JPH02192130A - 半導体装置の樹脂封止用金型 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止用金型Info
- Publication number
- JPH02192130A JPH02192130A JP1278889A JP1278889A JPH02192130A JP H02192130 A JPH02192130 A JP H02192130A JP 1278889 A JP1278889 A JP 1278889A JP 1278889 A JP1278889 A JP 1278889A JP H02192130 A JPH02192130 A JP H02192130A
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- JP
- Japan
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- gate
- groove
- runner
- cavity
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 title abstract description 18
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- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランスファ成形プレスを用いて樹脂成形する
半導体装置の樹脂封止用金型の改良に関するものである
。
半導体装置の樹脂封止用金型の改良に関するものである
。
一般に、半導体装置の樹脂封止用金型は、トランスファ
成形プレスに装置した上下２つの型板を型締めした後、
プランジャによってトランスファポット内のレジンタブ
レットをキャビティ内に圧送し成形を行うものとして知
られている。
成形プレスに装置した上下２つの型板を型締めした後、
プランジャによってトランスファポット内のレジンタブ
レットをキャビティ内に圧送し成形を行うものとして知
られている。
従来、この種の樹脂封止用金型の両型板のうち上側の型
板は第２図に示すように１１１１１ｉ！されている。
板は第２図に示すように１１１１１ｉ！されている。
これを同図に基づいて説明すると（１）は後述するブロ
ック類を保持する定盤、（２）は定盤（１）の上に配置
されプランジャにより圧送される樹脂を配分するセンタ
ブロック、（６）はランナ（８）とゲート（４）と上型
キャビティ（５）を複数個有するキャビティブロックで
ある。このように構成された半導体装置の樹脂封止用金
型においては、型締め時にポット（図示せず）内に充填
された樹脂タブレット（図示せず）が加圧されるとラン
ナ（８）およびゲート（４）を通過してキャビティ（５
）内に流入し、予め下型のキャヒ゛ティブロック（図示
せず）上に装着されたリードフレーム上の半導体素子（
図示せず）を樹脂封止する。
ック類を保持する定盤、（２）は定盤（１）の上に配置
されプランジャにより圧送される樹脂を配分するセンタ
ブロック、（６）はランナ（８）とゲート（４）と上型
キャビティ（５）を複数個有するキャビティブロックで
ある。このように構成された半導体装置の樹脂封止用金
型においては、型締め時にポット（図示せず）内に充填
された樹脂タブレット（図示せず）が加圧されるとラン
ナ（８）およびゲート（４）を通過してキャビティ（５
）内に流入し、予め下型のキャヒ゛ティブロック（図示
せず）上に装着されたリードフレーム上の半導体素子（
図示せず）を樹脂封止する。
ところで、従来の半導体装置の樹脂封止用金型において
は、キャビテ伺５）内に樹脂を圧送する為にはランチ（
８）を通り、はぼ直角近くに配置されたゲート（４）を
通過してゲート部の先端ランド（図示せず）によりさら
に流れが絞られる。この為、ランナ（８）とゲート（４
）部のつけ根部は粘性流体である樹脂の抵抗の為摩耗が
非常に大きくなる。この摩耗による形状は初期状態第３
図（ａｌの状態から、時間と伴に第３図（ｂ）に示す摩
耗部（８）のように、ゲート（４）の深さのほぼ中央部
の摩耗がもつとも大きくなり、アンダカット状の摩耗と
なる。この為、成形後の離型時にこの摩耗部（８）に樹
脂がひつかかシ離型不良を発生させる。
は、キャビテ伺５）内に樹脂を圧送する為にはランチ（
８）を通り、はぼ直角近くに配置されたゲート（４）を
通過してゲート部の先端ランド（図示せず）によりさら
に流れが絞られる。この為、ランナ（８）とゲート（４
）部のつけ根部は粘性流体である樹脂の抵抗の為摩耗が
非常に大きくなる。この摩耗による形状は初期状態第３
図（ａｌの状態から、時間と伴に第３図（ｂ）に示す摩
耗部（８）のように、ゲート（４）の深さのほぼ中央部
の摩耗がもつとも大きくなり、アンダカット状の摩耗と
なる。この為、成形後の離型時にこの摩耗部（８）に樹
脂がひつかかシ離型不良を発生させる。
この発明はこのような事情に鑑みなされたもので、ゲー
ト（４）のつけ根部が摩耗しても離型不良の発生を防止
することができる半導体装置の樹脂封止用金型を得るこ
とを目的とする。
ト（４）のつけ根部が摩耗しても離型不良の発生を防止
することができる半導体装置の樹脂封止用金型を得るこ
とを目的とする。
この発明は、金型の上、下のキャビティブロック（６）
に相互の接合面側がラッパ状で拡開したゲート（４）及
びランチ（８）を設けたものである。
に相互の接合面側がラッパ状で拡開したゲート（４）及
びランチ（８）を設けたものである。
この発明において、キャビティブロック（６）の相互の
接合面側のゲート（４）、ランナ（８）のつけ根部はラ
ッパ状に拡開した部分で摩耗するので、ラッパ状の拡開
寸法が広がるだけとなり摩耗部はアンダカットにガる事
が防止される。この為、キャビティ（６）内に充填され
た樹脂は確実に離型できる。
接合面側のゲート（４）、ランナ（８）のつけ根部はラ
ッパ状に拡開した部分で摩耗するので、ラッパ状の拡開
寸法が広がるだけとなり摩耗部はアンダカットにガる事
が防止される。この為、キャビティ（６）内に充填され
た樹脂は確実に離型できる。
以下、この発明の一実施例を第１図（ａｌ、第１図（ｂ
ｌで説明する。従来はランナミゾ（８）だけあったが相
手側のキャビティブロックにランナミゾα０）を有し、
又ゲート（４）と対向してゲート（９）を有する。尚ゲ
ート（９）はゲート（４）のようにキャビティ部に直接
つながらず、ゲート（４）を介してキャビティに樹脂が
圧送される。したがって従来の金型にランナミゾ、ゲー
トミゾを追加した構造となっている。その他の符号の説
明は従来金型と同様につき省略する。
ｌで説明する。従来はランナミゾ（８）だけあったが相
手側のキャビティブロックにランナミゾα０）を有し、
又ゲート（４）と対向してゲート（９）を有する。尚ゲ
ート（９）はゲート（４）のようにキャビティ部に直接
つながらず、ゲート（４）を介してキャビティに樹脂が
圧送される。したがって従来の金型にランナミゾ、ゲー
トミゾを追加した構造となっている。その他の符号の説
明は従来金型と同様につき省略する。
このように構成された半導体装置の樹脂封止装置におい
て、型締成形時にはセンタブロック（２）のランナミゾ
を圧送されキャビティブロック（５）のランナミゾ（８
）、α０）に注入される。この時の流れは粘性流体の流
れであり、流れの断面形状の違いにょシ境界部近傍の流
速および圧力は異なるが境界部近傍の流速が小さく、流
の中心部が最っとも流速が大きい。この為ランナミゾ＋
８１ 、 （１０）を圧送された樹脂は、ランナミゾに
ほぼ直交して配置されたゲート（４）部で樹脂が分離さ
れる事により、ゲート（４）部入口は非常に摩耗しやす
くなる。この場合、流速の最つとも大きい部位は流れの
断面のほぼ中心部近傍であり、ゲート（４）入口部の摩
耗はほぼゲート（４）深さの中央部、すなわち上下型合
せ面（パーティング面）の摩耗が最大になる。この事に
よりゲート（４）部の入口の摩耗は抜は勾配状に摩耗す
る為、製品の離型不良を防止する事ができる。
て、型締成形時にはセンタブロック（２）のランナミゾ
を圧送されキャビティブロック（５）のランナミゾ（８
）、α０）に注入される。この時の流れは粘性流体の流
れであり、流れの断面形状の違いにょシ境界部近傍の流
速および圧力は異なるが境界部近傍の流速が小さく、流
の中心部が最っとも流速が大きい。この為ランナミゾ＋
８１ 、 （１０）を圧送された樹脂は、ランナミゾに
ほぼ直交して配置されたゲート（４）部で樹脂が分離さ
れる事により、ゲート（４）部入口は非常に摩耗しやす
くなる。この場合、流速の最つとも大きい部位は流れの
断面のほぼ中心部近傍であり、ゲート（４）入口部の摩
耗はほぼゲート（４）深さの中央部、すなわち上下型合
せ面（パーティング面）の摩耗が最大になる。この事に
よりゲート（４）部の入口の摩耗は抜は勾配状に摩耗す
る為、製品の離型不良を防止する事ができる。
以上のように本発明によれば、士、下のキャビティブロ
ックにランナミゾ、およびゲートミゾを対向して設置し
た事により、成形時のゲート入口の摩耗形状の形態が、
抜は勾配状となシ製品の離型不良を確実に防止できる効
果がある。
ックにランナミゾ、およびゲートミゾを対向して設置し
た事により、成形時のゲート入口の摩耗形状の形態が、
抜は勾配状となシ製品の離型不良を確実に防止できる効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例におけるキャビティブロッ
クの部分断面図であり、第１図（ａｌは使用初期の状態
を示す部分断面図、第１図（ｂｌは長時間使用後の摩耗
劣化状態を示す部分断面図、第２図は従来の半導体装置
の樹脂封止用金型を示す平面図、第３図は従来のキャビ
ティブロックの部分断面図であり、第３図（ａｌは使用
初期の状態を示す部分断面図、第３図ｆｂ）は長期間使
用後の摩耗劣化状態を示す部分断面図、（１）は定盤、
（２）はセンタブロック、（８）はランナ、（４）はゲ
ー）、（５）はキャビティ、（６）はチエイスブロック
、（７）はリードフレーム、（８）はゲートの摩耗部、
（９）はゲート、α０）はランナ、αυはキャビティ、
α２はゲートの摩耗部。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
クの部分断面図であり、第１図（ａｌは使用初期の状態
を示す部分断面図、第１図（ｂｌは長時間使用後の摩耗
劣化状態を示す部分断面図、第２図は従来の半導体装置
の樹脂封止用金型を示す平面図、第３図は従来のキャビ
ティブロックの部分断面図であり、第３図（ａｌは使用
初期の状態を示す部分断面図、第３図ｆｂ）は長期間使
用後の摩耗劣化状態を示す部分断面図、（１）は定盤、
（２）はセンタブロック、（８）はランナ、（４）はゲ
ー）、（５）はキャビティ、（６）はチエイスブロック
、（７）はリードフレーム、（８）はゲートの摩耗部、
（９）はゲート、α０）はランナ、αυはキャビティ、
α２はゲートの摩耗部。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 金型上、下のキャビティブロックに相互に接合面側がラ
ッパ状で拡開したゲート及びランナを設けた事を特徴と
する半導体装置の樹脂封止用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1278889A JPH02192130A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 半導体装置の樹脂封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1278889A JPH02192130A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 半導体装置の樹脂封止用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02192130A true JPH02192130A (ja) | 1990-07-27 |
Family
ID=11815136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1278889A Pending JPH02192130A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 半導体装置の樹脂封止用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02192130A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8100681B2 (en) | 2004-03-15 | 2012-01-24 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Molding a battery |
-
1989
- 1989-01-19 JP JP1278889A patent/JPH02192130A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8100681B2 (en) | 2004-03-15 | 2012-01-24 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Molding a battery |
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