JPH057885B2 - - Google Patents
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- JPH057885B2 JPH057885B2 JP58072525A JP7252583A JPH057885B2 JP H057885 B2 JPH057885 B2 JP H057885B2 JP 58072525 A JP58072525 A JP 58072525A JP 7252583 A JP7252583 A JP 7252583A JP H057885 B2 JPH057885 B2 JP H057885B2
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- transistor
- diode
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- resistor
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0017—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
- H03G1/0023—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier in emitter-coupled or cascode amplifiers
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、集積回路化に好適な利得制御回路
に関する。
に関する。
「背景技術とその問題点」
この発明が適用される利得制御回路の一例につ
いて第1図を参照して説明する。第1図におい
て、1が入力信号電圧源で、入力信号電圧源1が
コンデンサ2及び抵抗3を介してダイオード4及
び5の直列接続の接続点に接続される。ダイオー
ド4,5は、コレクタ及びベースが共通接続され
たトランジスタであつて、以下に述べるダイオー
ドも同様である。ダイオード4,5の直列回路の
一端に定電流源8が接続され、その他端にバイア
ス電圧源9が接続され、ダイオード4,5の直列
回路に対してその順方向に定電流21が供給さ
れる。
いて第1図を参照して説明する。第1図におい
て、1が入力信号電圧源で、入力信号電圧源1が
コンデンサ2及び抵抗3を介してダイオード4及
び5の直列接続の接続点に接続される。ダイオー
ド4,5は、コレクタ及びベースが共通接続され
たトランジスタであつて、以下に述べるダイオー
ドも同様である。ダイオード4,5の直列回路の
一端に定電流源8が接続され、その他端にバイア
ス電圧源9が接続され、ダイオード4,5の直列
回路に対してその順方向に定電流21が供給さ
れる。
ダイオード5がトランジスタ7のベース・エミ
ツタ間に接続され、トランジスタ7のコレクタに
ダイオード6を通じて定電流源8が接続され、ト
ランジスタ7のベースがダイオード4及び5の接
続点に接続される。更に、トランジスタ11,1
2,22の定電流源13、負荷抵抗14,15
からなる差動アンプが設けられ、トランジスタ7
のベースとトランジスタ11のベースが接続され
ると共に、トランジスタ7のコレクタとトランジ
スタ12のベースが接続される。16,17は、
差動の出力電圧が取り出される出力端子、18は
電源端子である。
ツタ間に接続され、トランジスタ7のコレクタに
ダイオード6を通じて定電流源8が接続され、ト
ランジスタ7のベースがダイオード4及び5の接
続点に接続される。更に、トランジスタ11,1
2,22の定電流源13、負荷抵抗14,15
からなる差動アンプが設けられ、トランジスタ7
のベースとトランジスタ11のベースが接続され
ると共に、トランジスタ7のコレクタとトランジ
スタ12のベースが接続される。16,17は、
差動の出力電圧が取り出される出力端子、18は
電源端子である。
この第1図に示す構成において、抵抗3によつ
て信号電圧viが信号isに変換され、ダイオード4
及び6には、図示のように、差動信号電流(1
−1/2is)及び(1+1/2is)(但し、トランジ
ス タ7のベース電流を無視している)が流れる。
て信号電圧viが信号isに変換され、ダイオード4
及び6には、図示のように、差動信号電流(1
−1/2is)及び(1+1/2is)(但し、トランジ
ス タ7のベース電流を無視している)が流れる。
今、信号電流isが加えられたときに、ダイオー
ド4を通ずる電流が(1−i1)に変化したもの
と仮定する。このとき、トランジスタ7のベース
電流を無視すれば、ダイオード5を流れる電流
は、(1−i1+is)でなければならない。トラン
ジスタ5の順方向電圧降下がトランジスタ7のベ
ース・エミツタ間に加えられているので、トラン
ジスタ7のコレクタ電流も(1−i1+is)とな
る。ダイオード4及び6に対して供給される電流
の総和は、21であるから (1−i1)+(1−i1+is)=21 ∴ i1=1/2is となり、ダイオード4及び6の夫々に(1−1/2 is)及び(1+1/2is)の差動信号電流isが流れ る。
ド4を通ずる電流が(1−i1)に変化したもの
と仮定する。このとき、トランジスタ7のベース
電流を無視すれば、ダイオード5を流れる電流
は、(1−i1+is)でなければならない。トラン
ジスタ5の順方向電圧降下がトランジスタ7のベ
ース・エミツタ間に加えられているので、トラン
ジスタ7のコレクタ電流も(1−i1+is)とな
る。ダイオード4及び6に対して供給される電流
の総和は、21であるから (1−i1)+(1−i1+is)=21 ∴ i1=1/2is となり、ダイオード4及び6の夫々に(1−1/2 is)及び(1+1/2is)の差動信号電流isが流れ る。
また、信号電流isによつてトランジスタ11及
び12のコレクタ電流が(2+ix)及び(2−
ix)に変化したものと仮定すると、ダイオード4
及び6のベース・エミツタ間電圧降下VBE4及び
VBE6とトランジスタ11及び12のベース・エミ
ツタ間電圧降下VBE11及びVBE12の夫々は、次式で
示すものとなる。
び12のコレクタ電流が(2+ix)及び(2−
ix)に変化したものと仮定すると、ダイオード4
及び6のベース・エミツタ間電圧降下VBE4及び
VBE6とトランジスタ11及び12のベース・エミ
ツタ間電圧降下VBE11及びVBE12の夫々は、次式で
示すものとなる。
VBE4=kT/qln(1−1/2is/s
VBE6=kT/qln(1+1/2is/s
VBE11=kT/qln(2+ix/Is
VBE12=kT/qln(2−ix/Is
但し、Is:逆方向飽和電流、q:電子の電荷、
k:ボルツマン定数、T:絶対温度。そして、
(VBE4+VBE11)=(VBE6+VBE12)の関係があるの
で、 (1−1/2is)(2+ix)=
(1+1/2is)(2−ix) ∴ ix=I2/2I1iS 一方の出力端子16に得られる出力信号電圧
Vo(直流分を含まない)は、負荷抵抗14の値を
RLとすると Vo=RLix=I2/2I1RLis となる。また、入力信号源側から信号電流供給端
を見た入力インピーダンスZiは、(I1≫is)のとき
に、re/2(=1/2 kT/qI1)で近似される。した
がつ て、抵抗3の値をR3とすると is=vi/(R3+re/2) ∴ Vo=RL/2(R3+re/2)・I2/I1Vi となる。上式から明かなように、定電流I1又はI2
の少なくとも一方を可変することによつて利得制
御を行なうことができる。通常、バイアス電圧源
9としてダイオードが設けられるが、このダイオ
ードが1個の場合のゲインG(=Vo/Vi)は G=RL/2(R3+re/2+re/2)・I2/I1 となる。
k:ボルツマン定数、T:絶対温度。そして、
(VBE4+VBE11)=(VBE6+VBE12)の関係があるの
で、 (1−1/2is)(2+ix)=
(1+1/2is)(2−ix) ∴ ix=I2/2I1iS 一方の出力端子16に得られる出力信号電圧
Vo(直流分を含まない)は、負荷抵抗14の値を
RLとすると Vo=RLix=I2/2I1RLis となる。また、入力信号源側から信号電流供給端
を見た入力インピーダンスZiは、(I1≫is)のとき
に、re/2(=1/2 kT/qI1)で近似される。した
がつ て、抵抗3の値をR3とすると is=vi/(R3+re/2) ∴ Vo=RL/2(R3+re/2)・I2/I1Vi となる。上式から明かなように、定電流I1又はI2
の少なくとも一方を可変することによつて利得制
御を行なうことができる。通常、バイアス電圧源
9としてダイオードが設けられるが、このダイオ
ードが1個の場合のゲインG(=Vo/Vi)は G=RL/2(R3+re/2+re/2)・I2/I1 となる。
上式から明かなように、第1図に示す利得制御
回路は、次段の差動アンプの定電流源13を動作
させるためのバイアス電圧源9をダイオードによ
つて構成すると、その抵抗reによつてゲインが低
下し、また、抵抗reの温度ドリフトにより生じる
ゲインの温度ドリフトが大きい問題点があつた。
回路は、次段の差動アンプの定電流源13を動作
させるためのバイアス電圧源9をダイオードによ
つて構成すると、その抵抗reによつてゲインが低
下し、また、抵抗reの温度ドリフトにより生じる
ゲインの温度ドリフトが大きい問題点があつた。
また、入力信号源に対して、第1図に示す利得
制御回路と並列にリミツタ、スライサなど他の信
号処理回路を接続する場合、コンデンサ2及び抵
抗3の接続点をエミツタホロワ形のトランジスタ
などを介して入力信号電圧を他の信号処理回路に
供給するようになされる。この場合、エミツタホ
ロワ形トランジスタのベース電流により抵抗3で
電圧降下が発生し、抵抗3の温度ドリフトなどに
より、他の信号処理回路に供給される入力信号電
圧の直流レベルが不安定になる欠点があつた。
制御回路と並列にリミツタ、スライサなど他の信
号処理回路を接続する場合、コンデンサ2及び抵
抗3の接続点をエミツタホロワ形のトランジスタ
などを介して入力信号電圧を他の信号処理回路に
供給するようになされる。この場合、エミツタホ
ロワ形トランジスタのベース電流により抵抗3で
電圧降下が発生し、抵抗3の温度ドリフトなどに
より、他の信号処理回路に供給される入力信号電
圧の直流レベルが不安定になる欠点があつた。
「発明の目的」
この発明は、ゲインの低下が小さいと共に、ゲ
インの温度ドリフトが抑えられた利得制御回路の
提供を目的とするものである。
インの温度ドリフトが抑えられた利得制御回路の
提供を目的とするものである。
また、この発明は、利得制御回路と並列に設け
られた他の信号処理回路に対して入力信号を安定
に供給することができる利得制御回路である。
られた他の信号処理回路に対して入力信号を安定
に供給することができる利得制御回路である。
「発明の概要」
この発明は、抵抗を介さずに入力信号電圧を、
2個のダイオードからなる第1の回路配置とダイ
オード及びトランジスタからなる第2の回路配置
とに加え、この第1及び第2の回路配置と基準電
位との間に抵抗を挿入するようにしたものであ
る。
2個のダイオードからなる第1の回路配置とダイ
オード及びトランジスタからなる第2の回路配置
とに加え、この第1及び第2の回路配置と基準電
位との間に抵抗を挿入するようにしたものであ
る。
「実施例」
第1図に示す構成の利得制御回路に対してこの
発明を適用した一実施例が第2図に示されてい
る。
発明を適用した一実施例が第2図に示されてい
る。
入力信号電圧源1がコンデンサ2を介してダイ
オード4及び5の接続点とトランジスタ7のベー
スとに接続される。ダイオード4,5が第1の回
路配置で、ダイオード6及びトランジスタ7が第
2の回路配置であり、電源端子18と第1及び第
2の回路配置との間に、2I1の定電流源8が挿入
され、第1及び第2の回路配置と接地との間に抵
抗21が挿入される。また、トランジスタ7のベ
ースとそのベースが接続されたトランジスタ11
並びにトランジスタ7のコレクタとそのベースが
接続されたトランジスタ12により、差動アンプ
が構成される。
オード4及び5の接続点とトランジスタ7のベー
スとに接続される。ダイオード4,5が第1の回
路配置で、ダイオード6及びトランジスタ7が第
2の回路配置であり、電源端子18と第1及び第
2の回路配置との間に、2I1の定電流源8が挿入
され、第1及び第2の回路配置と接地との間に抵
抗21が挿入される。また、トランジスタ7のベ
ースとそのベースが接続されたトランジスタ11
並びにトランジスタ7のコレクタとそのベースが
接続されたトランジスタ12により、差動アンプ
が構成される。
更に、利得制御回路と並列に接続される他の信
号処理回路に対して入力信号電圧を供給するため
に、コンデンサ2とダイオード4,5との間の接
続点がエミツタホロワ形のトランジスタ22のベ
ースに接続される。図示せずも、トランジスタ2
2のエミツタに対してリミツタ、スライサなどの
回路が設けられており、利得制御された出力信号
とリミツト、スライスなどの処理がされた出力信
号とを得るようにしている。
号処理回路に対して入力信号電圧を供給するため
に、コンデンサ2とダイオード4,5との間の接
続点がエミツタホロワ形のトランジスタ22のベ
ースに接続される。図示せずも、トランジスタ2
2のエミツタに対してリミツタ、スライサなどの
回路が設けられており、利得制御された出力信号
とリミツト、スライスなどの処理がされた出力信
号とを得るようにしている。
上述のこの発明の一実施例では、入力信号電圧
Viが入力インピーダンスZi及び抵抗21によつ
て信号電流iSに変換され、前述と同様に、定電流
源8の値I1又は定電流源13の値I2を変えること
で、ゲインを可変することができる。また、定電
流2I1により抵抗21に生じる電圧降下は、差動
アンプの定電流源13を充分動作させることがで
きるものである。抵抗21の値をR21とすると、
この発明の一実施例のゲインは、次式により表わ
される。
Viが入力インピーダンスZi及び抵抗21によつ
て信号電流iSに変換され、前述と同様に、定電流
源8の値I1又は定電流源13の値I2を変えること
で、ゲインを可変することができる。また、定電
流2I1により抵抗21に生じる電圧降下は、差動
アンプの定電流源13を充分動作させることがで
きるものである。抵抗21の値をR21とすると、
この発明の一実施例のゲインは、次式により表わ
される。
G=RL/2(R21+1/2re)・I2/I1
上式から明かなように、第1図に示す構成のよ
うに、バイアス電圧源9を構成するダイオードの
抵抗が分母の項に含まれていない。
うに、バイアス電圧源9を構成するダイオードの
抵抗が分母の項に含まれていない。
第3図は、この発明の他の実施例を示す。この
例では、ダイオード5、トランジスタ7のエミツ
タ及び抵抗21の接続点と電源端子18との間
に、抵抗23を付加したものである。これは、定
電流I1を小さくして、ゲインを増加させる制御を
行なう時に、抵抗21における電圧降下が減少
し、差動アンプの定電流源13を構成するトラン
ジスタのコレクタ・エミツタ間電圧VCEが小さく
なり、定電流源として動作しなくなることを防止
するためである。この例のゲインは、抵抗21及
び23の並列抵抗値がゲインに関する前式のR21
の代わりに挿入されたものとして表わされる。
例では、ダイオード5、トランジスタ7のエミツ
タ及び抵抗21の接続点と電源端子18との間
に、抵抗23を付加したものである。これは、定
電流I1を小さくして、ゲインを増加させる制御を
行なう時に、抵抗21における電圧降下が減少
し、差動アンプの定電流源13を構成するトラン
ジスタのコレクタ・エミツタ間電圧VCEが小さく
なり、定電流源として動作しなくなることを防止
するためである。この例のゲインは、抵抗21及
び23の並列抵抗値がゲインに関する前式のR21
の代わりに挿入されたものとして表わされる。
第4図は、この発明の更に他の実施例を示す。
この実施例は、トランジスタ7のエミツタと抵抗
21との間にダイオード25を挿入し、トランジ
スタ5と抵抗21との間にトランジスタ24のコ
レクタ・エミツタ通路を挿入し、ダイオード25
で生じる電圧降下をトランジスタ24のベース・
エミツタ接合に加える構成のものである。
この実施例は、トランジスタ7のエミツタと抵抗
21との間にダイオード25を挿入し、トランジ
スタ5と抵抗21との間にトランジスタ24のコ
レクタ・エミツタ通路を挿入し、ダイオード25
で生じる電圧降下をトランジスタ24のベース・
エミツタ接合に加える構成のものである。
第1図に示す利得制御回路は、トランジスタ7
のベース電流によるオフセツトが生じる。直流成
分について考えると、トランジスタ7のベース電
流をIBとすると、ダイオード4には、(I1+IB)の
電流が流れ、ダイオード6には、(I1−IB)の電
流が流れる。これによつて差動アンプの出力信号
間にもオフセツトが生じる。
のベース電流によるオフセツトが生じる。直流成
分について考えると、トランジスタ7のベース電
流をIBとすると、ダイオード4には、(I1+IB)の
電流が流れ、ダイオード6には、(I1−IB)の電
流が流れる。これによつて差動アンプの出力信号
間にもオフセツトが生じる。
これに対して、第4図に示す構成においては、
ダイオード4,6の夫々に対してベース電流成分
を含まない電流(I1−1/2is)及び(I1+1/2is)
を 生じさせることができ、差動出力信号も電流オフ
セツトを含まないものとできる。この点につい
て、信号電流isが加えられたときに、ダイオード
4を流れる電流が(I1−i1)に変化したものとし
て説明する。
ダイオード4,6の夫々に対してベース電流成分
を含まない電流(I1−1/2is)及び(I1+1/2is)
を 生じさせることができ、差動出力信号も電流オフ
セツトを含まないものとできる。この点につい
て、信号電流isが加えられたときに、ダイオード
4を流れる電流が(I1−i1)に変化したものとし
て説明する。
トランジスタ7のベースには、ベース電流(IB
+iB)が流れるので、ダイオード5を流れる電流
は、(I1−i1+is−IB+iB)でなければならない。
トランジスタ24のベースには、トランジスタの
電流増幅率hfeが充分大きい値のときに、トラン
ジスタ7のベース電流(IB+iB)が流れる。した
がつて、トランジスタ24のエミツタ電流は、
(I1−i1+is)となる。ダイオード25に流れる電
流も等しく(I1−i1+is)となり、トランジスタ
7のエミツタ電流が(I1−i1+is−IB+iB)とな
り、そのコレクタ電流即ちダイオード6を流れる
電流が(I1−i1+is)となる。ダイオード4及び
6に対して供給される電流の総和は、2I1である
から (I1−i1)+(I1−i1+is)=2I1 ∴ i1=1/2is となり、ダイオード4及び10の夫々に(I1−
1/2is)及び(I1+1/2is)の差動信号電流が流れ る。
+iB)が流れるので、ダイオード5を流れる電流
は、(I1−i1+is−IB+iB)でなければならない。
トランジスタ24のベースには、トランジスタの
電流増幅率hfeが充分大きい値のときに、トラン
ジスタ7のベース電流(IB+iB)が流れる。した
がつて、トランジスタ24のエミツタ電流は、
(I1−i1+is)となる。ダイオード25に流れる電
流も等しく(I1−i1+is)となり、トランジスタ
7のエミツタ電流が(I1−i1+is−IB+iB)とな
り、そのコレクタ電流即ちダイオード6を流れる
電流が(I1−i1+is)となる。ダイオード4及び
6に対して供給される電流の総和は、2I1である
から (I1−i1)+(I1−i1+is)=2I1 ∴ i1=1/2is となり、ダイオード4及び10の夫々に(I1−
1/2is)及び(I1+1/2is)の差動信号電流が流れ る。
「発明の効果」
この発明に依れば、バイアス電圧源としてのダ
イオードを必要としないので、このダイオードの
抵抗によつてゲインの低下が生じないと共に、ゲ
インが温度的に安定な利得制御回路を構成するこ
とができる。
イオードを必要としないので、このダイオードの
抵抗によつてゲインの低下が生じないと共に、ゲ
インが温度的に安定な利得制御回路を構成するこ
とができる。
また、この発明では、入力信号電圧を利得制御
回路と共に、並列に他の信号処理回路に供給する
時に、この供給される信号電圧が抵抗の電圧降下
の成分を含まないので、この信号電圧を温度的に
安定なものとすることができる。
回路と共に、並列に他の信号処理回路に供給する
時に、この供給される信号電圧が抵抗の電圧降下
の成分を含まないので、この信号電圧を温度的に
安定なものとすることができる。
第1図はこの発明を適用することができる利得
制御回路の接続図、第2図はこの発明の一実施例
の接続図、第3図はこの発明の他の実施例の接続
図、第4図はこの発明の更に他の実施例の接続図
である。 1……入力信号電圧源、4,5,6……ダイオ
ード、8,13……定電流源、11,12……差
動アンプを構成するトランジスタ、16,17…
…出力端子。
制御回路の接続図、第2図はこの発明の一実施例
の接続図、第3図はこの発明の他の実施例の接続
図、第4図はこの発明の更に他の実施例の接続図
である。 1……入力信号電圧源、4,5,6……ダイオ
ード、8,13……定電流源、11,12……差
動アンプを構成するトランジスタ、16,17…
…出力端子。
Claims (1)
- 1 第1のダイオード素子及び第2のダイオード
素子を含み、この第1及び第2のダイオード素子
の接続点にコンデンサを介して入力信号電圧が加
えられる第1の回路配置と、第3のダイオード素
子及びトランジスタのコレクタ・エミツタ通路を
含み、このトランジスタのベースに上記入力信号
電圧が加えられる第2の回路配置と、上記第1及
び第2の回路配置の一端と第1の基準電位点間に
挿入される定電流源と、上記第1及び第2の回路
配置の他端と第2の基準電位点間に挿入される抵
抗からなる定電流源と、上記第1及び第2のダイ
オード素子の接続点がそのベース側に接続された
トランジスタ並びに上記第3のダイオード素子及
びトランジスタのコレクタ間の接続点がそのベー
ス側に接続されたトランジスタからなる差動アン
プとを備え、上記定電流源又は上記差動アンプの
定電流源を変化させて利得制御を行うようにした
利得制御回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7252583A JPS59198015A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 利得制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7252583A JPS59198015A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 利得制御回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59198015A JPS59198015A (ja) | 1984-11-09 |
JPH057885B2 true JPH057885B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=13491832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7252583A Granted JPS59198015A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 利得制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59198015A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5552615A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-17 | Sony Corp | Gain control circuit |
-
1983
- 1983-04-25 JP JP7252583A patent/JPS59198015A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5552615A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-17 | Sony Corp | Gain control circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59198015A (ja) | 1984-11-09 |
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