JPH02295208A - 集積可能な増幅器回路 - Google Patents
集積可能な増幅器回路Info
- Publication number
- JPH02295208A JPH02295208A JP2096158A JP9615890A JPH02295208A JP H02295208 A JPH02295208 A JP H02295208A JP 2096158 A JP2096158 A JP 2096158A JP 9615890 A JP9615890 A JP 9615890A JP H02295208 A JPH02295208 A JP H02295208A
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- JP
- Japan
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- transistor
- amplifier stage
- differential amplifier
- current
- reference potential
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
- H03F1/48—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
- H03F1/486—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers with IC amplifier blocks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非反転入力端に第1レファレンス電位が与え
られかつ反転入力端に入力電流が与えられる差動増幅器
段を備えた集積可能な増幅器回路に関する. 〔従来の技術〕 多くの適用を可能にするために、低レベルの入力信号に
て駆動できる増幅器回路が必要である。
られかつ反転入力端に入力電流が与えられる差動増幅器
段を備えた集積可能な増幅器回路に関する. 〔従来の技術〕 多くの適用を可能にするために、低レベルの入力信号に
て駆動できる増幅器回路が必要である。
その際、入力信号には雑音となる直流成分が重畳するこ
とがしばしばある。これにより、例えば後続の回路段お
よび(または)増幅器回路自身が過制御され、それによ
って信号の良好な継続処理が妨げられることがある。一
般にそのために増幅器回路にはRCハイバスフィルタが
前置接続される.〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、このことは信号源が主としてオーミック
ではない周波数依存性抵抗で終わるという欠点をもたら
す.多くのセンサ、例えばホトダイオードにおいては、
信号への影響を出来る限り僅少にするために、出来る限
リオーミックな一定の終端抵抗を得る努力がなされてい
る。
とがしばしばある。これにより、例えば後続の回路段お
よび(または)増幅器回路自身が過制御され、それによ
って信号の良好な継続処理が妨げられることがある。一
般にそのために増幅器回路にはRCハイバスフィルタが
前置接続される.〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、このことは信号源が主としてオーミック
ではない周波数依存性抵抗で終わるという欠点をもたら
す.多くのセンサ、例えばホトダイオードにおいては、
信号への影響を出来る限り僅少にするために、出来る限
リオーミックな一定の終端抵抗を得る努力がなされてい
る。
そこで,本発明は、信号中に含まれる直流成分を抑制し
しかも出来る限り一定の入力抵抗を有する増幅器回路を
提供することを課題とする。
しかも出来る限り一定の入力抵抗を有する増幅器回路を
提供することを課題とする。
このような課題を解決するために、本発明は、差動増幅
器段の非反転出力端と基準電位との間に接続されたキャ
パシタンスと、差動増幅器段の反転出力端と供給電位と
の間に接続された電流源と、コレクタが供給電位に接続
されかつベースが差動増幅器段の非反転出力端に接続さ
れた一方の導電形の第1トランジスタと、コレクタが差
動増幅器段の反転入力端に接続されかつベースが第2レ
ファレンス電位を与えられる他方の導電形の第2トラン
ジスタと、第1トランジスタのエミッタと第2トランジ
スタのエミッタとの間に接続された抵抗とを有すること
を特徴とする. 〔実施例〕 次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
. 図示された実施例は2個のエミッタ結合されたNPN}
ランジスタ3、4から構成されたトランジスタ対を備え
た差動増幅器段を示しており、両コレクタはそれぞれ電
流ミラー回路の分校に接続されている。差動増幅器段の
反転出力端を構成するトランジスタ4のコレクタは抵抗
9を介して電流ミラー回路の入力分枝に接続されている
。電流ミラー回路の入力分枝はベースとコレクタとを接
続することによりダイオードとして順方向に駆動されか
つ正の供給電位2が与えられているPNPトランジスタ
6を有している。トランジスタ6のベースは電流ミラー
回路の出力分枝を構成するPNP}ランジスタ5のベー
スに接続され、そのトランジスタ5のエミッタは同様に
供給電位2が与えられ、トランジスタ5のコレクタはト
ランジスタ3のコレクタに接続されている.コレクタが
差動増幅器段の反転出力端ならびに増幅器回路の出力端
26を構成しているトランジスタ4のベースは、直列接
続されてベースとコレクタとを接続することによりそれ
ぞれダイオードとして順方向に駆動される2個のNPN
}ランジスタ22、23を介して、基準電位lに接続
されている。差動増幅器段の非反転入力端として設けら
れているトランジスタ4のベースはさらに電流バンクの
第1出力端によって給電される.この実施例における電
流バンクは全体で4個の出力端を脊している.その第1
出力端はPNP }ランジスタ12の第1コレクタによ
って構成され、そのトランジスタ12の第2コレクタは
第2出力端としてトランジスタ3のコレクタに接続され
ている.電流バンクの第3出力端、つまりPNP トラ
ンジスタl3のコレクタは、直列接続されてそれぞれベ
ースとコレクタとを接続することによりダイオードとし
て順方向に駆動される3個のNPN}ランジスタ29、
30、3lを介して、基準電位1が与えられている.電
流バンクの第4出力端はPNP }ランジスタ14のコ
レクタによって構成されており、そして、コレクタとベ
ースとを接続することによってダイオードとして順方向
に駆動されるNPN}ランジスタ24とこのトランジス
タ24に直列接続されている抵抗25とを介して、同様
に基準電位1に接続されている.トランジスタ24のベ
ースはNPNトランジスタ7のベースに接続され、この
トランジスタ7のエミッタは抵抗8を介して基準電位l
に接続され、そのトランジスタ7のコレクタはトランジ
スタ3、4のエミッタに接続されている.さらに、電流
バンクにおいてはそれぞれトランジスタ12、13、1
4のエミッタは抵抗15、16、17を介して供給電位
2を印加され、これらのトランジスタのベースは共通的
にバイアス電圧源18に接続され、このバイアス電圧源
18の他方の端子は供給電位2を印加されている.差動
増幅器段の非反転出力端としてのトランジスタ3のコレ
クタにはさらにNPN I−ランジスタl9のベースが
接続され、このトランジスタ19のコレクタには供給電
位2が与えられている。トランジスタ19のエミッタは
一方では抵抗32を介して、他方では抵抗21とPNP
}ランジスタ20のエミッタ・コレクタ区間との直列
接続回路を介してトランジスタ3のベースに接続されて
いる.トランジスタ20のベースは電流バンクの第3出
力端に接続されている。さらに、差動増幅器段の反転入
力端、つまりトランジスタ30ベースは抵抗27を介し
て増幅器回路の入力端10に導かれている.最後に、基
準電位1と差動増幅器段の非反転出力端との間にはキャ
バシタンスダイオード11が接続されており、その場合
非反転出力端はさらに端子28に接続されている.図示
された増幅器回路の機能は差動増幅器段の周波数依存性
動作点設定に基づいている.動作点設定は一方では差動
増幅器段の非反転入力端に第1レファレンス電位Url
が与えられることによって行われ、他方では本発明に基
づいて非反転出力端と反転入力端との間に能動負帰還回
路網が設けられることによって行われる.この能動負帰
還回路網はトランジスタ19、20と、抵抗21、32
と、キャパシタンスダイオード11と、電流バンクの第
2出力端によって与えられる電流源とから構成されてい
る.その際、キャパシタンスダイオード11と電流バン
クの第2電流出力端によって与えられる電流源とは、差
動増幅器段の非反転出力端とトランジスタ19のベース
との間に接続されるローバスフィルタを構成している.
このローパスフィルタの出力信号によってトランジスタ
l9を介して、供給電位2から反転入力端に流れる電流
が制御される.この電流は2つの部分電流に分割され、
つまり抵抗32を通る部分電流と抵抗21を通る部分電
流とに分割され、その場合抵抗21を通る部分電流はト
ランジスタ20によって同様に制御可能である。トラン
ジスタ20のベースは第2レファレンス電位Ur2が与
えられるので、差動増幅器段の非反転出力端における電
位が上昇すると同様にトランジスタ19のエミフタ電位
、従ってトランジスタ20のエミッタ電位も高くなり、
それによってトランジスタ20は強く導通し、それゆえ
抵抗21を通って流れる電流が増大する.供給電位2と
差動増幅器段の反転入力端との間を通って流れる電流は
差動増幅器段の反転入力端に流れ込む入力電流reに対
して逆位相の関係にあるので、両電流の減算が有効に行
われる。能動負帰還回路のローバスフィルタ動作は従っ
て全体的にハイパスフィルタ動作を行う。
器段の非反転出力端と基準電位との間に接続されたキャ
パシタンスと、差動増幅器段の反転出力端と供給電位と
の間に接続された電流源と、コレクタが供給電位に接続
されかつベースが差動増幅器段の非反転出力端に接続さ
れた一方の導電形の第1トランジスタと、コレクタが差
動増幅器段の反転入力端に接続されかつベースが第2レ
ファレンス電位を与えられる他方の導電形の第2トラン
ジスタと、第1トランジスタのエミッタと第2トランジ
スタのエミッタとの間に接続された抵抗とを有すること
を特徴とする. 〔実施例〕 次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
. 図示された実施例は2個のエミッタ結合されたNPN}
ランジスタ3、4から構成されたトランジスタ対を備え
た差動増幅器段を示しており、両コレクタはそれぞれ電
流ミラー回路の分校に接続されている。差動増幅器段の
反転出力端を構成するトランジスタ4のコレクタは抵抗
9を介して電流ミラー回路の入力分枝に接続されている
。電流ミラー回路の入力分枝はベースとコレクタとを接
続することによりダイオードとして順方向に駆動されか
つ正の供給電位2が与えられているPNPトランジスタ
6を有している。トランジスタ6のベースは電流ミラー
回路の出力分枝を構成するPNP}ランジスタ5のベー
スに接続され、そのトランジスタ5のエミッタは同様に
供給電位2が与えられ、トランジスタ5のコレクタはト
ランジスタ3のコレクタに接続されている.コレクタが
差動増幅器段の反転出力端ならびに増幅器回路の出力端
26を構成しているトランジスタ4のベースは、直列接
続されてベースとコレクタとを接続することによりそれ
ぞれダイオードとして順方向に駆動される2個のNPN
}ランジスタ22、23を介して、基準電位lに接続
されている。差動増幅器段の非反転入力端として設けら
れているトランジスタ4のベースはさらに電流バンクの
第1出力端によって給電される.この実施例における電
流バンクは全体で4個の出力端を脊している.その第1
出力端はPNP }ランジスタ12の第1コレクタによ
って構成され、そのトランジスタ12の第2コレクタは
第2出力端としてトランジスタ3のコレクタに接続され
ている.電流バンクの第3出力端、つまりPNP トラ
ンジスタl3のコレクタは、直列接続されてそれぞれベ
ースとコレクタとを接続することによりダイオードとし
て順方向に駆動される3個のNPN}ランジスタ29、
30、3lを介して、基準電位1が与えられている.電
流バンクの第4出力端はPNP }ランジスタ14のコ
レクタによって構成されており、そして、コレクタとベ
ースとを接続することによってダイオードとして順方向
に駆動されるNPN}ランジスタ24とこのトランジス
タ24に直列接続されている抵抗25とを介して、同様
に基準電位1に接続されている.トランジスタ24のベ
ースはNPNトランジスタ7のベースに接続され、この
トランジスタ7のエミッタは抵抗8を介して基準電位l
に接続され、そのトランジスタ7のコレクタはトランジ
スタ3、4のエミッタに接続されている.さらに、電流
バンクにおいてはそれぞれトランジスタ12、13、1
4のエミッタは抵抗15、16、17を介して供給電位
2を印加され、これらのトランジスタのベースは共通的
にバイアス電圧源18に接続され、このバイアス電圧源
18の他方の端子は供給電位2を印加されている.差動
増幅器段の非反転出力端としてのトランジスタ3のコレ
クタにはさらにNPN I−ランジスタl9のベースが
接続され、このトランジスタ19のコレクタには供給電
位2が与えられている。トランジスタ19のエミッタは
一方では抵抗32を介して、他方では抵抗21とPNP
}ランジスタ20のエミッタ・コレクタ区間との直列
接続回路を介してトランジスタ3のベースに接続されて
いる.トランジスタ20のベースは電流バンクの第3出
力端に接続されている。さらに、差動増幅器段の反転入
力端、つまりトランジスタ30ベースは抵抗27を介し
て増幅器回路の入力端10に導かれている.最後に、基
準電位1と差動増幅器段の非反転出力端との間にはキャ
バシタンスダイオード11が接続されており、その場合
非反転出力端はさらに端子28に接続されている.図示
された増幅器回路の機能は差動増幅器段の周波数依存性
動作点設定に基づいている.動作点設定は一方では差動
増幅器段の非反転入力端に第1レファレンス電位Url
が与えられることによって行われ、他方では本発明に基
づいて非反転出力端と反転入力端との間に能動負帰還回
路網が設けられることによって行われる.この能動負帰
還回路網はトランジスタ19、20と、抵抗21、32
と、キャパシタンスダイオード11と、電流バンクの第
2出力端によって与えられる電流源とから構成されてい
る.その際、キャパシタンスダイオード11と電流バン
クの第2電流出力端によって与えられる電流源とは、差
動増幅器段の非反転出力端とトランジスタ19のベース
との間に接続されるローバスフィルタを構成している.
このローパスフィルタの出力信号によってトランジスタ
l9を介して、供給電位2から反転入力端に流れる電流
が制御される.この電流は2つの部分電流に分割され、
つまり抵抗32を通る部分電流と抵抗21を通る部分電
流とに分割され、その場合抵抗21を通る部分電流はト
ランジスタ20によって同様に制御可能である。トラン
ジスタ20のベースは第2レファレンス電位Ur2が与
えられるので、差動増幅器段の非反転出力端における電
位が上昇すると同様にトランジスタ19のエミフタ電位
、従ってトランジスタ20のエミッタ電位も高くなり、
それによってトランジスタ20は強く導通し、それゆえ
抵抗21を通って流れる電流が増大する.供給電位2と
差動増幅器段の反転入力端との間を通って流れる電流は
差動増幅器段の反転入力端に流れ込む入力電流reに対
して逆位相の関係にあるので、両電流の減算が有効に行
われる。能動負帰還回路のローバスフィルタ動作は従っ
て全体的にハイパスフィルタ動作を行う。
零発゜明によれば、両レファレンス電位Ur1、Ur2
はダイオード区間での電圧降下によって作成される。こ
のためにこの実施例においては第1レファレンス電位U
rlを作成するために直列接続されて電流源から給電さ
れる2個のダイオードつまり同様に接続されたトランジ
スタ22、23が設けられ、また、第2レファレンス電
位Ur2を作成するために直列接続されて電流源から給
電される3個のダイオードつまり同様に接続されたトラ
ンジスタ29、30、31が設けられている.この利点
は、ダイオードは集積回路技術においては非常に箇単に
実施することかでき、しかもほぼ同じ温度係数を有し、
それゆえ増幅器段による継続処理によって全体の温度係
数を零にほぼ等しくすることが出来るという点にある。
はダイオード区間での電圧降下によって作成される。こ
のためにこの実施例においては第1レファレンス電位U
rlを作成するために直列接続されて電流源から給電さ
れる2個のダイオードつまり同様に接続されたトランジ
スタ22、23が設けられ、また、第2レファレンス電
位Ur2を作成するために直列接続されて電流源から給
電される3個のダイオードつまり同様に接続されたトラ
ンジスタ29、30、31が設けられている.この利点
は、ダイオードは集積回路技術においては非常に箇単に
実施することかでき、しかもほぼ同じ温度係数を有し、
それゆえ増幅器段による継続処理によって全体の温度係
数を零にほぼ等しくすることが出来るという点にある。
さらに、電流バンクとしての電流源の実現も同様に良好
なコモンモード動作に貢献する. 本発明によれば、キャバシタンスとしてキャパシタンス
ダイオードが設けられる.このことにより、外付けエレ
メントが必要とされないという利点がもたらされる..
シかしながら、例えばキャバシタンスダイオード11に
外付けにてコンデンサを並列接続することによって、基
本周波数設定用の外付けエレメントを接続することも可
能である.その際には、しかしながら、内蔵のキャバシ
タンスダイオード11は省略することが出来る.図示の
実施例において示された差動増幅器段は特に優れた実施
例を表しているが、しかしながら他の実施形態も適用可
能である.図示された実施例の利点は非常に僅かな回路
技術上の労力にて実施可能であり、その場合、トランジ
スタ5、6を備えた電流ミラー回路および抵抗9によっ
て充分な電流制限手段と共に、動作点および増幅率設定
手段が与えられる. さらに、バイボーラ技術による実現と共に、MoS技術
による実現も同様に可能である。
なコモンモード動作に貢献する. 本発明によれば、キャバシタンスとしてキャパシタンス
ダイオードが設けられる.このことにより、外付けエレ
メントが必要とされないという利点がもたらされる..
シかしながら、例えばキャバシタンスダイオード11に
外付けにてコンデンサを並列接続することによって、基
本周波数設定用の外付けエレメントを接続することも可
能である.その際には、しかしながら、内蔵のキャバシ
タンスダイオード11は省略することが出来る.図示の
実施例において示された差動増幅器段は特に優れた実施
例を表しているが、しかしながら他の実施形態も適用可
能である.図示された実施例の利点は非常に僅かな回路
技術上の労力にて実施可能であり、その場合、トランジ
スタ5、6を備えた電流ミラー回路および抵抗9によっ
て充分な電流制限手段と共に、動作点および増幅率設定
手段が与えられる. さらに、バイボーラ技術による実現と共に、MoS技術
による実現も同様に可能である。
本発明によれば、過制御が抑制されかつ基本増幅率が高
まるという利点が得られる,
まるという利点が得られる,
図は本発明の一実施例を示す回路図である。
■・・・基準電位
2・・・供給電位
3、4、5、6、7・・・トランジスタ8、9・・・抵
抗 11・・・キャパシタンスダイオード 12・・・トランジスタ 15・・・抵抗 18・・・バイアス電圧源 I9、20・・・トランジスタ 21、32・・・抵抗 22、22・・・トランジスタ
抗 11・・・キャパシタンスダイオード 12・・・トランジスタ 15・・・抵抗 18・・・バイアス電圧源 I9、20・・・トランジスタ 21、32・・・抵抗 22、22・・・トランジスタ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)非反転入力端に第1レファレンス電位(Ur1)が
与えられかつ反転入力端に入力電流(Ie)が与えられ
る差動増幅器段(3〜9)を備えた集積可能な増幅器回
路において、前記差動増幅器段(3〜9)の非反転出力
端と基準電位(1)との間に接続されたキャパシタンス
(11)と、前記差動増幅器段(3〜9)の反転出力端
と供給電位(2)との間に接続された電流源(18、1
5、12)と、コレクタが前記供給電位(2)に接続さ
れかつベースが前記差動増幅器段(3〜9)の非反転出
力端に接続された一方の導電形の第1トランジスタ(1
9)と、コレクタが前記差動増幅器段(3〜9)の反転
入力端に接続されかつベースが第2レファレンス電位(
Ur2)を与えられる他方の導電形の第2トランジスタ
(20)と、前記第1トランジスタ(19)のエミッタ
と第2トランジスタ(20)のエミッタとの間に接続さ
れた抵抗(21)とを有することを特徴とする集積可能
な増幅器回路。 2)前記第1トランジスタ(19)のエミッタと前記差
動増幅器段(3〜9)の反転入力端との間に接続された
別の抵抗(32)を有することを特徴とする請求項1記
載の集積可能な増幅器回路。 3)前記キャパシタンスとしてキャパシタンスダイオー
ド(11)が設けられることを特徴とする請求項1また
は2記載の集積可能な増幅器回路。 4)前記両レファレンス電位(Ur1、Ur2)を作成
するためにそれぞれ1個または直列接続された複数個の
、定電流を与えられるダイオード(19〜23)が設け
られることを特徴とする請求項1ないし3の1つに記載
の集積可能な増幅器回路。 5)前記差動増幅器段(3〜9)としてエミッタ結合さ
れて別の電流源から給電されるトランジスタ対(3、4
)が設けられ、それらのコレクタはそれぞれ電流ミラー
回路(5、6)の分枝に接続され、前記トランジスタ対
(3、4)の両トランジスタの内の一方のトランジスタ
の、前記差動増幅器段(3〜9)の反転出力端を形成す
るコレクタは抵抗(9)を介して前記電流ミラー回路(
5、6)の入力分枝に接続されることを特徴とする請求
項1ないし4の1つに記載の集積可能な増幅器回路。 6)電流源の少なくとも2個は電流バンク(12〜18
、7、8、24、25)の出力分枝によって与えられる
ことを特徴とする請求項1ないし5の1つに記載の集積
可能な増幅器回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP89106663A EP0392062B1 (de) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | Integrierbare Verstärkerschaltung |
EP89106663.1 | 1989-04-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02295208A true JPH02295208A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=8201232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2096158A Pending JPH02295208A (ja) | 1989-04-14 | 1990-04-11 | 集積可能な増幅器回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5015967A (ja) |
EP (1) | EP0392062B1 (ja) |
JP (1) | JPH02295208A (ja) |
DE (1) | DE58907957D1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04189007A (ja) * | 1990-11-22 | 1992-07-07 | Nec Corp | 差動アンプ回路 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3968361A (en) * | 1975-06-23 | 1976-07-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Laser receiver anti-sun circuit |
US4042886A (en) * | 1975-08-18 | 1977-08-16 | Motorola, Inc. | High input impedance amplifier circuit having temperature stable quiescent operating levels |
US4092611A (en) * | 1977-05-06 | 1978-05-30 | National Semiconductor Corporation | Adaptively biased differential operational amplifier for photo diode |
DE2748647C2 (de) * | 1977-10-29 | 1986-06-19 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar | Verstärker für elektrische Signale |
US4481480A (en) * | 1982-10-04 | 1984-11-06 | Tektronix, Inc. | Feedback amplifier having a voltage-controlled compensation circuit |
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