2531788B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 狭帯域発振エキシマレ―ザ |
EP90907459A EP0472727B1 (en) | 1989-05-18 | 1990-05-18 | Narrow-band oscillation excimer laser |
DE69012813T DE69012813T2 (de) | 1989-05-18 | 1990-05-18 | Schmalbandiger excimerlaser. |
PCT/JP1990/000639 WO1990014704A1 (fr) | 1989-05-18 | 1990-05-18 | Laser excimer a oscillation a bande etroite |
CA002064207A CA2064207A1 (en) | 1989-05-18 | 1990-05-18 | Narrow band excimer laser |
US08/573,593 US5596596A (en) | 1989-05-18 | 1995-12-15 | Narrow band excimer laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1124898A JP2531788B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 狭帯域発振エキシマレ―ザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02303178A true JPH02303178A (ja) | 1990-12-17 |
JP2531788B2 JP2531788B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=14896836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1124898A Expired - Lifetime JP2531788B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 狭帯域発振エキシマレ―ザ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5596596A (ja) |
EP (1) | EP0472727B1 (ja) |
JP (1) | JP2531788B2 (ja) |
CA (1) | CA2064207A1 (ja) |
DE (1) | DE69012813T2 (ja) |
WO (1) | WO1990014704A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006080384A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Sun Tec Kk | 波長走査型ファイバレーザ光源 |
Families Citing this family (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2836566B2 (ja) * | 1995-12-08 | 1998-12-14 | 日本電気株式会社 | 波長安定化狭帯域エキシマレーザ装置 |
DE19603637C1 (de) | 1996-02-01 | 1997-07-31 | Lambda Physik Gmbh | Laser zur Erzeugung schmalbandiger Strahlung |
US6331994B1 (en) * | 1996-07-19 | 2001-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Excimer laser oscillation apparatus and method, excimer laser exposure apparatus, and laser tube |
CN1061786C (zh) * | 1996-12-27 | 2001-02-07 | 中国科学院电子学研究所 | 高功率窄线宽可调谐激光器 |
US5898725A (en) * | 1997-01-21 | 1999-04-27 | Cymer, Inc. | Excimer laser with greater spectral bandwidth and beam stability |
US5835520A (en) * | 1997-04-23 | 1998-11-10 | Cymer, Inc. | Very narrow band KrF laser |
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US5856991A (en) * | 1997-06-04 | 1999-01-05 | Cymer, Inc. | Very narrow band laser |
US6028879A (en) * | 1997-06-04 | 2000-02-22 | Cymer, Inc. | Narrow band laser with etalon based output coupler |
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IL138064A (en) * | 1998-03-04 | 2004-06-20 | Cymer Inc | Laser excimer KrF reliable narrow-band, modular create |
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US6061382A (en) * | 1998-05-04 | 2000-05-09 | Lambda Physik Gmbh | Laser system and method for narrow spectral linewidth through wavefront curvature compensation |
US6160832A (en) | 1998-06-01 | 2000-12-12 | Lambda Physik Gmbh | Method and apparatus for wavelength calibration |
US6580517B2 (en) | 2000-03-01 | 2003-06-17 | Lambda Physik Ag | Absolute wavelength calibration of lithography laser using multiple element or tandem see through hollow cathode lamp |
US7006541B2 (en) | 1998-06-01 | 2006-02-28 | Lambda Physik Ag | Absolute wavelength calibration of lithography laser using multiple element or tandem see through hollow cathode lamp |
US6490307B1 (en) | 1999-03-17 | 2002-12-03 | Lambda Physik Ag | Method and procedure to automatically stabilize excimer laser output parameters |
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US6381256B1 (en) | 1999-02-10 | 2002-04-30 | Lambda Physik Ag | Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm |
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US6476987B1 (en) | 1999-08-04 | 2002-11-05 | Lambda Physik Ag | Excimer laser with line narrowing |
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