JPH022285B2 - - Google Patents
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- JPH022285B2 JPH022285B2 JP626186A JP626186A JPH022285B2 JP H022285 B2 JPH022285 B2 JP H022285B2 JP 626186 A JP626186 A JP 626186A JP 626186 A JP626186 A JP 626186A JP H022285 B2 JPH022285 B2 JP H022285B2
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法、特に空間分離
型ドーピングにより２次元電子ガスをチヤネルと
する、砒化ガリウム（GaAs）／砒化アルミニウ
ムガリウム（AIGaAs）系半導体装置の製造方法
の改善に関する。
型ドーピングにより２次元電子ガスをチヤネルと
する、砒化ガリウム（GaAs）／砒化アルミニウ
ムガリウム（AIGaAs）系半導体装置の製造方法
の改善に関する。
半導体装置の高速化等を目的としてGaAs系な
どの化合物半導体の実用化が進められ、更に不純
物ドーピング領域とキヤリア移動領域とを空間的
に分離し、２次元状態の電子をキヤリアとする高
電子移動度電界効果トランジスタ（HEMT）等
の半導体装置が開発されている。
どの化合物半導体の実用化が進められ、更に不純
物ドーピング領域とキヤリア移動領域とを空間的
に分離し、２次元状態の電子をキヤリアとする高
電子移動度電界効果トランジスタ（HEMT）等
の半導体装置が開発されている。
この２次元電子ガスが蓄積されるチヤネル層は
基板との間のバツフア層を兼ねることが多く、活
性領域の半導体層に比較してその厚さを極めて大
きくすることが従来必要であり、エピタキシヤル
成長プロセスの大きい負担となつている。
基板との間のバツフア層を兼ねることが多く、活
性領域の半導体層に比較してその厚さを極めて大
きくすることが従来必要であり、エピタキシヤル
成長プロセスの大きい負担となつている。
前記HEMTの構造の一例を第２図に示す。
本従来例では半絶縁性GaAs基板１１の（100）
面上にノンドープのｉ型GaAs層１２、これより
電子親和力が小さいAlxGa1-xAs層１３、及び不
純物濃度が例えば１×1018cm-3程度のｎ型GaAs
層１４が設けられている。このｉ型GaAs層１２
はバツフア層並びに後述の如くチヤネル層として
機能し、AlGaAs層１３は電子供給層、ｎ型
GaAs層１４はキヤツプ層である。
面上にノンドープのｉ型GaAs層１２、これより
電子親和力が小さいAlxGa1-xAs層１３、及び不
純物濃度が例えば１×1018cm-3程度のｎ型GaAs
層１４が設けられている。このｉ型GaAs層１２
はバツフア層並びに後述の如くチヤネル層として
機能し、AlGaAs層１３は電子供給層、ｎ型
GaAs層１４はキヤツプ層である。
AlGaAs層１３は、例えばｉ型GaAs層１２と
の界面近傍の厚さ約６mmの領域１３ａをノンドー
プとし、その他の領域１３ｂに濃度１×1018cm-3
程度のドナー不純物を含んで、この層からｉ型
GaAs層１２へ遷移した電子によつて、ヘテロ接
合界面近傍に２次元電子ガス１２ｅが形成され
る。ｎ型GaAs層１４上にソース及びドレイン電
極１５が設けられ、この両電極間のｎ型GaAs層
１４を選択的にエツチングしAlGaAs層１３に接
して設けられたゲート電極１６で、前記２次元電
子ガス１２ｅの面濃度を制御することによりトラ
ンジスタ動作が行われる。
の界面近傍の厚さ約６mmの領域１３ａをノンドー
プとし、その他の領域１３ｂに濃度１×1018cm-3
程度のドナー不純物を含んで、この層からｉ型
GaAs層１２へ遷移した電子によつて、ヘテロ接
合界面近傍に２次元電子ガス１２ｅが形成され
る。ｎ型GaAs層１４上にソース及びドレイン電
極１５が設けられ、この両電極間のｎ型GaAs層
１４を選択的にエツチングしAlGaAs層１３に接
して設けられたゲート電極１６で、前記２次元電
子ガス１２ｅの面濃度を制御することによりトラ
ンジスタ動作が行われる。
以上説明したHEMTのエネルギー準位は第３
図ａの様であり、２次元電子ガス１２ｅはｉ型
GaAs層１２のAlGaAs層１３との界面近傍に形
成される伝導帯のエネルギー準位の井戸に蓄積さ
れている。このエネルギー準位の曲がりは、これ
を構成する半導体単結晶の禁制帯幅とフエルミ準
位EFとによつて定まる。
図ａの様であり、２次元電子ガス１２ｅはｉ型
GaAs層１２のAlGaAs層１３との界面近傍に形
成される伝導帯のエネルギー準位の井戸に蓄積さ
れている。このエネルギー準位の曲がりは、これ
を構成する半導体単結晶の禁制帯幅とフエルミ準
位EFとによつて定まる。
第３図ａに示したエネルギー準位は、バツフア
層であるｉ型GaAs層１２が例えば0.8μｍ乃至1μ
ｍ程度以上の十分な厚さを有する場合である。従
来ｉ型GaAs層１２が薄い場合には、第３図ｂに
示す如くｉ型GaAs層１２のAlGaAs層１３との
界面近傍の伝導帯の最低部がフエルミ準位EFよ
りも上となつて２次元電子ガス１２ｅが蓄積され
ず、トランジスタ動作が得られない。
層であるｉ型GaAs層１２が例えば0.8μｍ乃至1μ
ｍ程度以上の十分な厚さを有する場合である。従
来ｉ型GaAs層１２が薄い場合には、第３図ｂに
示す如くｉ型GaAs層１２のAlGaAs層１３との
界面近傍の伝導帯の最低部がフエルミ準位EFよ
りも上となつて２次元電子ガス１２ｅが蓄積され
ず、トランジスタ動作が得られない。
これは半絶縁性GaAs基板１１とｉ型GaAsバ
ツフア層１２との界面に界面準位が形成され、こ
の界面準位に伴つてノンドープのｉ型GaAs層１
２全体のエネルギー準位が上がつているためであ
る。なおこの様な界面準位の形成は、例えば炭素
(C)酸素（O2）等の不純物の付着、或いは結晶の
乱れなどにより基板１１の表面近傍がｐ型になつ
ているためであると考えられている。
ツフア層１２との界面に界面準位が形成され、こ
の界面準位に伴つてノンドープのｉ型GaAs層１
２全体のエネルギー準位が上がつているためであ
る。なおこの様な界面準位の形成は、例えば炭素
(C)酸素（O2）等の不純物の付着、或いは結晶の
乱れなどにより基板１１の表面近傍がｐ型になつ
ているためであると考えられている。
HEMTなどの精密な半導体基体は従来分子線
エピタキシヤル成長方法（MBE法）で所要の半
導体層を成長しているが、バツフア層をこの様に
厚く成長するために従来多大の時間を費やしてい
る。
エピタキシヤル成長方法（MBE法）で所要の半
導体層を成長しているが、バツフア層をこの様に
厚く成長するために従来多大の時間を費やしてい
る。
本発明者は先に特願昭60−068460により、この
バツフア層を薄くするとを可能とする半導体結晶
層成長方法及びそれを実施する装置を提供してい
る。該発明によれば、MBE装置の基板準備室内
にGaAs基板をセツトし、GaAs基板を構成する
材料の中で最も脱離し易い物質であるAsが脱離
する温度以上の温度にて、そのAs分子線を照射
しつつ所要時間の加熱を行つて、GaAs基板表面
に付着している炭素系及びその他の汚染物を除去
する。このサーマルエツチング後にGaAs基板を
成長室に移送して、必要とされるGaAs／
AlGaAs半導体結晶層をMBE成長する。
バツフア層を薄くするとを可能とする半導体結晶
層成長方法及びそれを実施する装置を提供してい
る。該発明によれば、MBE装置の基板準備室内
にGaAs基板をセツトし、GaAs基板を構成する
材料の中で最も脱離し易い物質であるAsが脱離
する温度以上の温度にて、そのAs分子線を照射
しつつ所要時間の加熱を行つて、GaAs基板表面
に付着している炭素系及びその他の汚染物を除去
する。このサーマルエツチング後にGaAs基板を
成長室に移送して、必要とされるGaAs／
AlGaAs半導体結晶層をMBE成長する。
前記発明による成長方法によつて顕著な効果が
得られ、スループツトの向上が実現されている
が、化合物単結晶であるGaAs基板において半導
体層を成長する結晶面によつてその効果に差異が
あり、結晶面の最適化が要望されている。
得られ、スループツトの向上が実現されている
が、化合物単結晶であるGaAs基板において半導
体層を成長する結晶面によつてその効果に差異が
あり、結晶面の最適化が要望されている。
前記問題点は、半絶縁性砒化ガリウム単結晶層
とドナー不純物を含む砒化アルミニウムガリウム
単結晶層とを、分子線エピタキシヤル成長法によ
つて順次成長し、該砒化ガリウム単結晶層の該砒
化アルミニウムガリウム単結晶層とのヘテロ接合
界面近傍に２次元電子ガスを蓄積する半導体基体
を製造するに際して、 該砒化ガリウム単結晶基板が（110）面を表出
し、該（110）面から砒素が脱離する温度以上の
温度にて砒化分子線のみを照射しつつ所要時間の
加熱を施した後、大気中に曝すことなく、該
（110）面上に該砒化ガリウム単結晶層をエピタキ
シヤル成長する本発明による半導体装置の製造方
法により解決される。
とドナー不純物を含む砒化アルミニウムガリウム
単結晶層とを、分子線エピタキシヤル成長法によ
つて順次成長し、該砒化ガリウム単結晶層の該砒
化アルミニウムガリウム単結晶層とのヘテロ接合
界面近傍に２次元電子ガスを蓄積する半導体基体
を製造するに際して、 該砒化ガリウム単結晶基板が（110）面を表出
し、該（110）面から砒素が脱離する温度以上の
温度にて砒化分子線のみを照射しつつ所要時間の
加熱を施した後、大気中に曝すことなく、該
（110）面上に該砒化ガリウム単結晶層をエピタキ
シヤル成長する本発明による半導体装置の製造方
法により解決される。
本発明によれば、GaAs／AlGaAs単結晶層の
エピタキシヤル成長を行うGaAs単結晶基体面と
して、（110）面を選択する。
エピタキシヤル成長を行うGaAs単結晶基体面と
して、（110）面を選択する。
GaAs単結晶の（110）面はGa原子とAs原子と
が同一平面上にある面で、両原子が異なる平面上
にある（100）面等に比較してGa原子とAs原子
間の結合力がこの面方向に強く、結晶構造の安定
性が高くて表面準位密度が少ない。
が同一平面上にある面で、両原子が異なる平面上
にある（100）面等に比較してGa原子とAs原子
間の結合力がこの面方向に強く、結晶構造の安定
性が高くて表面準位密度が少ない。
この（110）面を選択し、かつ成長前に前記発
明によるサーマルエツチングを実施することによ
り、他の結晶面に同様な処理を行つた場合に比較
して最も良好な結果が得られる。
明によるサーマルエツチングを実施することによ
り、他の結晶面に同様な処理を行つた場合に比較
して最も良好な結果が得られる。
以下本発明を、第１図は工程順模式側断面図を
示す実施例により具体的に説明する。
示す実施例により具体的に説明する。
第１図ａ参照：主表面が（110）面である半絶
縁性GaAs基板１を用い、これは脱脂洗浄及び酸
エツチング洗浄の後MBE装置内に装着する。
縁性GaAs基板１を用い、これは脱脂洗浄及び酸
エツチング洗浄の後MBE装置内に装着する。
例えば10-10Torr程度に排気した後、基板１に
As分子線を照射して10-8〜10-7Torr程度のAs雰
囲気とし、温度750℃程度に約３分間加熱するサ
ーマルエツチングを行う。
As分子線を照射して10-8〜10-7Torr程度のAs雰
囲気とし、温度750℃程度に約３分間加熱するサ
ーマルエツチングを行う。
第１図ｂ参照：次いで基板１の温度を例えば
680℃とし、ノンドープのｉ型GaAs層２は厚さ
約0.2μｍに、Al0.3Ga0.7As電子供給層３はそのノ
ンドープのスペーサ領域３ａの厚さ約６mm、シリ
コン（Si）ドーピング濃度約１×1018cm-3のｎ型
領域３ｂの厚さ約90mmに、Siドーピング濃度約１
×1018cm-3のｎ型GaAsキヤツプ層４は厚さ約10
mmに、順次連続してエピタキシヤル成長する。た
だし成長速度はGaAs1.0μｍ／ｈ、AlGaAs1.4μ
ｍ／ｈ程度としている。
680℃とし、ノンドープのｉ型GaAs層２は厚さ
約0.2μｍに、Al0.3Ga0.7As電子供給層３はそのノ
ンドープのスペーサ領域３ａの厚さ約６mm、シリ
コン（Si）ドーピング濃度約１×1018cm-3のｎ型
領域３ｂの厚さ約90mmに、Siドーピング濃度約１
×1018cm-3のｎ型GaAsキヤツプ層４は厚さ約10
mmに、順次連続してエピタキシヤル成長する。た
だし成長速度はGaAs1.0μｍ／ｈ、AlGaAs1.4μ
ｍ／ｈ程度としている。
第１図ｃ参照：前記半導体基体に従来技術によ
りソース及びドレイン電極５、ゲート電極６が設
けられ、本発明を適用したHEMT素子が完成す
る。
りソース及びドレイン電極５、ゲート電極６が設
けられ、本発明を適用したHEMT素子が完成す
る。
本実施例の半導体基体は温度77Kにおいて、２
次元電子ガス２ｅの面濃度約5.5×1011cm-2、電子
移動約9.6×104cm2／V.sが得られている。これら
の値は、主表面が（100）面である半絶縁性
GaAs基板を用い同等のプロセスを施した比較試
料に対して、それぞれ約10％向上を示している。
次元電子ガス２ｅの面濃度約5.5×1011cm-2、電子
移動約9.6×104cm2／V.sが得られている。これら
の値は、主表面が（100）面である半絶縁性
GaAs基板を用い同等のプロセスを施した比較試
料に対して、それぞれ約10％向上を示している。
以上説明した如く本発明によれば、最も効果的
に基板―エピタキシヤル成長層界面の界面準位密
度が低減されて、極めて良好な特性の２次元電子
ガスをチヤネルとするHEMT等の半導体装置を
高い生産性で製造することが可能となり、その実
用化の推進に大きい効果が得られる。
に基板―エピタキシヤル成長層界面の界面準位密
度が低減されて、極めて良好な特性の２次元電子
ガスをチヤネルとするHEMT等の半導体装置を
高い生産性で製造することが可能となり、その実
用化の推進に大きい効果が得られる。
第１図は本発明の実施例の工程順模式側断面
図、第２図はHEMTの従来例の模式側断面図、
第３図は前記従来例のエネルギー準位の例を示す
図である。 図において、１は半絶縁性GaAs基板、２はノ
ンドープのｉ型GaAs層、２ｅは２次元電子ガ
ス、３はAlGaAs電子供給層、３ａはノンドープ
のスペーサ領域、３ｂはｎ型領域、４はｎ型
GaAsキヤツプ層、５はソース及びドレイン電
極、６はゲート電極を示す。
図、第２図はHEMTの従来例の模式側断面図、
第３図は前記従来例のエネルギー準位の例を示す
図である。 図において、１は半絶縁性GaAs基板、２はノ
ンドープのｉ型GaAs層、２ｅは２次元電子ガ
ス、３はAlGaAs電子供給層、３ａはノンドープ
のスペーサ領域、３ｂはｎ型領域、４はｎ型
GaAsキヤツプ層、５はソース及びドレイン電
極、６はゲート電極を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半絶縁性砒化ガリウム単結晶基板上に、ノン
ドープの砒化ガリウム単結晶層とドナー不純物を
含む砒化アルミニウムガリウム単結晶層とを、分
子線エピタキシヤル成長方法によつて順次成長
し、該砒化ガリウム単結晶層の該砒化アルミニウ
ムガリウム単結晶層とのヘテロ接合界面近傍に２
次元電子ガスを蓄積する半導体基体を製造するに
際して、 該砒化ガリウム単結晶基板が（110）面を表出
し、該（110）面から砒素が脱離する温度以上の
温度にて砒素分子線のみを照射しつつ所要時間の
加熱を施した後、大気中に曝すことなく、該
（110）面上に該砒化ガリウム単結晶層をエピタキ
シヤル成長することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP626186A JPS62165317A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP626186A JPS62165317A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165317A JPS62165317A (ja) | 1987-07-21 |
| JPH022285B2 true JPH022285B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=11633519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP626186A Granted JPS62165317A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62165317A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2765843B2 (ja) * | 1987-12-18 | 1998-06-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JPH07115989B2 (ja) * | 1990-04-26 | 1995-12-13 | 株式会社ジャパンエナジー | 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 |
| CN102299175B (zh) * | 2011-08-29 | 2013-07-17 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构和激活方法 |
| CN102856373B (zh) * | 2012-09-29 | 2015-04-01 | 电子科技大学 | 高电子迁移率晶体管 |
-
1986
- 1986-01-17 JP JP626186A patent/JPS62165317A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62165317A (ja) | 1987-07-21 |
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