JPH0218312B2 - - Google Patents

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JPH0218312B2
JPH0218312B2 JP59061245A JP6124584A JPH0218312B2 JP H0218312 B2 JPH0218312 B2 JP H0218312B2 JP 59061245 A JP59061245 A JP 59061245A JP 6124584 A JP6124584 A JP 6124584A JP H0218312 B2 JPH0218312 B2 JP H0218312B2
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joining
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、接合面にコークス化可能な結合剤を
適用しそして珪素の存在下に少なくとも接合部を
加熱することによつて、炭化珪素表面を有した成
形体部材を接合する方法に関する。
複雑な形状の炭化珪素成形体は、材料の硬度が
高い為に有利には、互に接合しなければならない
複数の部分的成形体から製造される。
米国特許第2319323号公報には既に、炭素また
は炭化珪素または反応結合した炭化珪素
(“SiSiC”と称される珪素過剰含有材料)より成
る部分的成形体を炭素およびコークス化可能な接
合剤より成るパテで接合しそして珪素粉末の存在
下に約1800℃以上の温度に加熱する方法が開示さ
れている。
ドイツ特許出願公告第1796279号公報に従う別
の方法によれば、炭化珪素被覆と、炭素製の部分
的成形体より成る炭素製コアとを有する成形体を
製造し、これをコークス化可能な結合剤、炭素お
よび炭化珪素より成るパテで接合し、そして過剰
の溶融珪素の存在下に短時間1650〜2200℃に加熱
する。
更に先願のヨーロツパ特許出願第821090354号
には、(炭化珪素より成る部分的成形体のまたは
炭化珪素表面を有する)接合面の少なくとも1つ
にSiSiCの状態で加剰の珪素が含有されているべ
き方法が開示されている。この方法の場合には細
かく研摩された接合面をパテなしで互に接合し、
そして殊に接合面への少なくとも0.1Kg/cm2の一
定の圧縮圧の使用下に10-3Torr〜1気圧の不活
性ガス雰囲気中で10〜100分間に亘つて1500〜
1800℃に加熱する。
パテを用いて実施する方法の場合には方法生成
物の形状の正確さに問題が生ずるのに、パテを用
いずに実施する方法の場合には熔接すべき面相互
を欠点無く接合することに一種の不確実さがあ
り、その際更に圧縮圧を用いて実施する方法の場
合に加圧押し付けによる煩雑さが生ずる。
それ故に本発明は、炭化珪素成形体部材を接合
する為の出来るだけ簡単で、そして疵物が少なく
実施できる方法を創造することを課題としてい
る。
この課題を解決する本発明の方法は、本質的に
は、少くとも15%の遊離珪素を含有する反応結合
した炭化珪素より成る接合面から遊離珪素を、少
なくとも100μmから約500μmの深さまで蒸発また
は特にエツチング処理によつて除くかまたはSiC
−接合面をレーザー光線照射によつて相応して粗
面化し、そして粗面化した面の孔に、コークス化
可能な物質での繰り返し含浸処理および該処理毎
の次のコークス化によつて、接合面同志を一体化
する炭素を載せるか、または珪素含有合成樹脂チ
ツプを接合面にあるいは接合面間にもたらし、そ
して該樹脂をコークス化し、そして次に一体化し
た接合面相互の接合部の炭素を、存在するまたは
外から該継ぎ目に供給した珪素にて1500〜2000℃
のもとで炭化珪素に転化することを特徴としてい
る。
Siは溶融物として接合部に供給し得るが、Si粉
末含有充填物を加熱前に接合部の周囲にもたらす
のが好ましい。
本方法の場合には、真空装置を用いることが省
略できそして圧縮装置を必要としない。研摩面に
よつて証明できる様に、接目がもはや認められな
い成形体部材の完壁な接合が得られる。真空装置
および圧縮装置なしで間に合う本発明の方法のそ
の他の大きな長所は、近付き難い場所で直接的に
および辺の直ぐ前でも熔接できることにある。
反応結合した炭化珪素は、材料の自由孔を塞さ
ぐ遊離珪素を含んでいる。本発明の方法の場合に
は遊離珪素を接合面から−特にエツチング処理に
よつて−取除き、そうして“粗面化された”、碇
着用欠損部を持つ表面を生ぜしめ、この表面に最
初に、後続するコークス化を伴なうコークス化可
能物質での繰り返し(特に2〜4回)処理によつ
て微細な炭素を載せる。この場合コークス化可能
な材料としては特に、当該技術分野において知ら
れている樹脂、タールおよびピツチ等が適してい
る。微細な炭素は更に加熱した際に、接目部での
接合面相互の接合の後に適用される浸潤珪素と迅
速に反応する。
この方法は、接合面にまたは接合面相互間に約
1mmまでの厚さの、微細珪素粉末(特に10〜50
mg/cm2、粒度1μm、弗素酸で前処理してある)
を含有する合成樹脂フイルムを適用することによ
つて簡単にできる。接目部の加熱の際に樹脂が最
初に稀溶液相をしみ出させ、その際にそれが孔中
に浸入しそして高温のもとで炭素に転化される。
更に、少なくとも1500〜2000℃に加熱して接合部
で珪化反応を行う。この温度範囲は、工業的に使
用可能な方法で受け入れ得る時間内に珪化反応が
達成されそして技術的、経済的に有利な範囲であ
る。
SiSiC−表面から遊離珪素を除く為には、例え
ばHNO3−HF溶液でのまたは苛性カリまたは−
ソーダでの処理が適している。これら酸−または
アルカリ溶液での処理は20〜80℃の温度のもとで
数時間継続する。処理温度並びに溶液濃度は、遊
離珪素の搬出に影響を与える2つの変数である。
高温および高濃度は迅速な脱珪素をもたらす。低
い温度および濃度のものとではプロセスが最初に
はゆつくりと経過する。
一般には70〜80℃および約40%の酸−アルカリ
溶液濃度で4〜6時間エツチング処理した後に
400〜600μmの深さの脱珪素領域が得られる。エ
ツチング処理後の脱珪素領域にエツチング用液体
が残留しないことが重要である。それ故に珪素
を、後続の熱処理(例えば硝酸−弗素酸混合物の
場合には200〜300℃で10分間)によつて除かれる
揮発性の酸で溶出させるのが好ましい。
酸またはアルカリ溶液での脱珪素に問題のある
場合には、珪素を蒸発によつて除いてもよい。こ
の目的の為には、保護ガス洗浄を用いての簡単な
高温炉を提示する。通常には、グラフアイト−熱
要素あるいは−サセプター(Suszeptor)を備え
た抵抗電気炉または誘導電気炉をおよび保護ガス
としてアルゴンを用いる。経験によれば、試料の
遊離珪素を定量的に蒸発させるのに、2000℃で3
時間の灼熱で充分である。
遊離Si含有量の少ない炭化珪素材料の場合、加
熱圧縮した炭化珪素の場合または技術的理由から
エツチング溶液でも蒸発プロセスでも脱珪素でき
ない材料の場合には、レーザー光線照射によつて
粗面化するのが有利である。エネルギーに富んだ
レーザー光線砲によつて、自動マイクロ先導装置
(automatische Mikroschrittmacher)と組合せ
て、約500μmの深さおよび100〜200μmのクレー
ター直径を有するクレーターを1時間の間に104
個まで作つてもよい。この微小クレーターは、す
ぐ次の段階において製造すべきSiC−接合物の為
に“碇着用欠損部”として役立つ。
エツチングまたは蒸発によつて所望の上記の碇
着用欠損部を得る為には、炭化珪素表面に遊離珪
素が少なくとも15%、殊に約20%含まれている必
要がある。欠損部の深さは碇着に充分な深さであ
り且つ経済性を考慮して、100〜500μm、殊に200
〜500μmであるべきである。
炭素を孔に入れる為には沢山の方法が可能であ
る。最も度々用いられる方法は、孔を樹脂溶液に
浸漬し、次に溶剤を蒸発させ並びに樹脂残渣をコ
ークス化するものである。液状樹脂または、孔の
中で触媒によつてまたは気体状反応相手成分によ
つて硬化する合成樹脂の液状単量体で含浸処理す
ることも可能である。この場合もコークス化はこ
の工程と隔絶する。
孔内部の炭素を充分に分離することを保証する
為には、相応する液状のコークス化可能物質ある
いは例えば樹脂溶液の如き液状希釈物を用いなけ
ればならない。コークス化可能な材料あるいは樹
脂での加熱状態の複数回の含浸処理を、その処理
毎に次に、孔の中に取り入れられた(樹脂)量の
コークス化を伴なつて行なうのが特に有利であ
る。
こうして処理した炭化珪素成形体の炭素付着表
面を、外のコークス化層を除く為に場合によつて
は短時間、機械的に仕上げ、次に緊密に接触させ
そして1500℃以上の温度のもとで液状の珪素にて
処理する。
本発明を、以下に実施例によつて更に詳細に説
明する。
実施例 SiSiCより成る角棒のその末端を4時間に亘つ
て80℃のもとで濃硝酸と40%濃度弗素酸との1:
1混合物にさらす。徹底的に洗浄したその棒末端
部を、水を除く為アルコールですすぎそして加熱
することによつて完全に乾燥させ、次にエチルア
セテートで希釈した20%濃度のフエノール/ホル
ムアルデヒド樹脂溶液〔バケリツト(Bakelite)
GmbH、イザルローン(Iserlohn)のPFH−樹
脂DF1949〕中に浸漬し、“乾燥させ”そして800
℃でのコークス化処理に委ねる。この樹脂含浸処
理およびコークス化は2回繰り返す。
次に表面を細かく研摩しそして接合した棒を固
定して1750℃に加熱しそして接合部をグラフアイ
ト−しんによつて液状珪素を供給する。反応開始
後に、接合すべき成形体を1750℃のもとで10分放
置し、次に炉の中で冷却する。
上記の如く接合した棒の接目の無い一体化物が
得られる。
比較例 円錐形に延在する中心穿孔と円錐形の対応部を
持つSiSiC−軸との接合面を注意深く浄化し且つ
研摩する。
接合面の間にSi/合成樹脂−混合物を入れ、組
み合わせたものを0.01MPaの圧縮圧で1kpaの不
活性ガス雰囲気で30分間1600℃の温度のもとで接
合する。
上記と同様に実施するが、但し接合面は組み合
わせる前に本発明の実施例に記載されているよう
に上記対応面から珪素を除く為のエツチング処理
に委ねる。
投てき試験(schleudertest)の際に、本発明
によれずに製造された装置の場合には、最初に軸
と円盤との間を旋回するヒビ割れが生じ、最後に
は円盤が振り落とされてしまう。これに対して、
本発明に従つて接合された装置はこの試験の際に
損傷を受けない。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 接合面にコークス化可能な結合剤を適用しそ
    して珪素の存在下に少なくとも接合部を加熱する
    ことによつて、炭化珪素表面を有した成形体部材
    を接合するに当たつて、少なくとも15%の遊離珪
    素を含有する反応結合した炭化珪素より成る接合
    面から遊離珪素を、少なくとも100μmから約
    500μmの深さにまで蒸発または特にエツチング処
    理によつて除くかまたはSiC−接合面をレーザー
    光線照射によつて相応して粗面化し、そして粗面
    化した面の孔に、コークス化可能な物質での繰り
    返し含浸処理および該処理毎に後続するコークス
    化によつて炭素を付着させ、接合面同士を一体化
    させるか、または珪素含有合成樹脂チツプを接合
    面にあるいは接合面間にもたらしそして該樹脂を
    コークス化し、 そして次いで、一体化した接合面相互の接合部
    の炭素を、存在するまたは外から該接合部に加え
    た珪素にて1500〜2000℃のもとで炭化珪素に転化
    することを特徴とする、上記炭化珪素表面を有し
    た成形体部材の接合方法。 2 接合面に20%の遊離珪素を有する成形体部材
    を接合に用いる特許請求の範囲第1項記載の方
    法。 3 表面の粗面化を200〜500μmの深さにまで行
    う特許請求の範囲第1項または第2項記載の方
    法。 4 レーザー光線照射処理の際に500μmの深さお
    よび200μmの直径のクレーターを200〜500μmの
    間隔で生ぜしめる特許請求の範囲第1項記載の方
    法。 5 エツチング処理を酸化剤含有の弗素酸にて行
    う特許請求の範囲第1〜3項の何れか一つに記載
    の方法。 6 コークス化可能な物質として低粘度のフエノ
    ールホルムアルデヒド樹脂溶液またはフルフラー
    ルおよび/またはフルフリルアルコールをベース
    とする接触重合性樹脂を用いる特許請求の範囲第
    1〜5項の何れか一つに記載の方法。 7 樹脂の適用およびコークス化を2〜4回実施
    する特許請求の範囲第1〜6項の何れか一つに記
    載の方法。 8 珪素含有樹脂チツプとして最高1μmの粒度を
    有する珪素粉末を特に50重量%ほど含有するフエ
    ノールホルムアルデヒド樹脂製の10〜100μmの厚
    さの円盤状物質を用いる特許請求の範囲第1〜5
    項の何れか一つに記載の方法。 9 珪化の為に、珪素を提供する粉末、特に珪素
    −および炭化珪素粉末の粉末混合物より成る200
    〜400μm付近の粒度および1:1の割合の充填物
    を用いる特許請求の範囲第1〜7項の何れか一つ
    に記載の方法。 10 接合部の炭素原子数を1600〜1700℃のもと
    で炭化珪素に転化する特許請求の範囲第1〜9項
    の何れか一つに記載の方法。
JP59061245A 1983-03-30 1984-03-30 炭化珪素表面を有する成形体部材の接合方法 Granted JPS59195586A (ja)

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DE3311553A DE3311553C2 (de) 1983-03-30 1983-03-30 Verfahren zum Verbinden von Formteilen mit Siliziumkarbidoberfläche
DE3311553.2 1983-03-30

Publications (2)

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JPS59195586A JPS59195586A (ja) 1984-11-06
JPH0218312B2 true JPH0218312B2 (ja) 1990-04-25

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Country Status (4)

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EP (1) EP0123859B1 (ja)
JP (1) JPS59195586A (ja)
DE (2) DE3311553C2 (ja)

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